專利名稱：一種智能卡封裝方法及一種智能卡的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種大容量智能卡封裝方法。
技術(shù)背景SIM卡是應(yīng)用于手機的一種智能卡，目前，由于傳統(tǒng)的SIM卡一直無 法存儲大量的數(shù)據(jù)，制約了 SIM卡的發(fā)展空間?，F(xiàn)階段出現(xiàn)的HD-SIM卡 為傳統(tǒng)SIM卡提供了一個發(fā)展方向。但傳統(tǒng)SIM卡封裝時，如圖la所示， 在設(shè)備上，絕緣層12寬A為35mrn，絕緣層上的第一金屬層11排列為2排， 每排第一金屬層的尺寸為12. 6x11. 4mm。 SIM卡芯片要封裝在絕緣層12上 沒有第一金屬層11的一面，并且和第一金屬層11的位置對應(yīng)，因此傳統(tǒng) SIM卡封裝方法可以貼芯片的位置僅僅為12. 6xll.4mm，無法進(jìn)行大芯片 或多芯片的封裝。因此使大尺寸芯片和多芯片排布及封裝受到限制，限制 了 SIM卡向大容量發(fā)展。在傳統(tǒng)SIM卡封裝中，如圖lb所示，包括第一金屬層11和絕緣層12。 其中，絕緣層具有通孔IO。具體封裝步驟包括1) 在絕緣層12的一側(cè)黏結(jié)第一金屬層ll,在絕緣層表面形成通孔10;2) 在絕緣層12的另一側(cè)，第一金屬層的對應(yīng)位置黏結(jié)芯片16;3) 用金屬線6將芯片16的PAD和通孔10處漏出的第一金屬層11相 連，從而實現(xiàn)第一金屬層11和芯片16的導(dǎo)電互連；4) 將芯片16，金屬線6，以及絕緣層12粘貼有芯片的一面用滴膠工 藝塑封起來成為SIM卡模塊。5) 由于傳統(tǒng)SIM卡模塊本身的尺寸較小，在PLUG-IN小卡的范圍中， 只要給其模塊的四周邊緣留出大于1.50mm的寬度，就可以保證其粘接在 PLUG-1N小卡的范圍中,再在7 816大卡上沖切出PLUG-1N小卡的形狀尺寸, 將封裝好的PLUG-IN小卡嵌入塑料材質(zhì)的7816大卡中，就完成了傳統(tǒng)SIM 卡的制作。傳統(tǒng)的SIM卡向大容量方向發(fā)展中，由于SIM卡條帶上金屬部分的物 理尺寸的.限制，沒有足夠的空間封裝多個芯片，因此本發(fā)明增大了芯片的 封裝空間，但在多個芯片封裝時，各個芯片之間需要連線，走線復(fù)雜并且 為了防止短路等情況而需要較長的金屬線。這些就使得在實際生產(chǎn)中對于 金屬線的高度和強度4艮難控制，大大降低的產(chǎn)品的可靠性。現(xiàn)有的小容量 SIM卡通常存儲模塊和控制模塊在一個芯片里完成，因此SIM卡模塊內(nèi)的 芯片間不需要連線。但大容量SIM卡存儲模塊和控制模塊則需要在存儲芯 片和控制芯片兩個芯片內(nèi)完成，例如HD-SIM卡，因此就需要在SIM卡模 塊內(nèi)連接很長的金屬線。除此之外，由于大容量SIM卡封裝時模塊的尺寸較大，傳統(tǒng)的滴膠的 塑封方法不能滿足需要。 發(fā)明內(nèi)容芯片和多芯片封裝時，存在封裝空間不夠和金屬線連接不可靠的問題。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種智能卡的封裝方法，步驟包括 提供一絕緣層；在絕緣層上形成第一金屬層；確定芯片在絕緣層上不具有 第一金屬層的一面的連線位置，并在所述連線位置形成第二金屬層；將芯 片黏結(jié)在絕緣層上第二金屬層所在的一面；用第二金屬層或者、第二金屬 層和金屬線連接芯片和第一金屬層，使芯片和第一金屬層導(dǎo)電互連。 其中，第二金屬層為用電鍍、腐蝕或蝕刻的方法形成。 其中，所述第一金屬層的平面尺寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同， 為15x25mm。進(jìn)一步的，用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一 金屬層之后，還包括用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接不同 的芯片，使不同的芯片導(dǎo)電互連。