單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜及單層多點(diǎn)式觸控屏的制作方法
【專利摘要】一種單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其包括：透明基底，包括感應(yīng)區(qū)以及與所述感應(yīng)區(qū)相鄰的邊框區(qū)；第一導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，所述第一導(dǎo)電層包括相互交叉的第一導(dǎo)電絲線，所述感應(yīng)區(qū)開(kāi)設(shè)有網(wǎng)格凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽；絕緣層，位于第一導(dǎo)電絲線上方且嵌設(shè)于所述網(wǎng)格凹槽中；第二導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，與所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層隔開(kāi)，所述第二導(dǎo)電層包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層中至少一個(gè)的材料為透明導(dǎo)電材料。上述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的成本較低。本實(shí)用新型還提供一種使用該單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的單層多點(diǎn)式觸控屏。
【專利說(shuō)明】單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜及單層多點(diǎn)式觸控屏
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種觸控導(dǎo)電膜，特別是涉及一種單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜及使用該單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的單層多點(diǎn)式觸控屏。
【【背景技術(shù)】】
[0002]透明導(dǎo)電膜是觸摸屏中接收觸摸等輸入信號(hào)的感應(yīng)元件。目前，ITO (氧化銦錫)層是透明導(dǎo)電膜中至關(guān)重要的組成部分。雖然觸摸屏的制造技術(shù)一日千里的飛速發(fā)展著，但是以投射式電容屏為例，ITO層的基礎(chǔ)制造流程近年來(lái)并未發(fā)生太大的改變，總是不可避免的需要ITO鍍膜，ITO圖形化。
[0003]銦是一種昂貴的金屬材料，因此以ITO作為導(dǎo)電層的材料，很大程度上提升了觸摸屏的成本。再者，ITO導(dǎo)電層在圖形化工藝中，需將鍍好的整面ITO膜進(jìn)行蝕刻，以形成ITO圖案，在此工藝中，大量的ITO被蝕刻掉，造成大量的貴金屬浪費(fèi)及污染。
[0004]因此，ITO材料及相應(yīng)工藝的使產(chǎn)品成本居高不下，導(dǎo)致傳統(tǒng)的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的成本較高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于上述狀況，有必要提供一種成本較低的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜。
`[0006]—種單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其包括:
[0007]透明基底，包括感應(yīng)區(qū)以及與所述感應(yīng)區(qū)相鄰的邊框區(qū)；
[0008]第一導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，所述第一導(dǎo)電層包括相互交叉的第一導(dǎo)電絲線，所述感應(yīng)區(qū)開(kāi)設(shè)有網(wǎng)格凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽；
[0009]絕緣層，位于第一導(dǎo)電絲線上方且嵌設(shè)于所述網(wǎng)格凹槽中；
[0010]第二導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，與所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層隔開(kāi)，所述第二導(dǎo)電層包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線；
[0011]其中，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層中至少一層為透明導(dǎo)電層。
[0012]相較于傳統(tǒng)的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，上述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜在透明基底開(kāi)設(shè)網(wǎng)格凹槽，網(wǎng)格凹槽內(nèi)填充第一導(dǎo)電絲線形成第一導(dǎo)電層，從而以嵌入式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)ITO工藝結(jié)構(gòu)，因而降低成本；同時(shí)第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層中至少一層為透明導(dǎo)電層，這樣對(duì)于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層對(duì)準(zhǔn)精度要求比較低，可以進(jìn)一步降低成本。
[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底表面，所述感應(yīng)區(qū)及所述邊框區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層均設(shè)置于所述基質(zhì)層的感應(yīng)區(qū)。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括設(shè)于所述邊框區(qū)的第一引線電極及第二引線電極，所述第一引線電極與第一導(dǎo)電層電連接，所述第二引線電極與第二導(dǎo)電層電連接。[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。
[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導(dǎo)電引線，所述第二引線電極包括相互交叉的第二導(dǎo)電引線。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或收容于開(kāi)設(shè)于所述邊框區(qū)的第一凹槽中。
