專利名稱：厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及厚膜集成電路版圖設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及用于厚膜集成電路版圖電 阻設(shè)計(jì)的裝置。
背景技術(shù)：
厚膜電阻的襯底為陶瓷基片，陶瓷基片上設(shè)置的電阻兩端電極為導(dǎo)體，電阻表面 覆蓋一層玻璃釉。根據(jù)厚膜電阻漿料生產(chǎn)廠家提供的厚膜電阻設(shè)計(jì)曲線圖進(jìn)行設(shè)計(jì)。厚膜 電阻設(shè)計(jì)曲線圖是在厚膜電阻寬度為Imm的情況下得出的，其中X軸為厚膜電阻長度，Y軸 為變化系數(shù)N，具體見附圖2。厚膜電阻設(shè)計(jì)計(jì)算公式電阻值R = I^ ·Ν WWh方阻Rd 是厚膜電阻在電阻干厚膜為25 μ m下的電阻率，N為變化系數(shù)，L為厚膜電阻長度，W為厚膜 電阻寬度。根據(jù)電阻設(shè)計(jì)曲線圖當(dāng)電阻寬度W= Imm時(shí)，電阻長度L為Imm時(shí)，N值為1 ； 電阻長度L為2mm時(shí)，N值約為1. 4 ；電阻長度L為3mm時(shí)，N值約為1.6。
常規(guī)厚膜集成電路版圖電阻設(shè)計(jì)技術(shù)存在以下問題厚膜集成電路版圖設(shè)計(jì)人員 在使用電阻設(shè)計(jì)曲線時(shí)，因厚膜電阻存在端頭效應(yīng)可產(chǎn)生多種設(shè)計(jì)曲線，每個(gè)版圖設(shè)計(jì)人 員對這些電阻設(shè)計(jì)曲線中進(jìn)行N取值時(shí)都有所不同，導(dǎo)致其設(shè)計(jì)出來的電阻長寬尺寸也會 不一樣，從而造成厚膜電阻在實(shí)際加工時(shí)電阻阻值產(chǎn)生偏差。要想使設(shè)計(jì)出來的電阻一致 性好，就需要形成統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，本發(fā)明建立了一套電阻設(shè)計(jì)裝置來規(guī)范設(shè)計(jì)。經(jīng)查詢，沒有檢 索到與本發(fā)明相關(guān)的專利和文獻(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是針對現(xiàn)有的厚膜集成電路版圖電阻存在的沒有設(shè)計(jì)規(guī)范的缺 點(diǎn)，提供的一種厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置以規(guī)范厚膜集成電路版圖設(shè)計(jì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案
一種厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置，包括輸入裝置、CPU、存儲器和輸出裝置，其特征在 于
存儲器中設(shè)有
一、厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫，它包括
a、導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫鈀銀導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、金導(dǎo) 體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、鉬銀導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、銀導(dǎo)體漿料端頭效 應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫；
b、厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫在每個(gè)導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫中，分別建立 六個(gè)方阻的厚膜電阻漿料對應(yīng)的導(dǎo)體端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫六個(gè)方阻包括10Ω/ 口、 100 Ω / □、Ik Ω / □、IOk Ω / 口、IOOk Ω / 口、IM Ω / □；
C、電阻寬度子數(shù)據(jù)庫在每個(gè)厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫中分別建立兩個(gè)電阻寬度 的端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫包括Imm電阻寬度、1. 5mm電阻寬度；每個(gè)電阻寬度子數(shù)據(jù)庫根 據(jù)相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相應(yīng)電阻寬度的導(dǎo)體端頭效應(yīng)曲線中L、N對應(yīng)關(guān)系，分別列表建立相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相應(yīng)電阻寬度對應(yīng)的全參數(shù)厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文 件；