進(jìn)一步的，用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一 金屬層之后，還包括塑封的步驟，具體為使用灌注方法將芯片、第二金 屬層、金屬線以及絕緣層塑封為長25mm、寬15mm、厚度760 jam的結(jié)構(gòu)。其中，所述塑封的步驟包括A、 使用模具的上模和下模將智能卡模快夾在中間，在芯片、第二金 屬層、金屬線以及絕緣層上方形成一個矩形空腔；B、 將模具加熱到塑封材料的熔點溫度；C、 將固體的塑封材料送至模具的通孔，塑封材料在通孔處融化為液 態(tài)灌入所述空腔內(nèi)；D、 待塑封材料注滿空腔后冷卻，使塑封材料變?yōu)楣虘B(tài)。其中，所述的塑封材料為環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂包含金剛砂和固化劑。進(jìn)一步的，在所述塑封的步驟之后還包括將塑封之后的智能卡模塊 嵌入7816大卡內(nèi)的步驟，具體為將塑封之后的智能卡模塊沖切成PLUG-IN小卡的形狀，并且至少兩側(cè) 沖出突出部分，將7816大卡內(nèi)部沖出與PLUG-IN小卡尺寸相當(dāng)?shù)陌疾郏?在凹槽的邊緣具有與PLUG-IN小卡的突出部分尺寸和厚度相當(dāng)?shù)娜笨?，將 沖切之后的智能卡放置于7816大卡的凹槽處，將所述智能卡的突出部分 與7816大卡的缺口黏結(jié)。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種智能卡的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)的最 底層為第一金屬層；第一金屬層的上層為絕緣層；絕緣層的上層設(shè)有第二 金屬層和芯片，第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線導(dǎo)電連接芯片和第 一金屬層；絕緣層、第二金屬層、金屬線以及芯片上方或者絕緣層、第二 金屬層以及芯片上方為塑封層。其中，所述芯片至少為兩個，所述第二金屬層或者、第二金屬層和金 屬線導(dǎo)電連接不同的芯片。其中，所述的智能卡的封裝結(jié)構(gòu)長為25mm,寬為15mm,厚度為760/a m。其中，所述第一金屬層的平面尺寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同， 為15x25mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明主要具有以下優(yōu)點本發(fā)明的智能卡的封裝方法另外增加了 一層第二金屬層，用所述第二 金屬層代替部分金屬連線，降低了金屬連線的長度，保證了金屬連線的強度，使得可以更方便的選擇芯片，并且減少了芯片PAD排列對芯片封裝的 影響，對于多芯片封裝時，可以更合理的安排芯片放置的位置，貼片區(qū)域 的最大化，最大的兼容了可封裝面積。除此之外，本發(fā)明的智能卡的封裝方法，采用灌注式塑封方法代替滴 膠工藝的塑封方法，保證了 SIM卡的尺寸與7816要求的PLUG-IN小卡尺 寸完全一致，保證了大容量SIM卡模塊厚度為760微米，增強了對SIM卡 中芯片和金屬線的保護(hù)。而且，本發(fā)明的智能卡的封裝方法還提供了一種PLUG-IN卡和7816 大卡的新的連接方式，保證了大容量SIM卡封裝的實現(xiàn)。另外本發(fā)明的智能卡的封裝方法還可以應(yīng)用于除SIM之外其它形式的智能卡中。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述 及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示 相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。 