本發(fā)明涉及顯示、觸控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控基板及其制作方法、觸控顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著智能手機(jī)和平板電腦的迅猛發(fā)展，觸控屏在日常生活中已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。目前最流行的是電容式觸控屏，當(dāng)手指與屏幕接觸時(shí)，觸控屏就會通過電容變化所產(chǎn)生的電流來計(jì)算手指的位置。

一般來說，觸控基板均包含觸控區(qū)區(qū)和外圍區(qū)。其中，觸控區(qū)是用戶能夠看到圖像并進(jìn)行觸摸的區(qū)域，外圍區(qū)包括多條信號走線，用于為觸控區(qū)提供控制信號，也就是信號走線的一端連接觸控區(qū)，另一端連接各種驅(qū)動控制信號。

隨著觸控屏的發(fā)展及主動筆的應(yīng)用等，都要求觸控屏的解析度增高，電容也逐漸變小，觸控屏周邊電容分布不均的問題極大地影響著產(chǎn)品品質(zhì)和性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上問題，提供了一種觸控基板及其制作方法，用以至少部分地改善現(xiàn)有觸控基板觸控區(qū)電容分布不均的問題。

第一方面，本發(fā)明提供了一種觸控基板，包括：

位于所述觸控基板上的觸控區(qū)和外圍區(qū)；

所述外圍區(qū)包括至少一條信號走線和至少一條屏蔽線，所述屏蔽線用于屏蔽所述信號走線對所述觸控區(qū)電容的干擾。

可選地，所述屏蔽線的至少部分位于所述信號走線和所述觸控區(qū)之間。

可選地，所述屏蔽線電連接一相同電位。

可選地，所述外圍區(qū)還包括與所述基板電連接的集成電路或柔性印刷電路板，所述集成電路或柔性印刷電路板上設(shè)置有接地端，用于為所述屏蔽線提供所述相同電位。

可選地，所述觸控基板還包括：

位于所述基板上的氧化銦錫(Indium Tin Oxides，ITO)層，所述ITO層至少部分地覆蓋所述顯示區(qū)和所述外圍區(qū)；

位于所述ITO層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的金屬層，所述金屬層包括所述信號走線、所述屏蔽線和多個(gè)位于所述觸控區(qū)內(nèi)的金屬搭接塊；

