磁記錄介質(zhì)讀取裝置制造方法
【專利摘要】讀卡器（1）具備：插入口（22），供磁卡（21）插入；傳輸機(jī)構(gòu)（25～28），傳輸從插入口（22）插入的磁卡（21）；磁頭（29），從被傳輸?shù)拇趴ǎ?1）讀取數(shù)據(jù)；以及磁場產(chǎn)生部（8），被設(shè)置在插入口（22）附近。在磁場產(chǎn)生部（8）的前方設(shè)置有磁性體（36），通過從磁場產(chǎn)生部（8）產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由磁性體（36）向前方偏在，從而強(qiáng)干擾磁場作用于被安裝在面板（200）的前面的非法讀取裝置（300）。另一方面，由于在磁場產(chǎn)生部（8）的后方未設(shè)置磁性體，所以干擾磁場不向后方延伸，從而磁頭（29）能夠不被干擾磁場影響而讀取磁卡（21）的數(shù)據(jù)。
【專利說明】磁記錄介質(zhì)讀取裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于讀取在磁記錄介質(zhì)中記錄的數(shù)據(jù)的裝置，尤其是涉及具有防止數(shù)據(jù)的非法取得的功能的磁記錄介質(zhì)讀取裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在ATM (Automated Teller Machine:自助設(shè)備、自動(dòng)存取款機(jī))或 CD (CashDispenser:自動(dòng)付款機(jī))等交易處理裝置中，搭載了用于讀取磁卡的讀卡器。在這樣的交易處理裝置中，最近，產(chǎn)生了在磁卡被插入讀卡器時(shí)非法取得卡的磁條中記錄的數(shù)據(jù)的被稱為竊取(skimming)的犯罪。
[0003]作為典型的竊取的例子，存在以下方法:將具備磁頭的非法讀取裝置設(shè)置在ATM或CD所具備的讀卡器的卡插入口的附近，通過該非法讀取裝置的磁頭，非法取得被插入讀卡器的磁卡的數(shù)據(jù)。
[0004]對于上述的竊取，至今為止提出了各種對策。例如，在后敘的專利文獻(xiàn)I中，記載了在卡插入口的附近設(shè)置有干擾磁場產(chǎn)生器的讀卡器。在該讀卡器中，通過干擾磁場產(chǎn)生器，在卡插入口的外側(cè)區(qū)域產(chǎn)生干擾磁場。因此，即使在卡插入口的外側(cè)安裝了非法讀取裝置，由該裝置讀取的數(shù)據(jù)也受到干擾磁場的影響，成為與卡中記錄的原數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。由此，能夠防止卡的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0005]此外，在后敘的專利文獻(xiàn)2中，記載了在卡插入口的周圍配設(shè)了用于產(chǎn)生干擾磁場的環(huán)形天線的讀卡器。環(huán)形天線的天線面與卡插入口的前面平行。在該讀卡器中也在卡插入口的外側(cè)區(qū)域產(chǎn)生干擾磁場，所以即使在卡插入口的外側(cè)安裝了非法讀取裝置，也能夠防止卡的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0006]圖19表示具備干擾磁場產(chǎn)生器的讀卡器的一例。在讀卡器I的箱體100的前面設(shè)置有卡插入口單元24。在卡插入口單元24上，形成供磁卡21插入的插入口 22。在插入口 22的附近設(shè)置有干擾磁場產(chǎn)生器35。在箱體100的內(nèi)部設(shè)置有讀取磁卡21的數(shù)據(jù)的磁頭29。讀卡器I被配設(shè)在交易處理裝置的面板200的內(nèi)側(cè)。干擾磁場產(chǎn)生器35產(chǎn)生的干擾磁場作用于被安裝在面板200的前面的非法讀取裝置300，阻止從沿A方向插入的磁卡21非法取得數(shù)據(jù)。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:特開2001 - 67524號公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:特許第4425674號公報(bào)
[0011]發(fā)明的概要
[0012]發(fā)明要解決的課題
[0013]在圖19所示的讀卡器I中，存在以下問題:為了可靠地防止非法讀取裝置300中的竊取，使得干擾磁場的強(qiáng)度越強(qiáng)，則在干擾磁場產(chǎn)生器35的后方側(cè)產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度也變強(qiáng)，所以干擾磁場到達(dá)箱體100內(nèi)的磁頭29，從而數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種磁記錄介質(zhì)讀取裝置，該磁記錄介質(zhì)讀取裝置使強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置，且干擾磁場不到達(dá)磁頭，從而使得數(shù)據(jù)的讀取性能不降低。
[0015]用于解決課題的手段
[0016]本發(fā)明所涉及的磁記錄介質(zhì)讀取裝置具備:插入口，供磁記錄介質(zhì)插入；傳輸機(jī)構(gòu)，傳輸從該插入口插入的磁記錄介質(zhì)；磁頭，從通過該傳輸機(jī)構(gòu)傳輸?shù)拇庞涗浗橘|(zhì)讀取數(shù)據(jù)；以及磁場產(chǎn)生部，被設(shè)置在插入口附近，產(chǎn)生用于干擾通過在該插入口的前方安裝的非法讀取裝置讀取磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)的干擾磁場，此外，設(shè)置了用于使從磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場偏在(bias、分布不均)而不到達(dá)磁頭的磁性體或者環(huán)形天線。
[0017]通過這樣構(gòu)成，從磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場由于磁性體或環(huán)形天線的作用而偏在，所以干擾磁場不到達(dá)磁頭。因此，在磁頭中，能夠不被干擾磁場影響地讀取磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)，從而避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0018]在本發(fā)明中，也可以在磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置磁性體,從磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由磁性體而向前方偏在。
