本發(fā)明涉及一種uhfrfid標(biāo)簽，尤其是一種使用埋線工藝生產(chǎn)的uhfrfid標(biāo)簽。

背景技術(shù)：

rfid技術(shù)發(fā)展迅速，應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)也多種多樣。通常的uhf電子標(biāo)簽，它采用了非接觸的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，其基本原理是，利用電子標(biāo)簽上的天線來(lái)接收來(lái)自讀寫器和發(fā)送標(biāo)簽本身的電磁波信號(hào)，當(dāng)讀寫器掃描uhf電子標(biāo)簽時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)簽被標(biāo)識(shí)物體的自動(dòng)識(shí)別。uhf電子標(biāo)簽一般是由標(biāo)簽天線和標(biāo)簽專用芯片組成，標(biāo)簽天線的作用就是收發(fā)電磁波信號(hào)，它的性能直接關(guān)系到收發(fā)信號(hào)的穩(wěn)定性和靈敏度(有效的操作距離)；標(biāo)簽芯片相當(dāng)于一個(gè)具有無(wú)線調(diào)制收發(fā)功能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，它的性能決定著電子標(biāo)簽的運(yùn)行速度和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。傳統(tǒng)的uhf電子標(biāo)簽天線一般采用①、金屬薄膜蝕刻；②、導(dǎo)電銀漿印刷等工藝，但是這樣的工藝普遍存在著制造天線的原材料成本太貴，如蝕刻工藝對(duì)金屬薄膜材料的利用率太低，并且，一張標(biāo)簽?zāi)鼙挥行褂玫慕饘偬炀€體，僅僅為該標(biāo)簽面積的數(shù)百分之一甚至到數(shù)萬(wàn)分之一，由蝕刻而浪費(fèi)掉的金屬材料十分嚴(yán)重；采用銀漿印刷的天線，其導(dǎo)電性能遠(yuǎn)不如金屬導(dǎo)線，而且其抗彎折或皺褶特性也比金屬導(dǎo)線和金屬薄膜天線差等無(wú)法避免的缺陷，導(dǎo)致此種傳統(tǒng)工藝的uhf電子標(biāo)簽的使用壽命比較短和價(jià)格居高不下。

目前常用的uhf的rfid標(biāo)簽一般以pet作為基材的鋁蝕刻工藝加工，再采用倒裝芯片(flip-chip)的方式綁定rfid芯片，這種工藝生產(chǎn)的rfid標(biāo)簽成品以不干膠標(biāo)簽形式，應(yīng)用在服裝、物流等領(lǐng)域，其優(yōu)點(diǎn)是成本低廉，但是生產(chǎn)時(shí)對(duì)于鋁材料浪費(fèi)巨大。近年來(lái)，終端客戶對(duì)于標(biāo)簽的柔韌性提出了更高的要求，同時(shí)還希望標(biāo)簽?zāi)腿啻?、耐壓。一般的鋁蝕刻工藝rfid標(biāo)簽經(jīng)過(guò)數(shù)次揉搓后，標(biāo)簽表面的鋁容易折斷并造成性能衰退；同時(shí)導(dǎo)電膠黏連的rfid芯片容易和底部的基材脫開。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出了一種可靠性高、壽命長(zhǎng)、浪費(fèi)少的uhfrfid標(biāo)簽。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：

一種uhfrfid標(biāo)簽，包括標(biāo)簽芯片、射頻電路、基材，其特征在于：所述射頻電路埋植在基材上，所述標(biāo)簽芯片是一片上芯片，所述標(biāo)簽芯片放置于射頻電路的電感環(huán)中與射頻電路磁耦合，所述標(biāo)簽芯片上設(shè)有將其包裹固定于基材上的固定層。本發(fā)明將射頻電路采用埋線工藝埋植到基材之上，減少了貼裝工藝公差造成的產(chǎn)品性能一致性差；將標(biāo)簽芯片通過(guò)耦合的方式放置在射頻電路之中，兩者之間不存在連接關(guān)系，避免常規(guī)的焊接引腳工藝造成人員工時(shí)的浪費(fèi)，增加了rfid標(biāo)簽的帶寬，提高了rfid標(biāo)簽在整個(gè)方案中應(yīng)用的可靠性。

