本發(fā)明涉及一種感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)及校正方法。
背景技術(shù)：
：基于人們對汽車安全保護(hù)方面要求的提高，PKE（PassiveKeylessEntry，被動無匙進(jìn)入）技術(shù)應(yīng)運而生?，F(xiàn)有的PEK系統(tǒng)中，駕駛員需要通過按鈕來遙控開、鎖車門等功能，使用新型的PKE系統(tǒng)，駕駛員無須進(jìn)行任何操作，只需隨身攜帶一個感應(yīng)感應(yīng)鑰匙。當(dāng)駕駛者進(jìn)入指定范圍時，PEK感應(yīng)鑰匙能夠感測汽車發(fā)出的低頻低頻信號，并將低頻信號經(jīng)過認(rèn)證處理后通過UHF高頻信號發(fā)射器發(fā)回給汽車以實現(xiàn)開、鎖車門等功能。為了保證PKE感應(yīng)鑰匙的電池壽命不至于在短時間內(nèi)過度消耗，其只有接受到具有足夠的磁場強(qiáng)度的低頻低頻信號時才能被喚醒。因此，感應(yīng)鑰匙對低頻信號磁場的感應(yīng)穩(wěn)定性及準(zhǔn)確性顯得尤為重要，然而，由于受硬件設(shè)計架構(gòu)的影響，PKE感應(yīng)鑰匙的磁場感應(yīng)常會出現(xiàn)偏差，導(dǎo)致對汽車發(fā)出的低頻信號感應(yīng)不穩(wěn)定，出現(xiàn)誤操作。技術(shù)實現(xiàn)要素：鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)及校正方法，以提高感應(yīng)鑰匙對信號感應(yīng)的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。一種感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)，其應(yīng)用于感應(yīng)鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應(yīng)鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元、高頻發(fā)射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發(fā)射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預(yù)設(shè)存儲第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度及第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度；所述感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)包括：低頻發(fā)射控制模塊，用于控制所述低頻發(fā)射單元依次發(fā)送第一低頻信號及第二低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，所述第二低頻信號包含所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值與所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值不相同；所述感應(yīng)鑰匙依次接收所述第一低頻信號及所述第二低頻信號，并識別接收到的所述第一低頻信號的磁場強(qiáng)度為第一接收磁場強(qiáng)度值，且識別接收到的所述第二低頻信號的磁場強(qiáng)度為第二接收磁場強(qiáng)度值；高頻發(fā)射控制模塊，用于控制所述高頻發(fā)射單元依次發(fā)送第一高頻信號及第二高頻信號，所述第一高頻信號及所述第二高頻信號分別包含所述第一接收磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值；分析運算模塊，用于控制所述運算單元依次讀取所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第一接收磁場強(qiáng)度值，及所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值；并計算出補償所述低頻接收單元所接收的接收磁場強(qiáng)度值及所述低頻發(fā)射單元所發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的誤差所需要的誤差補償算法；及校正模塊，用于控制所述傳輸單元向所述感應(yīng)鑰匙發(fā)送所述補償算法，以允許所述感應(yīng)鑰匙在接收到下一低頻信號時運用所述補償算法對其接收到的接收磁場強(qiáng)度值進(jìn)行補償運算；其中，所述低頻發(fā)射控制模塊還用于在判斷所述誤差未落入一預(yù)設(shè)的誤差范圍時，控制所述低頻發(fā)射單元繼續(xù)發(fā)送另一低頻信號，以允許感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)再次對所述智能鑰匙進(jìn)行校正，直至所述誤差落入所述預(yù)設(shè)的誤差范圍。一種感應(yīng)鑰匙校正方法，其應(yīng)用于感應(yīng)鑰匙、信號源及運算裝置上；所述感應(yīng)鑰匙包括第一存儲單元、低頻接收單元高頻發(fā)射單元和處理單元；所述信號源包括第二存儲單元及低頻發(fā)射單元；所述運算裝置包括第三存儲單元、傳輸單元及運算單元，所述第三存儲單元預(yù)設(shè)存儲第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度、第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度及第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度；所述感應(yīng)鑰匙校正方法包括步驟：控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第一低頻信號，所述第一低頻信號包含所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第一低頻信號，并識別接收到的所述第一低頻信號的磁場強(qiáng)度為第一接收磁場強(qiáng)度值；控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)送第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強(qiáng)度值；控制所述通訊單元