[0019]在本發(fā)明中，也可以在磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置環(huán)形天線，基于從磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場，通過電磁感應(yīng)在環(huán)形天線中進(jìn)一步產(chǎn)生干擾磁場，從而干擾磁場向前方偏在。
[0020]在本發(fā)明中，也可以在磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置環(huán)形天線，基于從磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場，通過磁共振在環(huán)形天線中進(jìn)一步產(chǎn)生干擾磁場，從而干擾磁場向前方偏在。[0021 ] 在本發(fā)明中，也可以在環(huán)形天線中插入有磁性體。
[0022]在本發(fā)明中，環(huán)形天線產(chǎn)生的干擾磁場的頻率也可以是比磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場的頻率低的頻率。
[0023]在本發(fā)明中，也可以在磁場產(chǎn)生部的后方設(shè)置磁性體，該磁性體被配置在磁頭的附近。此時(shí)，磁性體也可以構(gòu)成與磁頭對置地設(shè)置的輥的一部分。此外，磁性體也可以與磁頭對置，被配置在該磁頭的單側(cè)或者兩側(cè)。
[0024]在本發(fā)明中，磁性體被設(shè)置在磁場產(chǎn)生部的前方以及后方。
[0025]在本發(fā)明中，環(huán)形天線被設(shè)置在磁場產(chǎn)生部的前方，磁性體被設(shè)置在磁場產(chǎn)生部的后方。
[0026]發(fā)明效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種磁記錄介質(zhì)讀取裝置，即使在使強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置的情況下，由于干擾磁場不到達(dá)磁頭，所以數(shù)據(jù)的讀取性能不降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的讀卡器的電結(jié)構(gòu)的框圖。
[0029]圖2是第I實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖以及主視圖。
[0030]圖3是磁卡的俯視圖。
[0031]圖4是表示第I實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的圖。
[0032]圖5是用于說明磁條的檢測的波形圖。[0033]圖6是第2實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0034]圖7是表示第2實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的圖。
[0035]圖8是表示第3實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的圖。
[0036]圖9是用于說明磁共振的電路圖。
[0037]圖10是第4實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0038]圖11是表示第4實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的圖。
[0039]圖12是第5實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖以及輥的側(cè)面剖面圖。
[0040]圖13是表不第5實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的圖。
[0041]圖14是表不第6實(shí)施方式中的干擾磁場的分布的主要部分?jǐn)U大圖。
[0042]圖15是第7實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0043]圖16是第8實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0044]圖17是第9實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0045]圖18是第10實(shí)施方式的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
[0046]圖19是以往的讀卡器的側(cè)面剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。在各圖中，相同附圖標(biāo)記表示相同部分或者對應(yīng)部分。
[0048](第I實(shí)施方式)
[0049]首先，參照圖1以及圖2，說明第I實(shí)施方式的讀卡器的結(jié)構(gòu)。
[0050]如圖1所示，本實(shí)施方式的讀卡器I具備:控制部2，由控制裝置整體的動(dòng)作的CPU構(gòu)成；磁信息讀取部3,讀取在磁卡中記錄的磁數(shù)據(jù)；卡傳輸部4,傳輸磁卡；卡檢測傳感器5，檢測磁卡；存儲(chǔ)器6，存儲(chǔ)由磁信息讀取部3讀取的磁數(shù)據(jù)；主機(jī)接口 7，作為與上級裝置(例如ATM)的連接部；磁條檢測部10，檢測磁卡的磁條；以及磁場產(chǎn)生部8，產(chǎn)生用于干擾在磁條中記錄的數(shù)據(jù)的讀取的干擾磁場。
[0051]控制部2包含:磁場控制部9，控制磁場產(chǎn)生部8 ;以及卡傳輸控制部12，控制卡傳輸部4。磁條檢測部10以及磁場產(chǎn)生部8被設(shè)置在卡插入口單元24內(nèi)。磁條檢測部10包含后述的磁頭34 (圖2)。
[0052]如圖2 Ca)所示，在讀卡器I的箱體100的前面設(shè)置有卡插入口單元24。在卡插入口單元24上，形成供磁卡(以下簡稱為“卡”)21插入的插入口 22?？?1如圖3所示，具有磁條21a。圖3是從背面看卡21的圖。在插入口 22的附近，設(shè)置有:卡插入檢測傳感器
23,檢測被插入的卡21 ;磁頭34,檢測卡21的磁條21a ;以及磁場產(chǎn)生部8,產(chǎn)生干擾磁場。
[0053]磁場產(chǎn)生部8例如由鐵芯和將其纏繞的線圈構(gòu)成。從圖2 (b)可知，磁場產(chǎn)生部8朝向插入口 22，被設(shè)置在磁條檢測用的磁頭34側(cè)。
[0054]在讀卡器I的箱體100的內(nèi)部，設(shè)置有傳輸輥25?28、卡位置檢測傳感器30?