[0019]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或收容于開(kāi)設(shè)于所述邊框區(qū)的第二凹槽中。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為dl，深度為h，其中，I μ m ^ dl ^5ym,2ym^h^6ym, h/dl > I。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述微型槽的深度為500nm~I μ m。
[0024]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電材料為石墨烯、PEDOT、ITO或ΙΖ0。
[0025]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括覆蓋所述第二導(dǎo)電層表面的透明保護(hù)層。
[0026]一種單層多點(diǎn)式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜及顯示模組，所述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜為上述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜。`【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0027]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施方式的單層多點(diǎn)式觸控屏的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為圖1中的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的剖面圖；
[0029]圖3 (a)至圖3 (d)為圖2所示的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的網(wǎng)格凹槽的底部的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4 (a)至圖4 (d)為圖2所示的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的網(wǎng)格的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5為另一實(shí)施方式的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的剖面圖；
[0032]圖6為另一實(shí)施方式的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜的分解圖；
[0033]圖7為圖1中的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜在另一實(shí)施例中的剖面圖；
[0034]圖8為圖1中的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜在另一實(shí)施例中的剖面圖；
[0035]圖9為圖1中的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜在另一實(shí)施例中的剖面圖；
[0036]圖10為圖1中的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜在另一實(shí)施例中的剖面圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0037]為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳的實(shí)施例。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0038]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說(shuō)明的目的。
[0039]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0040]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施方式的單層多點(diǎn)式觸控屏10包括依次層疊的顯示模組100、單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200及覆蓋板300。
[0041]請(qǐng)參閱圖2，單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200包括透明基底210、基質(zhì)層220、第一導(dǎo)電層230、絕緣層240及第二導(dǎo)電層250。
[0042]透明基底210包括第一表面及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面。透明基底210的形狀可以根據(jù)單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200的形狀來(lái)設(shè)定，例如，透明基底210為矩形。透明基底的材料為熱塑性材料或PET。具體的，熱塑性材料為PC或PMMA，當(dāng)然也可以為其他熱塑性材料。
[0043]基質(zhì)層220設(shè)于透明基底210的第一表面。基質(zhì)層220包括感應(yīng)區(qū)及與感應(yīng)區(qū)相鄰的邊框區(qū)。本實(shí)施方式中，感應(yīng)區(qū)位于基質(zhì)層的中部。感應(yīng)區(qū)開(kāi)設(shè)有網(wǎng)格凹槽221?；|(zhì)層220的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0044]網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充有導(dǎo)電材料以形成相互交叉的第一導(dǎo)電絲線，相互交叉的第一導(dǎo)電絲線形成第一導(dǎo)電層230。優(yōu)選的，第一導(dǎo)電層230及網(wǎng)格凹槽221通過(guò)壓印的方式形成。
[0045]進(jìn)一步地，網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。請(qǐng)參閱圖3 (a)至圖3 (d)，圖3 (a)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形的微型槽，圖3 (b)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為“W”字形的微型槽，圖3 (c)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為弧形的微型槽，圖3 (d)所示的網(wǎng)格凹槽221為底部為波浪形的微型槽。優(yōu)選地，微型槽的深度為500nm~I μ m。
[0046]優(yōu)選地，網(wǎng)格凹槽221的寬度為dl，深度為h，其中，Ιμπι≤dl≤5μπι，2 μ m ^ h ^ 6 μ m, h/dl > I。
[0047]網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時(shí)候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料會(huì)出現(xiàn)斷開(kāi)的現(xiàn)象。