所述屏蔽線位于所述信號走線和所述金屬搭接塊之間；

所述信號走線通過過孔與所述第一絕緣層下方的所述ITO層電連接；

所述金屬搭接塊通過過孔與所述第一絕緣層下方的所述ITO層電連接。

可選地，每一條所述信號走線均與其相對應(yīng)的一條所述金屬搭接塊通過過孔以及所述ITO層電連接。

可選地，所述觸控基板還包括：

位于所述觸控基板上的金屬層，所述金屬層包括所述信號走線、所述屏蔽線和多個(gè)由所述觸控區(qū)引出的金屬搭接塊；

位于所述金屬層上的第一絕緣層；

位于所述第一絕緣層上的ITO層，所述ITO層至少部分地覆蓋所述觸控區(qū)和所述外圍區(qū)；

所述屏蔽線位于所述信號走線和所述金屬搭接塊之間；

所述信號走線通過過孔與所述第一絕緣層上方的所述ITO層電連接；

所述金屬搭接塊通過過孔與所述第一絕緣層上方的所述ITO層電連接；

所述信號走線與所述金屬搭接塊通過過孔以及所述ITO層電連接。

可選地，屏蔽線線寬大于等于300um且小于等于500um，或者，所述屏蔽線線寬大于等于150um且小于300um。

可選地，所述觸控基板還包括位于所述信號走線外圍的外圍接地裝置或接地線，所述外圍接地裝置或接地線與所述屏蔽線電連接。

優(yōu)選地，所述外圍接地裝置或接地線與所述屏蔽線形成的圖形不存在封閉的環(huán)形。

可選地，所述觸控基板為電容式觸控基板。

第二方面，本發(fā)明還提供一種用于制作觸控基板的方法，包括：

在所述觸控基板的外圍區(qū)制作信號走線和屏蔽線；

在所述外圍區(qū)制作由觸控區(qū)引出的金屬搭接塊；

所述屏蔽線制作在信號走線和金屬搭接塊之間，并與信號走線和金屬搭接塊同層同材料制作。

可選地，在所述外圍區(qū)形成與集成電路或柔性印刷電路板電連接的連線區(qū)，在所述連線區(qū)上形成接地端，用于為所述屏蔽線提供接地電位。

可選地，在所述外圍區(qū)形成ITO層，在ITO層上形成第一絕緣層，并在所述第一絕緣層上制作過孔；

在第一絕緣層上形成金屬層，所述金屬層包括所述信號走線、所述屏蔽線和所述金屬搭接塊；

所述信號走線通過所述過孔與所述第一絕緣層下方的所述ITO層電連接；

所述金屬搭接塊通過所述過孔與所述第一絕緣層下方的所述ITO層電連接；

所述信號走線均與所述金屬搭接塊通過過孔以及所述ITO層電連接。

可選地，在所述外圍區(qū)形成金屬層，所述金屬層包括所述信號走線、所述屏蔽線和所述金屬搭接塊；

在所述金屬層上形成第一絕緣層，并在所述第一絕緣層上制作過孔；

在所述第一絕緣層上形成ITO層；

所述信號走線通過所述過孔與所述第一絕緣層上方的所述ITO層電連接；

所述金屬搭接塊通過所述過孔與所述第一絕緣層上方的所述ITO層電連接；

所述信號走線均與所述金屬搭接塊通過過孔以及所述ITO層電連接；

所述屏蔽線接地。

第三方面，本發(fā)明提供了一種觸控顯示裝置，包括第一方面所述的觸控基板。

本發(fā)明具有下述有益效果：

本發(fā)明提供了一種觸控基板及其制作方法、觸控顯示裝置，由于該觸控基板的位于外圍區(qū)的屏蔽線將外圍區(qū)的信號走線進(jìn)行了屏蔽，減少了外圍區(qū)信號走線同觸控區(qū)內(nèi)部互容的產(chǎn)生，使得觸控區(qū)邊緣和中心區(qū)的電容分布均勻，提高了顯示區(qū)周邊觸控精確度和用戶體驗(yàn)。另外，本發(fā)明提供的位于外圍區(qū)的屏蔽線制作同外圍區(qū)的信號走線可以在同層同時(shí)制作，因此本發(fā)明在不增加成本和工藝制程的前提下，能夠改善觸控區(qū)邊緣電容分布不均的問題。

附圖說明

下面將通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的觸控基板的平面示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的觸控基板沿圖1中A-A’方向的剖面示意圖；

圖3是另一根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的觸控基板沿圖1中A-A’方向的剖面示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的觸控基板的平面示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的觸控基板的局部放大示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的觸控基板制作方法步驟示意圖；

圖7是另一根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的觸控基板制作方法步驟示意圖。

圖例說明：

1、基板 11、觸控區(qū) 12、外圍區(qū) 13、外圍接地裝置或接地線 14、開口

111、金屬搭接塊 121、信號走線 122、屏蔽線

123、連線區(qū) 1231、接地端

101、玻璃基板 102、黑矩陣 103、ITO層 104、第一絕緣層

105、第二絕緣層

1031、ITO橋 1041、第一絕緣層過孔

具體實(shí)施方式

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：觸控屏外圍區(qū)的信號走線會和顯示區(qū)的電容形成互容，導(dǎo)致電容式觸控屏顯示區(qū)邊緣的電容分布不均，與顯示區(qū)中心的電容相比相差較大，并且外圍區(qū)信號走線越多，互容越大，顯示區(qū)邊緣的電容分布越不均勻，影響產(chǎn)品性能。本發(fā)明實(shí)施例提供了觸控基板及其制作方法，用以在不增加成本和工藝制程的前提下，至少部分地解決顯示區(qū)周邊電容分布不均的問題。

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的觸控基板和制作方法。

附圖中各膜層厚度和區(qū)大小、形狀不反應(yīng)各膜層和區(qū)的真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。本發(fā)明中所提到的方向“上”指遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，方向“下”指靠近基板的一側(cè)。

第一實(shí)施例

在圖1、圖2和圖3示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的觸控基板的平面示意圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基板沿圖1中A-A’方向的剖面示意圖，圖3是另一根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基板沿圖1中A-A’方向的剖面示意圖，現(xiàn)結(jié)合圖1、圖2和圖3來描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種觸控基板，包括基板1。基板1上設(shè)置有觸控區(qū)11和位于顯示區(qū)周圍的外圍區(qū)12。外圍區(qū)12包括至少一條信號走線121和屏蔽線122。

