專利名稱:信息處理設(shè)備和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及一種信息處理設(shè)備和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù):
提出有一種配備有存儲(chǔ)組件(memory package),溫度傳感器,和溫度檢測(cè)電
路的存儲(chǔ)模塊。JP-A-2007-257062就揭示了這樣的存儲(chǔ)模塊的實(shí)例。該存儲(chǔ)模塊包括安裝在印刷電路板上的存儲(chǔ)組件,測(cè)量該存儲(chǔ)組件的溫度的溫
度傳感器,以及將由該溫度傳感器測(cè)量的溫度和預(yù)先設(shè)定的設(shè)定溫度進(jìn)行比較的溫度檢
測(cè)電路。因此,存儲(chǔ)模塊可以由溫度傳感器測(cè)量存儲(chǔ)組件的溫度,并且可以由溫度檢測(cè)
電路檢測(cè)測(cè)量的溫度是否超過(guò)設(shè)定溫度。但是,在已知的存儲(chǔ)模塊中,由溫度傳感器檢測(cè)溫度的目標(biāo)對(duì)象是存儲(chǔ)組件。 由于這個(gè)原因,在除了存儲(chǔ)組件以外用作加熱源的元件或者具有比安裝存儲(chǔ)組件的區(qū)域 的溫度更高溫度的區(qū)域出現(xiàn)在印刷電路板上的情況下,存在這樣的元件或者區(qū)域的溫度 不能被溫度傳感器檢測(cè)的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種能夠測(cè)量位于半導(dǎo)體存儲(chǔ)和控制單元之間并且 其溫度高于印刷電路板的其他區(qū)域溫度的區(qū)域的溫度的信息處理設(shè)備和非易失性半導(dǎo)體 存儲(chǔ)裝置。根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供有一種信息處理設(shè)備包括主體;將外部空氣吸 入主體以利用氣流冷卻主體內(nèi)部的冷卻風(fēng)扇;以及設(shè)置在主體內(nèi)被用作外部存儲(chǔ)裝置的 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,該裝置包括印刷電路板;安裝在該印刷電路板上的非易失 性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在該印刷電路板上并且控制該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在該印刷電路板上并且檢測(cè)該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感 器,其中該存儲(chǔ)控制器設(shè)置在氣流的上游側(cè),并且該溫度傳感器設(shè)置在氣流的下游側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供有一種被設(shè)置在信息處理設(shè)備內(nèi)部以用作外部存 儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,該裝置包括印刷電路板;安裝在該印刷電路板上 的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在該印刷電路板上的并且控制該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 的存儲(chǔ)控制器;和安裝該印刷電路板上位于該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和該存儲(chǔ)控制器之 間并且檢測(cè)該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器。根據(jù)本發(fā)明的第三方面,提供有一種被設(shè)置在信息處理設(shè)備內(nèi)部以用作外部存 儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,該裝置包括印刷電路板;安裝在該印刷電路板上 并且包括多個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在該印刷電路板 上的并且控制該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在該印刷電路板上位于該 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和該存儲(chǔ)控制器之間并且檢測(cè)該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫 度的溫度傳感器,其中每個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置形成為具有長(zhǎng)邊和短邊的形狀,并 且其中非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件被排列在印刷電路板上以將每個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組
