具有通過高速串行端口連接到非易失性存儲器橋的盤控制器的混合存儲裝置制造方法
【專利摘要】混合存儲裝置包括至少一個存儲盤、一個被配置為控制對該存儲盤寫入和讀出數(shù)據(jù)的盤控制器、一個非易失性電子存儲器、以及在該盤控制器和該非易失性電子存儲器之間耦接的橋接裝置。該盤控制器包括多個高速串行接口。在一個實施例中，該高速串行接口包括被配置將該盤控制器接口至主機裝置的第一高速串行接口、以及被配置為通過該橋接裝置將該盤控制器接口至該非易失性存儲器的第二高速串行接口。該非易失性存儲器可包括一個閃存，并且該橋接裝置可包括一個閃存控制器。該盤控制器可以SOC集成電路的形式被實現(xiàn)，其可在包括混合操作模式和企業(yè)操作模式的多個模式下操作。
【專利說明】具有通過高速串行端口連接到非易失性存儲器橋的盤控制器的混合存儲裝置
[0001]發(fā)明背景
[0002]基于盤的存儲裝置比如硬盤驅(qū)動器(HDD)被用于在各種不同類型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中提供非易失性數(shù)據(jù)存儲。一種典型的HDD包括轉(zhuǎn)軸，其保持一個或者多個平的圓形存儲盤，也被稱為盤片。每個存儲盤包括由非磁性材料比如鋁或玻璃制成的基板，其被一層或者多層薄的磁性材料覆蓋表面。在操作中，通過在盤高速旋轉(zhuǎn)時通過定位臂在該盤表面上精確地移動的相應(yīng)的讀寫頭，數(shù)據(jù)從該存儲盤的軌道中讀取和向其寫入。HDD的存儲容量持續(xù)增加，并且能同時存儲多個太拉(TB)字節(jié)數(shù)據(jù)的HDD。
[0003]HDD常包含片上系統(tǒng)(SOC)以將來自計算機或其他處理裝置的數(shù)據(jù)處理為一個合適的格式以寫入該存儲盤，并且將從該存儲盤讀回的信號波形轉(zhuǎn)換為傳遞給計算機的數(shù)據(jù)。該SOC具有大量數(shù)字電路并且典型地采用先進的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)來滿足成本和性能目標。該SOC典型地包括盤控制器，該盤控制器可包含與該HDD的讀和寫通道相關(guān)的電路。該HDD也通常包含前置放大器，該前置放大器可被配置為使得該SOC接口至用于從該存儲盤讀數(shù)據(jù)以及寫數(shù)據(jù)至該存儲盤的讀寫頭。
[0004]眾所周知，HDD可結(jié)合其他類型的非易失性存儲器來形成混合存儲裝置。例如，給定的這樣的混合存儲裝置除了一個或者多個HDD還可包括閃存。
[0005]發(fā)明概述
[0006]本發(fā)明說明性的實施例提供了混合存儲裝置，該混合存儲裝置包括HDD或者其他類型的基于盤的存儲裝置以及非易失性電子存儲器比如閃存，在給定的這個實施例中該混合存儲裝置被配置為使用高速串行接口以與例如各自的主機以及和該混合存儲裝置相關(guān)聯(lián)的橋接裝置通信，在那里該橋接裝置可訪問該非易失性電子存儲器。
[0007]在一個實施例中，混合存儲裝置包含至少一個存儲盤；盤控制器，其被配置為控制對所述存儲盤的寫入數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)；非易失性電子存儲器；以及橋接裝置，耦接在所述盤控制器和所述非易失性電子存儲器之間。所述盤控制器包含多個高速串行接口，包括第一高速串行接口，被配置為將所述盤控制器接口至主機裝置，和第二高速串行接口，被配置以通過該橋接裝置將該盤控制器接口至該非易失性存儲器。具有通過該橋接裝置對該非易失性存儲器的至少一個高速串行接口的盤控制器的其他配置也是可能的。
[0008]該非易失性存儲器可包括閃存，以及更具體地具有多層單元配置的NAND閃存，以及該橋接裝置可包含閃存控制器。其他類型的非易失性存儲器和相關(guān)的橋接裝置可被用在其他實施例中。