33、磁頭29。傳輸輥25?28隔著傳輸路徑P分別以I對設(shè)置，以I對輥夾持卡21而傳輸。這些傳輸輥25?28經(jīng)由傳輸帶(省略圖示)與電動(dòng)機(jī)(省略圖示)連結(jié)。在I對傳輸輥之中，一方為傳遞電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)力的驅(qū)動(dòng)棍，另一方為從動(dòng)于該驅(qū)動(dòng)棍而旋轉(zhuǎn)的從動(dòng)棍。傳輸輥25?28與上述的傳輸帶以及電動(dòng)機(jī)一起，構(gòu)成卡傳輸部4 (圖1)?？▊鬏敳?是本發(fā)明中的“傳輸機(jī)構(gòu)”的一例。
[0055]卡位置檢測傳感器30?33是透過型的光傳感器，分別具有隔著傳輸路徑P而對置的發(fā)光部和受光部。這些傳感器30?33的配置間隔比磁卡21的傳輸方向的長度更短。傳感器30檢測離插入口 22最近的傳輸輥25上夾持卡21的情況。傳感器33檢測被插入的卡21到達(dá)暫時(shí)地存放卡的存放部(省略圖示)的情況。傳感器31、32檢測傳輸中的卡21的位置。這些卡位置檢測傳感器30?33與所述的卡插入檢測傳感器23 —起，構(gòu)成卡檢測傳感器5 (圖1)。
[0056]磁頭29在傳輸棍26和傳輸棍27之間,被設(shè)置在傳輸路徑P的下側(cè)。該磁頭29在被插入的卡21在傳輸路徑P上傳輸?shù)倪^程中，讀取在卡21的磁條21a上記錄的數(shù)據(jù)。前述的磁頭34是用于檢測有無在磁條中記錄的數(shù)據(jù)的磁頭，與此相對磁頭29是用于再現(xiàn)在磁條中記錄的數(shù)據(jù)本身的磁頭。磁頭29和傳感器33的間隔比卡21的傳輸方向的長度稍長。從而，在卡21到達(dá)了存放部時(shí)，即在卡21的前端到達(dá)了傳感器33的位置時(shí)，磁頭29完成了在卡21中記錄的數(shù)據(jù)的讀取。
[0057]讀卡器I被配設(shè)在交易處理裝置的面板200的內(nèi)側(cè)。從面板200的開口向A方向插入的卡21被導(dǎo)入讀卡器I的插入口 22。在磁場產(chǎn)生部8的前方,面板200和卡插入口單元24之間，配設(shè)有由鐵氧體(ferrite)或鐵那樣的導(dǎo)磁率高的材料構(gòu)成的磁性體36。該磁性體36被安裝在例如在面板200上設(shè)置的支撐部件(省略圖示)上。通過讀卡器I和磁性體36，構(gòu)成本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)讀取裝置。
[0058]接著，如圖2 Ca)所示，說明在面板200的前面安裝了包含磁頭的非法讀取裝置300的情況下的竊取對策。
[0059]若基于磁場控制部9 (圖1)的控制，在磁場產(chǎn)生部8中流過驅(qū)動(dòng)電流，則磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生干擾磁場。在本實(shí)施方式中，在磁場產(chǎn)生部8中持續(xù)流過驅(qū)動(dòng)電流，從而磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生干擾磁場。由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場,如圖4的虛線所不,被導(dǎo)入成為一種波導(dǎo)路的磁性體36，而向前方(X方向)延伸，作用于非法讀取裝置300。因此，通過非法讀取裝置300讀取的數(shù)據(jù)受到干擾磁場的影響，成為與卡21中記錄的原數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。由此，能夠防止卡21的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0060]另一方面，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場還存在于磁場產(chǎn)生部8的后方(Y方向)。但是，由于在磁場產(chǎn)生部8的后方未設(shè)置磁性體,所以干擾磁場不會(huì)經(jīng)由磁性體向后方延伸。因此，干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁數(shù)據(jù)讀取用的磁頭29，從而磁頭29能夠不被干擾磁場影響而讀取卡21的數(shù)據(jù)。
[0061]像這樣,在第I實(shí)施方式中，通過在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置磁性體36,由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由磁性體36向前方偏在。其結(jié)果，干擾磁場的強(qiáng)度成為前方強(qiáng)而后方弱。從而，使強(qiáng)干擾磁場作用于被安裝在面板200的前面的非法讀取裝置300，從而能夠可靠地防止竊取，此外，干擾磁場不到達(dá)讀卡器I內(nèi)的磁頭29，從而能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0062]此外，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場還作用于磁條檢測用的磁頭34。因此，即使在非法讀取裝置經(jīng)由引線被連接到磁頭34的情況下，也能夠防止數(shù)據(jù)被非法取得。另外，即使干擾磁場常時(shí)作用于磁頭34，由于磁頭34不需要再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)本身，所以例如能夠利用在磁條21a的檢測的前后檢測信號的模式不同來檢測磁條21a。此情況以圖5進(jìn)行說明。[0063]圖5 (a)是在磁場產(chǎn)生部8中流過的驅(qū)動(dòng)電流的波形。從磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生與該驅(qū)動(dòng)電流相應(yīng)的干擾磁場。圖5 (b)是在不存在干擾磁場的情況下，從磁頭34輸出的檢測信號的波形。圖5 (c)是在存在干擾磁場的情況下，從磁頭34輸出的檢測信號的波形，成為合成了圖5 (a)和圖5 (b)的波形。從圖5 (C)可知,在檢測到磁條的時(shí)刻t的前后,檢測信號的模式不同。從而，依照該模式的變化，能夠檢測磁條。