件的長(zhǎng)邊和短邊的其中之一對(duì)齊。
下面將參考附圖將說(shuō)明實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各種特征的總體結(jié)構(gòu)。附圖和相關(guān)的說(shuō)明被
用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例,并且不局限于本發(fā)明的范圍。圖l是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的信息處理設(shè)備的外觀的示意圖。圖2是說(shuō)明信息處理設(shè)備的主體的內(nèi)部的平面圖。圖3是說(shuō)明信息處理設(shè)備的主體的內(nèi)部的仰視圖。圖4是說(shuō)明信息處理設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)的方塊圖。圖5是說(shuō)明SSD外觀的實(shí)例的立體圖。圖6是說(shuō)明該SSD的示意性構(gòu)造的方塊圖。圖7A是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的SSD外觀的示意圖,圖7B是說(shuō)明該SSD的 平面圖,和圖7C是說(shuō)明該SDD的仰視圖。
具體實(shí)施例方式以下,將參考附圖具體地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的信息處理設(shè)備。
第一實(shí)施例
圖l是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的信息處理設(shè)備的外觀的示意圖。信息處理設(shè) 備1被構(gòu)造成包括主體2和附接到主體2的顯示單元3。 主體2包括盒形殼體4,該殼體4配備有上壁4a,外圍壁4b,和下壁4c。殼體4的 上壁4a從靠近操作信息處理設(shè)備l的用戶的一側(cè)依次具有前部40,中部41和后部42。下壁 4c面向在其上放置信息處理設(shè)備l的放置表面(placement surface)。外圍壁4b具有前壁 4ba,后壁4bb,以及在左右側(cè)的惻壁4bc和4bd。前部40包括作為指向裝置的觸摸板20,掌托(palmrest) 21,和與信息處理設(shè)備 1的每個(gè)部分的操作同步變亮的LED22。中部41包括能夠輸入字母信息等的鍵盤23a被附接到其上的鍵盤放置部23。
后部42包括可拆卸地附接的電池組24,設(shè)置在電池組24的右側(cè)以向信息處理設(shè) 備1提供電力的電源開關(guān)25,和設(shè)置在電池組24的左右側(cè)以可旋轉(zhuǎn)地支撐顯示單元3的一 對(duì)鉸鏈部26a, 26b。用于將氣流W從該殼體4的內(nèi)部排到外部的排氣口29被設(shè)置在殼體4的左側(cè)壁 4bc上。另外,例如,從/向諸如DVD的光存儲(chǔ)介質(zhì)讀取和/寫入數(shù)據(jù)的OPTICAL DISK DEVICE(ODD,光碟裝置)27和各種卡280被插入和拔出的卡槽28被設(shè)置在右側(cè)壁4bd上。
該殼體4是由包括一部分外圍壁4b和上壁4a的殼蓋和包括一部分外圍壁4b和下 壁4c的殼底(case base)形成的。殼蓋可拆卸地與殼體底結(jié)合,并且在殼蓋和殼底之間 形成容納空間。例如,作為非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的SSD 10 (固態(tài)硬盤)被容納在容納 空間中。另外,稍后將具體說(shuō)明該SSDIO。 顯示單元3包括具有開口30a的顯示殼體30和諸如LCD的顯示部31,該顯示部31 可以在顯示屏31a上顯示圖像。顯示部31被容納在顯示殼體30中,并且顯示屏31a通過(guò)該 開口30a被暴露在顯示殼體30的外部。圖2是說(shuō)明主體2的平面圖,圖3是說(shuō)明從下面看主體2的仰視圖。為了顯示殼體4 的布局,省略了圖2的殼蓋5和省略了圖3的殼底6。多個(gè)凸起43被設(shè)置在殼體蓋5和殼體底 6中。 除SSDIO,電池組24, ODD27和卡槽28之外,主電路板ll,擴(kuò)展模塊(extension module) 12和風(fēng)扇13也被容納在殼體4中。主電路板ll是在其上安裝多個(gè)電子元件并且當(dāng)這些電子元件工作時(shí)執(zhí)行預(yù)定操 作的構(gòu)件。另外,主電路板ll通過(guò)與連接器110結(jié)合的電纜110a被連接到SSD 10,并且 通過(guò)電纜(未顯示)被連接到電池組24, ODD 27,卡槽28,擴(kuò)展模塊12以及風(fēng)扇13。
ODD 27具有容納在殼體4中的殼體270和容納在殼體270內(nèi)以致能夠被抽出而且在其上放置光存儲(chǔ)介質(zhì)的碟片托盤(disktray) 271??ú?8的形狀由例如PC卡槽或者ExpressCard (注冊(cè)商標(biāo))槽的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定。