[0009]通過示例的方式，該盤控制器可被實現(xiàn)為SOC集成電路的形式，該SOC集成電路在包括混合操作模式和企業(yè)操作模式的多個模式下操作。在一個可能的混合操作模式下，該第一高速串行接口將該盤控制器接口至該主機裝置并且該第二高速串行接口通過該橋接裝置將該盤控制器連接該非易失性存儲器。在一個可能的企業(yè)操作模式下，該第一和第二高速串行接口可被用于與各自的串行連接的SCSI (SAS)存儲裝置通信，其中SCSI表示小計算機系統(tǒng)接口?？稍诮o定的實施例中支持各種其他混合或企業(yè)模式，包括涉及其他類型串行連接存儲裝置的企業(yè)模式，比如單口串行高級技術(shù)附件(SATA)HDD。
[0010]應(yīng)當(dāng)強調(diào)的是上面對SCSI和SATA存儲裝置的引用可僅為說明性例子，并且多個其他類型的存儲裝置可被用在一給定的混合或企業(yè)模式中，包含例如外圍設(shè)備連接標準(PCIe)存儲裝置。
[0011]本發(fā)明的一個或者多個實施例在混合存儲裝置中提供了顯著的改進。例如，該公開的配置允許相同的SOC被用于混合存儲裝置以及非混合存儲應(yīng)用中，比如企業(yè)SAS配置。因此，該SOC可在多個模式下操作，包含混合操作模式和企業(yè)操作模式。各種SOC增加的同時也降低了與混合存儲裝置的實現(xiàn)相關(guān)的成本和復(fù)雜度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明說明性實施例中混合存儲裝置的框圖。
[0013]圖2圖示了圖1的混合存儲裝置的一種可能的實現(xiàn)。
[0014]圖3顯示了含有多個圖1中所示類型存儲裝置的虛擬存儲系統(tǒng)。
【具體實施方式】
[0015]本發(fā)明的實施例將結(jié)合示例性混合存儲裝置和相關(guān)聯(lián)的控制器、SOC和其他組件在這里被舉例說明?？梢岳斫獾氖?，然而，本發(fā)明的這些和其他實施例可更加通常地用于任意存儲裝置或相關(guān)控制器或S0C，在其中可以期望改進的配置靈活性。使用組件而不是那些結(jié)合該說明性實施例的特定圖示和描述可實現(xiàn)其他實施例。
[0016]圖1根據(jù)本發(fā)明的說明性實施例圖示了混合存儲裝置100。該存儲裝置100包含SOC集成電路102，該SOC集成電路102通過說明性地包含閃存控制器集成電路的橋接裝置105與非易失性電子存儲器104 (比如NAND閃存)通信。該S0C102也與處理器106通信。該處理器106被設(shè)定為主機裝置107的一部分或者與主機裝置107相關(guān)聯(lián)，主機裝置107比如是計算機或服務(wù)器，其在一些實施例中可被視為位于該存儲裝置的外部。
[0017]該S0C102耦接至易失性存儲器108，其在本實施例中被設(shè)定為包含電子存儲器比如隨機訪問存儲器(RAM)，但也可含有只讀存儲器(R0M)，或其他類型易失性存儲器或任意組合。作為一個更具體的例子，在當(dāng)前實施例中該存儲器108可含有雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)RAM(SDRAM)，盡管各種其他類型的存儲器可被用在其他實施例中。
[0018]存儲器108可被視為這里更通常稱為“計算機可讀存儲媒介”的例子。這樣的存儲器可被用于，例如，存儲在存儲裝置100中被執(zhí)行時控制該存儲裝置的某些功能的可執(zhí)行代碼。
[0019]混合存儲裝置100還包含至少一個存儲盤110。在這個實施例中該存儲裝置100可更具體地包含HDD，該HDD包含存儲盤110。存儲盤110具有被一種或多種磁性材料覆蓋的存儲表面，其能采取以共同的磁化方向(例如:上或下)取向的各自多組媒體顆粒的形式來存儲數(shù)據(jù)位。該存儲盤110可被連接至由轉(zhuǎn)軸電機驅(qū)動的轉(zhuǎn)軸一盡管這些元件中沒有在附圖中被明確地示出。該存儲盤110的存儲表面可包含多個同心軌道，每個執(zhí)道被細分為多個扇區(qū)，每個扇區(qū)能存儲用于后續(xù)取回的數(shù)據(jù)塊。