二、參數(shù)輸入模塊，包括
a、端頭導(dǎo)體材料選擇模塊，端頭導(dǎo)體材料為鈀銀導(dǎo)體、金導(dǎo)體、鉬銀導(dǎo)體、銀導(dǎo) 體；
b、電阻漿料方阻選擇模塊，電阻漿料的方阻為10Ω/ 口、1000/ DUkQ/ 口、 IOkQ/ DUOOkQ/ 口、1ΜΩ / □；
C、厚膜電阻寬度選擇模塊，厚膜電阻寬度為1mm、1. 5mm ；
d、厚膜電阻目標(biāo)值選擇模塊，即輸入所設(shè)計(jì)電阻目標(biāo)值，按照標(biāo)稱值的90%計(jì) 算；
三、功能運(yùn)算模塊，包括
a.N-L的理論值計(jì)算模塊根據(jù)電阻計(jì)算公式R = R □ ·Ν · (L/ff)，導(dǎo)出公式N-L =R · W/R □；
b、N · L值查找模塊，從數(shù)據(jù)庫中查詢相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相應(yīng)電阻寬度的 對應(yīng)的N· L值；
c、N · L值比較模塊，將N · L理論值與數(shù)據(jù)庫中查詢的N · L實(shí)際值進(jìn)行比較，讀 出誤差在士 范圍內(nèi)的N*L值，分別得出變化系數(shù)N和電阻設(shè)計(jì)長度值L ；
d、電阻設(shè)計(jì)長度值輸出模塊，輸出電阻設(shè)計(jì)長度值L。
本發(fā)明創(chuàng)造的優(yōu)點(diǎn)在于能迅速得出各種厚膜電阻設(shè)計(jì)尺寸，削除電阻端頭效應(yīng)影 響，同時(shí)解決因N取值不同而導(dǎo)致設(shè)計(jì)偏差，使厚膜電路版圖設(shè)計(jì)技術(shù)水平得到提高。本發(fā) 明達(dá)到的效果是保證了厚膜電阻在實(shí)際加工時(shí)阻值一致性，使同樣阻值電阻在不同導(dǎo)體端 頭搭接時(shí)的電阻阻值之間偏差小于5%。


圖1 厚膜電阻結(jié)構(gòu)圖2 厚膜電阻設(shè)計(jì)曲線圖3、圖4 杜邦公司1731型電阻漿料端頭效應(yīng)曲線圖5是本發(fā)明的基本硬件組成；
圖6 厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫結(jié)構(gòu)框圖7 厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置及運(yùn)行程序圖。
具體實(shí)施例方式
一、確定厚膜電阻端頭效應(yīng)曲線
建立厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置必要條件根據(jù)實(shí)驗(yàn)得出厚膜電阻端頭效應(yīng)曲線(各 種導(dǎo)體端頭厚膜電阻設(shè)計(jì)曲線)。如附圖3、圖4為杜邦公司1731型電阻漿料端頭效應(yīng)曲 線圖。
二、建立厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件
厚膜電阻端頭效應(yīng)曲線中已知導(dǎo)體端頭漿料、厚膜電阻漿料、厚膜電阻寬度及橫 坐標(biāo)L與縱坐標(biāo)N之間一一對應(yīng)關(guān)系，我們根據(jù)這些信息來建立厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件。具體厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫結(jié)構(gòu)框圖見附圖5 厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫。
厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件建立方法
a)將數(shù)據(jù)庫根據(jù)四種導(dǎo)體端頭漿料分成四個(gè)子數(shù)據(jù)庫包括鈀銀導(dǎo)體數(shù)據(jù)庫、金 導(dǎo)體數(shù)據(jù)庫、鉬銀導(dǎo)體數(shù)據(jù)庫、銀導(dǎo)體數(shù)據(jù)庫；
b)再在導(dǎo)體端頭子數(shù)據(jù)庫中分別建立六個(gè)厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫包括 10 Ω / 口、100 Ω / □、Ik Ω / □、IOk Ω / 口、IOOk Ω / 口、IM Ω / 口 ；
c)再在厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫分別建立兩個(gè)電阻寬度子數(shù)據(jù)庫包括Imm電阻寬 度、1. 5mm電阻寬度；