擴(kuò)展模塊12包括擴(kuò)展電路板120,設(shè)置在擴(kuò)展電路板120中的卡插座121,和插入 卡插座121中的擴(kuò)展模塊板122??ú遄?21是基于例如Mini-PCI標(biāo)準(zhǔn),擴(kuò)展模塊板122的 實(shí)例包括3G (第三代)模塊,TV調(diào)諧器,GPS模塊,Wimax (注冊(cè)商標(biāo))模塊等。
風(fēng)扇13是在通風(fēng)基礎(chǔ)之上冷卻殼體4的內(nèi)部并且通過(guò)排氣口29將殼體中的空氣 作為氣流W排到外部的冷卻單元。另外,熱管130的一個(gè)端部設(shè)置在該風(fēng)扇13和排氣口29 之間,并且熱管130的另一個(gè)端部被設(shè)置成連接到CPU115 (未顯示)。當(dāng)設(shè)置在其內(nèi)部 的工作液體在加熱部分的該CPU115側(cè)蒸發(fā)而變成蒸汽時(shí),熱管130散發(fā)蒸發(fā)潛熱,然后 該蒸汽通過(guò)該管移向低溫部分的排氣口側(cè)而被液化。液化的操作流體流回加熱部分。
SSD IO包括印刷電路板(PCB) 100。溫度傳感器IOI,連接器102,控制單元(存 儲(chǔ)控制器)103等被安裝在該P(yáng)CB (100)的表面100a上。該SSD10容納在殼體4中,以致 控制單元103位于由風(fēng)扇13造成的從殼體4流到外部的氣流W的上游側(cè),并且溫度傳感器 IOI位于氣流W的下游側(cè)。另外,將SSD 10和主電路板11彼此電連接的連接器102安置在 從殼體4的內(nèi)部流到外部的氣流W的比控制單元103更上游側(cè)。圖4是說(shuō)明信息處理設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)的方塊圖。除上述的SSDIO,擴(kuò)展模塊12, 風(fēng)扇13,觸摸板20,鍵盤23a, LED 22,電源開關(guān)25, ODD 27,卡槽28,以及顯示部31 之外,信息處理設(shè)備1還包括是用于控制每個(gè)部分的嵌入系統(tǒng)的EC (嵌入控制器)111, 存儲(chǔ)BIOS (基本輸入輸出系統(tǒng))112a的閃存112,是LSI (大規(guī)模集成電路)芯片并且用 作各種總線和I/0控制器的南橋113,控制是LSI芯片并且稍后將說(shuō)明的CPU (中央處理單 元)之間的連接的北橋114, GPU (圖形處理單元)116,主存儲(chǔ)器117,以及各種總線, 該CPU 115用于執(zhí)行各種信號(hào)的操作處理,該GPU 116執(zhí)行圖像信號(hào)的操作處理和執(zhí)行顯 示控制,并且在主存儲(chǔ)器117中通過(guò)CPU 115執(zhí)行讀寫。
另外,EClll,閃存112,南橋113,北橋114, CPU 115, GPU116以及主存儲(chǔ)器
(主存儲(chǔ)裝置)117都是安裝在主電路板11上的電子元件。
圖5是說(shuō)明SSD外觀的實(shí)例的立體圖。SSD 10包括具有表面100a到100飾PCB 100, 并且配備有溫度傳感器IOI,連接器102,控制器103,八個(gè)NAND存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)組件)104A 至IJ104H,以及安裝在PCB 100的表面l00a上的DRAM105。 NAND存儲(chǔ)器104A至lJ104H具有 相同的形狀。SSD10是種存儲(chǔ)和即使在斷電時(shí)不被移除的記錄數(shù)據(jù)或程序的外部存儲(chǔ)裝置。 雖然SSD10不具有諸如已知硬盤驅(qū)動(dòng)中的頭或磁盤的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),但是該SSD IO是驅(qū)動(dòng)器, 它能夠存儲(chǔ)諸如OS (操作系統(tǒng))的程序或者由用戶或者在安裝于PCB IOO上的八個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H的存儲(chǔ)區(qū)域中的軟件運(yùn)行所創(chuàng)建的數(shù)據(jù),以致可以與已知的硬盤驅(qū)動(dòng)類 似地讀寫該程序或者數(shù)據(jù),并且它由能夠作為用于啟動(dòng)信息處理設(shè)備l的驅(qū)動(dòng)器操作的非 易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器形成。每個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H都具有長(zhǎng)邊104a和短邊104b的外形,例如,如NAND 存儲(chǔ)器104A中所示。