該存儲盤110也可被設(shè)定為包含在它存儲表面上形成的定時模式。該定時模式可包含一個或者多個伺服地址標記(SAM)集或在特定扇區(qū)以傳統(tǒng)方式形成的其他類型的伺服標記。[0020]該S0C102包含多個高速串行接口 112-1和112_2，其中的每個可包含串行高級技術(shù)附件(SATA)接口。第一高速串行接口 112-1被配置為將S0C102連接至主機裝置107的處理器106，并且第二高速串行接口 112-2被配置為通過橋接裝置105將該S0C102接口至非易失性存儲器104。這里使用的詞“高速”意在指代數(shù)據(jù)速率超過大約I吉位/秒(IGb /秒)。例如，在一個可能的實現(xiàn)中，這兩個串行SATA接口可每個以大約6Gb/秒的數(shù)據(jù)速率進行操作。
[0021]在當(dāng)前實施例中S0C102被配置為作為盤控制器進行操作并且因此通過前置放大器114被耦接至讀/寫頭115。說明性地由S0C102實現(xiàn)的盤控制器被配置為通過該前置放大器114和讀寫頭115來控制對存儲盤110寫入數(shù)據(jù)和讀出數(shù)據(jù)。該S0C102可因此被視為這里更通常地稱作“盤控制器”的一個例子。在其他實施例中，這個盤控制器可被配置為使用多個集成電路和可能的其他組件而不是當(dāng)前實施例中使用的單個SOC集成電路。
[0022]前置放大器114可包含，例如，用于為讀/寫頭115提供寫信號的驅(qū)動器電路。這個驅(qū)動器電路可包括多邊驅(qū)動器電路，可能包括，例如，X邊和Y邊，每個包含高邊和低邊驅(qū)動器，其中該X邊和Y邊在相反的寫周期上被驅(qū)動。在其他實施例中驅(qū)動器電路的多個可替換配置是可能的。
[0023]該讀/寫頭115可被安裝在定位臂上，其可與電磁致動器一起控制讀/寫頭在存儲盤110磁表面上的位置一盡管這個臂和致動器元件在附圖中未示出。
[0024]與非易失性存儲器104和主機107通信的單獨的高速串行接口的使用允許該S0C102被配置以成本高效的方式來支持多個操作模式。例如，在圖1所示的配置中，S0C102可被視為被配置在混合操作模式下，在其中第一高速串行接口 112-1將S0C102接口至主機裝置107并且第二高速串行接口 112-2通過橋接裝置105將S0C102接口至非易失性存儲器 104。
[0025]該SOC也可被配置在其他操作模式下，比如企業(yè)操作模式，在其中第一和第二高速串行接口都被用于與各自的串行連接SCSI(SAS)存儲裝置通信，其中SCSI表示小計算機系統(tǒng)接口。這種操作模式為典型的企業(yè)環(huán)境，其中該SOC比連接至主機裝置和閃存更可能地被接口至多個SAS存儲裝置。其他類型的操作模式及其組合可被用在其他實施例中。
[0026]應(yīng)該注意的是，上面提及的不同操作模式可涉及單個存儲裝置的操作模式，或者在存儲裝置中的一個操作模式下以及在其他存儲裝置中的其他操作模式下可替換地涉及S0C102的操作。因此，例如，包含S0C102的給定存儲裝置的一些實現(xiàn)可被配置為僅在混合模式下操作，而其他這些存儲裝置被配置為在其他模式下操作，比如前述的企業(yè)模式。
[0027]如圖1所示的S0C102的特定混合配置通過避免將單獨的并行接口合并至該SOC中的需求，允許該SOC以極高成本高效的方式被生產(chǎn)，該單獨的并行接口可能需要在混合操作模式下和橋接裝置105進行通信。盡管這樣的并行接口在將SOC接口至橋接裝置是有用的，但并行接口可能不可用于其他模式(比如上面提及的企業(yè)模式)，在那些模式中該SOC被要求通過各自的高速串行接口與各自的SAS存儲裝置通信。包含這樣的并行接口僅用于混合操作模式，因此表示了 S0C102成本和復(fù)雜性的不期望的增加。與上述類型并行接口的使用相關(guān)聯(lián)的缺點在于它僅可支持有限類型的閃存，比如單層單元(SLC)閃存，并且因此不提供對多層單元(MLC)閃存的支持。