如圖2所示，以O(shè)GS(On Glass Sensor，玻璃表面制作傳感器)中常見的5MASK(5次掩膜)工藝為例，基板1包括玻璃基板101，設(shè)置于玻璃基板101上的黑矩陣102；設(shè)置于黑矩陣102上的ITO層103；設(shè)置于ITO層103上的第一絕緣層104；設(shè)置于第一絕緣層104上的金屬層；設(shè)置于金屬層上的第二絕緣層105。

如圖2所示，金屬層用于制作信號走線121和屏蔽線122以及金屬搭接塊111，其中在第一絕緣層104制作兩個(gè)第一絕緣層過孔，信號走線121和金屬搭接塊111分別通過兩個(gè)第一絕緣層過孔同ITO層103相連，ITO層103至少部分地覆蓋觸控區(qū)11和外圍區(qū)12，通過圖1和圖2可以看出，在一個(gè)沿A-A’方向的截面內(nèi)，存在信號走線121與其相對應(yīng)的金屬搭接塊111通過第一絕緣層過孔以及ITO層103實(shí)現(xiàn)電連接，外圍區(qū)12和觸控區(qū)11之間的信號通過信號走線121與由外圍區(qū)引出的金屬搭接塊111之間的電連接進(jìn)行傳輸。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例可以將所有的走線制作在同一層，在具體制作過程中可以通過一次構(gòu)圖工藝一次性完成，能夠節(jié)約生產(chǎn)時(shí)間，不增加生產(chǎn)成本。

或者，如圖3所示，以O(shè)GS中常見的5MASK工藝為例，為本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選結(jié)構(gòu)，基板1包括玻璃基板101，設(shè)置于玻璃基板101上的黑矩陣102；設(shè)置于黑矩陣102上的金屬層；設(shè)置于金屬層上的第一絕緣層104；設(shè)置于第一絕緣層104上的ITO層103；設(shè)置于ITO層103上的第二絕緣層105。其中金屬層用于制作信號走線121和屏蔽線122以及金屬搭接塊111，在第一絕緣層104制作兩個(gè)第一絕緣層過孔，信號走線121和金屬搭接塊111分別通過兩個(gè)第一絕緣層過孔同ITO層103相連，ITO層103至少部分地覆蓋觸控區(qū)11和外圍區(qū)12，通過圖1和圖3可以看出，在一個(gè)沿A-A’方向的截面內(nèi)，存在信號走線121與其相對應(yīng)的金屬搭接塊111通過第一絕緣層過孔以及ITO層103實(shí)現(xiàn)電連接，外圍區(qū)12和觸控區(qū)11之間的信號通過信號走線121與由外圍區(qū)引出的金屬搭接塊111之間的電連接進(jìn)行傳輸。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例可以將所有的走線制作在同一層，在具體制作過程中可以通過一次構(gòu)圖工藝一次性完成，能夠節(jié)約生產(chǎn)時(shí)間，不增加生產(chǎn)成本。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一條信號走線121與其相對應(yīng)的一個(gè)金屬搭接塊111電連接，用以對觸控區(qū)中的一行進(jìn)行控制。圖中僅示出了一條信號走線121與一個(gè)金屬搭接塊111電連接的情況，并非對本發(fā)明的限定，具體的對應(yīng)關(guān)系需要根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過程中對產(chǎn)品的需要進(jìn)行布局。

具體地，當(dāng)外圍區(qū)12還設(shè)置有與集成電路或柔性印刷電路板電連接的連線區(qū)123時(shí)，連線區(qū)123上設(shè)置有接地端1231，接地端1231可以與屏蔽線122電連接，用于為屏蔽線122提供電位。

可選地，屏蔽線線寬大于等于300um且小于等于500um，或者，所述屏蔽線線寬大于等于150um且小于300um。

具體地，考慮到增加屏蔽線122對邊框?qū)挾鹊挠绊?，對于常?guī)產(chǎn)品，屏蔽線112線寬大于等于300um且小于等于500um，對于窄邊框產(chǎn)品，由于產(chǎn)品中布線空間較小，屏蔽線122線寬大于等于150um且小于300um。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中設(shè)置的信號走線121的具體條數(shù)根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過程中對產(chǎn)品的精度需要進(jìn)行布局，圖1中以在外圍區(qū)12設(shè)置18條信號走線121為例進(jìn)行介紹。

