技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，公開了一種FET微波噪聲模型建立方法，包括：將FET電極劃分為四個區(qū)域，柵極輸入結(jié)構(gòu)、漏極輸出結(jié)構(gòu)、源極接地結(jié)構(gòu)、有源區(qū)電極，采用全波電磁場方法模擬微波信號在FET電極中的傳輸特性，獲得各個區(qū)域的S參數(shù)；將FET有源區(qū)電極轉(zhuǎn)換為等效電路模型，將獲得的柵極輸入結(jié)構(gòu)的S參數(shù)、漏極輸出結(jié)構(gòu)的S參數(shù)以及源極接地結(jié)構(gòu)的S參數(shù)分別接入三個連接端口，獲得FET無源電極模型；對FET進行在片測試，獲得小信號和噪聲測試數(shù)據(jù)，并基于測試數(shù)據(jù)，經(jīng)過去嵌入處理，獲得FET本征部分的小信號參數(shù)和噪聲源；將小信號參數(shù)和噪聲源，按照端口對應(yīng)關(guān)系，接入FET無源電極模型中，獲得FET的微波噪聲模型。

技術(shù)研發(fā)人員：陳勇波
受保護的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號碼：201610617247
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.29
技術(shù)公布日：2016.12.21