d)然后根據(jù)所用導(dǎo)體端頭、厚膜電阻漿料及電阻寬度所對應(yīng)的設(shè)計(jì)曲線，從該設(shè) 計(jì)曲線中得出橫坐標(biāo)L與縱坐標(biāo)N之間一一對應(yīng)值，將得出的L與N對應(yīng)值輸入表格中并 計(jì)算出N*L值。這樣即可將厚膜電阻設(shè)計(jì)曲線圖中的設(shè)計(jì)曲線轉(zhuǎn)化成數(shù)據(jù)庫文件，從而完 成一種數(shù)據(jù)庫文件建立；
e)按照上述方法，分別將四種導(dǎo)體端頭漿料、六種厚膜電阻漿料、二種電阻寬度等 設(shè)計(jì)曲線建立厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件，共建立48個(gè)全參數(shù)子數(shù)據(jù)庫文件。
二、厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置構(gòu)成，
(1)，如圖5所示，包括以下硬件
a)存儲器用于儲存厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件；
b)輸入設(shè)備用于輸入“端頭導(dǎo)體材料”、“標(biāo)稱值R”、“方阻R□”、“電阻寬度”等信 息；
c)CPU:用于將輸入信息與存儲器中數(shù)據(jù)庫文件進(jìn)行運(yùn)算并將運(yùn)算結(jié)果存入存儲 器；
d)輸出設(shè)備用于將存入存儲器中的運(yùn)算結(jié)果顯示出來。
O)，如圖6所示，存儲器中設(shè)有以下模塊
A、參數(shù)輸入模塊，包括
a、端頭導(dǎo)體材料選擇模塊，端頭導(dǎo)體材料為鈀銀導(dǎo)體、金導(dǎo)體、鉬銀導(dǎo)體、銀導(dǎo) 體；
b、電阻漿料方阻選擇模塊，電阻漿料的方阻為10Ω/ 口、1000/ DUkQ/ 口、 IOkQ/ DUOOkQ/ 口、1ΜΩ / □；
C、厚膜電阻寬度選擇模塊，厚膜電阻寬度為1mm、1. 5mm ；
d、厚膜電阻目標(biāo)值選擇模塊，即輸入所設(shè)計(jì)電阻目標(biāo)值，按照標(biāo)稱值的90%計(jì) 算；
B、功能運(yùn)算模塊，包括
a.N-L的理論值計(jì)算模塊根據(jù)電阻計(jì)算公式R = R □ ·Ν · (L/ff)，導(dǎo)出公式N-L =R · W/R □；
b、N · L值查找模塊，從數(shù)據(jù)庫中查詢相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相應(yīng)電阻寬度的 對應(yīng)的N· L值；
c、N · L值比較模塊，將N · L理論值與數(shù)據(jù)庫中查詢的N · L實(shí)際值進(jìn)行比較，讀 出誤差在士 范圍內(nèi)的N*L值，分別得出變化系數(shù)N和電阻設(shè)計(jì)長度值L ；
d、電阻設(shè)計(jì)長度值輸出模塊，輸出電阻設(shè)計(jì)長度值L。
三、厚膜電阻參數(shù)建立
我們根據(jù)電路原理圖，確定下來所用導(dǎo)體漿料、電阻標(biāo)稱值，再在版圖設(shè)計(jì)時(shí)確定 下來所用厚膜電阻方阻率、電阻設(shè)計(jì)容差及電阻寬度。這樣厚膜電阻參數(shù)已確定，然后我們 將這些厚膜電阻參數(shù)錄入厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置輸入模塊中，以完成厚膜電阻參數(shù)建立。
四、厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)尺寸運(yùn)算
第一步(選擇數(shù)據(jù)庫文件)我們根據(jù)厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置輸入模塊中錄入的 厚膜電阻參數(shù)導(dǎo)體漿料、厚膜電阻方阻率及電阻寬度，以導(dǎo)體漿料參數(shù)確定采用何種導(dǎo)體 端頭子數(shù)據(jù)庫；以厚膜電阻方阻率參數(shù)確定采用何種厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫；以電阻寬度 參數(shù)確定采用何種電阻寬度子數(shù)據(jù)庫；這樣就最終確定下來從48個(gè)子數(shù)據(jù)庫中選擇相對 應(yīng)的子數(shù)據(jù)庫文件(即L與N —一對應(yīng)表格)。
第二步(確定厚膜電阻目標(biāo)值)我們根據(jù)厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置輸入模塊中錄 入的厚膜電阻參數(shù)電阻標(biāo)稱值、電阻設(shè)計(jì)容差，通過計(jì)算機(jī)CPU進(jìn)行計(jì)算，得出版圖設(shè)計(jì) 所需要的厚膜電阻目標(biāo)值即厚膜電阻目標(biāo)值R =電阻標(biāo)稱值·電阻設(shè)計(jì)容差。
第三步(計(jì)算N · L理論值)通過電阻設(shè)計(jì)計(jì)算公式R = Rd · N · (L/W)，導(dǎo)出公 SN*L = R*W/Rd。其中電阻目標(biāo)值R、厚膜電阻方阻厚膜電阻寬度W均已知，即可 通過計(jì)算機(jī)CPU計(jì)算得出數(shù)值，該數(shù)值即為N · L理論值。
