導(dǎo)電膜的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電膜，其包括：透明基底，包括第一表面以及與所述第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面；導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一表面，所述導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀；引線電極，設(shè)于所述第一表面，所述引線電極包括引線觸頭及引線線路，所述引線觸頭設(shè)于所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部且與所述導(dǎo)電層電連接。上述導(dǎo)電膜具有較高的生產(chǎn)良率。
【專利說(shuō)明】導(dǎo)電膜
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種觸控導(dǎo)電膜。
【【背景技術(shù)】】
[0002]導(dǎo)電膜是觸摸屏中接收觸摸等輸入信號(hào)的感應(yīng)元件。目前，ITO (氧化銦錫)層是導(dǎo)電膜中至關(guān)重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術(shù)一日千里的飛速發(fā)展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎(chǔ)制造流程近年來(lái)并未發(fā)生太大的改變，總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化。
[0003]銦是一種昂貴的金屬材料，因此以ITO作為導(dǎo)電層的材料，很大程度上提升了觸摸屏的成本。再者，ITO導(dǎo)電層在圖形化工藝中，需將鍍好的整面ITO膜進(jìn)行蝕刻，以形成ITO圖案，在此工藝中，大量的ITO被蝕刻掉，造成大量的貴金屬浪費(fèi)及污染。
[0004]導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電層通過(guò)引線電極與電路板電連接。引線電極通常包括弓丨線觸頭及引線電路，導(dǎo)電層邊緣與引線觸頭電連接。這樣，在制備的過(guò)程中，對(duì)與引線電極的引線觸頭與導(dǎo)電層邊緣對(duì)準(zhǔn)的精度要求較高，且容易產(chǎn)生脫節(jié)，導(dǎo)致生產(chǎn)良率較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于上述狀況，有必要提供一種具有較高生產(chǎn)良率的導(dǎo)電膜。[0006]—種導(dǎo)電膜,其包括:
[0007]透明基底，包括第一表面以及與所述第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面；
[0008]導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一表面，所述導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀；
[0009]引線電極，設(shè)于所述第一表面，所述引線電極包括引線觸頭及引線線路，所述引線觸頭設(shè)于所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部且與所述導(dǎo)電層電連接。
[0010]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜，上述導(dǎo)電膜的引線觸頭設(shè)置于導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部，在制備的過(guò)程中，對(duì)于對(duì)準(zhǔn)的精度要求低，不易因?yàn)橐€觸頭與導(dǎo)電層的邊緣沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)而產(chǎn)生不良品，從而具有較聞的生廣良率。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層凸設(shè)于所述第一表面。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述引線電極凸設(shè)于所述第一表面。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一表面形成有網(wǎng)格凹槽，所述導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一表面形成于引線凹槽，所述引線電極收容于所述引線凹槽內(nèi)。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為dl，深度為h，其中，I μ m ^ dl <5lim，2lim<h<6lim，h/dl>l。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述微型槽的深度為500nm~Ιμπι。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底的第一表面，所述導(dǎo)電層及所述引線電極設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括覆蓋所述導(dǎo)電層及所述引線電極表面的透明保護(hù)層。
【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0021]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施方式的導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1中的導(dǎo)電膜的俯視圖；
[0023]圖3 (a)至圖3 (d)為圖2所示的導(dǎo)電膜的網(wǎng)格凹槽的底部的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4 Ca)至圖4 Cd)為圖2所示的導(dǎo)電膜的網(wǎng)格的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為另一實(shí)施方式的導(dǎo)電膜的分解圖；
[0026]圖6為另一實(shí)施方式的導(dǎo)電膜的剖面圖；
[0027]圖7為圖1中的導(dǎo)電膜 在另一實(shí)施例中的剖面圖；
[0028]圖8為圖1中的導(dǎo)電膜在另一實(shí)施例中的剖面圖；