[0028]圖1的實施例允許相同的S0C102被用在混合操作模式下，以便也可用于企業(yè)操作模式下，而不用重設(shè)計該SOC本身，因此沒有任何額外的制造成本、芯片復(fù)雜度或功率的需求。此外，與SATA串行接口的6引腳相比，該并行接口通常具有高引腳數(shù)，比如18引腳。前面例子中的12引腳，避免對并行接口的需要能因此顯著地降低S0C102的引腳數(shù)。而且，這個串行接口的配置可支持SLC和MLC閃存。
[0029]可以理解的是，盡管圖1顯示了本發(fā)明的實施例具有S0C102、非易失性存儲器104、橋接裝置105、主機107、易失性存儲器108、存儲盤110、前置放大器114和讀/寫頭115每個的僅一個實例，但這是僅通過說明性實例的方式，并且本發(fā)明的可選實施例可包含一個或者多個這些其他存儲裝置元件的多個實例。例如，一個這樣的可選實施例可包含連附到相同轉(zhuǎn)軸的多個存儲盤以使得所有這樣的盤以相同速度旋轉(zhuǎn)，以及多個讀/寫頭和耦接至一個或者多個致動器的關(guān)聯(lián)定位臂。
[0030]作為這里廣泛使用的術(shù)語，給定的讀/寫頭可以被實施為分離的讀和寫頭的組合形式。更具體地，這里使用的術(shù)語“讀/寫”意在被廣泛地詮釋為讀和/或?qū)?，以使得讀/寫頭可僅包含讀頭、僅包含寫頭、用于讀和寫的單個頭、或者分離的讀和寫頭的組合。給定的讀/寫頭，比如讀/寫頭115可因此包含讀頭和寫頭。這種頭可包含，例如，環(huán)繞式或側(cè)屏蔽主極的寫頭，或者適用于在存儲盤上記錄和/或讀取數(shù)據(jù)的其他任意類型的頭。在執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鲿r，讀/寫頭115可被分別簡稱為的讀頭或?qū)戭^。
[0031]此外，圖1中所示的存儲裝置100除了或代替那些具體顯示的組件可包含其他組件，包括該存儲裝置常規(guī)實現(xiàn)中可找到的通常類型的一個或者多個組件。
[0032]例如，該存儲裝置可包含一個或者多個被實現(xiàn)為高級可擴展接口(AXI)結(jié)構(gòu)的接口，更加詳細地描述在例如高級微控制器總線結(jié)構(gòu)(AMBA)AXI v2.0規(guī)范中，其通過引用被包含在這里。這樣的總線可被用于支持各種系統(tǒng)組件之間的通信。
[0033]這些或其他常規(guī)的元件，可被本領(lǐng)域技術(shù)人員很好地理解，這里將不再詳細地描述。因此應(yīng)該可以理解的是圖1所示元件的特定配置通過說明性的示例來呈現(xiàn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到各種其他存儲裝置的配置可被用于實現(xiàn)本發(fā)明的實施例。
[0034]可被修改用于本發(fā)明實施例中的SOC集成電路的例子被公開在美國專利號7，872，825、標題為 “Data Storage Drive with Reduced Power Consumption” 中，其共同在這里被指定并通過弓丨用引入本文。
[0035]可被用于實現(xiàn)處理器、存儲器或給定實施例的其他存儲裝置組件的其他類型集成電路包含，例如，微處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、特定用途集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其他集成電路裝置。
[0036]在包含集成電路實現(xiàn)的實施例中，多個集成電路管芯可在晶片表面以重復(fù)的圖案來形成。每個這樣的管芯可包括這里描述的盤控制器或相關(guān)S0C，并且可包含其他結(jié)構(gòu)或電路。該管芯從晶圓中被切割或切分，然后被封裝為集成電路。本領(lǐng)域技術(shù)人員可知曉如何切分晶圓和封裝管芯以生成封裝的集成電路。集成電路如此制造被認為是本發(fā)明的實施例。
