技術特征：

技術總結
本發(fā)明提供一種平均磨損方法、內(nèi)存控制電路單元及內(nèi)存儲存裝置。此方法包括根據(jù)抹除次數(shù)從無存有有效數(shù)據(jù)的實體抹除單元中選取第一實體抹除單元，并且從存有有效數(shù)據(jù)的實體抹除單元中選取有效數(shù)據(jù)量小于一個實體抹除單元的容量的第二實體抹除單元。此方法也包括根據(jù)抹除次數(shù)從存有有效數(shù)據(jù)的實體抹除單元中選取有效數(shù)據(jù)量小于一個實體抹除單元的容量的第三實體抹除單元。此方法還包括將第二實體抹除單元的有效數(shù)據(jù)與第三實體抹除單元的至少部分有效數(shù)據(jù)寫入第一實體抹除單元。本發(fā)明可以有效地避免因執(zhí)行垃圾收集而影響連續(xù)寫入的速度。

技術研發(fā)人員：黃俊凱
受保護的技術使用者：群聯(lián)電子股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.02.25
技術公布日：2017.09.01