內(nèi)存供電電路的制作方法
【專利摘要】一種內(nèi)存供電電路,包括PWM控制器、第一及第二場效應(yīng)管、第一至第三電阻、第一及第二電感及電子開關(guān)。上述內(nèi)存供電電路可根據(jù)需要調(diào)節(jié)輸出至內(nèi)存的電壓值為第一輸出電壓或者第二輸出電壓。
【專利說明】內(nèi)存供電電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種內(nèi)存供電電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在個人計算機中,內(nèi)存的工作電壓一般來講都是固定的,如DDR2的工作電壓范圍是1.8V+/-0.1V。然而,由于市面上的內(nèi)存質(zhì)量不同,最佳工作電壓亦相應(yīng)不同,如A公司的內(nèi)存工作在1.8V時能獲得最佳性能,B公司的內(nèi)存工作在1.88V時能獲得最佳性能?,F(xiàn)在的做法只能固定一個工作電壓1.8V或1.88V,這樣的話,在組裝系統(tǒng)時內(nèi)存的選擇范圍將大大減少,較為不便。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]鑒于上述狀況,有必要提供一種能根據(jù)需要調(diào)節(jié)輸出至內(nèi)存的電壓值的內(nèi)存供電電路。
[0004]一種內(nèi)存供電電路,包括PWM控制器、第一及第二場效應(yīng)管、第一至第三電阻、第一及第二電感及電子開關(guān),該PWM控制器的電源引腳與電壓源相連,高門檻引腳與第一場效應(yīng)管的柵極相連,低門檻引腳與第二場效應(yīng)管的柵極相連,相位引腳與第一場效應(yīng)管的源極及第二場效應(yīng)管的漏極相連,該第一場效應(yīng)管的漏極通過第一電感與電壓源相連,該第二場效應(yīng)管的漏極與第一場效應(yīng)管的源極之間的節(jié)點還依序通過第二電感及第一電阻與PWM控制器的反相輸入引腳相連,該PWM控制器的反相輸入引腳還直接通過第二電阻接地以及通過第三電阻與電子開關(guān)的第一端相連,該電子開關(guān)的第二端接地,控制端與主板上的通用輸入輸出引腳相連,該第二電感與第一電阻之間的節(jié)點用于輸出第一電壓或第二電壓至內(nèi)存以為內(nèi)存提供工作電壓,其中該第一至第三電阻的電阻值與第一及第二電壓滿足以下公式:Voutl=0.8* (1+rl/ (r3/ (r2+r3))、Vout2=0.8* (l+rl/r2),其中 Voutl 及 Vout2分別表不第一及第二電壓,rl表不第一電阻的電阻值,r2表不第二電阻的電阻值,r3表不第三電阻的電阻值。
[0005]上述內(nèi)存供電電路通過調(diào)節(jié)通用輸入輸出引腳所輸出的電平信號來控制電子開關(guān)的導(dǎo)通或截止,以使得第三電阻是否與第二電阻并聯(lián)連接,進而改變輸出電壓。上述內(nèi)存供電電路可根據(jù)需要調(diào)節(jié)輸出至內(nèi)存的電壓值為第一輸出電壓或者第二輸出電壓。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]圖1是本發(fā)明內(nèi)存供電電路的較佳實施方式的電路圖。
[0007]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)存供電電路,包括PWM控制器、第一及第二場效應(yīng)管、第一至第三電阻、第一及第二電感及電子開關(guān),所述P麗控制器的電源引腳與電壓源相連,高門檻引腳與第一場效應(yīng)管的柵極相連,低門檻引腳與第二場效應(yīng)管的柵極相連,相位引腳與第一場效應(yīng)管的源極及第二場效應(yīng)管的漏極相連,所述第一場效應(yīng)管的漏極通過第一電感與電壓源相連,所述第二場效應(yīng)管的漏極與第一場效應(yīng)管的源極之間的節(jié)點還依序通過第二電感及第一電阻與PWM控制器的反相輸入引腳相連,所述PWM控制器的反相輸入引腳還直接通過第二電阻接地以及通過第三電阻與電子開關(guān)的第一端相連,所述電子開關(guān)的第二端接地,控制端與主板上的通用輸入輸出引腳相連,所述第二電感與第一電阻之間的節(jié)點用于輸出第一電壓或第二電壓至內(nèi)存以為內(nèi)存提供工作電壓,其中所述第一至第三電阻的電阻值與第一及第二電壓滿足以下公式:Voutl=0.8*(1+rl/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(l+rl/r2),其中Voutl及Vout2分別表示第一及第二電壓,rl表示第一電阻的電阻值,r2表示第二電阻的電阻值,r3表示第三電阻的電阻值。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存供電電路,其特征在于:所述電子開關(guān)包括第三場效應(yīng)管,所述電子開關(guān)的控制端、第一及第二端分別對應(yīng)第三場效應(yīng)管的柵極、漏極及源極。
3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存供電電路,其特征在于:所述內(nèi)存供電電路還包括第一電容,所述第一電容連接于第一場效應(yīng)管的漏極與大地之間。
4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存供電電路,其特征在于:所述內(nèi)存供電電路還包括第二電容,所述第二電容連接于第二電感與第一電阻之間的節(jié)點與大地之間。
5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存供電電路,其特征在于:Voutl=l.88V,Vout2=l.8V,rl=125歐姆,r2=100歐姆,r3=1328歐姆。
【文檔編號】G06F1/26GK103970245SQ201310026488
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月24日
【發(fā)明者】賴超榮 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司