進(jìn)一步，所述固定層是一覆蓋層，所述覆蓋層蓋設(shè)于基材上將標(biāo)簽芯片和射頻電路包裹其中。

或者，所述固定層是一保護(hù)層，所述保護(hù)層蓋設(shè)于基材上將標(biāo)簽芯片包裹其中。保護(hù)層應(yīng)當(dāng)將標(biāo)簽芯片的四個(gè)邊角相切即將整個(gè)標(biāo)簽芯片包裹其中。

或者，所述固定層包括保護(hù)層和覆蓋層，所述保護(hù)層蓋設(shè)于基材上將標(biāo)簽芯片包裹其中，所述覆蓋層蓋設(shè)于基材上將保護(hù)層、標(biāo)簽芯片和射頻電路包裹其中。

進(jìn)一步，所述射頻電路通過(guò)超聲波埋線方式埋植在基材上。

進(jìn)一步，所述射頻電路是完全埋植于基材中或是部分埋植于基材中。

進(jìn)一步，所述射頻電路是由塑封金屬線構(gòu)成，金屬線的材質(zhì)是不銹鋼鋼絲或銀絲。本發(fā)明通過(guò)對(duì)金屬線包塑的方式使金屬線有一定的強(qiáng)度進(jìn)而保證導(dǎo)電性能的穩(wěn)定。

進(jìn)一步，所述基材是一柔性材質(zhì)，優(yōu)選尼龍布、pvc，使得uhfrfid標(biāo)簽的使用范圍廣，可以通過(guò)縫制方式縫合于服裝上。

進(jìn)一步，所述覆蓋層是由柔性材料制成，優(yōu)選為硅膠、尼龍布、pvc。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層是一黑膠水層，黑膠水具有粘性大、耐高溫、耐溶劑、不溢膠等特點(diǎn)，可把標(biāo)簽芯片與基材粘合良好，保證標(biāo)簽芯片不脫落。

本發(fā)明的有益效果：解決鋁蝕刻工藝鋁材料浪費(fèi)大、rfid標(biāo)簽不耐揉搓的問(wèn)題，射頻電路采用埋線工藝加工到基材之上，減少了貼裝工藝公差造成的產(chǎn)品性能一致性差，同時(shí)通過(guò)對(duì)金屬線包塑的方式使金屬線有一定的強(qiáng)度進(jìn)而保證導(dǎo)電性能的穩(wěn)定。在此基礎(chǔ)上，將將射頻電路和標(biāo)簽芯片耦合的方式放置在射頻電路中，避免常規(guī)的焊接引腳工藝造成人員工時(shí)的浪費(fèi)，增加了rfid標(biāo)簽的帶寬，提高了rfid標(biāo)簽在整個(gè)方案中應(yīng)用的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明第一種實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明第二種實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明第三種實(shí)施例的主視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，但并不將本發(fā)明局限于這些具體實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明涵蓋了權(quán)利要求書范圍內(nèi)所可能包括的所有備選方案、改進(jìn)方案和等效方案。

參照?qǐng)D1，一種uhfrfid標(biāo)簽，包括標(biāo)簽芯片3、射頻電路1、基材2，所述射頻電路1按照既定的設(shè)計(jì)運(yùn)用超聲波埋線方式埋植在基材2上，所述射頻電路1可以是完全埋植于基材2中，亦或是部分埋植于基材2中，所述標(biāo)簽芯片3是一片上芯片，所述標(biāo)簽芯片3放置于射頻電路1的電感環(huán)中與射頻電路1磁耦合，所述標(biāo)簽芯片3上設(shè)有將其包裹固定于基材2上的固定層。本發(fā)明將射頻電路1采用埋線工藝埋植到基材2之上，減少了貼裝工藝公差造成的產(chǎn)品性能一致性差；將標(biāo)簽芯片3通過(guò)耦合的方式放置在射頻電路1之中，兩者之間不存在連接關(guān)系，避免常規(guī)的焊接引腳工藝造成人員工時(shí)的浪費(fèi)，增加了rfid標(biāo)簽的帶寬，提高了rfid標(biāo)簽在整個(gè)方案中應(yīng)用的可靠性。片上芯片具有耐高溫耐壓防水的特性。

