專利名稱：一種內(nèi)存供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)存供電電路。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)內(nèi)存是一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，必須持續(xù)對(duì)其進(jìn)行供電，才能保證其中的數(shù)據(jù)不丟失。而存儲(chǔ)設(shè)備等計(jì)算機(jī)設(shè)備作為高可靠、高可用系統(tǒng)，必須確保內(nèi)存中數(shù)據(jù)的一致性和完整性，即使在外部市電丟失的情況下，也要保持內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失。傳統(tǒng)的采用不間斷電源(UPS，Uninterruptible Power System)對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行供電的方式由于成本、空間等方面的不足，已經(jīng)逐漸被小容量、廉價(jià)、小體積的后備電源供電方式所取代。所述后備電源通常為位于存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)部的電池、超級(jí)電容等。當(dāng)外部市電丟失后，CPU、 內(nèi)存控制器等芯片會(huì)隨著市電的喪失而失去電源，但是內(nèi)存會(huì)在后備電源的支撐下得到長(zhǎng)時(shí)間(通?？梢缘?2小時(shí)以上)供電，確保內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失。這里需要特別指出的是，由于電池、超級(jí)電容等后備電源受到成本、容量和體積大小的限制，在市電丟失后，不可能給存儲(chǔ)設(shè)備所有組件持續(xù)供電，僅提供給保存有數(shù)據(jù)的內(nèi)存供電。內(nèi)存控制器(通常是北橋或CPU芯片)和內(nèi)存使用相同電氣特征的電壓。對(duì)于 DDR2內(nèi)存而言，內(nèi)存控制器和內(nèi)存都使用1. 8V直流電壓；對(duì)于DDR3內(nèi)存而言，內(nèi)存控制器和內(nèi)存都使用1.5V直流電壓。圖1示出了沒(méi)有后備電源的內(nèi)存供電方式。交流市電經(jīng)過(guò)系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換為一路系統(tǒng)直流輸入，直流到直流(DC-DC)開(kāi)關(guān)電源101控制該路直流，同時(shí)向內(nèi)存控制103和內(nèi)存 102供電。DC-DC開(kāi)關(guān)電源是用來(lái)將一種電壓的的直流電源變換成組件所需的另外一種電壓的直流電源。電路通常由開(kāi)關(guān)控制芯片、功率型金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、電感、電解電容等器件構(gòu)成。開(kāi)關(guān)電源主要是區(qū)別于線性電源，優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換效率高，損耗少，廣泛使用在單板電源設(shè)計(jì)中。如果交流市電斷電，則內(nèi)存控制103和內(nèi)存102均失去供電。目前的臺(tái)式機(jī)和絕大多數(shù)的服務(wù)器都屬于這種設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)顯而易見(jiàn)，市電丟失后，由于內(nèi)存沒(méi)有后備電源保護(hù)，數(shù)據(jù)會(huì)隨著市電丟失而丟失，可靠性差，數(shù)據(jù)一致性得不到保證。如果在圖1所示電路中對(duì)DC-DC開(kāi)關(guān)電源101增加一路后備電源輸入，在市電丟失后，后備電源不但要持續(xù)給內(nèi)存102供電，還要給內(nèi)存控制器103供電，由于內(nèi)存控制器的耗電量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于內(nèi)存，現(xiàn)有后備電源的容量是無(wú)法支撐的，即使設(shè)計(jì)出來(lái)這樣的后備電源，其體積、成本也是無(wú)法接受的。圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中采用后備電源的內(nèi)存供電方式。圖2相對(duì)于圖1增加了一路DC-DC開(kāi)關(guān)電源104，其中DC-DC開(kāi)關(guān)電源101對(duì)內(nèi)存102供電，DC-DC開(kāi)關(guān)電源104對(duì)內(nèi)存控制器103供電。DC-DC開(kāi)關(guān)電源101具有兩路輸入，分別是系統(tǒng)直流輸入和后備電源輸入。而DC-DC開(kāi)關(guān)電源104僅具有系統(tǒng)直流輸入。正常情況下，內(nèi)存102和內(nèi)存控制器103都由系統(tǒng)電源供電。如果交流市電斷電，則內(nèi)存控制器103失去供電，而內(nèi)存102還具有后備電源輸入。該供電方式的缺點(diǎn)是增加了系統(tǒng)硬件成本，包括多設(shè)計(jì)的一路開(kāi)關(guān)電源電路成本和由此導(dǎo)致增加的印刷電路板(PCB，Printed Circuit Board)電路板成本。 另外，由于多增加了一路開(kāi)關(guān)電源，電路設(shè)計(jì)變復(fù)雜，單板密度變高，發(fā)熱增加，散熱難度加大，系統(tǒng)的可靠性降低，并且開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的電磁輻射干擾(EMI)噪聲也會(huì)有所提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種內(nèi)存供電電路，僅使用一路DC-DC開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)內(nèi)存和內(nèi)存控制器的可靠供電，并且在市電掉電后，實(shí)現(xiàn)后備電源僅對(duì)內(nèi)存供電的功能。