[0048]請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2，絕緣層240形成于第一導(dǎo)電層230的表面，且嵌設(shè)于網(wǎng)格凹槽221內(nèi)。絕緣層240用于將第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250隔開(kāi)，使第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250之間相互不導(dǎo)通。本實(shí)施方式中，絕緣層240的材料為絕緣油墨或絕緣膠。
[0049]第二導(dǎo)電層250形成于基質(zhì)層220的感應(yīng)區(qū)。第二導(dǎo)電層250凸設(shè)于基質(zhì)層220遠(yuǎn)離透明基底210的一側(cè)表面，且通過(guò)絕緣層240與第一導(dǎo)電層230隔開(kāi)。第二導(dǎo)電層250包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線。第二導(dǎo)電層250通過(guò)曝光顯影、絲網(wǎng)印刷等方式來(lái)完成。
[0050]第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250中至少一層為透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層的材料為石墨烯、PED0T、IT0或ΙΖ0。需要說(shuō)明的是，第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250中的另一層可以為透明導(dǎo)電層，也可為不透明導(dǎo)電層。不透明導(dǎo)電層的材料為導(dǎo)電金屬，具體在本實(shí)施方式中為銀或銅等。
[0051]進(jìn)一步的，第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250為梳齒狀或網(wǎng)格狀。請(qǐng)參閱圖4(a)至圖4 (d)，第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。如圖4 (a)中所示的網(wǎng)格為隨機(jī)網(wǎng)格，圖4 (b)至圖4 (d)中所示的網(wǎng)格分別為正六邊形網(wǎng)格、菱形網(wǎng)格及正方形網(wǎng)格。
[0052]在圖2所不的實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250均由多個(gè)陣列排布的導(dǎo)電條帶組成。第一導(dǎo)電層230的導(dǎo)電條帶沿第一維的方向延伸，第二導(dǎo)電層250的導(dǎo)電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向斜交。當(dāng)然，在其他的實(shí)施方式中，第一維方向與第二維方向相互垂直。請(qǐng)同時(shí)參閱圖5及圖6,圖不的實(shí)施方式中,第一導(dǎo)電層230的導(dǎo)電條帶沿第一維的方向延伸，第二導(dǎo)電層250的導(dǎo)電條帶沿第二維的方向延伸，第一維方向與第二維方向相互垂直。
[0053]進(jìn)一步的，請(qǐng)參閱圖7，單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200還包括設(shè)于邊框區(qū)的第一引線電極260及第二引線電極270。第一引線電極260與第一導(dǎo)電層230電連接，第二引線電極270與第二導(dǎo)電層250電連接。需要說(shuō)明的是，第一引線電極260及第二引線電極270在圖中均為示例性的標(biāo)示，并不能以此區(qū)別第一引線電極260及第二引線電極270。在圖示的實(shí)施例中，第一引線電極260收容于開(kāi)設(shè)于基質(zhì)層220的邊框區(qū)的第一凹槽223中，第二引線電極270收容于開(kāi)設(shè)于基質(zhì)層220的邊框區(qū)的第二凹槽225中。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，第一引線電極260及第二引線電極270也可以直接凸設(shè)于邊框區(qū)的表面。第一引線電極260及第二引線電極270可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、壓印或噴墨打印等方式形成。
[0054]在本實(shí)施例中，第一引線電極260包括相互交叉的第一導(dǎo)電引線，第二引線電極270包括相互交叉的第二導(dǎo)電引線，第一引線電極260及第二引線電極270均為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。第一引線電極260及第二引線電極270的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)與第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)相同，為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格，具體可以為圖4 (a)至圖4 (d)所示的結(jié)構(gòu)。第一凹槽223及第二凹槽225的結(jié)構(gòu)及參數(shù)與網(wǎng)格凹槽221的結(jié)構(gòu)及參數(shù)均相同。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，第一引線電極260及第二引線電極270還可以為線條狀，第一引線電極260及第二引線電極270的線寬為50μπι?200μπι，高度為5μπι?10 μ m。
[0055]優(yōu)選的，第一引線電極260及第二弓丨線電極270的材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ΙΤ0。
[0056]請(qǐng)參閱圖8，進(jìn)一步的，單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200還包括覆蓋于第二導(dǎo)電層250表面的透明保護(hù)層280。透明保護(hù)層280覆蓋第二導(dǎo)電層250及基質(zhì)層220遠(yuǎn)離透明基底210的表面。由于第二導(dǎo)電層250凸設(shè)于基質(zhì)層220的表面，因此,在第二導(dǎo)電層250的表面形成透明保護(hù)層280以對(duì)第二導(dǎo)電層250形成保護(hù)，避免劃傷。優(yōu)選的，透明保護(hù)層280的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
[0057]請(qǐng)同時(shí)參閱圖9及圖10，在其他的實(shí)施例中，基質(zhì)層220可以省略，透明基底210包括感應(yīng)區(qū)及與感應(yīng)區(qū)相鄰的邊框區(qū)。此時(shí)網(wǎng)格凹槽221開(kāi)設(shè)于透明基底210的感應(yīng)區(qū)，第一凹槽223及第二凹槽225開(kāi)設(shè)于透明基底210的邊框區(qū),第二導(dǎo)電層250設(shè)于透明基底210的感應(yīng)區(qū)。
