構(gòu)成rfid電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器及包絡(luò)檢波器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，包括包絡(luò)檢波器、紋波噪聲濾波器、有源低通濾波器、遲滯比較器；其特征在于：包絡(luò)檢波器的輸入端連接射頻信號(hào)輸入端；包絡(luò)檢波器的輸出端連接紋波噪聲濾波器的輸入端和有源低通濾波器的輸入端；所述包絡(luò)檢波器檢出射頻信號(hào)的包絡(luò)信號(hào)，輸出到紋波噪聲濾波器和有源低通濾波器；所述紋波噪聲濾波器的輸出端連接遲滯比較器的正端輸入；所述紋波噪聲濾波器將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾除高頻噪聲及紋波后輸出到遲滯比較器；所述有源低通濾波器的輸出端連接遲滯比較器的負(fù)端輸入；所述遲滯比較器將所述紋波噪聲濾波器輸出的包絡(luò)信號(hào)與有源低通濾波器輸出的直流參考電壓比較，然后以CMOS電平形式輸出。
【專利說明】構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器及包絡(luò)檢波器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及解調(diào)器和包絡(luò)檢波器，具體涉及構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器及包絡(luò)檢波器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著無源射頻識(shí)別技術(shù)在交通、門禁安全、身份識(shí)別、貨物管理、自動(dòng)控制、防盜防偽等領(lǐng)域應(yīng)用的快速發(fā)展，對(duì)RFID電子標(biāo)簽的性能要求越來越高，主要體現(xiàn)在靈敏度、功耗和成本等指標(biāo)。而解調(diào)器設(shè)計(jì)質(zhì)量的好壞是決定RFID標(biāo)簽芯片是否具有微功耗、聞靈敏度關(guān)鍵因素之一?，F(xiàn)有的無源RFID解調(diào)器電路結(jié)構(gòu)靈敏度低，功耗較高，容易出現(xiàn)失真，影響無源RFID電子標(biāo)簽的系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)的RFID電子標(biāo)簽芯片的解調(diào)器多采用圖1所示的電路結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)有兩個(gè)缺點(diǎn):第一個(gè)是Rd接地會(huì)導(dǎo)致電路功耗較大，第二個(gè)是存在紋波和負(fù)峰削波失真。
[0003]目前RFID解調(diào)器的研究方向是通過電路結(jié)構(gòu)或工藝、器件等多方面來降低解調(diào)器電路的功耗，提高解調(diào)靈敏度，保證信號(hào)不失真。如采用傳統(tǒng)的RC并聯(lián)結(jié)構(gòu)或二極管連接的MOS管電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)包絡(luò)檢波。然而，采用RC并聯(lián)結(jié)構(gòu)，會(huì)導(dǎo)致解調(diào)器功耗較高，且容易出現(xiàn)紋波和負(fù)峰削波失真。普通二極管型的MOS管進(jìn)行包絡(luò)檢波時(shí)，只有當(dāng)RF信號(hào)的幅度大于MOS管的閾值電壓Vth (約700mV)，電路才能正常工作，因此，接收靈敏度較低，影響了 RFID的通信距離。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是提供構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器；解調(diào)器功耗僅0.3 μ W，解調(diào)靈敏度高達(dá)-14dBm。
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之二是提供構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽解調(diào)器的包絡(luò)檢波器。
[0006]本發(fā)明的第一個(gè)技術(shù)方案是，構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，包括包絡(luò)檢波器、紋波噪聲濾波器、有源低通濾波器、遲滯比較器；其特征在于:包絡(luò)檢波器的輸入端連接射頻信號(hào)輸入端；包絡(luò)檢波器的輸出端連接紋波噪聲濾波器的輸入端和有源低通濾波器的輸入端；所述包絡(luò)檢波器檢出射頻信號(hào)的包絡(luò)信號(hào)，輸出到紋波噪聲濾波器和有源低通濾波器；