接收所述第一高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第一接收磁場強(qiáng)度值，并計算所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第一接收磁場強(qiáng)度值之間的第一差值；判斷若所述第一差值若未落入一預(yù)設(shè)的誤差范圍，則控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第二低頻信號，所述第二低頻信號包含所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值不相同；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第二低頻信號并識別接收到的所述第二低頻信號的磁場強(qiáng)度為第二接收磁場強(qiáng)度值；控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)送第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強(qiáng)度值；控制所述通訊單元接收所述第二高頻信號；控制所述運算單元讀取所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值，并計算出補償所述低頻接收單元所接收的接收磁場強(qiáng)度值及所述低頻發(fā)射單元所發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的誤差所需要的誤差補償算法；控制所述傳輸單元向所述感應(yīng)鑰匙發(fā)送所述補償算法;控制所述低頻發(fā)射單元發(fā)送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；所述感應(yīng)鑰匙接收所述第三低頻信號并識別接收到的所述第三低頻信號的磁場強(qiáng)度為第三接收磁場強(qiáng)度值；控制所述處理單元運用所述映射函數(shù)關(guān)系將所述第三接收磁場強(qiáng)度值重新計算后，得到一近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；控制所述高頻發(fā)射單元發(fā)射第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述似標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；控制所述運算單元讀取所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，并計算所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的第二差值；判斷若所述第二差值若未落入所述預(yù)設(shè)的誤差允許范圍，則繼續(xù)上述校正步驟，直至所述第一差值或所述第二差值落入所述預(yù)設(shè)的誤差允許范圍。本發(fā)明的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)及校正方法，利用信號源依次發(fā)射兩次低頻信號并同時打出相應(yīng)強(qiáng)度的磁場，感應(yīng)鑰匙將兩次接收到的磁場信息發(fā)送至運算裝置以與磁場強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值做比較運算得出用于校正的映射函數(shù)關(guān)系，當(dāng)信號源再次打出磁場時，該校正系統(tǒng)允許感應(yīng)鑰匙根據(jù)該映射函數(shù)關(guān)系得出校正后的磁場強(qiáng)度，從而提高感應(yīng)鑰匙對信號感應(yīng)的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。附圖說明圖1是本發(fā)明一實施方式中感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)的功能模塊圖。圖2為本發(fā)明一實施方式中車輛感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)的運行環(huán)境的功能模塊圖。圖3-4為本發(fā)明一實施方式中感應(yīng)鑰匙校正方法的流程圖。主要元件符號說明感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1低頻發(fā)射控制模塊102高頻發(fā)射控制模塊104分析運算模塊106校正模塊108感應(yīng)鑰匙300第一存儲單元302低頻接收單元304高頻發(fā)射單元306處理單元308信號源10第二存儲單元11低頻發(fā)射單元13亥姆霍茲線圈15運算裝置20第三存儲單元201傳輸單元202運算單元204如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。具體實施方式下面結(jié)合附圖及實施方式對本發(fā)明提供的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)100作進(jìn)一步詳細(xì)說明。請一并參考圖1和圖2，圖1為一種感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1的功能模塊圖，感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1運行于圖2所示的信號源10、運算裝置20以及感應(yīng)鑰匙300中。感應(yīng)鑰匙300具有儲存及運算功能，感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1用于校正感應(yīng)鑰匙300所接收的外部信號，以提高感應(yīng)鑰匙300對磁場感應(yīng)的穩(wěn)定性及準(zhǔn)確性。具體而言，感應(yīng)鑰匙300能夠接收信號源10所發(fā)射的外部信號并識別所述外部信號的強(qiáng)度，所述外部信號在發(fā)送與接收的過程中，所述信號源10所發(fā)射的信號強(qiáng)度及感應(yīng)鑰匙300所接收到的信號強(qiáng)度之間可能存在一定誤差值，所述感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S控制運算裝置20檢測并計算所述誤差值，并對感應(yīng)鑰匙300所接收到的信號強(qiáng)度進(jìn)行補償，使所述感應(yīng)鑰匙300能夠準(zhǔn)確地感應(yīng)所述信號源10所發(fā)射的信號的強(qiáng)度。