NAND存儲(chǔ)器104A到104D被安裝成以致長(zhǎng)邊104a沿PCB IOO的右側(cè)表 面彼此鄰接。另夕卜,NAND存儲(chǔ)器104E至lJl04H安裝在PCB上,以致長(zhǎng)邊104a和短邊104b鄰接。 溫度傳感器101位于NAND存儲(chǔ)器104H的長(zhǎng)邊和控制單元103的一邊之間,并且 被設(shè)置成與兩邊鄰接。另外,用于連接SSD10和外部的連接器102設(shè)置在與設(shè)置溫度傳感 器101的控制單元103的一邊相反的一邊上。圖6是說(shuō)明該SSD的示意性構(gòu)造的方塊圖??刂茊卧?03連接到溫度傳感器101,連 接器102,八個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H, DRAM 105,以及供電電路106。另外,控制單 元103通過(guò)連接器102連接到主機(jī)裝置8,以致在需要時(shí)連接到外部裝置9。
電源7是電池組24或者是AC適配器(未顯示)。例如,通過(guò)連接器102將DC 3.3V 供應(yīng)到供電電路106。另外,電源7為整個(gè)信息處理設(shè)備1供電。在本實(shí)施例中主機(jī)裝置8是主電路板11,并且安裝在主電路板ll上的控制單元 103和南橋113彼此互相連接。例如,在南橋113和控制單元103之間,基于串行ATA規(guī)格 執(zhí)行數(shù)據(jù)的傳輸和接收。外部裝置9是不同于信息處理設(shè)備1的另一種信息處理設(shè)備。外部裝置9基于例如 RS-232C標(biāo)準(zhǔn)連接到從信息處理設(shè)備1拆離的SSD 10的控制單元103,并且具有讀取存儲(chǔ) 在NAND存儲(chǔ)器104A到104H中的數(shù)據(jù)的功能。例如,PCB 100具有與1.8英寸型或2.5英寸型的HDD相同的外形尺寸。另外,在 本實(shí)施例中,PCB 100的外形尺寸等于1.8英寸型。另夕卜,PCB100具有多個(gè)用于將該P(yáng)CB 100固定到殼體4的通孔100g。在PCB上,溫度傳感器101設(shè)置在控制單元103和作為熱源的NAND存儲(chǔ)器104A 到104H之間。在如圖5所示的實(shí)例中,溫度傳感器101設(shè)置在靠近PCB IOO的中間的位置 以致被控制單元103和NAND存儲(chǔ)器104A至!J104H所圍繞,并且測(cè)量該位置的溫度。由溫 度傳感器101測(cè)量的測(cè)量溫度傳輸?shù)娇刂茊卧?03作為溫度信息。另外,雖然在本實(shí)施例 中使用利用半導(dǎo)體的PN結(jié)部分的電壓隨溫度而改變的特性的半導(dǎo)體溫度傳感器,但是也 可以使用基于諸如熱敏電阻的其他方法的溫度傳感器。例如,在操作SSD10時(shí)的情況下,由設(shè)置在該位置的溫度傳感器101測(cè)量的溫度是50攝氏度到60攝氏度,并且比PCB IOO的其他區(qū)域的溫度高大約IO度。
控制單元103控制NAND存儲(chǔ)器104A到104H的操作。具體地,控制單元103控制 從NAND存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)或者向NAND存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)以響應(yīng)來(lái)自作為主機(jī)裝置8的主 電路板ll的請(qǐng)求。例如,數(shù)據(jù)傳輸率在讀數(shù)據(jù)時(shí)是100MB/sec而在寫數(shù)據(jù)時(shí)是40MB/sec。
另外,控制單元103以預(yù)定周期從溫度傳感器101獲得溫度信息,并且將所獲得 的溫度信息以及獲得日期及時(shí)間一起寫入NAND存儲(chǔ)器104A到104H的預(yù)定地址。
例如,每個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H具有長(zhǎng)邊和短邊的外形并且其厚度為 3mm。 NANB存儲(chǔ)器104A到104H非對(duì)稱地安裝在PCB100上。也就是,在圖5所示的實(shí)例 中,以統(tǒng)一的狀態(tài)安置NAND存儲(chǔ)器104A到104H中的四個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104D, 以致長(zhǎng)邊近似平行,并且以結(jié)合狀態(tài)設(shè)置另外四個(gè)NAND存儲(chǔ)器104E到104H,以致長(zhǎng)邊 和短邊彼此互相面對(duì)。NAND存儲(chǔ)器104E至iJl04H可以被安置在PCB100的表面100b上。
例如,每個(gè)NAND104A到104H是具有16GB的存儲(chǔ)容量的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ) 器,并且是能夠在一個(gè)存儲(chǔ)器單元記錄兩個(gè)比特(bit)的MLC (多層單元)-NAND存儲(chǔ) 器(多值NAND存儲(chǔ)器)。雖然MLC-NAND存儲(chǔ)器的可重寫的次數(shù)一般小于SLC (單層 單元)-NAND存儲(chǔ)器的可重寫次數(shù),但是很容易使存儲(chǔ)容量變大。另外,NAND存儲(chǔ)器 104A到104H具有數(shù)據(jù)能被存儲(chǔ)的周期隨設(shè)定的環(huán)境溫度而改變的特性。