[0007]所述紋波噪聲濾波器的輸出端連接遲滯比較器的正端輸入；所述紋波噪聲濾波器將收到的包絡(luò)信號(hào)濾除高頻噪聲及紋波后輸出到遲滯比較器；所述紋波噪聲濾波器的功能是在包絡(luò)信號(hào)不被衰減的情況下抑制高頻噪聲及紋波；
[0008]所述有源低通濾波器的輸出端連接遲滯比較器的負(fù)端輸入；所述有源低通濾波器將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾波后取出直流參考電壓輸出到遲滯比較器；
[0009]所述遲滯比較器將所述紋波噪聲濾波器輸出的包絡(luò)信號(hào)與有源低通濾波器輸出的直流參考電壓比較，然后以CMOS電平形式輸出；采用遲滯比較器能更好的忽略輸入噪聲，而遲滯范圍可根據(jù)需要調(diào)整。
[0010]解調(diào)器的功能是將RF信號(hào)解調(diào)，恢復(fù)出基帶信息，供后續(xù)基帶處理。
[0011]本發(fā)明利用包絡(luò)檢波器取出RF信號(hào)的包絡(luò)，經(jīng)紋波噪聲濾波器濾除高頻噪聲及紋波后輸出包絡(luò)信號(hào)，同時(shí)經(jīng)有源低通濾波器濾波后取出直流參考電壓，再將包絡(luò)信號(hào)和直流參考信號(hào)比較，以CMOS電平形式輸出，實(shí)現(xiàn)解調(diào)功能。本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低、體積小、效率高、性能優(yōu)，有效提高RFID電子標(biāo)簽的靈敏度和通信距離。
[0012]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器的優(yōu)選方案，所述包絡(luò)檢波器包括η級(jí)全波整流器和低通濾波器；第一級(jí)全波整流器的第一輸入端連接射頻信號(hào)輸入端，第二輸入端接地，輸出端連接第二級(jí)全波整流器的第二輸入端，第二級(jí)全波整流器的輸出端連接第三級(jí)全波整流器的第二輸入端，依次類推，第η-1級(jí)全波整流器的輸出端連接第η級(jí)全波整流器的第二輸入端，第η級(jí)全波整流器的輸出端連接低通濾波器，第二級(jí)至第η-1級(jí)、第η級(jí)全波整流器的第一輸入端均連接射頻信號(hào)輸入端。該方案利用η級(jí)全波整流器將整流輸出電壓逐級(jí)提高，使輸入信號(hào)RF_IN的幅度即時(shí)很小，包絡(luò)檢波器也可正常工作，從而提高解調(diào)靈敏度。
[0013]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器的另一優(yōu)選方案，所述全波整流器包括隔直電容，濾波電容，第一、第二肖特基二極管；隔直電容的一端接射頻信號(hào)輸入端，濾波電容連接在第二肖特基二極管的負(fù)極與地之間，第一肖特基二極管的負(fù)極與第二肖特基二極管的正極連接，第一、第二肖特基二極管的連接節(jié)點(diǎn)與隔直電容的另一端連接，第一級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極接地，第二級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第一級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，依次類推，第η級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第η-1級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，第η級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極接低通濾波器。該方案利用肖特基二極管具有較小的開啟電壓特性，并利用肖特基二極管構(gòu)成η級(jí)全波整流器，將全波整流輸出電壓逐級(jí)提高，可降低肖特基二極管的有效導(dǎo)通電壓，使輸入信號(hào)RF_IN的幅度小于肖特基二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，包絡(luò)檢波器也可正常工作，從而提高解調(diào)靈敏度。本發(fā)明提供的RFID解調(diào)器利用肖特基二極管結(jié)構(gòu)的包絡(luò)檢波器實(shí)現(xiàn)了低失真、微功耗、高靈敏度特性。
[0014]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器的另一優(yōu)選方案，紋波噪聲濾波器由一階RC濾波器構(gòu)成，可以保證包絡(luò)信號(hào)不被衰減，而高頻噪聲及紋波可有效抑制，可減小紋波失真。