感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1包括低頻發(fā)射控制模塊102、高頻發(fā)射控制模塊104、分析運算模塊106以及校正模塊108。低頻發(fā)射控制模塊102用于控制信號源10向感應(yīng)鑰匙300發(fā)射一低頻信號，所述低頻信號包含磁場強(qiáng)度值信息。高頻發(fā)射控制模塊104用于控制感應(yīng)鑰匙300向運算裝置20發(fā)射一高頻信號，所述高頻信號包含所述感應(yīng)鑰匙300所接收的所述低頻信號的磁場強(qiáng)度值信息。分析運算模塊106用于計算分析信號源10所發(fā)射的低頻信號磁場強(qiáng)度及感應(yīng)鑰匙300所接收到的低頻信號磁場強(qiáng)度之間的誤差值。所述校正模塊108用于向感應(yīng)鑰匙300發(fā)送消除所述誤差值所需要的磁場強(qiáng)度誤差補償算法或磁場強(qiáng)度誤差補償值。在本實施方式中，感應(yīng)鑰匙300包括第一存儲單元302、低頻接收單元304、高頻發(fā)射單元306和處理單元308。處理單元308用于為感應(yīng)鑰匙300提供運算功能。第一存儲單元302用于為感應(yīng)鑰匙300提供存儲功能，并用于存儲高頻發(fā)射控制模塊104。低頻接收單元304用于感測感應(yīng)鑰匙300周圍的低頻信號并啟動感應(yīng)鑰匙300接收所述低頻信號，所述低頻信號中包含磁場強(qiáng)度值。高頻發(fā)射單元306用于向運算裝置20發(fā)射一高頻信號，所述高頻信號中包含低頻接收單元304所接收的低頻信號的磁場強(qiáng)度值。信號源10包括第二存儲單元11、低頻發(fā)射單元13及與低頻發(fā)射單元13相連接的亥姆霍茲線圈15。第二存儲單元11用于為信號源10提供存儲功能，并用于存儲低頻發(fā)射控制模塊102。低頻發(fā)射單元13用于間隔地產(chǎn)生低頻信號并向所述的亥姆霍茲線圈15輸出相應(yīng)電壓。亥姆霍茲線圈15與低頻發(fā)射單元13連接后打出均勻的標(biāo)準(zhǔn)磁場，使得低頻發(fā)射單元13向周邊發(fā)出一低頻信號以允許感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收。所述低頻信號包含所述標(biāo)準(zhǔn)磁場的標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度。在本實施方式中，亥姆霍茲線圈15的軸中心附近用于放置感應(yīng)鑰匙300，所述低頻信號及磁場信號能夠被感應(yīng)鑰匙300所感測以啟動感應(yīng)鑰匙300，以使感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述低頻信號，從而允許高頻發(fā)射單元306發(fā)射所述高頻信號，所述高頻信號中包含低頻接收單元304所接收的低頻信號的磁場強(qiáng)度值。運算裝置20包括第三存儲單元201、傳輸單元202及運算單元204。運算裝置20可以為電腦、手機(jī)等電子裝置，也可以為集成在感應(yīng)鑰匙300內(nèi)的運算程序。第三存儲單元201用于為運算裝置20提供存儲功能，并用于存儲分析運算模塊106及校正模塊108。本實施方式中，在感應(yīng)鑰匙300進(jìn)行校正前，第三存儲單元201預(yù)先存儲信號源10產(chǎn)生的磁場的磁場強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值。傳輸單元202與感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306建立無線通信，其用于接收感應(yīng)鑰匙300發(fā)送的高頻信號，同時用于將運算裝置20所計算的所述誤差補償算法或誤差補償值發(fā)送至感應(yīng)鑰匙300中。在本實施例中，傳輸單元202為UHF高頻信號發(fā)射/接收器。運算單元204用于從感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306發(fā)射的高頻信號中獲取低頻接收單元304所接收的低頻信號的磁場強(qiáng)度值，并將所述磁場強(qiáng)度值第三存儲單元201中預(yù)存的磁場強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值進(jìn)行比較運算以得出消除所述磁場強(qiáng)度值及磁場強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值之間的誤差所需的誤差補償算法。請再次參閱圖1，感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1的各個模塊為存儲在第一存儲單元302或/及第二存儲單元11或/及第三存儲單元201中、并可被第一存儲單元302或/及第二存儲單元11或/及第三存儲單元201執(zhí)行的可程序化的模塊。在本實施方式中，低頻發(fā)射控制模塊102存儲在第二存儲單元11中并可被低頻發(fā)射單元13執(zhí)行；高頻發(fā)射控制模塊104及校正模塊108存儲在第一存儲單元302中，并可被高頻發(fā)射單元306執(zhí)行；分析運算模塊106存儲在第三存儲單元201中，并可被運算單元204執(zhí)行。上述各模塊的程序執(zhí)行具體如下：低頻發(fā)射控制模塊102控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射第一低頻信號，同時與低頻發(fā)射單元13連接的亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第一低頻信號包含第一發(fā)射磁場強(qiáng)度值，所述第一發(fā)射磁場強(qiáng)度值為第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第一低頻信號，并識別其接收的第一低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第一低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第一接收磁場強(qiáng)度值。