優(yōu)選地，本實(shí)施例中的觸控基板為電容式觸控基板。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，此處所描述的觸控基板僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中采用OGS中常見的5MASK工藝。本發(fā)明的其他實(shí)施例也可以包括多種工藝，如6MASK等。圖1、圖2和圖3只是舉出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的基板結(jié)構(gòu)和布線形式。本發(fā)明的其他實(shí)施例中還可以包括其他基板結(jié)構(gòu)或者布線形式，對走線的數(shù)量、面積、長度等的變換，也在本發(fā)明保護(hù)的范圍內(nèi)。因此，不應(yīng)以圖1、圖2或者圖3中的示意性結(jié)構(gòu)作為對本發(fā)明實(shí)施例的限制。

需要說明的是，圖2和圖3中示意性地標(biāo)出了部分觸控區(qū)和外圍區(qū)的膜層結(jié)構(gòu)，由于觸控基板的種類和工藝多種，因此相應(yīng)的，觸控基板的膜層結(jié)構(gòu)可以有多種，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，屏蔽線部分地位于信號走線121和觸控區(qū)11之間，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，屏蔽線也可全部位于信號走線和觸控區(qū)之間。因此，不應(yīng)以圖2或圖3作為對本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的限制。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于外圍區(qū)的信號走線會和顯示區(qū)的電容形成互容，導(dǎo)致電容式觸控屏的電容存在以下問題：顯示區(qū)邊緣的電容分布不均，與顯示區(qū)中心的電容相比相差較大，并且外圍區(qū)信號走線越多，互容越大，觸控區(qū)邊緣的電容分布越不均勻。本實(shí)施例中屏蔽線122至少部分位于信號走線121和觸控區(qū)11之間，可以將位于其兩側(cè)的信號走線121和觸控區(qū)11之間產(chǎn)生的互容屏蔽，從而改善觸控區(qū)邊緣電容分布不均的問題。

第二實(shí)施例

如圖4和圖5所示，為本發(fā)明的第二實(shí)施例。

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的觸控基板的平面示意圖，圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的觸控基板在信號走線121與金屬搭接塊111搭接處的局部放大透視圖。

如圖4和圖5所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種觸控基板，包括基板1?；?上設(shè)置有觸控區(qū)11和位于顯示區(qū)周圍的外圍區(qū)12。外圍區(qū)12包括至少一條信號走線121和屏蔽線122。所述觸控基板還包括位于所述信號線121外圍的外圍接地裝置或接地線13。外圍接地裝置或接地線13與所述屏蔽線122電連接。

由于部分觸控基板外圍具有外圍接地裝置或接地線13，用于屏蔽外界信號對基板內(nèi)部的干擾，屏蔽線122可以與外圍接地裝置或接地線13通過第一絕緣層過孔1041等方式進(jìn)行電連接，獲得接地電位，無需單獨(dú)為屏蔽線122制作引腳，簡化生產(chǎn)工藝，節(jié)省生產(chǎn)成本。

如圖4和圖5所示，在屏蔽線122和外圍接地裝置或接地線13上均設(shè)置了開口14，開口14使得屏蔽線122和外圍接地裝置或接地線13形成的圖形不存在封閉的環(huán)形，如果存在封閉的環(huán)形，容易導(dǎo)致長導(dǎo)線收集游離電荷，在觸控區(qū)內(nèi)形成電子振蕩，影響觸控性能。