[0015]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器的另一優(yōu)選方案，有源低通濾波器由閉環(huán)運(yùn)放構(gòu)成，并采用電壓跟隨器結(jié)構(gòu)，使運(yùn)放的輸入和輸出端具有相同的直流工作點(diǎn)，使遲滯比較器的正、負(fù)輸入端具有相同的直流工作點(diǎn)，可減小負(fù)峰削波失真。
[0016]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器的另一優(yōu)選方案，遲滯比較器由兩級(jí)運(yùn)放構(gòu)成。
[0017]本發(fā)明的第二個(gè)技術(shù)方案是，構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽解調(diào)器的包絡(luò)檢波器，其特點(diǎn)是:所述包絡(luò)檢波器包括η級(jí)全波整流器和低通濾波器；第一級(jí)全波整流器的第一輸入端連接射頻信號(hào)輸入端，第二輸入端接地，輸出端連接第二級(jí)全波整流器的第二輸入端，第二級(jí)全波整流器的輸出端連接第三級(jí)全波整流器的第二輸入端，依次類推，第η-1級(jí)全波整流器的輸出端連接第η級(jí)全波整流器的第二輸入端，第η級(jí)全波整流器的輸出端連接低通濾波器，第二級(jí)至第η-1級(jí)、第η級(jí)全波整流器的第一輸入端均連接射頻信號(hào)輸入端。該方案利用η級(jí)全波整流器將整流輸出電壓逐級(jí)提高，使輸入信號(hào)RF_IN的幅度即時(shí)很小，包絡(luò)檢波器也可正常工作，從而提高解調(diào)靈敏度。
[0018]根據(jù)本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽解調(diào)器的包絡(luò)檢波器的優(yōu)選方案:所述全波整流器包括隔直電容，濾波電容，第一、第二肖特基二極管；隔直電容的一端接射頻信號(hào)輸入端，濾波電容連接在第二肖特基二極管的負(fù)極與地之間，第一肖特基二極管的負(fù)極與第二肖特基二極管的正極連接，第一、第二肖特基二極管的連接節(jié)點(diǎn)與隔直電容的另一端連接，第一級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極接地，第二級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第一級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，依次類推，第η級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第η-1級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，第η級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極接低通濾波器。該方案利用肖特基二極管具有較小的開啟電壓特性，并利用肖特基二極管構(gòu)成η級(jí)全波整流器，將全波整流輸出電壓逐級(jí)提高，可降低肖特基二極管的有效導(dǎo)通電壓，使輸入信號(hào)RF_IN的幅度小于肖特基二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，包絡(luò)檢波器也可正常工作，從而提高解調(diào)靈敏度。本發(fā)明提供的RFID解調(diào)器利用肖特基二極管結(jié)構(gòu)的包絡(luò)檢波器實(shí)現(xiàn)了低失真、微功耗、高靈敏度特性。
[0019]本發(fā)明所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器及包絡(luò)檢波器的有益效果是:本發(fā)明利用包絡(luò)檢波器取出RF信號(hào)的包絡(luò)，經(jīng)紋波噪聲濾波器濾除高頻噪聲及紋波后輸出包絡(luò)信號(hào)，同時(shí)經(jīng)有源低通濾波器濾波后取出直流參考電壓，再將包絡(luò)信號(hào)和直流參考信號(hào)比較，以CMOS電平形式輸出，實(shí)現(xiàn)解調(diào)功能；本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低、體積小、效率高、性能優(yōu)，有效提高RFID電子標(biāo)簽的靈敏度和通信距離，具有良好的應(yīng)用前景。本發(fā)明提供的RFID解調(diào)器利用肖特基二極管結(jié)構(gòu)的包絡(luò)檢波器實(shí)現(xiàn)了低失真、微功耗、高靈敏度特性。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)RFID標(biāo)簽芯片的載波信號(hào)頻率范圍為840MHz?960MHz，調(diào)制信號(hào)頻率范圍為40KHz?160KHz，實(shí)測(cè)解調(diào)靈敏度達(dá)-14dBm，功耗僅0.3 μ W。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是傳統(tǒng)的RFID解調(diào)器的原理框圖。