高頻發(fā)射控制模塊104控制感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送一第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的傳輸單元202接收所述第一高頻信號，并從所述第一高頻信號中獲取所述第一接收磁場強(qiáng)度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第一接收磁場強(qiáng)度值，并計算所述第一接收磁場強(qiáng)度值與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。若判斷所述差值為零或落入允許的誤差范圍內(nèi)，則感應(yīng)鑰匙300的感應(yīng)靈敏度符合要求，不需校正，則流程結(jié)束。若所述差值未落入誤差允許的范圍內(nèi)，則需對感應(yīng)鑰匙300繼續(xù)校正。低頻發(fā)射控制模塊102再次控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射一第二低頻信號，同時與低頻發(fā)射單元13連接的亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第二低頻信號包含第二發(fā)射磁場強(qiáng)度值，所述第二發(fā)射磁場強(qiáng)度值為第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值不同于所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第二低頻信號，并識別其接收的第二低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第二低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第二接收磁場強(qiáng)度值。高頻發(fā)射控制模塊104控制感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送一第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的傳輸單元202接收所述第二高頻信號，并從所述第二高頻信號中獲取所述第二接收磁場強(qiáng)度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值，并計算所述第二接收磁場強(qiáng)度值與所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。分析運算模塊106控制運算單元204建立一第一函數(shù)關(guān)系及一第二函數(shù)關(guān)系，所述第一函數(shù)關(guān)系為所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的線性函數(shù)關(guān)系；所述第二函數(shù)關(guān)系為所述第一接收磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值之間的線性函數(shù)關(guān)系。運算單元204繼續(xù)計算，建立所述第一函數(shù)關(guān)系及所述一第二函數(shù)關(guān)系之間的映射函數(shù)關(guān)系。所述映射函數(shù)關(guān)系應(yīng)用于所述第二函數(shù)關(guān)系中時，能夠使得所述第一接收磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值經(jīng)過換算后，分別無限地接近所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。換言之，所述第一接收磁場強(qiáng)度值在套用所述映射函數(shù)關(guān)系后，能夠得到一第一近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，所述第一近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值相較于所述第一接收磁場強(qiáng)度值更為接近所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；所述第二接收磁場強(qiáng)度值在套用所述映射函數(shù)關(guān)系后，能夠得到一第二近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，所述第二近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值相較于所述第二接收磁場強(qiáng)度值更為接近所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值?？梢岳斫猓龅谝唤茦?biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值可以分別無限地接近所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。在本實施方式中，所述映射函數(shù)關(guān)系由所述第一函數(shù)關(guān)系相對于所述第二函數(shù)關(guān)系的偏移量及斜率差確定。校正模塊108控制傳輸單元202將所述映射函數(shù)關(guān)系傳輸并存儲至感應(yīng)鑰匙300的第一存儲單元302中。低頻發(fā)射控制模塊102再次控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射一第三低頻信號，同時與低頻發(fā)射單元13連接的亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第三低頻信號包含第三發(fā)射磁場強(qiáng)度值，所述第三發(fā)射磁場強(qiáng)度值為第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第三低頻信號，并識別其接收的第三低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第三低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第三接收磁場強(qiáng)度值。感應(yīng)鑰匙300的處理單元308將所述第三接收磁場強(qiáng)度值應(yīng)用所述映射函數(shù)關(guān)系重新計算后，得到一第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送一第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的傳輸單元202接收所述第三高頻信號，并從所述第三高頻信號中獲取所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值，并計算所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值與所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。