本發(fā)明實(shí)施例提出的一種內(nèi)存供電電路，包括一個(gè)直流到直流DC-DC開(kāi)關(guān)電源和一個(gè)電壓切換電路；所述DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸入端連接系統(tǒng)直流輸入和后備電源輸入，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出內(nèi)存和內(nèi)存控制器所需的供電電壓；其中，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端直接連接內(nèi)存，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端連接電壓切換電路的輸入端，電壓切換電路的輸出端連接內(nèi)存控制器；系統(tǒng)直流輸入從0變?yōu)檎Ｖ禃r(shí)，電壓切換電路的輸出端從0緩慢變?yōu)閮?nèi)存控制器供電電壓，所述電壓變化的時(shí)間范圍為100毫秒至900毫秒，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存和內(nèi)存控制器供電；當(dāng)系統(tǒng)直流輸入從正常值變?yōu)?時(shí)，電壓切換電路的輸出端從內(nèi)存控制器供電電壓迅速變?yōu)?，所述電壓變化的時(shí)間范圍為0. 01微秒至100微秒，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓僅對(duì)內(nèi)存持續(xù)供電。較佳地，所述電壓切換電路包括第一開(kāi)關(guān)型金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體 MOSFET管Ql、第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2、二極管D1、電容Cl、第一電阻Rl和功率型MOSFET 管Q3 ；第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的柵極用于接收市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)，所述市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)在市電正常時(shí)為高電平，在市電丟失時(shí)為低電平；第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的源極接地，第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的漏極連接第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的柵極；第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的源極接地，第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的漏極連接二極管Dl的負(fù)極以及第一電阻Rl ；二極管Dl與第一電阻Rl并聯(lián)，二極管的正極連接電容Cl的正極，電容Cl的負(fù)極接地；電容Cl的正極連接功率型MOSFET管Q3的柵極；功率型MOSFET管Q3的漏極連接DC-DC開(kāi)關(guān)電壓的輸出端，功率型MOSFET管Q3 的源極連接內(nèi)存控制器。較佳地，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第二電阻R2 ；所述第二電阻R2的一端連接系統(tǒng)參考電壓，第二電阻R2的另一端連接第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的漏極。較佳地，所述第二電阻R2的阻值為IK到100K歐姆。較佳地，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第三電阻R3 ；所述第三電阻R3的一端連接系統(tǒng)參考電壓，第三電阻R3的另一端連接第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的漏極。較佳地，所述第三電阻R3的阻值為IK到100K歐姆。較佳地，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第四電阻R4，所述第四電阻R4與電容Cl并聯(lián)。
較佳地，所述第四電阻R4的阻值為IK到100K歐姆。較佳地，所述二極管Cl為肖特基二極管。從以上技術(shù)方案可以看出，在設(shè)備開(kāi)機(jī)之初或者市電從0恢復(fù)正常時(shí)，電壓切換電路的輸出端從0緩慢變?yōu)閮?nèi)存控制器供電電壓，供電電壓緩慢注入內(nèi)存控制器電壓， 不會(huì)引起電壓的波動(dòng)；DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存和內(nèi)存控制器供電；當(dāng)市電從正常值變?yōu)?時(shí)，電壓切換電路的輸出端從內(nèi)存控制器供電電壓迅速變?yōu)?， DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓僅對(duì)內(nèi)存持續(xù)供電，完成內(nèi)存電壓和內(nèi)存控制器電壓的快速分離，確保寶貴的后備電源電量不浪費(fèi)。


圖1為沒(méi)有后備電源的內(nèi)存供電方式示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用后備電源的內(nèi)存供電方式示意圖；圖3為本發(fā)明方案提出一種內(nèi)存供電電路基本原理示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提出的電壓切換電路105的一種實(shí)現(xiàn)方式的電路圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明方案提出一種內(nèi)存供電電路基本原理示意圖如圖3所示。其中包括一路 DC-DC開(kāi)關(guān)電源101和一個(gè)內(nèi)存切換電路105，所述DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸入端連接系統(tǒng)直流輸入和后備電源輸入，輸出端輸出內(nèi)存102和內(nèi)存控制器103所需的供電電壓。其中， DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出端直接連接內(nèi)存101，DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出端輸入電壓切換電路105，由電壓切換電路105給內(nèi)存控制器103供電。