置的第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12，位于所述第一導(dǎo)電層11和所述第二導(dǎo)電層12之間的第一絕緣層13 ;其中，所述第一導(dǎo)電層11與所述第二導(dǎo)電層12之間具有第一過孔14，所述第二導(dǎo)電層12通過所述第一過孔14與所述第一導(dǎo)電層11電連接。
[0064]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述走線區(qū)202還設(shè)置有多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)單元(圖中未示出)以及與所述柵極驅(qū)動(dòng)單元電連接的連接信號(hào)線3，如圖3所示，所述連接信號(hào)線3通過第二過孔4與所述第一信號(hào)線I電連接，將所述第一信號(hào)線I中的驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸給所述柵極驅(qū)動(dòng)單元。
[0065]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述連接信號(hào)線3可以通過與所述第一信號(hào)線I中的第一導(dǎo)電層11電連接，實(shí)現(xiàn)所述連接信號(hào)線3與所述第一信號(hào)線I的電連接；也可以通過與所述第一信號(hào)線I中的第二導(dǎo)電層12的電連接，實(shí)現(xiàn)所述連接信號(hào)線3與所述第一信號(hào)線I的電連接，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0066]還需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述連接信號(hào)線3還可以用于與其他驅(qū)動(dòng)單元電連接，為其他驅(qū)動(dòng)單元提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0067]如圖4所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述顯示區(qū)100設(shè)置有柵極層5、源漏極層6、像素電極層7、公共電極層8和信號(hào)傳輸走線層9 ;其中，所述公共電極層8包括多個(gè)觸控單元，所述觸控單元在顯示階段用作公共電極，在觸控階段用作觸控電極；所述信號(hào)傳輸走線層9包括多條信號(hào)傳輸走線，所述信號(hào)傳輸走線與所述觸控單元電連接，在顯示階段為所述觸控單元提供公共電壓信號(hào)，在觸控階段為所述觸控單元提供觸控信號(hào)。
[0068]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11與所述柵極層5位于同一層，所述連接信號(hào)線3與所述源漏極層6位于同一層，如圖5所示；在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11與所述源漏極層6位于同一層，所述連接信號(hào)線3與所述柵極層5位于同一層，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0069]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層12與所述像素電極層7位于同一層，如圖7所示，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層12與所述公共電極層8位于同一層，如圖8所示，在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層12與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層，如圖9所示，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0070]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11、所述第二導(dǎo)電層12還可以只有一種一層導(dǎo)電層與其他導(dǎo)電層中的任一導(dǎo)電層位于同一層，或所述第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層12中的任一導(dǎo)電層均單獨(dú)形成，而不與其他導(dǎo)電層中的任一導(dǎo)電層位于同一層，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0071]需要說明的是，由于所述像素電極層7可選為透明電極，故在上述實(shí)施例中，當(dāng)所述第二導(dǎo)電層12與所述像素電極層7位于同一層時(shí)，所述第二導(dǎo)電層12也可選為透明電極，以使得所述第二導(dǎo)電層12與所述像素電極層7可以同時(shí)形成，減少所述陣列基板的制程，提高所述陣列基板的生產(chǎn)效率，降低所述陣列基板的成本；而所述信號(hào)傳輸走線層9可選為金屬電極層，以降低所述信號(hào)傳輸走線的電阻，提高所述信號(hào)傳輸走線傳輸信號(hào)的速度，故當(dāng)所述第二導(dǎo)電層12與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層時(shí)，所述第二導(dǎo)電層12可選為金屬導(dǎo)電層，使得所述第二導(dǎo)電層12與所述信號(hào)傳輸走線層9可以同時(shí)形成，減少所述陣列基板的制程，提高所述陣列基板的生產(chǎn)效率，降低所述陣列基板的成本，同時(shí)還可以進(jìn)一步降低所述第二導(dǎo)電層12的電阻，從而在相同阻值的情況下，進(jìn)一步降低所述第一信號(hào)線I的寬度，縮小所述陣列基板的邊框區(qū)域。同理，當(dāng)所述第二導(dǎo)電層12與所述公共電極層8位于同一層時(shí)，所述第二導(dǎo)電層12的制作材料可選與所述公共電極層8的制作材料，但本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0072]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述走線區(qū)202還包括多條第二信號(hào)線2，如圖10所示，所述第二信號(hào)線2包括:依次層疊設(shè)置的第三導(dǎo)電層21、第四導(dǎo)電層22和第五導(dǎo)電層23 ;位于所述第三導(dǎo)電層21與所述第四導(dǎo)電層22之間的第二絕緣層24 ;位于所述第四導(dǎo)電層22與所述第五導(dǎo)電層23之間的第三絕緣層25 ;其中，在所述第三導(dǎo)電層21和所述第四導(dǎo)電層22之間具有第三過孔26，在所述第四導(dǎo)電層22和所述第五導(dǎo)電層23之間具有第四過孔27，所述第三導(dǎo)電層21通過所述第三過孔26與所述第四導(dǎo)電層22電連接，所述第四導(dǎo)電層22通過所述第四過孔27與所述第五導(dǎo)電層23電連接。
[0073]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21可以單獨(dú)形成，也可以與所述柵極層5位于同一層，或與所述源漏極層6位于同一層，或與所述像素電極層7位于同一層，或與所述公共電極層8位于同一層，或與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層；所述第四導(dǎo)電層22可以單獨(dú)形成，也可以與所述柵極層5位于同一層，或與所述源漏極層6位于同一層，或與所述像素電極層7位于同一層，或與所述公共電極層8位于同一層，或與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層；所述第五導(dǎo)電層23可以單獨(dú)形成，也可以與所述柵極層5位于同一層，或與所述源漏極層6位于同一層，或與所述像素電極層7位于同一層，或與所述公共電極層8位于同一層，或與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要保證所述第三導(dǎo)電層21、所述第四導(dǎo)電層22與所述第五導(dǎo)電層23均位于不同層，且相互電連接，從而可以在相同阻值的情況下，降低所述走線區(qū)的寬度，進(jìn)而縮小所述陣列基板的邊框面積即可。
[0074]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖11所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述源漏極層6位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述像素電極層7位于同一層。
[0075]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖12所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述源漏極層6位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述公共電極層8位于同一層。
[0076]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖13所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述源漏極層6位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0077]在本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例中，如圖14所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述像素電極層7位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述公共電極層8位于同一層。
[0078]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖15所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述像素電極層7位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0079]在本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例中，如圖16所示，所述第三導(dǎo)電層21與所述柵極層5位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述公共電極層8位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0080]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖17所示，所述第三導(dǎo)電層21與所述源漏極層6位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述像素電極層7位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述公共電極層8位于同一層。
[0081]在本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例中，如圖18所示，所述第三導(dǎo)電層21與所述源漏極層6位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述像素電極層7位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0082]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖19所示，所述第三導(dǎo)電層21與所述源漏極層6位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述公共電極層8位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0083]在本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例中，如圖20所示，所述第三導(dǎo)電層21與所述像素電極層7位于同一層，所述第四導(dǎo)電層22與所述公共電極層8位于同一層，所述第五導(dǎo)電層23與所述信號(hào)傳輸走線層9位于同一層。
[0084]需要說明的是，在上述任一實(shí)施例中，所述像素電極層7、所述公共電極層8與所述信號(hào)傳輸走線層9的位置還可以根據(jù)具體視情況進(jìn)行調(diào)整，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0085]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，如圖21所示，該方法包括:
[0086]Sll:提供第一基板；
[0087]S12:在所述第一基板第一側(cè)走線區(qū)202中的第一信