1.一種FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，包括如下內(nèi)容：
S101，將FET電極劃分為四個區(qū)域，分別為柵極輸入結(jié)構(gòu)、漏極輸出結(jié)構(gòu)、源極接地結(jié)構(gòu)、有源區(qū)電極，采用全波電磁場方法模擬微波信號在所述FET電極中的傳輸特性，獲得各個區(qū)域的S參數(shù)；
S102，將FET有源區(qū)電極轉(zhuǎn)換為等效電路模型，所述等效電路模型包括與外部連接的三個連接端口，將S101中獲得的柵極輸入結(jié)構(gòu)的S參數(shù)、漏極輸出結(jié)構(gòu)的S參數(shù)以及源極接地結(jié)構(gòu)的S參數(shù)分別接入等效電路模型的三個連接端口，獲得FET無源電極模型；
S103，對FET進(jìn)行在片測試，獲得小信號和噪聲測試數(shù)據(jù)，并基于所述測試數(shù)據(jù)，經(jīng)過去嵌入處理，獲得FET本征部分的小信號參數(shù)和噪聲源；
S104，將S103中獲得的小信號參數(shù)和噪聲源，按照端口對應(yīng)關(guān)系，接入S102獲得FET無源電極模型中，獲得FET的微波噪聲模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，在S101中，所述FET電極的柵極輸入結(jié)構(gòu)、漏極輸出結(jié)構(gòu)以及有源區(qū)電極分別簡化為一個二端口網(wǎng)絡(luò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，S102之前具體包括：
根據(jù)S101中有源區(qū)電極獲得的S參數(shù)，將所述S參數(shù)轉(zhuǎn)換為Z參數(shù)；
基于所述Z參數(shù)，計算所述有源區(qū)電極的寄生參數(shù)；
根據(jù)所述寄生參數(shù)，執(zhí)行S102。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，在S102之后，還包括：
電路仿真軟件計算得到所述FET無源電極模型的小信號傳輸特性，并將所述小信號傳輸特性與整個FET電極的二端口全波電磁場仿真數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，驗證所述FET無源電極模型的準(zhǔn)確性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，S103具體包括：
對FET進(jìn)行源極阻抗?fàn)恳郎y試，獲得FET的四個噪聲參數(shù)；
基于所述四個噪聲參數(shù)，獲得FET的傳輸噪聲相關(guān)矩陣；
根據(jù)對FET進(jìn)行在片測試獲得的小信號測試數(shù)據(jù)，依次對柵極輸入結(jié)構(gòu)、漏極輸出結(jié)構(gòu)、源極接地結(jié)構(gòu)和有源區(qū)電極通過矩陣變換做去嵌入處理，獲得FET本征部分的小信號參數(shù)；
根據(jù)FET的傳輸噪聲相關(guān)矩陣，依次對柵極輸入結(jié)構(gòu)、漏極輸出結(jié)構(gòu)、源極接地結(jié)構(gòu)和有源區(qū)電極通過傳輸噪聲相關(guān)矩陣變換做去嵌入處理，獲得FET本征有源部分的傳輸噪聲相關(guān)矩陣；
根據(jù)FET本征有源部分的傳輸噪聲相關(guān)矩陣，計算獲得FET本征有源部分的噪聲源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，
在S104之后，將所述FET的微波噪聲模型帶入電路仿真軟件中，模擬FET的小信號參數(shù)和四個噪聲參數(shù)，并將仿真結(jié)果與S103中測試獲得FET電極的小信號參數(shù)和四個噪聲參數(shù)進(jìn)行對比，驗證所述FET微波噪聲模型的準(zhǔn)確性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FET微波噪聲模型建立方法，其特征在于，在S104之后，還包括：
將S104得到的FET微波噪聲模型進(jìn)行等比例擴(kuò)展，得到不同尺寸和不同版圖布局的FET微波噪聲模型。