關(guān)鍵邏輯門Gaging，并訪問下 一個所述的老化關(guān)鍵邏輯門G aging;
[0030] 若：該老化關(guān)鍵邏輯門Gaging不為發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G 的元素，
[0031] 則：放棄從發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G"ra}中剔除該老化關(guān)鍵邏輯門Gaging，并訪 問下一個所述老化關(guān)鍵邏輯門G aging;
[0032] 步驟（9):按所述拓?fù)湫盘栃蛄性L問所述基準(zhǔn)電路中時序關(guān)鍵路徑上的且未經(jīng)門 尺寸調(diào)整法加固的邏輯門G timing，找出直接影響該基準(zhǔn)電路性能的時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming;
[0033] 步驟（10):同一個對PMOS/NMOS晶體管寬度長度等比放大的替換門Gtiming'替換時 序關(guān)鍵邏輯門G timing，以便增加時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming的臨界電荷量，從而弱化甚至屏蔽一 定寬度的SET瞬態(tài)故障脈沖，達(dá)到容忍軟錯誤的目的，并記錄所有用于替換的邏輯門；
[0034] 步驟（11):查找所述的時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming所連接的鎖存器集合{L timing}，并判 斷所述的鎖存器集合{Ltiming}的性質(zhì)：
[0035] 若：所述的鎖存器集合{Ltiming}中包含已加固的鎖存器；
[0036] 則：從所述的鎖存器集合{Ltiming}中剔除已加固的鎖存器；
[0037] 步驟（12):同一個抗SEU的替換鎖存器Ltiming'替換鎖存器集合{L timing}的元素， 將該鎖存器集合{Ltiming}的元素從所述的發(fā)生軟錯誤的鎖存器集合IL emJ中剔除，并記錄 所有用于替換的鎖存器；
[0038] 步驟（13):判斷該時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming和發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G_ OT}的關(guān) 系：
[0039] 若：該時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming為發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G 的元素，
[0040] 則：從發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G"ra}中剔除該時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming，并訪問下 一個所述的時序關(guān)鍵邏輯門G timing;
[0041] 若：該時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming不為發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G 的元素，
[0042] 則：放棄從發(fā)生軟錯誤的邏輯門集合{G"ra}中剔除該時序關(guān)鍵邏輯門G timing，并訪 問下一個所述的時序關(guān)鍵邏輯門Gtiming;
[0043] 步驟（14):判斷加固效果是否已經(jīng)達(dá)到集成電路設(shè)計的可靠性目標(biāo)：
[0044] 若：加固效果未達(dá)到集成電路設(shè)計的可靠性目標(biāo)，
[0045] 則：對軟錯誤關(guān)鍵邏輯門Gotot進(jìn)行加固后，將該軟錯誤關(guān)鍵邏輯門Gotot從發(fā)生軟 錯誤的邏輯門集合{G_ ot}中剔除，并訪問下一個所述的軟錯誤關(guān)鍵邏輯門Gotot;
[0046] 若：加固效果已達(dá)到集成電路設(shè)計的可靠性目標(biāo)，
[0047] 則：終止加固流程。
[0048] 在步驟（4)中，對于不是與非門的替換，若替換后在電路閑置時所述前一個扇入 門G1的輸出仍為"0"的，則嘗試替換G 1的所有扇入門以使G1的輸出變?yōu)?1"，若仍不能使 G1的輸出變?yōu)? 1"，則不替換G i。
[0049] 在步驟（14)中，對于軟錯誤關(guān)鍵邏輯門Gotot的加固方法，從發(fā)生軟錯誤的邏輯門 集合{G OTOT}中取出軟錯誤率最高的邏輯門Gotot _，該軟錯誤率最高的邏輯門Gotot _-定 為按所述拓?fù)湫盘栃蛄性L問所述基準(zhǔn)電路中非老化關(guān)鍵路徑上的、非時序關(guān)鍵路徑上的、 未經(jīng)門尺寸調(diào)整法加固的剩余的邏輯門G otot;
[0050] 查找所述的軟錯誤關(guān)鍵邏輯門Gotot所連接的鎖存器集合{L ，并判斷所述的 鎖存器集合ILemJ的性質(zhì)：
[0051] 若：所述的鎖存器集合ILemJ中包含已加固的鎖存器；
[0052] 則：從所述的鎖存器集合ILemJ中剔除已加固的鎖存器；