正常情況下，電壓切換電路105 為直通模式，DC-DC開(kāi)關(guān)電源101輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存102和內(nèi)存控制器103供電；當(dāng)市電丟失后，電壓切換電路105將進(jìn)行電路快速切換，停止對(duì)內(nèi)存控制器103的供電， 后備電源僅對(duì)內(nèi)存102持續(xù)供電；市電恢復(fù)后，電路又會(huì)切換回來(lái)，轉(zhuǎn)變?yōu)槭须婋娫磳?duì)內(nèi)存 102和內(nèi)存控制器103同時(shí)供電。所述電壓切換電路105用于可靠地實(shí)現(xiàn)內(nèi)存控制器在系統(tǒng)不同供電條件下的電源切換，其具體實(shí)現(xiàn)方式可以有多種，圖4給出了電壓切換電路105的一種實(shí)現(xiàn)方式示意圖。所示電壓切換電路105包括第一開(kāi)關(guān)型金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體MOSFET 管Ql、第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2、二極管D1、電容Cl、第一電阻Rl和功率型MOSFET管Q3。第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的柵極用于接收市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)；第一開(kāi)關(guān)型MOSFET 管Ql的源極接地，第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的漏極連接第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的柵極； 第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的源極接地，第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的漏極連接二極管Dl的負(fù)極以及第一電阻Rl ；二極管Dl與第一電阻Rl并聯(lián)，二極管的正極連接電容Cl的正極，電容Cl的負(fù)極接地；電容Cl的正極連接功率型MOSFET管Q3的柵極；功率型MOSFET管Q3的漏極連接DC-DC開(kāi)關(guān)電壓的輸出端，功率型MOSFET管Q3的源極連接內(nèi)存控制器。圖4中示出的電壓切換電路105還包括第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4。 R2，R3和R4簡(jiǎn)單的作為外部上拉或下拉電阻，為可選元件，其阻值從IK到100K歐姆均可。圖4中，市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)可以是專用的電壓檢測(cè)芯片輸出的信號(hào)，也可以是內(nèi)存控制器103輸出的信號(hào)。正常情況下，市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)為高電平(通常為TTL 3.3V輸出)，表示市電正常。當(dāng)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)到市電開(kāi)始丟失后，該信號(hào)變?yōu)榈碗娖?。?dāng)市電正常時(shí)，市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)為高電平，開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql的柵極(Gate，圖4 中用首字母G表示)和源極(Source，圖4中用首字母S表示)之間的電壓Vgsl大于MOSFET 開(kāi)啟電壓Vth (通常最大為2. 5V)，開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql飽和導(dǎo)通，故開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql的漏極 (Drain,圖4中用首字母D表示)被下拉到地電平。開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql的漏極D和開(kāi)關(guān)型 MOSFET Q2的柵極G相連，開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2的源極S的電壓也為低電平，因此開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2的柵極和源極之間的電壓Vgs2為0V，小于MOSFET開(kāi)啟電壓，開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2截止。開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2的漏極D開(kāi)漏輸出，上拉到系統(tǒng)參考電壓。電容Cl和電阻Rl構(gòu)成RC延遲電路，當(dāng)開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2的漏極D被上拉到系統(tǒng)參考電壓后，電容Cl在電阻Rl的阻抗作用下會(huì)緩慢充電，因此電容Cl陽(yáng)極的電壓也會(huì)從最初的OV緩慢上升到系統(tǒng)參考電壓。隨著電容Cl陽(yáng)極電壓的不斷上升，與電容Cl陽(yáng)極連接在一起的功率型MOSFET Q3的柵極電壓 Vgs電壓也會(huì)緩慢上升，根據(jù)MOSFET的工作特性，功率型MOSFET Q3會(huì)從截止?fàn)顟B(tài)，逐漸進(jìn)入線性工作區(qū)，最終穩(wěn)定在飽和導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)的功率型MOSFET Q3表現(xiàn)為一個(gè)壓控電阻，其源極S和漏極D的電阻值會(huì)隨著柵極電壓Vgs上升，逐漸從無(wú)窮大變?yōu)榻咏?歐姆(M0SFET 的導(dǎo)通電阻&s(。n)，通常為幾十毫歐)。