[0021]圖2是本發(fā)明提出的解調(diào)器的原理框圖。
[0022]圖3是本發(fā)明包絡(luò)檢波器的原理框圖
[0023]圖4是包絡(luò)檢波器的原理圖。
[0024]圖5是有源低通濾波器的原理圖。
[0025]圖6是遲滯比較器的原理圖。
[0026]圖7是包絡(luò)檢波器中W V5電壓的仿真波形。
[0027]圖8是包絡(luò)檢波器中V2、V4電壓的仿真波形。
[0028]圖9是包絡(luò)檢波器輸出電壓和射頻輸入的仿真波形。
[0029]圖10是調(diào)制信號(hào)乙=1601(取時(shí)的仿真波形。[0030]圖11是調(diào)制信號(hào)fm=40KHz時(shí)的仿真波形。
【具體實(shí)施方式】
[0031]參見圖2，構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，由包絡(luò)檢波器4、紋波噪聲濾波器5、有源低通濾波器6和遲滯比較器7構(gòu)成；所述包絡(luò)檢波器4的輸入端連接射頻信號(hào)輸入端RF_IN ;包絡(luò)檢波器4的輸出端連接紋波噪聲濾波器5的輸入端和有源低通濾波器6的輸入端；所述包絡(luò)檢波器4檢出射頻信號(hào)的包絡(luò)信號(hào)，輸出到紋波噪聲濾波器5和有源低通濾波器6 ；
[0032]所述紋波噪聲濾波器5的輸出端連接遲滯比較器7的正端輸入；所述紋波噪聲濾波器5將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾除高頻噪聲及紋波后輸出到遲滯比較器7 ；
[0033]所述有源低通濾波器6的輸出端連接遲滯比較器7的負(fù)端輸入；所述有源低通濾波器6將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾波后取出直流參考電壓輸出到遲滯比較器7 ；
[0034]遲滯比較器7的輸出端連接解調(diào)輸出DEM_0UT ;所述遲滯比較器7將所述紋波噪聲濾波器5輸出的包絡(luò)信號(hào)與有源低通濾波器6輸出的直流參考電壓比較,然后以CMOS電平形式輸出。
[0035]工作原理為，包絡(luò)檢波器4取出RF信號(hào)的包絡(luò)V，經(jīng)紋波噪聲濾波器5濾除高頻噪聲及紋波后輸出包絡(luò)信號(hào)V+，同時(shí)經(jīng)有源低通濾波器6濾波后取出直流參考電壓V_，將包絡(luò)信號(hào)V+和直流參考信號(hào)V_比較，以CMOS電平形式輸出，實(shí)現(xiàn)解調(diào)功能。
[0036]參見圖3，在具體實(shí)施例中，所述包絡(luò)檢波器4包括η級(jí)全波整流器和低通濾波器11 ;第一級(jí)全波整流器的第一輸入端連接射頻信號(hào)輸入端RF_IN，第二輸入端接地，輸出端連接第二級(jí)全波整流器的第二輸入端，第二級(jí)全波整流器的輸出端連接第三級(jí)全波整流器的第二輸入端，依次類推，第η-1級(jí)全波整流器的輸出端連接第η級(jí)全波整流器的第二輸入端，第η級(jí)全波整流器的輸出端連接低通濾波器11，第二級(jí)至第η-1級(jí)、第η級(jí)全波整流器的第一輸入端均連接射頻信號(hào)輸入端RF_IN。全波整流器的級(jí)數(shù)由包絡(luò)檢波器4的靈敏度和肖特基二極管的正向?qū)妷捍_定。
[0037]參見圖4，在具體實(shí)施例中，所述全波整流器包括隔直電容，濾波電容，第一、第二肖特基二極管；隔直電容的一端接射頻信號(hào)輸入端RF_IN，濾波電容連接在第二肖特基二極管的負(fù)極與地之間，第一肖特基二極管的負(fù)極與第二肖特基二極管的正極連接，第一、第二肖特基二極管的連接節(jié)點(diǎn)與隔直電容的另一端連接，第一級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極接地，第二級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第一級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，依次類推，第η級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第η-1級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，第η級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極接低通濾波器11。