[0037]圖2顯示了圖1的混合存儲裝置的一部分的一種可能實現(xiàn)。在這個實施例中，混合存儲裝置200包含通過閃存控制器205耦接至MLC NAND閃存204的硬盤控制器(HDC) 202。HDC202還耦接至主機裝置207和DDR存儲器208。在圖中未示出的是存儲裝置200的其他盤相關(guān)組件，比如前置放大器、讀/寫頭以及存儲盤。HDC202包含第一 SATA串行接口 212-1，通過該第一 SATA串行接口 HDC與主機裝置207進行通信。在這個實施例中，SATA串行接口 212-1更具體地被實現(xiàn)為SATA III串行接口。HDC202進一步包含第二 SATA串行接口212-2，通過該第二 SATA串行接口 HDC與閃存控制器205進行通信，使用閃存控制器205的SATA接口 220。在圖1中的實施例中，SOC集成電路可被用于實現(xiàn)HDC202。SATA串行接口每一個可在例如6Gb /秒的數(shù)據(jù)速率下進行操作，盡管也可使用各種其他數(shù)據(jù)速率。
[0038]盡管在圖中如圖示的使用MLC NAND閃存204，但是其他類型的閃存或更加常見的非易失性存儲器可被用于替換MLC NAND閃存。例如，如這里前面所示，SLC非易失性存儲器可被使用。
[0039]可以理解的是圖1和2中所示的特定存儲裝置配置僅以說明性示例的方式來呈現(xiàn)，并且本發(fā)明的其他實施例可使用其他類型和配置的元件以用于配置SOC或其他盤控制器以支持包含至少一個混合操作模式的多個操作模式，如這里所公開的。
[0040]例如，在本發(fā)明的實施例中，給定的SOC可支持其他類型的企業(yè)操作模式，比如在其中一個或者多個單口 SATA HDD被連接至SOC的企業(yè)操作模式。多個其他類型的模式能額外的或可替換的被支持，包括涉及與一個或者多個USB裝置互連的模式。
[0041]此外，比如SCSI和SATA裝置僅通過說明性示例的方式說明了這里參考的特定類型的存儲裝置。其他實施例能使用其他類型的存儲裝置，包含例如任意組合的外圍設(shè)備連接標準(PCIe)驅(qū)動。
[0042]此外，在本發(fā)明實施例中實現(xiàn)的HDD能使用任意各種類型的不同記錄技術(shù)，包括，例如，疊瓦式磁記錄(SMR)、位圖案媒介(BPM)、熱輔助磁記錄(HAMR)和微波輔助磁記錄(MAMR)。
[0043]存儲裝置100的多個實例可被包含在圖3所示的虛擬存儲系統(tǒng)300中。虛擬存儲裝置300也被稱作存儲虛擬化系統(tǒng)，說明性地包含耦接至RAID系統(tǒng)304的虛擬存儲控制器302，其中RAID表示獨立盤冗余陣列。該RAID系統(tǒng)更具體地包含表示為100-1、100-2、……、100-N的N個不同存儲裝置，它們中的一個或者多個被設(shè)定為配置為結(jié)合圖1或圖2前面所述類型的混合存儲裝置。包含這里公開類型的混合存儲裝置的這些和其他虛擬存儲系統(tǒng)被認為是本發(fā)明的實施例。給定主機裝置比如圖1的主機裝置107或圖2的主機裝置207也可為虛擬存儲系統(tǒng)的部件，并且可包含虛擬存儲控制器302。
[0044]再一次，應(yīng)該強調(diào)的是本發(fā)明的上述實施例的意圖僅僅是說明性的。例如，其他實施例能使用不同類型和配置的盤控制器、易失性和非易失性存儲器、橋接裝置、主機裝置和其他存儲裝置元件用于實現(xiàn)所描述的功能。此外，在其中給定盤控制器被配置為通過各自的高速串行接口與主機和橋接裝置進行通信的特定方式可在其他實施例中變化。在下面權(quán)利要求范圍內(nèi)的這些和多個其他可替換的實施例對本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲裝置，包含: 至少一個存儲盤； 盤控制器，其被配置為控制對所述存儲盤的數(shù)據(jù)寫入和數(shù)據(jù)讀出； 非易失性電子存儲器；以及 橋接裝置，耦接在所述盤控制器和所述非易失性電子存儲器之間； 其中所述盤控制器包含多個高速串行接口；以及 其中給定的其中一個高速串行接口被配置為通過所述橋接裝置將所述盤控制器接口至所述非易失性存儲器。