[0064](第2實(shí)施方式)
[0065]接著，說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。另外，關(guān)于第2實(shí)施方式中的讀卡器的電結(jié)構(gòu)，由于與圖1相同，所以省略說明。
[0066]圖6表不第2實(shí)施方式的讀卡器。在所述的第I實(shí)施方式(圖2)中，在磁場產(chǎn)生部8的前方,設(shè)置有磁性體36。與此相對,在第2實(shí)施方式中,在磁場產(chǎn)生部8的前方,設(shè)置有環(huán)形天線37。該環(huán)形天線37也與磁性體36相同，安裝在被設(shè)置在面板200上的支撐部件(省略圖示)上。通過讀卡器I和環(huán)形天線37，構(gòu)成本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)讀取裝置。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖2相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0067]從磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生干擾磁場。在本實(shí)施方式中，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場(一次干擾磁場)如圖7的虛線所示，與環(huán)形天線37交鏈。因此，在環(huán)形天線37中，通過電磁感應(yīng)，產(chǎn)生如點(diǎn)劃線所示那樣的干擾磁場(二次干擾磁場)。并且，即使一次干擾磁場沒有到達(dá)非法讀取裝置300，二次干擾磁場也作用于非法讀取裝置300。因此，通過非法讀取裝置300讀取的數(shù)據(jù)受到二次干擾磁場的影響，成為與卡21中記錄的原數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。由此，能夠防止卡21的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0068]另一方面，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的一次干擾磁場還存在于磁場產(chǎn)生部8的后方(Y方向)。但是，由于在磁場產(chǎn)生部8的后方?jīng)]有設(shè)置磁性體或環(huán)形天線，一次干擾磁場不會(huì)向后方延伸。因此，一次干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁數(shù)據(jù)讀取用的磁頭29，從而磁頭29能夠不被一次干擾磁場影響而讀取卡21的數(shù)據(jù)。另外，關(guān)于一次干擾磁場對磁條檢測用的磁頭34的影響，與第I實(shí)施方式的情況相同。
[0069]像這樣，在第2實(shí)施方式中，在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置環(huán)形天線37，基于由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的一次干擾磁場，通過環(huán)形天線37產(chǎn)生基于電磁感應(yīng)的二次干擾磁場。其結(jié)果，一次干擾磁場在表現(xiàn)上經(jīng)由環(huán)形天線37向前方偏在。本發(fā)明所述的“偏在(分布不均)”，還包含這樣的表現(xiàn)上的偏在(分布不均)。其結(jié)果，干擾磁場的強(qiáng)度成為前方強(qiáng)而后方弱。從而，使強(qiáng)干擾磁場作用于被安裝在面板200的前面的非法讀取裝置300，從而能夠可靠地防止竊取，此外，干擾磁場不會(huì)到達(dá)讀卡器I內(nèi)的磁頭29，從而能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0070](第3實(shí)施方式)
[0071]接著，說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。另外，關(guān)于第3實(shí)施方式中的讀卡器的結(jié)構(gòu)，由于與圖1以及圖6相同,所以省略說明。
[0072]在第3實(shí)施方式中，與第2實(shí)施方式(圖6)相同,在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置有環(huán)形天線37。其中，在第2實(shí)施方式的情況下，通過電磁感應(yīng)使環(huán)形天線37產(chǎn)生二次干擾磁場，與此相對，在第3實(shí)施方式的情況下，通過磁共振使環(huán)形天線37產(chǎn)生二次干擾磁場。