[0029]圖9 (a)至圖9 (e)為本實(shí)用新型實(shí)施方式中在透明基底上形成引線電極步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0030]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳的實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0031]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0032]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0033]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式的導(dǎo)電膜200包括透明基底210、基質(zhì)層220及第一導(dǎo)電層230。
[0034]透明基底210包括第一表面及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面。透明基底210的形狀可以根據(jù)導(dǎo)電膜200的形狀來(lái)設(shè)定，例如，透明基底210為矩形。透明基底的材料為熱塑性材料、PET或者玻璃。具體的，熱塑性材料為PC或PMMA，當(dāng)然也可以為其他熱塑性材料。
[0035]基質(zhì)層220設(shè)于透明基底210的第一表面?；|(zhì)層220開(kāi)設(shè)有網(wǎng)格凹槽221?；|(zhì)層220的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0036]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充有導(dǎo)電材料以形成相互交叉的導(dǎo)電絲線，相互交叉的導(dǎo)電絲線形成導(dǎo)電層230。導(dǎo)電材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ΙΤ0。優(yōu)選的，導(dǎo)電層230及網(wǎng)格凹槽221通過(guò)壓印的方式形成。
[0037]進(jìn)一步地，網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。請(qǐng)參閱圖3 (a)至圖3 (d)，圖3 (a)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形的微型槽，圖3 (b)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“W”字形的微型槽，圖3 (c)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為弧形的微型槽，圖3 (d)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為波浪形的微型槽。優(yōu)選地，微型槽的深度為500nm~1 μ m。
[0038]優(yōu)選地，網(wǎng)格凹槽221的寬度為dl，深度為h，其中，1μm≤dl≤5 μm，2ym<h<6ym，h/dl>l。
[0039]網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時(shí)候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料不會(huì)出現(xiàn)斷開(kāi)的現(xiàn)象。
[0040]進(jìn)一步的，請(qǐng)參閱圖4 (a)至圖4 (d)，導(dǎo)電層230的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。如圖4 (a)中所示的網(wǎng)格為隨機(jī)網(wǎng)格，圖4 (b)至圖4 (d)中所示的網(wǎng)格分別為正六邊形網(wǎng)格、菱形網(wǎng)格及正方形網(wǎng)格。
[0041]在圖1所示的實(shí)施方式中，僅僅顯示了導(dǎo)電膜的導(dǎo)電層230，導(dǎo)電層230由多個(gè)陣列排布的導(dǎo)電條帶組成。當(dāng)然，在具體的應(yīng)用中，導(dǎo)電膜還包括另一個(gè)導(dǎo)電層250。請(qǐng)參閱圖5，圖示的實(shí)施方式中，導(dǎo)電層230的導(dǎo)電條帶沿第一維的方向延伸，導(dǎo)電層250的導(dǎo)電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向相互垂直。當(dāng)然，第一維方向與第二維方向也可以斜交。
[0042]進(jìn)一步的，請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖6，導(dǎo)電膜200還包括引線電極260。引線電極260與導(dǎo)電層230電連接。引線電極260包括引線觸頭262及引線線路264。引線觸頭262大體為條狀。引線觸頭262設(shè)于導(dǎo)電層230的網(wǎng)格內(nèi)部。在圖示的實(shí)施方式中，導(dǎo)電層230由多個(gè)陣列排布的導(dǎo)電條帶組成，每一個(gè)引線觸頭262沿導(dǎo)電條帶的寬度方向延伸，從而引線觸頭262與導(dǎo)電條帶的多條導(dǎo)電絲線相交并電連接。引線線路264的一端與引線觸頭262電連接并延伸至導(dǎo)電層230外。
[0043]需要說(shuō)明的是，在圖6示的實(shí)施例中，引線電極260收容于開(kāi)設(shè)于基質(zhì)層220的引線凹槽223中。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，引線電極260也可以直接凸設(shè)于基質(zhì)層220遠(yuǎn)離基底210的表面，如在圖7所示的實(shí)施例中，引線電極260凸設(shè)于基質(zhì)層220遠(yuǎn)離基底210的表面。引線電極260可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、壓印或噴墨打印等方式形成。
[0044]在本實(shí)施例中，引線電極260包括相互交叉的導(dǎo)電引線。引線電極260的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電層230的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)相同，為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格，具體可以為圖4 (a)至圖4 Cd)所示的結(jié)構(gòu)。引線凹槽223的結(jié)構(gòu)及參數(shù)與網(wǎng)格凹槽221的結(jié)構(gòu)及參數(shù)均相同。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，引線電極260還可以為凸起線條狀時(shí)，引線電極260的線寬為50 μ m~200 μ m,高度為 5 μ m ~10 μ m。
[0045]優(yōu)選的，引線電極260的材料為銀、銅等導(dǎo)電金屬。