圖la是傳統(tǒng)SIM卡所用條帶的金屬層、絕緣層示意圖； 圖lb是傳統(tǒng)SIM卡封裝結(jié)構(gòu)中金屬層、絕緣層以及芯片連接的示意圖；圖2a是本發(fā)明的SIM卡所用條帶的金屬層、絕緣層示意圖；圖2b是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的SIM卡封裝結(jié)構(gòu)中第一金屬層，絕緣層、第二金屬層及芯片連接的示意圖的側(cè)視圖；圖2c是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的SIM卡封裝結(jié)構(gòu)中第一金屬層，絕緣層、第二金屬層及芯片連接示意圖的俯視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的SIM卡模塊塑封過程示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的SIM卡模塊沖切之后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的7816大卡沖切結(jié)構(gòu)示意圖；首先，采集圖像，并對背景建模，提取前景區(qū)域；其次，采用訓(xùn)練好的模型識別前景區(qū)域，得到物體類型；這種離線訓(xùn)練識別方法，效果較好，但是，采集和標(biāo)定訓(xùn)練樣本的工作量 很大，不利于實現(xiàn)，而且，受所釆集訓(xùn)練樣本模式的影響較大，會出現(xiàn)在一類 場景中采集的樣本訓(xùn)練得到的模型對其他場景效果不好，而采集所有場景的樣 本進(jìn)行訓(xùn)練，分類器又收斂緩慢，造成處理速度降低，而且，資源代價很高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種物體類型的在線訓(xùn)練和識別方 法及其系統(tǒng)，克服傳統(tǒng)基于離線的方式運算緩慢，不能更好地適應(yīng)應(yīng)用場景的 缺陷。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種物體類型的在線訓(xùn)練和識別方法，其特點在于，包括進(jìn)行圖像采集，并對所采集到的圖像進(jìn)行背景建模；根據(jù) 建模結(jié)果提取前景物體區(qū)域，并對該區(qū)域是否目標(biāo)物體類型進(jìn)行初歩驗證；將 通過初步驗證的樣本作為正樣本，而將背景圖像中存在的相同形狀的區(qū)域作為 反樣本；提取當(dāng)前搜集的正樣本和反樣本的特征，并送入在線物體訓(xùn)練模型進(jìn) 行在線訓(xùn)練，采用訓(xùn)練好的模型對所提取的前景物體區(qū)域的物體類型進(jìn)行類型 識別，得到物體類型。優(yōu)選地，在提取前景物體區(qū)域之后和進(jìn)行初歩驗證之前，還包括對所提 取的前景物體區(qū)域進(jìn)行物體分割。優(yōu)選地，所述進(jìn)行物體分割的步驟包括訓(xùn)練目標(biāo)類物體的物體模型；按 照物體的形狀對各種不同尺度，處于所提取的前景物體區(qū)域中不同位置的圖像 區(qū)域采用該物體模型進(jìn)行判定；如果該尺度該位置的圖像區(qū)域通過了該物體模 型，則認(rèn)為該圖像區(qū)域為一個該目標(biāo)類物體，從而將所述前景物體區(qū)域中粘連 在一起的多個物體分開，將分割后的前景物體區(qū)域輸出以進(jìn)行物體類型識別。優(yōu)選地，所述進(jìn)行目標(biāo)物體類型初步驗證的過程包括離線采集標(biāo)定目標(biāo) 類物體的樣本，并訓(xùn)練該目標(biāo)類物體的PCA空間；在線訓(xùn)練時，將獲取的前景物體區(qū)域投影到該目標(biāo)類物體的PCA空間上，得到投影向量，如果投影向量的二范數(shù)大于預(yù)設(shè)的第一閾值，則認(rèn)為是該類物體，作為正樣本訓(xùn)練，否則， 認(rèn)為不是，拋棄。寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，為15x25mm。如圖2c所示，在絕緣層12上刻蝕出通孔，露出第一金屬層ll,這些 通孔所露出的部分第一金屬層11為第一金屬層的觸點13。觸點13用來與 芯片PAD互連，保證SIM卡芯片與第一金屬層11的導(dǎo)電互連。在絕緣層 12的兩側(cè)邊緣具有與封裝設(shè)備連接的傳輸孔14。確定芯片在絕緣層12上不具有第一金屬層11的一面的連線位置，并 在所述連線位置形成第二金屬層15，具體為步驟ll)在絕緣層12沒有黏結(jié)第一金屬層11的自由表面黏結(jié)第二金 屬層，即第二金屬層和第一金屬層11之間為絕緣層12;步驟12)確定芯片在絕》彖層12上的黏結(jié)位置M人而可以知道芯片PAD 與觸點13的連線位置。保留所述連線位置的第二金屬層，將其余位置的 第二金屬層腐蝕掉，這樣保留的第二金屬層就是第二金屬層15。在本實施例中，先確定將要粘貼芯片16的位置，因為芯片16的PAD 要和觸點13相連，保證SIM卡芯片可以正常與外部通信。這樣就可以確 定要連接的芯片16的PAD和觸點13的位置，然后把要連接的芯片16的 PAD和觸點13之間的第二金屬層掩蓋，將其余位置的第二金屬層腐蝕掉， 這樣保留的第二金屬層就是第二金屬層15。將芯片黏結(jié)在絕緣層12上具有第二金屬層15所在的一面，位于第二 金屬層15的旁邊。如圖2c所示，將芯片16和芯片26粘貼在絕緣層12上第二金屬層15 所在的一面，位于第二金屬層15旁邊。然后，用第二金屬層15和金屬線 19連^矣SIM卡芯片16的PAD和觸點13。如圖2c所示，將芯片16的PAD 和條帶狀的第二金屬層15的一端用金屬線19連接，將條帶狀第二金屬層 15的另一端與觸點13連接。這樣，保證了 SIM卡芯片可以正常與外部通 信。在本實施例中，要封裝的SIM卡包括存儲芯片和控制芯片兩塊芯片， 因此不同芯片的PAD要進(jìn)行連接，所以進(jìn)一步還包括將芯片16和芯片26 的PAD位置確定，將要連線的芯片16和芯片26的PAD之間的第二金屬層掩蓋，然后，將其余位置的第二金屬層腐蝕掉。如圖2c所示的，腐蝕之后保留的條帶狀金屬層就是第二金屬層15。如圖2c所示，第二金屬層15 為兩個分立條帶狀結(jié)構(gòu)。除上述之外，要保留的第二金屬層的位置可以根據(jù)不同的連線需要來 確定，最后留存下來的第二金屬層可以是任意的形狀。除上述之外，在絕緣層上形成第二金屬層也可以用其他的方式，例如 電鍍、刻蝕的方式。在本實施例中，用第二金屬層連接SIM卡芯片和第一金屬層之后，進(jìn) 一步包括，將芯片16的PAD和條帶狀的第二金屬層15的一端用金屬線19 連接，將條帶狀第二金屬層15的另一端與芯片26用金屬線19連接。在圖2c中只是示出了芯片的一個PAD和第一金屬層11的一個觸點之 間通過第二金屬層15和金屬線19連接；兩個芯片之間的PAD通過第二金 屬層和金屬線19連接的情況。另外圖2c中示出的芯片為兩個，當(dāng)然根據(jù) 實際情況芯片可以是一個或者是多個。根據(jù)實際需要芯片的其他PAD和第 一金屬層11的其它觸點之間的連接可以根據(jù)具體情況通過第二金屬層、 第二金屬層和金屬線、或者只由金屬線來實現(xiàn)。各個芯片的PAD之間的連 接也可能通過第二金屬層、第二金屬層和金屬線、或者只由金屬線來實現(xiàn)。在另一個實施例中，例如在單芯片SIM卡封裝結(jié)構(gòu)中，不存在多芯片 的封裝，只存在大尺寸芯片的封裝問題，因此不包括將不同芯片的PAD 用第二金屬層連接的步驟。在大容量SIM卡的封裝中，由于芯片設(shè)計時需要盡可能的減d、芯片本 身的面積，對芯片上PAD的排列有所限制，不能完全按照芯片封裝的最佳 需要進(jìn)行PAD排列，或者在多芯片封裝時， 一般需要將控制芯片、存儲芯 片和第一金屬層的觸點連接起來以便進(jìn)行信號傳送，但由于連接金屬線很 長，對于金屬線的高度和強度很難控制，大大降低的產(chǎn)品的可靠性。