NAND存儲(chǔ)器104A到104H存儲(chǔ)由控制單元103的控制而被寫入的數(shù)據(jù)并且存儲(chǔ) 溫度信息和獲得日期作為溫度的歷史記錄。當(dāng)通過(guò)控制單元103的控制來(lái)執(zhí)行從NAND存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)或者向NAND寫入數(shù) 據(jù)時(shí),DRAM105作為暫時(shí)性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的緩沖器(buffer)。例如,連接器102具有基于串行ATA規(guī)格的形狀。另夕卜,控制單元103和供電電 路106可以通過(guò)單獨(dú)的連接器被分別地連接到主機(jī)裝置8和電源7。 例如,供電電路106將由電源7供應(yīng)的DC3.3V轉(zhuǎn)變?yōu)镈C 1.8V和DC 1.2V,并且將 這三種電壓供應(yīng)到SSD IO的各個(gè)部,從而匹配各個(gè)部的驅(qū)動(dòng)電壓。以下,將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的信息處理設(shè)備的操作。首先,當(dāng)用戶
按電源開關(guān)25時(shí),檢測(cè)到電源開關(guān)25的按壓的EC 111開始將電源7的電力供應(yīng)到信息處
理設(shè)備l的每一部分。然后,基于BI0S112aEClll啟動(dòng)信息處理設(shè)備l。然后,當(dāng)信息處理設(shè)備l被啟動(dòng)時(shí),用戶在觀看顯示部31的顯示屏31a的同時(shí),
利用觸摸板20和鍵盤23a在信息處理設(shè)備l上執(zhí)行操作。然后,當(dāng)信息處理設(shè)備l接收到用戶的操作時(shí),信息處理設(shè)備l執(zhí)行預(yù)定操作來(lái) 響應(yīng)操作。例如,在信息處理設(shè)備1的CPU 15收到用于在顯示部31上顯示存儲(chǔ)在SSD 10的數(shù)據(jù)的操作情況下,CPU 15命令SSD IO讀取數(shù)據(jù)。然后,SSD 10的控制單元103讀取 來(lái)自NAND存儲(chǔ)器104A到104H的數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)通過(guò)南橋113和北橋114傳輸?shù)紾PU 116。然后,GPU116將數(shù)據(jù)作為圖像顯示在顯示部31上。信息處理設(shè)備l執(zhí)行上述操作的同時(shí),SSD 10的溫度傳感器101測(cè)量設(shè)置溫度傳 感器101所在位置處的溫度。然后,控制單元103在預(yù)定周期獲得由溫度傳感器101測(cè)量的測(cè)量溫度,作為溫 度信息,并且將獲得的溫度信息以及獲得日期和時(shí)間存儲(chǔ)在NAND存儲(chǔ)器104A到104H的 預(yù)定地址作為溫度歷史記錄。此后,當(dāng)用戶指示信息處理設(shè)備1顯示存儲(chǔ)在NAND存儲(chǔ)器104A到104H的溫度歷 史記錄時(shí),控制單元103讀取溫度歷史并且通過(guò)GPU 116將所讀取的溫度歷史記錄顯示在 顯示部31上。另外,在SSD 10從殼體4拆離的情況下,外部裝置9連接到拆離的SSD IO上。然 后,當(dāng)指示讀取溫度歷史記錄的命令從外部裝置9傳輸?shù)娇刂茊卧?03時(shí),控制單元103 讀取儲(chǔ)存在NAND存儲(chǔ)器104A到104H內(nèi)的溫度歷史記錄,然后將所讀取的溫度歷史記錄 傳輸?shù)酵獠垦b置9。然后,當(dāng)外部裝置9接收到溫度歷史記錄時(shí),溫度歷史記錄被顯示在 設(shè)置在外部裝置9中的顯示部上。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例,由于溫度傳感器101被設(shè)置在控制單元103和NAND 存儲(chǔ)器104H之間,所以可以測(cè)量與PCB IOO的其他區(qū)域相比具有高溫的區(qū)域的溫度。
