一種4GHz功率100瓦10dB的厚膜電路衰減片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種氧化鈹陶瓷基板衰減片，特別涉及一種氧化鈹陶瓷基板100瓦1dB的衰減片。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化鈹陶瓷基板100瓦1dB的衰減片是同軸固定衰減器芯片的一種，廣泛應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)等設(shè)備中。衰減器是一個功率消耗和電路匹配元件，要求對兩端電路的影響越小越好。目前市場上針對大功率的衰減片精度和駐波比少數(shù)能達(dá)到2GHz，要做到4GHz等更高頻率非常困難。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型為了解決上述問題，從而提供一種氧化鈹陶瓷基板100瓦1dB的衰減片。
[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]—種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，所述厚膜電路衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述輸入電極和輸出電極分別與膜狀電阻連接形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，所述膜狀電阻兩端分別連接第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述膜狀電阻的輸出端連接有第一焙銀，所述膜狀電阻的輸入端連接有第二焙銀。
[0006]在本實(shí)用新型的一個優(yōu)選實(shí)施例中，所述膜狀電阻通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述膜狀電阻輸入端和輸出端分別與接地端的阻抗為50±1 Ω。
[0007]在本實(shí)用新型的一個優(yōu)選實(shí)施例中，所述化鈹基板體積為25.5*25.5*3.2mm。
[0008]在本實(shí)用新型的一個優(yōu)選實(shí)施例中，所述膜狀電阻通過厚膜工藝制成，所述厚膜電路衰減片的特性阻抗為50 Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。
[0009]在本實(shí)用新型的一個優(yōu)選實(shí)施例中，所述膜狀電阻位于氧化鈹基板的中心位置，所述膜狀電阻為對稱結(jié)構(gòu)。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0011]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，
重復(fù)性好。
[0012]本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0016]參見圖1，本實(shí)用新型提供的4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其包括一氧化鈹基板100。
[0017]氧化鈹基板100的體積具體為25.5*25.5*3.2mm，其背面無電路非金屬化，在其正面設(shè)有輸入電極200、輸出電極300、膜狀電阻400、第一接地導(dǎo)線500和第二接地導(dǎo)線600。
[0018]輸入電極200和輸出電極300分別對稱設(shè)置在膜狀電阻400的左右兩側(cè)，膜狀電阻400與輸入電極200和輸出電極300可形成一卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，這樣可達(dá)到駐波小，頻帶寬的要求。
[0019]第一接地導(dǎo)線500和第二接地導(dǎo)線600連接膜狀電阻400的上下兩端，膜狀電阻400通過第一接地導(dǎo)線500和第二接地導(dǎo)線600接地導(dǎo)通。
[0020]膜狀電阻400，其通過厚膜工藝制成，其輸出端連接有第一焙銀700，輸入端連接有第二焙銀800，其通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，其輸入端和輸出端分別與接地端的阻抗為50±1Ω，這樣使得厚膜電路衰減片的特性阻抗為50Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。
[0021]另外，膜狀電阻400位于氧化鈹基板100的中心位置，并且膜狀電阻400為對稱結(jié)構(gòu)，這樣由于輸入電極200和輸出電極300分別對稱設(shè)置在膜狀電阻400的左右兩側(cè)，第一接地導(dǎo)線500和第二接地導(dǎo)線600連接膜狀電阻400的上下兩端，使得厚膜電路衰減片的衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，這樣使得厚膜電路衰減片的衰減平坦度好，阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好。
[0022]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其特征在于，所述厚膜電路衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述輸入電極和輸出電極分別與膜狀電阻連接形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，所述膜狀電阻兩端分別連接第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述膜狀電阻的輸出端連接有第一焙銀，所述膜狀電阻的輸入端連接有第二焙銀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其特征在于，所述膜狀電阻通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述膜狀電阻輸入端和輸出端分別與接地端的阻抗為50±1Ω。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其特征在于，所述化鈹基板體積為25.5*25.5*3.2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其特征在于，所述膜狀電阻通過厚膜工藝制成，所述厚膜電路衰減片的特性阻抗為50 Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種4GHz功率100瓦1dB的厚膜電路衰減片，其特征在于，所述膜狀電阻位于氧化鈹基板的中心位置，所述膜狀電阻為對稱結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種4GHz功率100瓦10dB的厚膜電路衰減片，所述厚膜電路衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述輸入電極和輸出電極分別與膜狀電阻連接形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，所述膜狀電阻兩端分別連接第一接地導(dǎo)線和第二接地導(dǎo)線，所述膜狀電阻的輸出端連接有第一焙銀，所述膜狀電阻的輸入端連接有第二焙銀。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好。
【IPC分類】H01P1/22
【公開號】CN205319276
【申請?zhí)枴緾N201521079815
【發(fā)明人】戴林華, 周蕾, 周敏
【申請人】上海華湘計算機(jī)通訊工程有限公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2015年12月22日