若所述差值在誤差允許的范圍之內(nèi)，則上述的校正流程結(jié)束，若所述差值未落入誤差允許的范圍，則重復(fù)上述感應(yīng)鑰匙校正流程。本發(fā)明實施方式的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1可以應(yīng)用于感應(yīng)鑰匙300的生產(chǎn)中，通過所述映射函數(shù)關(guān)系對感應(yīng)鑰匙300接收到的信號進(jìn)行磁場強(qiáng)度補償，提高感應(yīng)鑰匙300的靈敏度?？梢岳斫猓袘?yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1也可以應(yīng)用在感應(yīng)鑰匙300的質(zhì)量檢測或檢修中。甚至，感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1還可以應(yīng)用在一車輛控制系統(tǒng)中。具體而言，信號源10可以設(shè)置在一車輛上，運算裝置20可以集成在感應(yīng)鑰匙300中，可以設(shè)置在所述車輛上，也可以集成在信號源10內(nèi)。當(dāng)用戶發(fā)現(xiàn)感應(yīng)鑰匙300的靈敏度下降時，可以啟動感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1，采用上述校正流程獲取一新的映射函數(shù)關(guān)系，對感應(yīng)鑰匙300重新校正，以提高其感應(yīng)靈敏度。感應(yīng)鑰匙300經(jīng)過校正后，首先對其所接收的低頻信號的磁場強(qiáng)度進(jìn)行補償計算，再根據(jù)補償后的磁場強(qiáng)度執(zhí)行下一步作業(yè)。例如，若補償后的磁場強(qiáng)度落入一預(yù)設(shè)范圍，感應(yīng)鑰匙300可以控制所述車輛車門的開啟或關(guān)閉。因此，應(yīng)用感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)S1的感應(yīng)鑰匙300的靈敏度較高，能夠預(yù)防因接收的磁場強(qiáng)度誤差而導(dǎo)致誤操作。請參照圖3及圖4，圖3及圖4示出了本發(fā)明一實施方式中感應(yīng)鑰匙校正方法的流程圖。所述感應(yīng)鑰匙的校正方法，包括如下步驟：步驟S101：信號源10發(fā)射第一低頻信號，所述第一低頻信號包含第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300接收所述第一低頻信號。具體地，低頻發(fā)射控制模塊102控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射所述第一低頻信號，所述第一低頻信號包含第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第一低頻信號，并識別其接收的第一低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第一低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第一接收磁場強(qiáng)度值。步驟S103：感應(yīng)鑰匙300向運算裝置20發(fā)射第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強(qiáng)度值；運算裝置20接收所述第一高頻信號。具體地，高頻發(fā)射控制模塊104控制感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送所述第一高頻信號，所述第一高頻信號包含所述第一接收磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的傳輸單元202接收所述第一高頻信號，并從所述第一高頻信號中獲取所述第一接收磁場強(qiáng)度值。步驟S105：運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20計算所述第一接收磁場強(qiáng)度值與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第一接收磁場強(qiáng)度值，并計算所述第一接收磁場強(qiáng)度值與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。若判斷所述差值為零或落入允許的誤差范圍內(nèi)，則感應(yīng)鑰匙300的感應(yīng)靈敏度符合要求，不需校正，則流程結(jié)束。若所述差值未落入誤差允許的范圍內(nèi)，則需對感應(yīng)鑰匙300繼續(xù)校正，進(jìn)入步驟S107。步驟S107：信號源10發(fā)射第二低頻信號，所述第二低頻信號包含第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300接收所述第二低頻信號。具體地，低頻發(fā)射控制模塊102控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射所述第二低頻信號，所述第二低頻信號包含一與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值不相同的第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第二低頻信號，并識別其接收的第二低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第二低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第二接收磁場強(qiáng)度值。步驟S109：感應(yīng)鑰匙300向運算裝置20發(fā)射第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強(qiáng)度值；運算裝置20接收所述第二高頻信號。具體地，高頻發(fā)射控制模塊104控制感應(yīng)鑰匙300的高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送所述第二高頻信號，所述第二高頻信號包含所述第二接收磁場強(qiáng)度值。