本發(fā)明涉及電子技術(shù)，特別是涉及一種消除衍射的觸控膜，觸控膜內(nèi)導(dǎo)線的布局。

背景技術(shù)：

互電容觸控膜是指用一組發(fā)射電極和一組接收電極構(gòu)成一張交叉的網(wǎng)絡(luò)，其中每根發(fā)射線和每根接收線之間交叉的地方形成電容，當(dāng)人的手指靠近交叉點(diǎn)時(shí)，交叉點(diǎn)處電容改變，依靠檢測到電容改變從而確定觸控位置。

當(dāng)把觸控膜放置于液晶顯示器之前，點(diǎn)亮液晶后，豎方向的導(dǎo)線會出現(xiàn)衍射現(xiàn)象，這樣視覺上容易引起不舒服。當(dāng)前解決衍射問題的方法主要有兩種：

（1）膜內(nèi)的導(dǎo)線小于6微米，這時(shí)不再產(chǎn)生衍射現(xiàn)象，視覺上難以看見這么細(xì)的導(dǎo)線，但是膜內(nèi)導(dǎo)線小于6微米，存在以下缺點(diǎn)：導(dǎo)線越細(xì)，生產(chǎn)時(shí)越容易斷線，小于6微米的導(dǎo)線在生產(chǎn)時(shí)斷線率極高，這樣成本太高；電容感應(yīng)強(qiáng)度與導(dǎo)線寬度的平方成正比，導(dǎo)線小于6微米則信號會很小，對測量電容信號值的精度會要求很高；

（2）膜內(nèi)的導(dǎo)線繞成曲率較大的曲線，這種方法存在以下缺點(diǎn)：如圖1中所示的曲率較大的曲線生產(chǎn)時(shí)機(jī)器速度慢，生產(chǎn)效率低下，由于液晶在橫豎兩個(gè)方向上消除衍射需要的曲率是不同的，所以需要一種能夠找到最佳曲率曲線的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種消除衍射的觸控膜，消除衍射的觸控膜的導(dǎo)線布局技術(shù)，旨在消除觸控膜結(jié)合液晶使用時(shí)的衍射現(xiàn)象，同時(shí)盡量提高生產(chǎn)速度。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供了一種消除衍射的觸控膜，所述的觸控膜內(nèi)設(shè)置有發(fā)射導(dǎo)線和接收導(dǎo)線，所述的發(fā)射導(dǎo)線和接收導(dǎo)線采用樣條曲線的方式排列，所述的發(fā)射導(dǎo)線和接收導(dǎo)線的交叉點(diǎn)構(gòu)成橫平豎直的M*N陣列。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的樣條曲線采用三次樣條曲線。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，每一段所述的樣條曲線的曲率均由參數(shù)方程決定，根據(jù)參數(shù)的不同自由的調(diào)整樣條曲線的曲率。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的參數(shù)方程為：X(u)=ax*u^3+bx*u^2+cx*u+dx,Y(u)= ay*u^3+by*u^2+cy*u+dy。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的發(fā)射導(dǎo)線和接收導(dǎo)線的擬合點(diǎn)中均包括M*N陣列中的所有點(diǎn)。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，每一條所述的發(fā)射導(dǎo)線與多條接收導(dǎo)線的多個(gè)交叉點(diǎn)位于一條直線上，保證橫豎兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)在同一直線上。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的消除衍射的觸控膜，對導(dǎo)線進(jìn)行布局，消除了觸控膜結(jié)合液晶使用時(shí)的衍射現(xiàn)象的同時(shí)，找到生產(chǎn)速度最快的曲線，并且可以保證橫豎兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)在同一直線上，利于上層IC計(jì)算。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1為 現(xiàn)有技術(shù)中觸控膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明消除衍射的觸控膜的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中的標(biāo)記為：1、發(fā)射導(dǎo)線，2、接收導(dǎo)線。

具體實(shí)施方式

下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例包括：

一種消除衍射的觸控膜，所述的觸控膜內(nèi)設(shè)置有發(fā)射導(dǎo)線1和接收導(dǎo)線2，所述的發(fā)射導(dǎo)線1和接收導(dǎo)線2采用樣條曲線的方式排列，所述的發(fā)射導(dǎo)線1和接收導(dǎo)線2的交叉點(diǎn)構(gòu)成橫平豎直的M*N陣列。

上述中，所述的樣條曲線采用三次樣條曲線。由于三次樣條曲線在設(shè)計(jì)上簡單，易于修改，可以根據(jù)需求隨時(shí)調(diào)整曲線的曲率，適應(yīng)不同場景。當(dāng)曲線曲率高的時(shí)候，可以消除衍射，但是生產(chǎn)速度會降低，當(dāng)曲線曲率低的時(shí)候容易產(chǎn)生衍射，但是生產(chǎn)速度可以提高。樣條曲線方便修改設(shè)計(jì)的特性，可以使設(shè)計(jì)人員找到消除衍射和保證產(chǎn)能的平衡點(diǎn)。

其中，每一條所述的發(fā)射導(dǎo)線1與多條接收導(dǎo)線2的多個(gè)交叉點(diǎn)位于一條直線上，保證橫豎兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)在同一直線上，利于上層IC計(jì)算。

進(jìn)一步的，每一段所述的樣條曲線的曲率均由參數(shù)方程決定，根據(jù)參數(shù)的不同自由的調(diào)整樣條曲線的曲率。其中，所述的參數(shù)方程為：X(u)=ax*u^3+bx*u^2+cx*u+dx,Y(u)= ay*u^3+by*u^2+cy*u+dy。

再進(jìn)一步的，所述的發(fā)射導(dǎo)線和接收導(dǎo)線的擬合點(diǎn)中均包括M*N陣列中的所有點(diǎn)。

由于液晶兩個(gè)方向上消除衍射需要的曲線曲率不同，因此導(dǎo)線在橫縱兩個(gè)方向上的最佳曲率是不同的。通過調(diào)整樣條曲線的擬合點(diǎn)，可以調(diào)整曲線的參數(shù)，改變曲率，設(shè)計(jì)人員可以找到消除衍射情況下的最佳生產(chǎn)速度的曲線。

綜上所述，本發(fā)明的消除衍射的觸控膜，對導(dǎo)線進(jìn)行布局，消除了觸控膜結(jié)合液晶使用時(shí)的衍射現(xiàn)象的同時(shí)，找到生產(chǎn)速度最快的曲線，并且可以保證橫豎兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)在同一直線上，利于上層IC計(jì)算。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。