此外,由于多個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H通過(guò)長(zhǎng)邊104a和短邊104b的結(jié)合被安 裝在PCB100上,所以諸如控制單元103和DRAM 105的其他電子元件可以被有效率地設(shè) 置在PCB100上。此夕卜,由于溫度傳感器被設(shè)置在被控制單元103和多個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A至U104H 圍繞的位置上,所以沒(méi)有必要在PCB IOO上安置多個(gè)溫度傳感器。因此,可以減少制造 成本。此外,通過(guò)將SSD10的控制單元103定位在由風(fēng)扇13產(chǎn)生的氣流W的上游側(cè)并且 將溫度傳感器101定位在下游側(cè),可以測(cè)量溫度很可能高于由氣流W冷卻的控制單元103 的區(qū)域的溫度。另外,通過(guò)將溫度歷史記錄存儲(chǔ)在NAND存儲(chǔ)器104A到104H中,可以檢查在以 時(shí)間連續(xù)方式(time-sequentialmanner)使用SSD10的情形中的環(huán)境溫度。另外,例如, 當(dāng)執(zhí)行降低SSD IO的溫度的處理時(shí),溫度歷史記錄不僅被控制單元103讀取,而且還可 以被南橋113讀取。
10
第二實(shí)施例圖7A是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的SSD的外觀的示意圖。在如圖7A所示的 SSD 10的情況中NAND存儲(chǔ)器被安裝在表面100a和100b兩者之上,而在根據(jù)第一實(shí)施例的 SSD 10的情況中NAND存儲(chǔ)器被安裝在表面100a上。就是說(shuō),如圖7B的平面圖所示,SSD lO包括安裝在表面lOOa上的溫度傳感器lOl, 連接器102,控制單元103,八個(gè)NAND存儲(chǔ)器104A到104H,以及DRAM 105A。另外, 如仰視圖7C所示,SSD10進(jìn)一步包括安裝在表面100b上的八個(gè)NAND存儲(chǔ)器104I到104P 和DRAM105B。另外,每一部分的構(gòu)造與第一實(shí)施例的相應(yīng)構(gòu)造相同,因此省略對(duì)其的 說(shuō)明。 設(shè)置在表面100a上的NAND 104A到104H和設(shè)置在表面100b上的NAND 1041到 104P相對(duì)于PCB IOO的長(zhǎng)邊的方向是被對(duì)稱地安置。另夕卜,NAND存儲(chǔ)器104I到104P可以 相對(duì)于PCB IOO的短邊的方向也被對(duì)稱地安置。替代地,NAND存儲(chǔ)器104I到104P也可以 被安置成在其中NAND存儲(chǔ)器1041到104P在表面1 OOa和1 OOb上旋轉(zhuǎn)180度的狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例,因?yàn)镹AND存儲(chǔ)器104A到104P安裝在SSD IO的兩個(gè) 表面上,所以可以增大PCB100的每占用面積的存儲(chǔ)容量。另外,由于通過(guò)在SSD IO的兩個(gè)表面對(duì)稱地安置NAND存儲(chǔ)器能夠使整個(gè)SSD IO的溫度分布均勻,所以能夠抑制由環(huán)境溫度引起的SSD10的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期的減小。
其他實(shí)施例另外,本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例,在不背離或改變本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi) 可以進(jìn)行種種修改。如上具體所述,提供有一種能夠測(cè)量位于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和控制單元之間并且其 溫度高于PCB其他區(qū)域溫度的區(qū)域的溫度的信息處理設(shè)備和非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
1權(quán)利要求
1. 一種信息處理設(shè)備,其特征在于,包括主體;將外部空氣吸入所述主體以利用氣流冷卻所述主體內(nèi)部的冷卻風(fēng)扇;設(shè)置在所述主體內(nèi)且被用作外部存儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括印刷電路板;安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在所述印刷電路板上并且檢測(cè)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器,其中所述存儲(chǔ)控制器被安置在所述氣流的上游側(cè),所述溫度傳感器被安置在所述氣流的下游側(cè)。
2. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備,其特征在于,進(jìn)一步包括主電路板,在所述主電路板上設(shè)置控制有執(zhí)行處理的處理器,其中所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置迸一步包括與所述主電路板電連接的連接器,所述連接器相對(duì)于所述存儲(chǔ)控制器被安置在所述氣流的上游側(cè)。