2.如權(quán)利要求1中所述的存儲裝置，其中: 所述高速串行接口中的第一個被配置為將所述盤控制器接口至主機裝置；以及 所述高速串行接口中的第二個被配置為通過所述橋接裝置將所述盤控制器接口至所述非易失性存儲器。
3.如權(quán)利要求1中所述的存儲裝置，其中所述非易失性存儲器包含閃存。
4.如權(quán)利要求1中所述的存儲裝置，其中所述非易失性存儲器包含單層單元非易失性存儲器和多層單元非易失性存儲器中的至少一個。
5.如權(quán)利要求3中所述的存儲裝置，其中所述橋接裝置包含閃存控制器。
6.如權(quán)利要求1中所述的存儲裝置，其中所述高速接口中的至少一個包含串行高級技術(shù)附件(SATA)接口。
7.如權(quán)利要求2中所述的存儲裝置，其中所述盤控制器包含SOC集成電路。
8.如權(quán)利要求7所述的存儲裝置，其中所述SOC集成電路在包含混合操作模式的多個模式下操作。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲裝置，其中在所述SOC集成電路的混合操作模式下，所述第一高速串行接口將所述盤控制器接口至所述主機裝置并且所述第二高速串行接口通過所述橋接裝置將所述盤控制器接口至所述非易失性存儲器。
10.如權(quán)利要求8所述的存儲裝置，其中所述SOC集成電路在企業(yè)操作模式下操作，在企業(yè)操作模式下所述第一和第二高速串行接口被用于與各自的串行連接的存儲裝置通信。
11.一種虛擬存儲系統(tǒng)，包含如權(quán)利要求1所述的存儲裝置。
12.如權(quán)利要求11所述的虛擬存儲系統(tǒng)，其中所述虛擬存儲系統(tǒng)包含獨立盤的冗余陣列。
13.一種方法，包含如下步驟: 使用盤控制器對存儲盤寫入數(shù)據(jù)和從存儲盤讀出數(shù)據(jù)；以及 使用所述盤控制器的高速串行接口通過橋接裝置將所述盤控制器接口至非易失性電子存儲器。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括使用所述盤控制器的另一高速串行接口將所述盤控制器接口至主機裝置的步驟。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括在包含混合操作模式的多個操作下操作含有所述盤控制器的SOC集成電路的步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述SOC集成電路的混合操作模式下，第一高速串行接口將所述盤控制器接口至主機裝置，并且第二高速串行接口通過所述橋接裝置將所述盤控制器接口至所述非易失性存儲器。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，進一步包括在企業(yè)操作模式下操作所述SOC集成電路的步驟，其中第一和第二高速串行接口被用于與各自的串行連接的存儲裝置通信。
18.一種非暫時性計算機可讀存儲媒介，具有在其中實現(xiàn)的可執(zhí)行代碼，在執(zhí)行所述可執(zhí)行代碼時使得存儲裝置執(zhí)行如權(quán)利要求13所述方法的步驟。
19.一種裝置,包括: 集成電路，包括被配置以控制對存儲盤寫入數(shù)據(jù)和從存儲盤讀出數(shù)據(jù)的盤控制器； 其中所述集成電路包含多個高速串行接口 ；以及 其中所述高速串行接口中給定的一個被配置為通過橋接裝置將所述盤控制器接口至非易失性存儲器。
20.如權(quán)利要求19所述的裝置，其中所述高速串行接口的另一個被配置為將所述盤控制器接口至主 機裝置。
【文檔編號】G06F13/00GK103814364SQ201380003056
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】D·S·費舍爾, J·奧伊, J·J·霍爾姆, P·G·布雷斯, D·多蘭 申請人:Lsi公司