[0073]如圖9所示，磁共振是以下現(xiàn)象:在靠近配置了具有相同的共振頻率的兩個(gè)共振電路時(shí)，通過一方的共振電路的共振產(chǎn)生的磁場的振動(dòng)被傳遞至另一方的共振電路，另一方的共振電路共振而產(chǎn)生相同的頻率的磁場的振動(dòng)。
[0074]圖8表不第3實(shí)施方式中的干擾磁場的分布。從磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生虛線所不的一次干擾磁場。在本實(shí)施方式中，由于利用磁共振，所以一次干擾磁場不需要與環(huán)形天線37交鏈。若由磁場產(chǎn)生部8通過共振產(chǎn)生一次干擾磁場，則環(huán)形天線37通過磁共振而共振，在環(huán)形天線37中，產(chǎn)生如點(diǎn)劃線所示那樣的二次干擾磁場。并且，該二次干擾磁場作用于非法讀取裝置300。因此，與第2實(shí)施方式的情況相同，能夠防止通過非法讀取裝置300非法取得卡21的數(shù)據(jù)。
[0075]另一方面，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的一次干擾磁場還存在于磁場產(chǎn)生部8的后方(Y方向)。但是，由于在磁場產(chǎn)生部8的后方，沒有設(shè)置磁性體或環(huán)形天線，所以一次干擾磁場不會(huì)向后方延伸。因此，與第2實(shí)施方式的情況相同，磁頭29能夠不被一次干擾磁場影響而讀取卡21的數(shù)據(jù)。另外，關(guān)于對磁條檢測用的磁頭34的一次干擾磁場的影響，與第I實(shí)施方式的情況相同。
[0076]像這樣，在第3實(shí)施方式中，在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置環(huán)形天線37，基于由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的一次干擾磁場，通過環(huán)形天線37產(chǎn)生基于磁共振的二次干擾磁場。其結(jié)果，一次干擾磁場在表現(xiàn)上經(jīng)由環(huán)形天線37向前方偏在。其結(jié)果，干擾磁場的強(qiáng)度成為前方強(qiáng)而后方弱。從而，使強(qiáng)干擾磁場作用于被安裝在面板200的前面的非法讀取裝置300，從而能夠可靠地防止竊取，此外，干擾磁場不會(huì)到達(dá)讀卡器I內(nèi)的磁頭29，從而能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0077](第4實(shí)施方式)
[0078]接著，說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。另外，關(guān)于第4實(shí)施方式中的讀卡器的電結(jié)構(gòu)，由于與圖1相同，所以省略說明。
[0079]圖10表示第4實(shí)施方式的讀卡器。在圖10中，對圖6中的環(huán)形天線37插入由鐵氧體或鐵那樣的導(dǎo)磁率高的材料構(gòu)成的磁性體38。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖6相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0080]圖11表不第4實(shí)施方式中的干擾磁場的分布。從磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生虛線所不的一次干擾磁場。該一次干擾磁場被導(dǎo)入至成為一種導(dǎo)波路的磁性體38,并向前方(X方向)延伸，作用于非法讀取裝置300。此外，通過一次干擾磁場與環(huán)形天線37交鏈，在環(huán)形天線37中，通過電磁感應(yīng)，產(chǎn)生點(diǎn)劃線所示的二次干擾磁場。并且，該二次干擾磁場還作用于非法讀取裝置300。因此，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的一次干擾磁場、和由環(huán)形天線37產(chǎn)生的二次干擾磁場的雙方作用于非法讀取裝置300。從而，能夠更有效地防止卡21的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0081]另外，關(guān)于一次干擾磁場對磁數(shù)據(jù)讀取用的磁頭29的影響，以及一次干擾磁場對磁條檢測用的磁頭34的影響，與第I實(shí)施方式的情況相同。
[0082]此外，在此，以通過電磁感應(yīng)產(chǎn)生二次干擾磁場為例說明，但在通過磁共振產(chǎn)生二次干擾磁場的情況下，第4實(shí)施方式也能夠適用。
[0083]像這樣，在第4實(shí)施方式中，通過在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置環(huán)形天線37以及磁性體38，一次干擾磁場經(jīng)由磁性體38向前方偏在，且在環(huán)形天線37中產(chǎn)生二次干擾磁場。其結(jié)果，一次干擾磁場和二次干擾磁場的雙方能夠作用于非法讀取裝置300，使更強(qiáng)的干擾磁場作用于非法讀取裝置300，從而能夠更可靠地防止竊取。此外，干擾磁場不會(huì)到達(dá)讀卡器I內(nèi)的磁頭29，從而能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0084](第5實(shí)施方式)
[0085]接著，說明本發(fā)明的第5實(shí)施方式。另外，關(guān)于第5實(shí)施方式中的讀卡器的電結(jié)構(gòu)，由于與圖1相同，所以省略說明。