3. —種設(shè)置在信息處理設(shè)備內(nèi)用作外部存儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括印刷電路板;安裝在所述印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在所述印刷電路板上并控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器上位于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和所述存儲(chǔ)控制器之間并且檢測(cè)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器。
4. 如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,進(jìn)一步包括與外部元件電連接的連接器,所述連接器相對(duì)于所述存儲(chǔ)控制器被安置在與所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相反的一側(cè)。
5. 如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括多個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件,和其中所述溫度傳感器被安置在被所述多個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件和所述存儲(chǔ)控制器包圍的位置。
6. 如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述溫度傳感器被安置在靠近所述印刷電路板的中間的位置,并且安置成與所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的長(zhǎng)邊和所述存儲(chǔ)控制器的一側(cè)相鄰接。
7. 如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括安裝在所述印刷電路板的一個(gè)表面上的多個(gè)多值NAND存儲(chǔ)器模塊。
8. —種設(shè)置在信息處理設(shè)備內(nèi)用作外部存儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其特征在于,所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包含印刷電路板;安裝在所述印刷電路板上并且包括多個(gè)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在所述印刷電路板上并且控制所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在所述印刷電路板上位于所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和所述存儲(chǔ)控制器之間并且檢測(cè)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器,其中每個(gè)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件形成為具有長(zhǎng)邊和短邊的形狀,和其中所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件被安排在所述印刷板上以使每個(gè)所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)組件的長(zhǎng)邊和短邊的其中之一對(duì)齊。
全文摘要
信息處理設(shè)備包括主體;將外部空氣吸入主體以利用氣流冷卻該主體內(nèi)部的冷卻風(fēng)扇;和設(shè)置在該主體內(nèi)且被用作外部存儲(chǔ)裝置的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,該裝置包括印刷電路板;安裝在該印刷電路板上的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器;安裝在該印刷電路板上并且控制該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)控制器;和安裝在該印刷電路板上并且檢測(cè)該非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器,其中該存儲(chǔ)控制器設(shè)置在氣流的上游側(cè),并且該溫度傳感器設(shè)置在氣流的下游側(cè)。
文檔編號(hào)G06F1/20GK101470500SQ200810190749
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
發(fā)明者塚澤壽夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