參見圖2，本實(shí)施例的所述固定層是一覆蓋層4，所述覆蓋層4蓋設(shè)于基材2上將標(biāo)簽芯片3和射頻電路1包裹其中。所述覆蓋層3是由柔性材料制成，優(yōu)選為硅膠、尼龍布、pvc。所述基材2也是一柔性材質(zhì)，優(yōu)選尼龍布、pvc，使得uhfrfid標(biāo)簽的使用范圍廣，可以通過(guò)縫制方式縫合于服裝上。

本實(shí)施例所述射頻電路1是由塑封金屬線構(gòu)成，金屬線的材質(zhì)是不銹鋼鋼絲或銀絲。本發(fā)明通過(guò)對(duì)金屬線包塑的方式使金屬線有一定的強(qiáng)度進(jìn)而保證導(dǎo)電性能的穩(wěn)定。

本實(shí)施例加工時(shí)，將需要埋植的塑封金屬線穿入超聲波埋線器頭部的孔中，將埋線器的頭部(焊接面)置于塑料薄板的基材2上，啟動(dòng)超聲波設(shè)備，并進(jìn)行走線，埋線器頭部一邊對(duì)塑封金屬線進(jìn)行軟化，一邊在基材2上進(jìn)行超聲挖槽，把軟化以后的塑封金屬線埋植在槽中。再將標(biāo)簽芯片放置于埋植好的射頻電路1中，然后將覆蓋層4覆蓋于標(biāo)簽之上與基材2結(jié)合將射頻電路1和標(biāo)簽芯片3包裹其中。

實(shí)施例二

參見圖3，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于：所述固定層是一保護(hù)層5，所述保護(hù)層5蓋設(shè)于基材2上將標(biāo)簽芯片3包裹其中。保護(hù)層5應(yīng)當(dāng)將標(biāo)簽芯片3的四個(gè)邊角相切即將整個(gè)標(biāo)簽芯片3包裹其中。所述保護(hù)層5是一黑膠水層，黑膠水具有粘性大、耐高溫、耐溶劑、不溢膠等特點(diǎn)，可把標(biāo)簽芯片3與基材2粘合良好，保證標(biāo)簽芯片3不脫落。其余結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例一相同。

本實(shí)施例加工時(shí)，埋線方式、標(biāo)簽芯片3安裝方式如同實(shí)施例一，在標(biāo)簽芯片3放置好后，保護(hù)層5覆蓋于標(biāo)簽芯片3上將其包裹并固定在基材2上，保護(hù)層5有一定的機(jī)械強(qiáng)度并且和基材2粘合良好，保證芯片標(biāo)簽3不脫落。

實(shí)施例三

參見圖4，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于：所述固定層包括保護(hù)層5和覆蓋層4，所述保護(hù)層5蓋設(shè)于基材2上將標(biāo)簽芯片3包裹其中，所述覆蓋層4蓋設(shè)于基材2上將保護(hù)層5、標(biāo)簽芯片3和射頻電路1包裹其中。其余結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例一相同。

本實(shí)施例加工時(shí)，埋線方式、標(biāo)簽芯片3安裝方式如同實(shí)施例一，在標(biāo)簽芯片3放置好后，保護(hù)層5覆蓋于標(biāo)簽芯片3上將其包裹并固定在基材2上，保護(hù)層5有一定的機(jī)械強(qiáng)度并且和基材2粘合良好，保證芯片標(biāo)簽3不脫落。進(jìn)一步的將覆蓋層4和基材2將標(biāo)簽芯片3和射頻電路1包裹其中，因?yàn)樵黾恿藘傻辣Ｗo(hù)，標(biāo)簽芯片3放置更穩(wěn)固，且射頻電路1也受到覆蓋層4的保護(hù)，成品的性能更加穩(wěn)定。