[0046]進(jìn)一步的，導(dǎo)電膜200還包括覆蓋于導(dǎo)電層230表面的透明保護(hù)層(圖未示)。透明保護(hù)層覆蓋導(dǎo)電層230及基質(zhì)層220遠(yuǎn)離透明基底210的表面。由于導(dǎo)電層230設(shè)于基質(zhì)層220的表面，因此，在導(dǎo)電層230的表面形成透明保護(hù)層2以對(duì)導(dǎo)電層230及引線電極260形成保護(hù)，避免劃傷。優(yōu)選的，透明保護(hù)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0047]當(dāng)然，基質(zhì)層220可以省略，此時(shí)網(wǎng)格凹槽221開(kāi)設(shè)于透明基底210的第一表面，引線凹槽223開(kāi)設(shè)于透明基底210的第一表面，導(dǎo)電層230及引線電極26直接設(shè)于透明基底的第一表面即可。
[0048]需要說(shuō)明的是，網(wǎng)格凹槽221可以省略，此時(shí)導(dǎo)電層230直接凸設(shè)于透明基底210的第一表面即可。請(qǐng)參閱圖8，在圖示的實(shí)施例中，導(dǎo)電層230直接凸設(shè)于透明基底210的
第一表面。
[0049]請(qǐng)參閱圖9 (a)至圖9 (e)，具體在圖示的實(shí)施例中，在透明基底210表面形成引線電極260的步驟包括:
[0050]如圖9(a)所示，在透明基底210的表面形成用于引線電極260的導(dǎo)電材料層300 ；
[0051]如圖9 (b)所不,在導(dǎo)電材料層300表面設(shè)置可形成對(duì)應(yīng)的引線電極260的遮光板 400 ；
[0052]如圖9 (C)所示，對(duì)導(dǎo)電材料層300進(jìn)行光照曝光；
[0053]如圖9 (d)所示，對(duì)導(dǎo)電材料層300進(jìn)行刻蝕形成如圖9 (e)所示的引線電極260。
[0054]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜，上述導(dǎo)電膜200至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0055](I)上述導(dǎo)電膜200的引線觸頭262設(shè)置于導(dǎo)電層230的網(wǎng)格內(nèi)部，在制備的過(guò)程中，對(duì)于對(duì)準(zhǔn)的精度要求低，不易因?yàn)橐€觸頭262與導(dǎo)電層230的邊緣沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)而產(chǎn)生不良品，從而具有較聞的生廣良率。
[0056](2)上述導(dǎo)電膜200的導(dǎo)電層230為網(wǎng)格狀，以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)ITO工藝結(jié)構(gòu)，從而降低成本，簡(jiǎn)化制造工藝。
[0057](3)通過(guò)在基質(zhì)層220上形成網(wǎng)格凹槽221，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充導(dǎo)電絲線形成導(dǎo)電層230，從而能降低導(dǎo)電膜200的厚度；同時(shí)采用這種埋入式設(shè)計(jì)，對(duì)導(dǎo)電膜200的性能得到很好的保護(hù)。
[0058](4)通過(guò)在導(dǎo)電層230的表面形成透明保護(hù)層280，可以保護(hù)導(dǎo)電層230避免被劃傷，同時(shí)可以防止導(dǎo)電材料氧化。
[0059](5)網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時(shí)候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料不會(huì)出現(xiàn)斷開(kāi)的現(xiàn)象。
[0060]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電膜，其特征在于，包括: 透明基底，包括第一表面以及與所述第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面； 導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一表面，所述導(dǎo)電層呈網(wǎng)格狀； 引線電極，設(shè)于所述第一表面，所述引線電極包括引線觸頭及引線線路，所述引線觸頭設(shè)于所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格內(nèi)部且與所述導(dǎo)電層電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層凸設(shè)于所述第一表面。
3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述引線電極凸設(shè)于所述第一表面。
4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一表面形成有網(wǎng)格凹槽，所述導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽。
5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一表面形成于引線凹槽，所述引線電極收容于所述引線凹 槽內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。
7.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為dl，深度為h，其中，lym< dl ^ 5ym,2ym^h^ 6ym，h/dl>l。
8.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
9.如權(quán)利要求8所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm~Ιμπι。
10.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底的第一表面，所述導(dǎo)電層及所述引線電極設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)。
11.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述導(dǎo)電層及所述引線電極表面的透明保護(hù)層。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK203503319SQ201320460069
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】何釗, 何世磊, 孫超 申請(qǐng)人:南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司