[0086]圖12 (a)表不第5實(shí)施方式的讀卡器。在圖12 (a)中，與磁頭29對置地設(shè)置有用于向磁頭29按壓卡21的輥27a。該輥27a如圖12 (b)所示，由芯部件27b、和覆蓋其外周的橡膠等覆蓋部件27c構(gòu)成。并且，芯部件27b由鐵氧體或鐵那樣的導(dǎo)磁率高的材料構(gòu)成。S卩，在本實(shí)施方式中，棍27a的一部分成為磁性體。
[0087]圖13表不第5實(shí)施方式中的干擾磁場的分布。從磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生虛線所示的干擾磁場。由于該干擾磁場強(qiáng)度強(qiáng)，所以向前方(X方向)延伸，作用于非法讀取裝置300。因此，能夠防止通過非法讀取裝置300卡21的數(shù)據(jù)被非法取得。
[0088]另一方面，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場由于強(qiáng)度強(qiáng),也向后方(Y方向)延伸。然而，由于與磁頭29對置的輥27a的芯部件27b是磁性體，所以向后方延伸的干擾磁場的上半部分被集中于輥27a，不會(huì)到達(dá)磁頭29。此外，向后方延伸的干擾磁場的下半部分處于磁頭29的下方，不會(huì)影響磁頭29。因此，磁頭29能夠不被干擾磁場影響而讀取卡21的數(shù)據(jù)。
[0089]像這樣,在第5實(shí)施方式中，由于與磁頭29對置地設(shè)置有磁性體,所以存在于磁場產(chǎn)生部8的后方的干擾磁場(上半部分)向磁性體偏在。其結(jié)果，即使為了防止竊取而使干擾磁場變強(qiáng)，由于干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁頭29，所以能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0090](第6實(shí)施方式)
[0091]接著，說明本發(fā)明的第6實(shí)施方式。另外，關(guān)于第6實(shí)施方式中的讀卡器的電結(jié)構(gòu)，由于與圖1相同，所以省略說明。
[0092]圖14 (a)表不第6實(shí)施方式的讀卡器的主要部分。在第6實(shí)施方式中,代替第5實(shí)施方式(圖12)的輥27a，設(shè)置有與磁頭29對置的磁性體40。該磁性體40由鐵氧體或鐵那樣的導(dǎo)磁率高的材料構(gòu)成。
[0093]像這樣，在與磁頭29對置地設(shè)置了磁性體40的情況下，存在于磁場產(chǎn)生部8的后方的干擾磁場如虛線所示，也向磁性體40偏在。因此，與第5實(shí)施方式相同，即使為了防止竊取而使干擾磁場變強(qiáng)，由于干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁頭29，所以能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0094]在圖14 (a)中，在磁頭29的單側(cè)設(shè)置有磁性體40，但也可以如圖14 (b)所示，在磁頭29的兩側(cè)設(shè)置磁性體40a、40b。此外，在圖12中，也可以在磁頭29的下側(cè)設(shè)置圖14(b)的磁性體40b。若這樣,貝U能夠通過下側(cè)的磁性體40b有效地阻止圖13中的下半部分的干擾磁場到達(dá)磁頭29。
[0095]另外，在圖12以及圖14中，在與磁頭29對置的位置上設(shè)置了磁性體，但磁性體的位置不僅限于與磁頭29對置的位置，是磁頭29的附近的位即可。
[0096](第7實(shí)施方式)
[0097]圖15表不本發(fā)明的第7實(shí)施方式。第7實(shí)施方式組合了第I實(shí)施方式(圖2)和第5實(shí)施方式(圖12)。S卩，在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置有磁性體36,且在磁場產(chǎn)生部8的后方與磁頭29對置地設(shè)置有包含磁性體的輥27a。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖2以及圖12相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0098]根據(jù)第7實(shí)施方式，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由磁性體36向前方偏在，從而強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置300而能夠防止竊取，此外，后方的干擾磁場向輥27a偏在，從而干擾磁場不到達(dá)磁頭29，能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0099](第8實(shí)施方式)
[0100]圖16表不本發(fā)明的第8實(shí)施方式。第8實(shí)施方式組合了第I實(shí)施方式(圖2)和第6實(shí)施方式(圖14 (a))。S卩，在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置有磁性體36,且在磁場產(chǎn)生部8的后方與磁頭29對置地設(shè)置有磁性體40。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖2以及圖14 Ca)相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0101]根據(jù)第8實(shí)施方式，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由磁性體36向前方偏在，從而強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置300而能夠防止竊取，此外，后方的干擾磁場向磁性體40偏在，從而干擾磁場不到達(dá)磁頭29，能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0102]另外，作為第8實(shí)施方式的變形例，還能夠進(jìn)行圖2和圖14 (b)的組合。