由于這個(gè)過(guò)程受到電阻Rl和電容Cl組成的RC充電延遲電路的限制，功率型MOSFET Q3的上述變化過(guò)程是非常緩慢的(通常為幾百個(gè)毫秒的量級(jí))，因此，功率型MOSFET Q3的漏極D連接的DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出電壓通過(guò)功率型MOSFET Q3作用緩慢地注入內(nèi)存控制器103的輸入電壓，起到電源緩啟動(dòng)的作用。如果內(nèi)存控制器103的輸入電壓沒(méi)有緩啟動(dòng)，而是直接連通到DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出電壓， 那么原本正常的DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出電壓會(huì)因?yàn)樗查g大電流輸出，而導(dǎo)致電壓短暫跌落，從而導(dǎo)致該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不能正常工作。反之，當(dāng)市電開(kāi)始丟失后，市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)由高變低，開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗c開(kāi)關(guān)型MOSFET Ql的漏極D相連的開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2柵極電壓Vgs上拉到系統(tǒng)參考電壓，因此開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2導(dǎo)通，開(kāi)關(guān)型MOSFET Q2的漏極被下拉到地電平。在這種情況下，已經(jīng)充滿電的電容Cl開(kāi)始對(duì)地放電。如果沒(méi)有二極管Dl的存在，電容Cl會(huì)和電阻Rl組成RC延遲放電電路，放電過(guò)程變得十分緩慢。但是由于二極管Dl的存在，旁路了電阻R1，因此，電容Cl得以快速放電(放電過(guò)程的時(shí)間量級(jí)為微秒級(jí)甚至納秒級(jí))，電容Cl 陽(yáng)極電壓快速下降到低電平。功率型MOSFET Q3由導(dǎo)通狀態(tài)快速轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)。與此對(duì)應(yīng)，DC-DC開(kāi)關(guān)電源101的輸出端斷開(kāi)與內(nèi)存控制器103的輸入端的連接，停止對(duì)內(nèi)存控制器103供電，確保后備電源的電量不會(huì)浪費(fèi)。簡(jiǎn)單總結(jié)電壓切換電路105的工作過(guò)程在設(shè)備開(kāi)機(jī)之初或者市電從0恢復(fù)正常時(shí)，電壓切換電路的輸出端從0緩慢變?yōu)閮?nèi)存控制器供電電壓，所述電壓變化的時(shí)間范圍為100毫秒至900毫秒，供電電壓緩慢注入內(nèi)存控制器電壓，不會(huì)引起電壓的波動(dòng)；DC-DC 開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存和內(nèi)存控制器供電；當(dāng)市電從正常值變?yōu)?時(shí)， 電壓切換電路的輸出端從內(nèi)存控制器供電電壓迅速變?yōu)?，所述電壓變化的時(shí)間范圍為 0. 01微秒至100微秒，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓僅對(duì)內(nèi)存持續(xù)供電，完成內(nèi)存電壓和內(nèi)存控制器電壓的快速分離，確保寶貴的后備電源電量不浪費(fèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，對(duì)于同一功能的電路，其具體實(shí)現(xiàn)可以有多種變型形式，本發(fā)明方案應(yīng)當(dāng)包含上述發(fā)明思想所能覆蓋的全部變型形式。
較佳地，Ql，Q2選取輸入、輸出寄生電容小的開(kāi)關(guān)型N-M0SFET。較佳地，Q3結(jié)合內(nèi)存控制器所需電流，選擇漏極持續(xù)電流大，導(dǎo)通電阻小的功率型 N-MOSFET。較佳地，二極管Dl能快速開(kāi)關(guān)的肖特基二極管。電阻Rl和Cl構(gòu)成RC延遲電路，選擇參數(shù)時(shí)需要根據(jù)內(nèi)存控制器上電時(shí)序、負(fù)載大小、Q3寄生電容和跨導(dǎo)等綜合決定，也可根據(jù)實(shí)際測(cè)試結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化調(diào)整。本發(fā)明方案通過(guò)使用電阻、電容、二極管和MOSFET管等便宜可靠的通用模擬器件，僅需要設(shè)計(jì)一路DC-DC開(kāi)關(guān)電源，就能保證內(nèi)存和內(nèi)存控制器的可靠供電，并且在掉電后，快速的實(shí)現(xiàn)電源切換，實(shí)現(xiàn)后備電源僅提供內(nèi)存供電的功能。因此，針對(duì)傳統(tǒng)兩路DC-DC 內(nèi)存開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方法的缺點(diǎn)，具有如下明顯優(yōu)勢(shì)1、成本低。和傳統(tǒng)兩路DC-DC開(kāi)關(guān)電源相比，減少了一路開(kāi)關(guān)電源的使用，為此帶來(lái)硬件成本的大幅下降。2、可靠性高。由于減少了一路開(kāi)關(guān)電源的使用，電路設(shè)計(jì)變簡(jiǎn)單，PCB板的密度降低，電源發(fā)熱變少，散熱改善?？煽啃源蟠筇岣?。3,EMI噪聲降低。開(kāi)關(guān)電源由于自身工作機(jī)制的原因，都會(huì)產(chǎn)生幾百KHz到幾MHz 不等的開(kāi)關(guān)噪聲，對(duì)外輻射。由于減少了一路開(kāi)關(guān)電源，系統(tǒng)的EMI噪聲降低，對(duì)外輻射干擾減少。