運算裝置20的傳輸單元202接收所述第二高頻信號，并從所述第二高頻信號中獲取所述第二接收磁場強(qiáng)度值。步驟S111：運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20計算所述第二接收磁場強(qiáng)度值與所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值，并計算所述第二接收磁場強(qiáng)度值與所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。步驟S113：運算裝置20根據(jù)所述第一接收磁場強(qiáng)度值與所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值及第二接收磁場強(qiáng)度值與所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值，計算感應(yīng)鑰匙300接收磁場信號的誤差程度及消除所述誤差所需的誤差補償算法。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204建立所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第二標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的第一函數(shù)關(guān)系，及所述第一接收磁場強(qiáng)度值及所述第二接收磁場強(qiáng)度值之間的第二函數(shù)關(guān)系，同時建立所述第一函數(shù)關(guān)系及所述一第二函數(shù)關(guān)系之間的映射函數(shù)關(guān)系。所述映射函數(shù)關(guān)系即消除所述誤差所需的誤差補償算法。在本實施方式中，所述映射函數(shù)關(guān)系由第一函數(shù)關(guān)系相對于所述第二函數(shù)關(guān)系的偏移量及斜率差確定。步驟S115：運算裝置20繼續(xù)將所述誤差補償算法回傳至感應(yīng)鑰匙300，感應(yīng)鑰匙300接收并存儲所述誤差補償算法。具體地，校正模塊108控制傳輸單元202將所述映射函數(shù)關(guān)系傳輸并存儲至感應(yīng)鑰匙300的第一存儲單元302中。步驟S117：信號源10發(fā)送第三低頻信號，所述第三低頻信號包含第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300接收所述第三低頻信號。具體地，低頻發(fā)射控制模塊102再次控制信號源10的低頻發(fā)射單元13發(fā)射一第三低頻信號，同時與低頻發(fā)射單元13連接的亥姆霍茲線圈15打出磁場，使所述第三低頻信號包含第三發(fā)射磁場強(qiáng)度值，所述第三發(fā)射磁場強(qiáng)度值為第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。感應(yīng)鑰匙300的低頻接收單元304接收所述第三低頻信號，并識別其接收的第三低頻信號的磁場強(qiáng)度值。記低頻接收單元304接收到的所述第三低頻信號的磁場強(qiáng)度值為第三接收磁場強(qiáng)度值。步驟S119：感應(yīng)鑰匙300應(yīng)用所述誤差補償算法對所述第三接收磁場強(qiáng)度值進(jìn)行補償計算后，得到第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值；感應(yīng)鑰匙300繼續(xù)向運算裝置20發(fā)送第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。具體地，感應(yīng)鑰匙300的處理單元308將所述第三接收磁場強(qiáng)度值應(yīng)用所述映射函數(shù)關(guān)系重新計算后，得到一第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。高頻發(fā)射單元306向運算裝置20發(fā)送一第三高頻信號，所述第三高頻信號包含所述第三近似標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。步驟S121：運算裝置20的第三存儲單元201中預(yù)存有所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值。運算裝置20計算所述第三近似磁場強(qiáng)度值與所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。具體地，分析運算模塊106控制運算單元204讀取所述第一標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值及所述第三近似磁場強(qiáng)度值，并計算所述第三近似磁場強(qiáng)度值與所述第三標(biāo)準(zhǔn)磁場強(qiáng)度值之間的差值。若判斷所述差值為零或落入允許的誤差范圍內(nèi)，則感應(yīng)鑰匙300的感應(yīng)靈敏度符合要求，本次校正流程結(jié)束。若所述差值未落入誤差允許的范圍內(nèi)，則需對感應(yīng)鑰匙300繼續(xù)校正，進(jìn)入步驟S101-S121。本發(fā)明的感應(yīng)鑰匙校正系統(tǒng)及校正方法，利用信號源10依次發(fā)射兩次低頻信號并同時打出相應(yīng)強(qiáng)度的磁場，感應(yīng)鑰匙300將兩次接收到的磁場信息發(fā)送至運算裝置20以與磁場強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值做比較運算得出用于校正的映射函數(shù)關(guān)系，當(dāng)信號源10再次打出磁場時，該校正系統(tǒng)允許感應(yīng)鑰匙300根據(jù)該映射函數(shù)關(guān)系得出校正后的磁場強(qiáng)度，從而提高感應(yīng)鑰匙300對信號感應(yīng)的準(zhǔn)確性及穩(wěn)定性。可以理解，該校正系統(tǒng)100可同時校正多個具有存儲及運算功能的感應(yīng)鑰匙300。以上實施方式僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照以上較佳實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換都不應(yīng)脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3