[0103](第9實(shí)施方式)
[0104]圖17表示本發(fā)明的第9實(shí)施方式。第9實(shí)施方式組合了第2實(shí)施方式或者第3實(shí)施方式(都為圖6)和第5實(shí)施方式(圖12)。即，在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置有環(huán)形天線37，且在磁場產(chǎn)生部8的后方與磁頭29對置地設(shè)置有包含磁性體的輥27a。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖6以及圖12相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0105]根據(jù)第9實(shí)施方式，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場在表現(xiàn)上經(jīng)由環(huán)形天線37向前方偏在，從而強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置300而能夠防止竊取，此外，后方的干擾磁場向輥27a偏在，從而干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁頭29，能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0106]另外，作為第9實(shí)施方式的變形例，還能夠進(jìn)行第4實(shí)施方式(圖10)和第5實(shí)施方式(圖12)的組合。
[0107](第10實(shí)施方式)
[0108]圖18表示本發(fā)明的第10實(shí)施方式。第10實(shí)施方式組合了第2實(shí)施方式或者第3實(shí)施方式(都為圖6)、和第6實(shí)施方式(圖14 (a))。S卩,在磁場產(chǎn)生部8的前方設(shè)置有環(huán)形天線37，且在磁場產(chǎn)生部8的后方與磁頭29對置地設(shè)置有磁性體40。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，由于與圖6以及圖14 (a)相同，所以省略重復(fù)部分的說明。
[0109]根據(jù)第10實(shí)施方式，由磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場在表現(xiàn)上經(jīng)由環(huán)形天線37向前方偏在，從而強(qiáng)干擾磁場作用于非法讀取裝置300而能夠防止竊取，此外，后方的干擾磁場向磁性體40偏在，從而干擾磁場不會(huì)到達(dá)磁頭29，能夠避免數(shù)據(jù)的讀取性能降低。
[0110]另外，作為第10實(shí)施方式的變形例，還能夠進(jìn)行圖6和圖14 (b)的組合。此外，還能夠進(jìn)行圖10和圖14 Ca)的組合，以及圖10和圖14 (b)的組合。
[0111](其他實(shí)施方式)
[0112]在本發(fā)明中，除了以上述的實(shí)施方式以外，還能夠采用各種實(shí)施方式。
[0113]例如，在以上述的各實(shí)施方式中，磁場產(chǎn)生部8由鐵芯和將其纏繞的線圈構(gòu)成，但本發(fā)明中的磁場產(chǎn)生部8不僅限定于此。例如，磁場產(chǎn)生部8也可以由環(huán)形天線構(gòu)成。
[0114]此外，在圖2或圖6中，列舉了被設(shè)置在磁場產(chǎn)生部8的前方的磁性體36或環(huán)形天線37被安裝在面板200側(cè)的例子，但也可以根據(jù)讀卡器的構(gòu)造，將磁性體36或環(huán)形天線37設(shè)置在讀卡器側(cè)。
[0115]此外，在設(shè)置環(huán)形天線37的實(shí)施方式中，也可以將環(huán)形天線37產(chǎn)生的干擾磁場(二次干擾磁場)的頻率f2設(shè)為比磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生的干擾磁場(一次干擾磁場)的頻率f I低的頻率。此時(shí)，在環(huán)形天線37上附設(shè)頻率變換電路。若這樣，則從環(huán)形天線37產(chǎn)生適于干擾的(難以濾波的)低頻的磁場，所以能夠有效地防止竊取。此外，由于從磁場產(chǎn)生部8產(chǎn)生能夠傳播至遠(yuǎn)距離的高頻的磁場，所以即使環(huán)形天線37和磁場產(chǎn)生部8的距離長，也能夠可靠地從磁場產(chǎn)生部8向環(huán)形天線37傳遞磁場。
[0116]此外，在以上的說明中，敘述了插入卡21的情況下的竊取對策，但由于從磁場產(chǎn)生部8常時(shí)產(chǎn)生干擾磁場，所以在返還卡21的情況下，也能夠防止竊取。
[0117]另外，對于本發(fā)明來說不是必須常時(shí)產(chǎn)生干擾磁場，也可以對干擾磁場設(shè)置休止期間。
[0118]此外，在以上的說明中，敘述了對被安裝在面板200的前面的非法讀取裝置300的竊取、和對磁條檢測用的磁頭34的竊取的各對策。另一方面，作為對磁數(shù)據(jù)讀取用的磁頭29的竊取對策，例如，采取對由磁頭29讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行加密等對策。