[0038]參見圖4，在具體實(shí)施例中，包絡(luò)檢波器4由三級(jí)全波整流器8、9、10和一級(jí)低通濾波器11構(gòu)成。第一級(jí)全波整流器8包括隔直電容C1，濾波電容C4,肖特基二極管SpS215隔直電容C1的一端接射頻信號(hào)輸入RF_IN，另一端接肖特基二極管S1的負(fù)極同時(shí)接肖特基二極管S2的正極。肖特基二極管S1的正極接地，肖特基二極管S2的負(fù)極接濾波電容C4的一端同時(shí)接第二級(jí)全波整流器S3的正極，濾波電容C4的另一端接地。第二級(jí)全波整流器9包括隔直電容C2,濾波電容C5,肖特基二極管S3、S4。隔直電容C2的一端接射頻信號(hào)輸入RF_IN，另一端接肖特基二極管S3的負(fù)極同時(shí)接肖特基二極管S4的正極。肖特基二極管S4的負(fù)極接濾波電容C5的一端同時(shí)接第三級(jí)全波整流器S5的正極，濾波電容C5的另一端接地。第三級(jí)全波整流器10包括隔直電容C3，濾波電容C6,肖特基二極管S5、S6。隔直電容C3的一端接射頻信號(hào)輸入RF_IN，另一端接肖特基二極管S5的負(fù)極同時(shí)接肖特基二極管S6的正極。肖特基二極管S6的負(fù)極接濾波電容C6的一端同時(shí)接低通濾波器中電阻R1的一端，濾波電容C6的另一端接地。低通濾波器中電阻R1的另一端接濾波電容C7的一端同時(shí)接包絡(luò)檢波器輸出端DET_OUT，濾波電容C7的另一端接地。
[0039]工作原理為，射頻信號(hào)從RF_IN輸入后，負(fù)半周期時(shí)，肖特基二極管S1正向?qū)ǎ娏鲝牡赝ㄟ^肖特基二極管S1流向電容C1,為電容C1充電，正半周期時(shí)，肖特基二極管S1反向漏電，電流從電容C1通過肖特基二極管S1流向地，電容C1放電。由于肖特基二極管S1的正向?qū)娏鞔笥诜聪蚵╇娏?，所以?duì)電容C1充電電流的積分大于C1放電電流的積分，故電壓V1的直流工作點(diǎn)會(huì)逐漸升高。隨著V1的直流工作點(diǎn)升高，負(fù)半周期時(shí)肖特基二極管S1的正向?qū)娏鳒p小，正半周期時(shí)肖特基二極管S1的反向漏電流升高，當(dāng)正向?qū)娏鞯扔诜聪蚵╇娏鲿r(shí)，V1的直流工作點(diǎn)穩(wěn)定為正值，V1直流電壓升高會(huì)導(dǎo)致V2的直流電壓升高。同理經(jīng)過第二級(jí)全波整流器后，V3和V4的直流電壓升高，V4的直流電壓升高會(huì)導(dǎo)致V5的直流電壓升高，穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，V5>V3>V1>0, V4>V2>0，所以V4和V5的直流電壓為肖特基二極管s5、S6提供了靜態(tài)偏置，減小了肖特基二極管S5、S6的有效導(dǎo)通電壓，故包絡(luò)檢波器在射頻輸入信號(hào)幅度小于肖特基二極管s5、S6的正向?qū)妷簳r(shí)，包絡(luò)檢波器也能正常工作，從而提聞解調(diào)靈敏度。
[0040]在具體實(shí)施例中，參見圖2，紋波噪聲濾波器5由一階RC濾波器構(gòu)成。
[0041]在具體實(shí)施例中，紋波噪聲濾波器5由一階RC濾波器構(gòu)成，其時(shí)間常數(shù)
【權(quán)利要求】
1.構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，包括包絡(luò)檢波器(4)、紋波噪聲濾波器(5)、有源低通濾波器(6)、遲滯比較器(7);其特征在于:包絡(luò)檢波器(4)的輸入端連接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN);包絡(luò)檢波器(4)的輸出端連接紋波噪聲濾波器(5)的輸入端和有源低通濾波器出)的輸入端；所述包絡(luò)檢波器(4)檢出射頻信號(hào)的包絡(luò)信號(hào)，輸出到紋波噪聲濾波器(5)和有源低通濾波器(6)； 所述紋波噪聲濾波器(5)的輸出端連接遲滯比較器(7)的正端輸入；所述紋波噪聲濾波器(5)將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾除高頻噪聲及紋波后輸出到遲滯比較器(7)； 所述有源低通濾波器(6)的輸出端連接遲滯比較器(7)的負(fù)端輸入；所述有源低通濾波器(6 )將收到的包絡(luò)信號(hào)進(jìn)行濾波后取出直流參考電壓輸出到遲滯比較器(7 ); 