優(yōu)選地，開口14的設(shè)置位置對稱，可以使屏蔽線122對信號走線121的屏蔽作用對稱分布，從而使觸控區(qū)11的電容分布均勻。

如圖5所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的局部放大透視圖，其中，外圍區(qū)12包括若干條信號走線121和一條屏蔽線122。所述觸控基板還包括位于所述信號線121外圍的外圍接地裝置或接地線13。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例制作工藝相同，以O(shè)GS中常見的5MASK工藝為例，信號走線121、屏蔽線122和金屬搭接塊111在金屬層同層同時(shí)制作完成，接地裝置或接地線13可以選擇與信號走線121、屏蔽線122和金屬搭接塊111在金屬層同層同時(shí)制作完成，或者單獨(dú)制作金屬外殼或采用其他手段均可。信號走線121與金屬搭接塊111分別通過第一絕緣層過孔1041與ITO層103連接，ITO橋1031為跨越屏蔽線122搭接信號走線121和金屬搭接塊111的橋，實(shí)現(xiàn)信號走線121和金屬搭接塊111的電連接，外圍區(qū)12和觸控區(qū)11之間的信號通過信號走線121與金屬搭接塊111之間的電連接進(jìn)行傳輸。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例可以將所有的走線制作在同一層，在具體制作過程中可以通過一次構(gòu)圖工藝一次性完成，能夠節(jié)約生產(chǎn)時(shí)間，不增加生產(chǎn)成本。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一條信號走線121與其相對應(yīng)的一個(gè)金屬搭接塊111電連接，用以對觸控區(qū)中的一行進(jìn)行控制。圖中僅示出了一條信號走線121與一個(gè)金屬搭接塊111電連接的情況，并非對本發(fā)明的限定，具體的對應(yīng)關(guān)系需要根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過程中對產(chǎn)品的需要進(jìn)行布局。

具體地，當(dāng)外圍區(qū)12還設(shè)置有與集成電路或柔性印刷電路板電連接的連線區(qū)123時(shí)，連線區(qū)123上設(shè)置有接地端1231，接地端1231可以與屏蔽線122電連接，用于為屏蔽線122提供電位。

可選地，屏蔽線線寬大于等于300um且小于等于500um，或者，所述屏蔽線線寬大于等于150um且小于300um。

具體地，考慮到增加屏蔽線122對邊框?qū)挾鹊挠绊?，對于常?guī)產(chǎn)品，屏蔽線112線寬大于等于300um且小于等于500um，對于窄邊框產(chǎn)品，由于產(chǎn)品中布線空間較小，屏蔽線122線寬大于等于150um且小于300um。

可選地，本實(shí)施例中的觸控基板為電容式觸控基板。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，此處所描述的觸控基板僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中采用OGS中常見的5MASK工藝。本發(fā)明的其他實(shí)施例也可以包括多種工藝，如6MASK等。圖4和圖5只是舉出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的基板結(jié)構(gòu)和布線形式。本發(fā)明的其他實(shí)施例中還可以包括其他基板結(jié)構(gòu)或者布線形式，對走線的數(shù)量、面積、長度等的變換，也在本發(fā)明保護(hù)的范圍內(nèi)。因此，不應(yīng)以圖4或者圖5中的示意性結(jié)構(gòu)作為對本發(fā)明實(shí)施例的限制。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于外圍區(qū)的信號走線會和顯示區(qū)形成互容，導(dǎo)致電容式觸控屏的電容存在以下問題：顯示區(qū)邊緣的電容分布不均，與顯示區(qū)中心的電容相比相差較大，并且外圍區(qū)信號走線越多，互容越大，觸控區(qū)邊緣的電容分布越不均勻。本實(shí)施例中屏蔽線122至少部分位于信號走線121和觸控區(qū)11之間，利用了部分觸控面板自帶的用于屏蔽外部信號的外圍接地裝置或接地線，可以將位于其兩側(cè)的信號走線121和觸控區(qū)11之間產(chǎn)生的互容屏蔽，從而改善觸控區(qū)邊緣電容分布不均的問題，同時(shí)不增加生產(chǎn)工藝和成本。

進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了一種觸控裝置，包括以上任意一種實(shí)施例所述的觸控面板，可選地，所述顯示裝置可以是液晶顯示裝置，包括上述顯示面板和背光單元，當(dāng)然也可以是其他顯示裝置，或者不包括背光單元的顯示裝置。

第三實(shí)施例

如圖6或圖7所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種觸控基板的制作方法，該制作方法包括：

如圖6所示，在觸控基板上設(shè)置觸控區(qū)和外圍區(qū)。在基板上制作黑矩陣，黑矩陣結(jié)構(gòu)如圖2中黑矩陣102，所述黑矩陣用于形成遮光區(qū)。

在黑矩陣上形成ITO層，通過構(gòu)圖工藝形成ITO圖案，所述ITO圖案包括用于連接信號走線和金屬搭接塊的ITO橋，所述ITO橋結(jié)構(gòu)如圖5中ITO橋1031。