[0119]此外，在以上的各實(shí)施方式中，作為磁記錄介質(zhì)，以在背面(反面)有磁條的磁卡為例進(jìn)行。但是，本發(fā)明還能夠適用于處理在正面有磁條或在正反雙面都有磁條的磁卡的磁記錄介質(zhì)讀取裝置。
[0120]此外，在以上的各實(shí)施方式中，作為磁記錄介質(zhì)以磁卡為例說明。但是，本發(fā)明不限于磁卡，還能夠適用于讀取具有磁條的存折那樣的磁記錄介質(zhì)的裝置。
[0121]工業(yè)實(shí)用性
[0122]本發(fā)明能夠普遍適用于在ATM那樣的自動(dòng)交易處理裝置中搭載的讀卡器或讀折器或在卡認(rèn)證終端中搭載的讀卡器等讀取磁記錄介質(zhì)的裝置。
[0123]附圖標(biāo)記說明
[0124]I 讀卡器
[0125]4 卡傳輸部
[0126]8 磁場產(chǎn)生部
[0127]9 磁場控制部
[0128]21 磁卡
[0129]22 插入口
[0130]27a 輥
[0131]29 磁頭
[0132]36磁性體
[0133]37環(huán)形天線
[0134]38磁性體
[0135]40、40a、40b 磁性體
【權(quán)利要求】
1.一種磁記錄介質(zhì)讀取裝置，具備: 插入口，供磁記錄介質(zhì)插入； 傳輸機(jī)構(gòu)，傳輸從所述插入口插入的磁記錄介質(zhì)； 磁頭，從通過所述傳輸機(jī)構(gòu)傳輸?shù)拇庞涗浗橘|(zhì)讀取數(shù)據(jù)；以及 磁場產(chǎn)生部，被設(shè)置在所述插入口附近，產(chǎn)生干擾磁場，該干擾磁場對通過在該插入口的前方安裝的非法讀取裝置讀取所述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)進(jìn)行干擾； 所述磁記錄介質(zhì)讀取裝置的特征在于， 該磁記錄介質(zhì)讀取裝置設(shè)有磁性體或者環(huán)形天線，該磁性體或者環(huán)形天線用于使從所述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場偏在而不到達(dá)所述磁頭。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 在所述磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置有所述磁性體， 從所述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場經(jīng)由所述磁性體向前方偏在。
3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 在所述磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置有所述環(huán)形天線， 基于從所述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場，通過電磁感應(yīng)在所述環(huán)形天線中進(jìn)一步產(chǎn)生干擾磁場，由此干擾磁場向前方偏在。
4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 在所述磁場產(chǎn)生部的前方設(shè)置有所述環(huán)形天線， 基于從所述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的干擾磁場，通過磁共振在所述環(huán)形天線中進(jìn)一步產(chǎn)生干擾磁場，由此干擾磁場向前方偏在。
5.如權(quán)利要求3或4所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 在所述環(huán)形天線中插入有磁性體。
6.如權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置,其特征在于， 所述環(huán)形天線所產(chǎn)生的干擾磁場的頻率是比所述磁場產(chǎn)生部所產(chǎn)生的干擾磁場的頻率低的頻率。
7.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 在所述磁場產(chǎn)生部的后方設(shè)置有所述磁性體， 所述磁性體被配置在所述磁頭的附近。
8.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 所述磁性體是與所述磁頭對置地設(shè)置的輥的一部分。
9.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 所述磁性體與所述磁頭對置，被配置在該磁頭的單側(cè)或者兩側(cè)。
10.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 所述磁性體被設(shè)置在所述磁場產(chǎn)生部的前方以及后方。
11.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)讀取裝置，其特征在于， 所述環(huán)形天線被設(shè)置在所述磁場產(chǎn)生部的前方， 所述磁性體被設(shè)置在所述磁場產(chǎn)生部的后方。
【文檔編號】G07D9/00GK103733232SQ201180072818
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2011年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月30日
【發(fā)明者】忠政明博, 鈴木弘之, 木村智哉 申請人:日立歐姆龍金融系統(tǒng)有限公司