第四步(得出N· L實(shí)際值)根據(jù)第一步確定下來的子數(shù)據(jù)庫文件，通過計(jì)算機(jī) CPU查找，從子數(shù)據(jù)庫文件中查找出與第三步計(jì)算出的N · L理論值最接近的一組N · L值 (要求子數(shù)據(jù)庫文件中N · L值在N · L理論值的士 1 %范圍內(nèi))，這樣即得出了所需的N和 L值。
第五步(顯示厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)信息)通過上述運(yùn)算結(jié)果，在輸出模塊中顯示出 厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)相關(guān)信息“導(dǎo)體端頭漿料”、“厚膜電阻漿料”、“電阻標(biāo)稱值”、“電阻設(shè)計(jì) 容差”、“電阻設(shè)計(jì)寬度”、“電阻設(shè)計(jì)長度”。通過這些信息即可滿足厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)要求。
(2)、厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置軟件組成如下
a)數(shù)據(jù)庫文件將厚膜電阻端頭效應(yīng)曲線轉(zhuǎn)化成厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件；
b)運(yùn)算程序通過運(yùn)算程序可直接得出所需要的運(yùn)算結(jié)果；
c)安裝程序通過安裝程序?qū)⒔⒑玫臄?shù)據(jù)庫文件和運(yùn)算程序安裝到計(jì)算機(jī)中， 并將計(jì)算機(jī)CPU、存儲器與輸入設(shè)備和輸出設(shè)備相互聯(lián)系起來。
(3)、厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置運(yùn)行程序如下
厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)軟件在Windows 2000及以上版本操作系統(tǒng)中進(jìn)行應(yīng)用。
a)運(yùn)行厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)軟件應(yīng)用時(shí)先將厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)軟件從硬盤存儲 器中讀取，并運(yùn)行厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)程序；
b)通過輸入設(shè)備輸入相關(guān)信息在程序界面上通過鼠標(biāo)、鍵盤等輸入設(shè)備選擇或 輸入“導(dǎo)體端頭漿料”、“厚膜電阻漿料”、“電阻標(biāo)稱值”、“電阻設(shè)計(jì)容差”、“電阻設(shè)計(jì)寬度”^fn 息；
c)通過存儲器調(diào)取子數(shù)據(jù)庫根據(jù)輸入信息，從存儲器數(shù)據(jù)庫中調(diào)出相應(yīng)的子數(shù) 據(jù)庫版圖設(shè)計(jì)文件；
d)通過CPU運(yùn)算得出結(jié)果先通過CPU運(yùn)算出N 理論值，再通過計(jì)算機(jī)CPU查找 出子數(shù)據(jù)庫文件中相對應(yīng)的N · L值(要求子數(shù)據(jù)庫文件中N · L值在N · L理論值的士 1 %范圍內(nèi))，這樣即得出了所需的N和L值；
e)通過輸出設(shè)備顯示出運(yùn)算結(jié)果在程序界面上將運(yùn)算結(jié)果及相關(guān)信息通過顯 示器顯示出來“導(dǎo)體端頭漿料”、“厚膜電阻漿料”、“電阻標(biāo)稱值”、“電阻設(shè)計(jì)容差”、“電阻 設(shè)計(jì)寬度”及“電阻設(shè)計(jì)長度”等信息。具體運(yùn)行程序見附圖6。
舉例說明
按照上述實(shí)施方式，對杜邦公司1731型IkQ/ □電阻進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)裝置制作。
1、根據(jù)杜邦公司1731型IkQ/ □電阻端頭效應(yīng)曲線，確定下來5715型金漿端頭 電阻設(shè)計(jì)曲線。
2、建立厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件
根據(jù)電阻設(shè)計(jì)曲線圖中設(shè)計(jì)曲線，得出L與N—一對應(yīng)關(guān)系，將得出的L、N值及 N -L值錄入數(shù)據(jù)庫表格中，從而建立完成杜邦公司1731型Ik Ω / 口電阻(端頭導(dǎo)體為5715 型金漿電阻寬度為40mil)版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件。
具體見下表所示
權(quán)利要求