本發(fā) 明用第二金屬層代替了一部分金屬線，使得金屬線的長度減小，保證了金屬線的連4妄強度。圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的SIM卡才莫塊塑封過程示意圖。在另一個實施例中，SIM卡封裝方法進(jìn)一步，如圖3所示，用灌注的 方法將SIM卡的芯片16、芯片26、第二金屬層15、金屬線19、第一金屬 層的觸點13,以及絕緣層12整體塑封成為長25mm、寬15鵬、厚度760ja m的結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述塑封的步驟為A、使用模具的上模21和下模22將 SIM卡模塊夾在中間，在SIM卡芯片16、芯片26、第二金屬層15、金屬 線19、第一金屬層11的觸點以及絕緣層12上方形成一個矩形空腔25; B、 將模具加熱到塑封材料的熔點溫度；C、將固體的塑封材料送至模具通孔 23，塑封材料在模具通孔23處融化為液態(tài)灌入所述空腔25內(nèi)；D、待塑 封材料注滿空腔25后冷卻，使塑封材料變?yōu)楣虘B(tài)。在一個實施例中，所述塑封的步驟具體實現(xiàn)為如圖3所示，本實施例中，使用的模具包括上模21和下模22。其中， 上模21的下表面具有矩形凹槽，矩形凹槽的尺寸為長25mm,寬15mm，矩 形凹槽的高度加上絕緣層和第一金屬層的厚度為760/am。上模21在矩形 凹槽的對應(yīng)位置具有通孔23,通孔23位于矩形凹槽的底面或者側(cè)面上， 貫穿上模21。通孔23的軸截面直徑為30lim到60jam。下模22的上表面 為平面。當(dāng)進(jìn)行SIM卡模塊塑封時，上模21的矩形凹槽邊緣與絕緣層12接觸， 下模22的上表面緊貼第一金屬面，將SIM卡模塊緊密夾在模具中間。芯 片16、芯片26、第二金屬層15,金屬線19以及觸點位于上模21的凹槽 的對應(yīng)位置。上模21下表面的凹槽和SIM卡模塊的需要塑封的表面圍成 一個封閉空腔25。芯片16、芯片26、第二金屬層15,金屬線19以及第 一金屬層的觸點位于空腔25內(nèi)。上模21的通孔23貫穿上才莫的凹槽和上 表面，使所述空腔25與外界連通。優(yōu)選的，所述塑封材料為添加特定比例金剛砂和固化劑的環(huán)氧樹脂。 之后，^^莫具加熱到塑封材料的熔點溫度，本實施例中為添加特定比 例金剛砂和固化劑的環(huán)氧樹脂，因此把模具加熱到170度至180度之間， 塑封材料在此溫度時從固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)。然后，將固體的塑封材料送至上模的通孔23處。通孔23位于上模21 的頂部。塑封材料在通孔23處融化為液態(tài)，從通孔23流入空腔25內(nèi)。 在本實施例中，塑封材料在40秒至50秒的時間注滿腔體并固化為固體。 此為塑封料的特性決定，它是在一定的溫度下可以轉(zhuǎn)化為液體，保持很短 的時間后又轉(zhuǎn)換為固體，40秒至50秒的時間為塑封料從液體轉(zhuǎn)化為固體 后又有一定時間的固化，保證了塑封料轉(zhuǎn)化為固體后可以充分的固化。 待塑封材料固化后，取下模具。這樣就形成了塑封之后的SIM卡模塊。 對SIM卡模塊塑封，在傳統(tǒng)的SIM卡封裝過程中，由于SIM卡模塊要 與PLUG-IN卡粘接，在PLUG-IN卡中沖出SIM卡模塊的卡槽時，需要留出 一定的厚度，限制了 SIM卡模塊封裝時的厚度，為了兩者很好的配合，一 般限制SIM模塊的厚度必須小于580 ym。利用本發(fā)明的SIM卡封裝方法進(jìn) 行SIM卡模塊塑封時，可以塑封SIM卡模塊的尺寸和PLUG-IN小卡的尺寸 一致，長為25mm，寬為15mm,厚度760jam。