技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有腔面非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器制作方法，其主要步驟包括：（1）在半導(dǎo)體激光器外延片正面制作帶狀p型歐姆接觸；（2）依次刻蝕獲得條形p型歐姆接觸和脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；（3）沉積絕緣介質(zhì)并制作電注入窗口；（4）制作p型歐姆接觸的加厚電極；（5）將襯底減薄拋光后在背面制作n型歐姆接觸；（6）解理形成半導(dǎo)體激光器的腔面，在前后腔面分別蒸鍍?cè)鐾改?、高反膜。本發(fā)明可以在腔面附近實(shí)現(xiàn)非注入?yún)^(qū)結(jié)構(gòu)以及高質(zhì)量的歐姆接觸，提高半導(dǎo)體激光器的最大輸出光功率，而且制作工藝簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)，在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域特別是大功率半導(dǎo)體激光器具有良好的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：龍衡;王文杰;李沫;李俊澤;張健
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.19
技術(shù)公布日：2017.07.28