[0053] 此時，所述的鎖存器集合ILemJ中不包含已加固的鎖存器，同一個容忍SET和SEU 的替換鎖存器L ot。/替換該鎖存器集合{LOTOT}的元素，將該鎖存器集合{LOTOT}的元素從 所述的發(fā)生軟錯誤的鎖存器集合IL emJ中剔除，并記錄所有用于替換的鎖存器。
[0054] 在步驟（9)中，當(dāng)時序關(guān)鍵路徑的時序余量小于步驟（14)中所述容忍SET和SEU 的替換鎖存器L m。/的時延，不能通過步驟（14)進(jìn)行加固，需通過步驟（10)、（11)、（12)、 (13)進(jìn)行加固，否則發(fā)生時序違規(guī)。
[0055] 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：
[0056] 1)替換門方法結(jié)構(gòu)簡單，并且不影響電路本身的性能，用這一種方法，在集成電路 閑置時，能延緩NBTI效應(yīng)導(dǎo)致的電路老化；
[0057] 2)門尺寸調(diào)整法易于實(shí)現(xiàn)，同樣不影響電路本身的性能，用這一種方法，在集成電 路工作（閑置時同樣有效）時，能弱化甚至屏蔽空間輻射效應(yīng)導(dǎo)致的SET瞬態(tài)故障脈沖（一 定寬度范圍內(nèi)）；
[0058] 3)在老化關(guān)鍵路徑和時序關(guān)鍵路徑上進(jìn)行抗SEU的鎖存器替換，同樣不影響電路 本身的性能，用這一種方法，在集成電路工作（閑置時同樣有效）時，能容忍空間輻射效應(yīng) 導(dǎo)致的SEU ;
[0059] 4)在非關(guān)鍵路徑上進(jìn)行抗SET和SEU的鎖存器替換，同樣不影響電路本身的性能， 用這一種方法，在集成電路工作（閑置時同樣有效）時，能同時弱化甚至屏蔽空間輻射效應(yīng) 導(dǎo)致的SET瞬態(tài)故障脈沖（一定寬度范圍內(nèi)），并且對SEU免疫。
【附圖說明】
[0060] 圖1為本發(fā)明在關(guān)鍵路徑上針對NBTI的門替換方法。
[0061] 圖2為本發(fā)明在老化關(guān)鍵路徑和時序關(guān)鍵路徑上針對SET的門尺寸調(diào)整法。
[0062] 圖3是本發(fā)明在計算電路軟錯誤率時建立電氣效應(yīng)查找表的整體流程。
[0063] 圖4是本發(fā)明協(xié)同考慮NBTI效應(yīng)的電路軟錯誤率整體計算流程。
[0064] 圖5是本發(fā)明在老化關(guān)鍵路徑和時序關(guān)鍵路徑上替換的容忍SEU鎖存器。
[0065] 圖6是本發(fā)明在非關(guān)鍵路徑上替換的同時容忍SET和SEU的鎖存器。
[0066] 圖7為本發(fā)明的整體實(shí)施流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0067] -種延緩老化并容忍軟錯誤的集成電路選擇性加固方法，對基準(zhǔn)電路利用計算機(jī) 進(jìn)行仿真設(shè)計，具體步驟如下：
[0068] 步驟（1):向所述的計算機(jī)輸入對所述的基準(zhǔn)電路進(jìn)行測試時用的測試信號拓?fù)?序列；
[0069] 步驟（2):計算考慮負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性NBTI效應(yīng)的集成電路軟錯誤率，找出發(fā) 生軟錯誤的邏輯門集合{G_ OT}和發(fā)生軟錯誤的鎖存器集合{L_OT}，并將所述的發(fā)生軟錯 誤的邏輯門集合{G" ra}和所述的發(fā)生軟錯誤的鎖存器集合ILemJ的元素按照軟錯誤率的 大小從高到低進(jìn)行排序；
[0070] 步驟（3):按所述拓?fù)湫盘栃蛄性L問所述基準(zhǔn)電路中老化關(guān)鍵路徑上的每一個與 非邏輯門，即老化關(guān)鍵邏輯門G aging，找出直接影響該基準(zhǔn)電路時延的所述老化關(guān)鍵邏輯門 Gaging；
[0071] 步驟⑷：判斷老化關(guān)鍵路徑上，所述老化關(guān)鍵邏輯門Gaging的前一個扇入門G拍 輸出信號：
[0072] 若：所述前一個扇入門輸出是"0"，
[0073] 則：同一個在輸入端增加了睡眠信號^的替換門G1'替換所述前一個扇入門 G1，以便在所述基準(zhǔn)電路閑置時能使該替換門G1'的輸出變?yōu)?1"，達(dá)到延緩NBTI效應(yīng)引起 的老化的目的，并記錄所有用于替換的邏輯門；
[0074] 若：所述前一個扇入門輸出為"1"，
[0075] 則：放棄替換所述的前一個扇入門G1;
[0076] 步驟（5):同一個對PMOS/NMOS晶體管寬度長度等比放大（門尺寸調(diào)整法）的替 換門G aging'替換老化關(guān)鍵邏輯門Gaging，以便增加該老化關(guān)鍵邏輯門Gaging的臨界電荷量，從 而弱化甚至屏蔽一定寬度的單粒子瞬態(tài)故障脈沖（稱之為SET瞬態(tài)故障脈沖），達(dá)到容忍軟 錯誤的目的，并記錄所有用于替換的邏輯門；
[0077] 步驟（6):查找所述的老化關(guān)鍵邏輯門Gaging所連接的鎖存器集合{L aging sub}，并判 斷所述的鎖存器集合ILaging sub}的性質(zhì)：
[0078] 若：所述的鎖存器集合ILaging sub}中包含已加固的鎖存器；
[0079] 則：從所述的鎖存器集合ILaging sub}中剔除已加固的鎖存器；
[0080] 步驟（7):同一個抗單粒子翻轉(zhuǎn)SEU的替換鎖存器Laging'替換該鎖存器集合{L aging} 的元素，將該鎖存器集合{Laging}的元素從所述的發(fā)生軟錯誤的鎖存器集合{L_J中剔除，