[0058]相較于傳統(tǒng)的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，上述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0059](I)上述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200在基質(zhì)層220上形成有網(wǎng)格凹槽221，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充第一導(dǎo)電絲線形成第一導(dǎo)電層230，因此，以嵌入式網(wǎng)格結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)ITO工藝結(jié)構(gòu)，從而降低成本，簡(jiǎn)化制造工藝；第二導(dǎo)電層及第一導(dǎo)電層中的至少一個(gè)的材料為透明導(dǎo)電材料，這樣對(duì)于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層對(duì)準(zhǔn)精度要求比較低，可以進(jìn)一步降低成本。
[0060](2)通過(guò)形成第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層,第一導(dǎo)電層230及第二導(dǎo)電層250通過(guò)絕緣層240隔開(kāi)，兩層導(dǎo)電層的感應(yīng)效果更好。
[0061](3)通過(guò)在基質(zhì)層220上形成網(wǎng)格凹槽221，網(wǎng)格凹槽221內(nèi)填充第一導(dǎo)電絲線形成第一導(dǎo)電層230，從而能降低單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200的厚度；同時(shí)采用這種埋入式設(shè)計(jì)，對(duì)單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜200的性能得到很好的保護(hù)。
[0062](4)通過(guò)在第二導(dǎo)電層250的表面形成透明保護(hù)層280，可以保護(hù)第二導(dǎo)電層250避免被劃傷，同時(shí)可以防止導(dǎo)電材料氧化。
[0063](5)網(wǎng)格凹槽221為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽，這樣網(wǎng)格凹槽221的溝槽內(nèi)的導(dǎo)電墨水在烘干的時(shí)候，導(dǎo)電墨水縮聚不容易出現(xiàn)烘干后的導(dǎo)電材料會(huì)出現(xiàn)斷開(kāi)的現(xiàn)象。
[0064]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，包括: 透明基底，包括感應(yīng)區(qū)以及與所述感應(yīng)區(qū)相鄰的邊框區(qū)； 第一導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，所述第一導(dǎo)電層包括相互交叉的第一導(dǎo)電絲線，所述感應(yīng)區(qū)開(kāi)設(shè)有網(wǎng)格凹槽，所述第一導(dǎo)電層收容于所述網(wǎng)格凹槽； 絕緣層，位于第一導(dǎo)電絲線上方且嵌設(shè)于所述網(wǎng)格凹槽中； 第二導(dǎo)電層，呈網(wǎng)格狀，設(shè)置于所述透明基底的感應(yīng)區(qū)，與所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層隔開(kāi)，所述第二導(dǎo)電層包括相互交叉的第二導(dǎo)電絲線； 其中，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層中至少一層為透明導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底表面，所述感應(yīng)區(qū)及所述邊框區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層均設(shè)置于所述基質(zhì)層的感應(yīng)區(qū)。
4.如權(quán)利要求1或3所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括設(shè)于所述邊框區(qū)的第一引線電極及第二引線電極，所述第一引線電極與第一導(dǎo)電層電連接，所述第二引線電極與第二導(dǎo)電層電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極及所述第二引線電極為線條狀。
6.如權(quán)利要求4所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極包括相互交叉的第一導(dǎo)電引線，所述`第二引線電極包括相互交叉的第二導(dǎo)電引線。
7.如權(quán)利要求4所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或收容于開(kāi)設(shè)于所述邊框區(qū)的第一凹槽中。
8.如權(quán)利要求4所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二引線電極位于所述邊框區(qū)的表面，或收容于開(kāi)設(shè)于所述邊框區(qū)的第二凹槽中。
9.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。
10.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為dl，深度為 h,其中，1μπι< dl ^ 5 μ m, 2 μ m ^ h ^ 6μηι, h/dl>l。
11.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
12.如權(quán)利要求11所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm ~I μ m。
13.如權(quán)利要求1所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述第二導(dǎo)電層表面的透明保護(hù)層。
14.一種單層多點(diǎn)式觸控屏，包括覆蓋板、單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜及顯示模組，其特征在于，所述單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜為如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的單層多點(diǎn)式觸控導(dǎo)電膜。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK203386173SQ201320459804
【公開(kāi)日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】楊廣舟, 孫超 申請(qǐng)人:南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司