在ITO層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層結(jié)構(gòu)如圖2中第一絕緣層104。在第一絕緣層上制作過孔，所述過孔結(jié)構(gòu)如圖5中第一絕緣層過孔1041。

在第一絕緣層上形成金屬層，通過構(gòu)圖工藝將金屬層制作成信號走線、金屬搭接塊和屏蔽線，使得屏蔽線位于信號走線和金屬搭接塊之間，其中信號走線和金屬搭接塊通過第一絕緣層過孔同第一絕緣層下方的ITO橋連接，所述信號走線如圖2中信號走線121，金屬搭接塊如圖2中金屬搭接塊111，屏蔽線如圖2中屏蔽線122。

在金屬層上制作第二絕緣層，所述第二絕緣層如圖2中第二絕緣層105。

通過圖1、圖2和圖5可以看出，在一個(gè)沿A-A’方向的截面內(nèi)，存在信號走線121與其相對應(yīng)的金屬搭接塊111通過第一絕緣層過孔1041以及ITO層103實(shí)現(xiàn)電連接，外圍區(qū)12和觸控區(qū)11之間的信號通過信號走線121與由外圍區(qū)引出的金屬搭接塊111之間的電連接進(jìn)行傳輸。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例可以將所有的走線制作在同一層，在具體制作過程中可以通過一次構(gòu)圖工藝一次性完成，能夠節(jié)約生產(chǎn)時(shí)間，不增加生產(chǎn)成本。

或者，如圖7所示，在觸控基板上設(shè)置觸控區(qū)和外圍區(qū)。在基板上制作黑矩陣，黑矩陣結(jié)構(gòu)如圖2中黑矩陣102，所述黑矩陣用于遮光。

在黑矩陣上形成金屬層，通過構(gòu)圖工藝將金屬層制作成信號走線、金屬搭接塊和屏蔽線，使得屏蔽線位于信號走線和金屬搭接塊之間，所述信號走線如圖3中信號走線121，金屬搭接塊如圖3中金屬搭接塊111，屏蔽線如圖3中屏蔽線122。

在金屬層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層結(jié)構(gòu)如圖3中第一絕緣層104。在第一絕緣層上制作過孔，所述過孔結(jié)構(gòu)如圖5中第一絕緣層過孔1041。

在第一絕緣層上形成ITO層，通過構(gòu)圖工藝形成ITO圖案，所述ITO圖案包括用于連接信號走線和金屬搭接塊的ITO橋，ITO橋通過第一絕緣層過孔同第一絕緣層下方的信號走線和金屬搭接塊連接，所述ITO橋結(jié)構(gòu)如圖5中ITO橋1031。

在ITO層上制作第二絕緣層，所述第二絕緣層如圖3中第二絕緣層105。

通過圖1、圖3和圖5可以看出，在一個(gè)沿A-A’方向的截面內(nèi)，存在信號走線121與其相對應(yīng)的金屬搭接塊111通過第一絕緣層過孔1041以及ITO層103實(shí)現(xiàn)電連接，外圍區(qū)12和觸控區(qū)11之間的信號通過信號走線121與由外圍區(qū)引出的金屬搭接塊111之間的電連接進(jìn)行傳輸。這樣，本發(fā)明具體實(shí)施例可以將所有的走線制作在同一層，在具體制作過程中可以通過一次構(gòu)圖工藝一次性完成，能夠節(jié)約生產(chǎn)時(shí)間，不增加生產(chǎn)成本。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，此處所描述的觸控基板制作方法僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中采用OGS中常見的5MASK工藝。本發(fā)明的其他實(shí)施例也可以包括多種工藝，如6MASK等。因此，不應(yīng)以圖6或者圖7中的示意性結(jié)構(gòu)作為對本發(fā)明實(shí)施例的限制。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于外圍區(qū)的信號走線會和觸控區(qū)的電容形成互容，導(dǎo)致電容式觸控屏的電容存在以下問題：觸控區(qū)邊緣的電容分布不均，與觸控區(qū)中心的電容相比相差較大，并且外圍區(qū)信號走線越多，互容越大，觸控區(qū)邊緣的電容分布越不均勻。本實(shí)施例中將屏蔽線122至少部分地制作于信號走線121和觸控區(qū)11之間，可以將位于其兩側(cè)的信號走線121和觸控區(qū)11之間產(chǎn)生的互容屏蔽，從而改善觸控區(qū)邊緣電容分布不均的問題。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。