1.厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置，包括輸入裝置、CPU、存儲器和輸出裝置，其特征在于存儲器中設(shè)有厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫，它包括a、導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫鈀銀導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、金導(dǎo)體漿 料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、鉬銀導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫、銀導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲 線子數(shù)據(jù)庫；b、厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫在每個(gè)導(dǎo)體漿料端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫中，分別建立 六個(gè)方阻的厚膜電阻漿料對應(yīng)的導(dǎo)體端頭效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫六個(gè)方阻包括10Ω/ 口、 100 Ω / □、Ik Ω / □、IOk Ω / 口、IOOk Ω / 口、IM Ω / 口 ；c、電阻寬度子數(shù)據(jù)庫在每個(gè)厚膜電阻漿料子數(shù)據(jù)庫中分別建立兩個(gè)電阻寬度的端頭 效應(yīng)曲線子數(shù)據(jù)庫包括Imm電阻寬度、1. 5mm電阻寬度；根據(jù)相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相 應(yīng)電阻寬度的導(dǎo)體端頭效應(yīng)曲線中L、N對應(yīng)關(guān)系，分別列表建立相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻 和相應(yīng)電阻寬度對應(yīng)的全參數(shù)厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫文件；參數(shù)輸入模塊，包括a、端頭導(dǎo)體材料選擇模塊，端頭導(dǎo)體材料為鈀銀導(dǎo)體、金導(dǎo)體、鉬銀導(dǎo)體、銀導(dǎo)體；b、電阻漿料方阻選擇模塊，電阻漿料的方阻為10Ω/DUOOQ/ DUkQ/ 口、 IOkQ/ DUOOkQ/ 口、1ΜΩ/ 口 ；c、厚膜電阻寬度選擇模塊，厚膜電阻寬度為lmm、1.5mm;d、厚膜電阻目標(biāo)值選擇模塊，即輸入所設(shè)計(jì)電阻目標(biāo)值，按照標(biāo)稱值的90%計(jì)算；功能運(yùn)算模塊，包括a、N· L的理論值計(jì)算模塊根據(jù)電阻計(jì)算公式R = R □ · N · (L/W)，導(dǎo)出公式N · L = R · W/R □；b、N· L值查找模塊，從數(shù)據(jù)庫中查詢相應(yīng)導(dǎo)體漿料、相應(yīng)方阻和相應(yīng)電阻寬度的對應(yīng) 的N · L值；c、N· L值比較模塊，將N · L理論值與數(shù)據(jù)庫中查詢的N · L實(shí)際值進(jìn)行比較，讀出誤 差在士 范圍內(nèi)的N*L值，分別得出變化系數(shù)N和電阻設(shè)計(jì)長度值L ；d、電阻設(shè)計(jì)長度值輸出模塊，輸出電阻設(shè)計(jì)長度值L。
全文摘要
本發(fā)明涉及厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)裝置，包括輸入裝置、CPU、存儲器和輸出裝置，其特征在于存儲器中設(shè)有(1)厚膜電阻版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫，(2)參數(shù)輸入模塊，包括a、端頭導(dǎo)體材料選擇模塊，；b、電阻漿料方阻選擇模塊；c、厚膜電阻寬度選擇模塊；d、厚膜電阻目標(biāo)值選擇模塊；(3)功能運(yùn)算模塊，包括a、N·L的理論值計(jì)算模塊；b、N·L值查找模塊；c、N·L值比較模塊；d、電阻設(shè)計(jì)長度值輸出模塊。本發(fā)明創(chuàng)造的優(yōu)點(diǎn)在于能迅速得出各種厚膜電阻設(shè)計(jì)尺寸，削除電阻端頭效應(yīng)影響，同時(shí)解決因N取值不同而導(dǎo)致設(shè)計(jì)偏差，使厚膜電路版圖設(shè)計(jì)技術(shù)水平得到提高。本發(fā)明達(dá)到的效果是保證了厚膜電阻在實(shí)際加工時(shí)阻值一致性，使同樣阻值電阻在不同導(dǎo)體端頭搭接時(shí)的電阻阻值之間偏差小于5％。
文檔編號G06F17/50GK102043880SQ20101058438
公開日2011年5月4日 申請日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者尤廣為, 王守政, 錢嶸衛(wèi), 鮑秀峰 申請人:華東光電集成器件研究所