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)存供電電路，其特征在于，包括一個(gè)直流到直流DC-DC開(kāi)關(guān)電源和一個(gè)電壓切換電路；所述DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸入端連接系統(tǒng)直流輸入和后備電源輸入，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出內(nèi)存和內(nèi)存控制器所需的供電電壓；其中，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端直接連接內(nèi)存，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端連接電壓切換電路的輸入端，電壓切換電路的輸出端連接內(nèi)存控制器；系統(tǒng)直流輸入從0變?yōu)檎Ｖ禃r(shí)，電壓切換電路的輸出端從0緩慢變?yōu)閮?nèi)存控制器供電電壓，所述電壓變化的時(shí)間范圍為100毫秒至900毫秒，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存和內(nèi)存控制器供電；當(dāng)系統(tǒng)直流輸入從正常值變?yōu)?時(shí)，電壓切換電路的輸出端從內(nèi)存控制器供電電壓迅速變?yōu)?，所述電壓變化的時(shí)間范圍為0. 01微秒至100微秒，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓僅對(duì)內(nèi)存持續(xù)供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述電壓切換電路包括第一開(kāi)關(guān)型金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體MOSFET管Q1、第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2、二極管 Dl、電容Cl、第一電阻Rl和功率型MOSFET管Q3 ；第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的柵極用于接收市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)，所述市電掉電監(jiān)測(cè)信號(hào)在市電正常時(shí)為高電平，在市電丟失時(shí)為低電平；第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的源極接地，第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的漏極連接第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的柵極；第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的源極接地，第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的漏極連接二極管Dl 的負(fù)極以及第一電阻Rl ；二極管Dl與第一電阻Rl并聯(lián)，二極管的正極連接電容Cl的正極， 電容Cl的負(fù)極接地；電容Cl的正極連接功率型MOSFET管Q3的柵極；功率型MOSFET管Q3的漏極連接DC-DC開(kāi)關(guān)電壓的輸出端，功率型MOSFET管Q3的源極連接內(nèi)存控制器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第二電阻R2 ；所述第二電阻R2的一端連接系統(tǒng)參考電壓，第二電阻R2的另一端連接第一開(kāi)關(guān)型MOSFET管Ql的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述第二電阻R2的阻值為IK到 100K歐姆。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第三電阻R3 ；所述第三電阻R3的一端連接系統(tǒng)參考電壓，第三電阻R3的另一端連接第二開(kāi)關(guān)型MOSFET管Q2的漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述第三電阻R3的阻值為IK到 100K歐姆。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述電壓切換電路進(jìn)一步包括第四電阻R4，所述第四電阻R4與電容Cl并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述第四電阻R4的阻值為IK到 100K歐姆。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的內(nèi)存供電電路，其特征在于，所述二極管Cl為肖特基二極管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種內(nèi)存供電電路，包括一個(gè)直流到直流(DC-DC)開(kāi)關(guān)電源和一個(gè)電壓切換電路；所述DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸入端連接系統(tǒng)直流輸入和后備電源輸入，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出內(nèi)存和內(nèi)存控制器所需的供電電壓；其中，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端直接連接內(nèi)存，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端連接電壓切換電路的輸入端，電壓切換電路的輸出端連接內(nèi)存控制器；系統(tǒng)直流輸入從0變?yōu)檎Ｖ禃r(shí)，電壓切換電路的輸出端從0緩慢變?yōu)閮?nèi)存控制器供電電壓，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓同時(shí)給內(nèi)存和內(nèi)存控制器供電；當(dāng)系統(tǒng)直流輸入從正常值變?yōu)?時(shí)，電壓切換電路的輸出端從內(nèi)存控制器供電電壓迅速變?yōu)?，DC-DC開(kāi)關(guān)電源的輸出端輸出的電壓僅對(duì)內(nèi)存持續(xù)供電。
文檔編號(hào)G06F1/26GK102289275SQ201110193619
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者唐斌 申請(qǐng)人:創(chuàng)新科存儲(chǔ)技術(shù)(深圳)有限公司, 創(chuàng)新科存儲(chǔ)技術(shù)有限公司