所述遲滯比較器(7)將所述紋波噪聲濾波器(5)輸出的包絡(luò)信號(hào)與有源低通濾波器(6)輸出的直流參考電壓比較，然后以CMOS電平形式輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，其特征在于:所述包絡(luò)檢波器(4)包括η級(jí)全波整流器和低通濾波器(11);第一級(jí)全波整流器的第一輸入端連接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)，第二輸入端接地，輸出端連接第二級(jí)全波整流器的第二輸入端，第二級(jí)全波整流器的輸出端連接第三級(jí)全波整流器的第二輸入端，依次類推，第η-1級(jí)全波整流器的輸出端連接第η級(jí)全波整流器的第二輸入端，第η級(jí)全波整流器的輸出端連接低通濾波器(11)，第二級(jí)至第η-1級(jí)、第η級(jí)全波整流器的第一輸入端均連接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，其特征在于:所述全波整流器包括隔直電容，濾波電容，第一、第二肖特基二極管；隔直電容的一端接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)，濾波電容連接在第二肖特基二極管的負(fù)極與地之間，第一肖特基二極管的負(fù)極與第二肖特基二極管的正極連接，第一、第二肖特基二極管的連接節(jié)點(diǎn)與隔直電容的另一端連接，第一級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極接地，第二級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第一級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，依次類推，第η級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第η-1級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，第η級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極接低通濾波器(11)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，其特征在于:紋波噪聲濾波器(5)由一階RC濾波器構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，其特征在于:有源低通濾波器(6)由閉環(huán)運(yùn)放構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽的微功耗高靈敏度解調(diào)器，其特征在于:遲滯比較器(7)由兩級(jí)運(yùn)放構(gòu)成。
7.構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽解調(diào)器的包絡(luò)檢波器，其特征在于:所述包絡(luò)檢波器(4)包括η級(jí)全波整流器和低通濾波器(11);第一級(jí)全波整流器的第一輸入端連接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)，第二輸入端接地，輸出端連接第二級(jí)全波整流器的第二輸入端，第二級(jí)全波整流器的輸出端連接第三級(jí)全波整流器的第二輸入端，依次類推，第η-1級(jí)全波整流器的輸出端連接第η級(jí)全波整流器的第二輸入端，第η級(jí)全波整流器的輸出端連接低通濾波器(11)，第二級(jí)至第η-1級(jí)、第η級(jí)全波整流器的第一輸入端均連接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的構(gòu)成RFID電子標(biāo)簽解調(diào)器的包絡(luò)檢波器，其特征在于:所述全波整流器包括隔直電容，濾波電容，第一、第二肖特基二極管；隔直電容的一端接射頻信號(hào)輸入端(RF_IN)，濾波電容連接在第二肖特基二極管的負(fù)極與地之間，第一肖特基二極管的負(fù)極與第二肖特基二極管的正極連接，第一、第二肖特基二極管的連接節(jié)點(diǎn)與隔直電容的另一端連接，第一級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極接地，第二級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第一級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極，依次類推，第η級(jí)全波整流器中的第一肖特基二極管的正極連接第η-1級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管 的負(fù)極，第η級(jí)全波整流器中的第二肖特基二極管的負(fù)極接低通濾波器(11)。
【文檔編號(hào)】G06K19/07GK103927577SQ201410150328
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月15日
【發(fā)明者】賀旭東, 范麟, 萬天才, 劉永光, 徐驊, 李明劍, 張真榮, 吳炎輝 申請(qǐng)人:重慶西南集成電路設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司