因為，塑封SIM卡模塊的尺 寸和PLUG-IN小卡的尺寸一致，因此也就不需要再嵌入到PLUG-IN小卡內(nèi)， 因此SIM卡封裝的厚度塑封的與7816大卡的厚度一致，保持為760 pm。 在一個實施例中，所述SIM卡封裝方法在塑封之后進(jìn)一步的還包括 將塑封之后的SIM卡模塊嵌入7816大卡內(nèi)的步驟。圖4是本發(fā)明一個實施例的SIM卡模塊沖切之后的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖5是本發(fā)明一個實施例的7816大卡沖切結(jié)構(gòu)示意圖。 在本發(fā)明的一個實施例中，將塑封之后的SIM卡模塊嵌入7816大卡 內(nèi)的步驟具體實現(xiàn)為首先，將塑封之后的SIM卡模塊沖切成PLUG-IN小卡的形狀，如圖4 所示，由于采用本發(fā)明塑封后的SIM卡;^莫塊的尺寸和PLUG-IN小卡尺寸相 同，因此不需要再嵌入PLUG-IN小卡。這樣，為了沖切之后的PLUG-IN小 卡能和7816大卡很好的連接，本發(fā)明采用了在SIM卡模塊的至少兩側(cè)沖 出突出部分31。然后，如圖5所示，相應(yīng)的將7816大卡內(nèi)部沖出與PLUG-IN小卡尺 寸相當(dāng)?shù)陌疾?2,用來容納PLUG-IN小卡。并且，在凹槽32的邊緣沖切出與PLUG-IN小卡的突出部分31的尺寸和厚度相當(dāng)?shù)娜笨?33，用來容納 小卡的突出部分31。最后，將沖切之后的PLUG-IN小卡放置于7816大卡的凹槽32處，小 卡的突出部分31至于大卡的缺口 33中，將小卡的突出部分31與大卡的 缺口 33黏結(jié)。這樣就形成了符合7816標(biāo)準(zhǔn)的大卡。為了保證PLUG-IN小 卡和7816大卡兩者之間更好的強度，根據(jù)粘接劑的強度可以增加多個粘 接區(qū)域，保證兩者之間最終的粘接強度不小于25N即可。由于模塊封裝的基材沒有改變，可以完全適用傳統(tǒng)的SIM卡模塊封裝 設(shè)備。本發(fā)明的PLUG-IN小卡與7816大卡之間連接的方法既適用于大面 積及多芯片封裝的接觸式智能卡產(chǎn)品，又兼容傳統(tǒng)的reel-to-reel生產(chǎn) 設(shè)備。圖6a為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的SIM卡的封裝結(jié)構(gòu)剖視圖，圖 6b為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的SIM卡的第一金屬層，絕緣層、第二金 屬層及芯片連接示意圖的俯^L圖。如圖6a和6b所示，所述封裝結(jié)構(gòu)的最底層為第一金屬層11;第一金 屬層11的上層為絕緣層12;絕緣層12的上層包括第二金屬層15和SIM 卡芯片16, SIM卡芯片26，第二金屬層15為分立的兩個條帶狀結(jié)構(gòu)。第 二金屬層15的條帶狀結(jié)構(gòu)的一端用金屬線19與SIM卡芯片16的PAD相 連，第二金屬層15的另一端與第一金屬層的觸點13相連；絕緣層12、第 二金屬層15、金屬線19、觸點13以及SIM卡芯片16上方具有塑封層60。根據(jù)不同的連線需要第二金屬層可以是任意的形狀。在圖6b中只是示出了芯片的一個PAD和第一金屬層11的一個觸點之 間通過第二金屬層15和金屬線19連接；兩個芯片之間的PAD通過第二金 屬層和金屬線19連接的情況。另外圖6b中示出的芯片為兩個，當(dāng)然根據(jù) 實際情況芯片可以是一個或者是多個。根據(jù)實際需要芯片的其他PAD和第 一金屬層11的其它觸點之間的連接可以根據(jù)具體情況通過第二金屬層、 第二金屬層和金屬線、或者只由金屬線來實現(xiàn)。各個芯片的PAD之間的連 接也可能通過第二金屬層、第二金屬層和金屬線、或者只由金屬線來實現(xiàn)。其中，所述的SIM卡的封裝結(jié)構(gòu)還包括第二金屬層15還連接SIM 卡芯片16的PAD和SIM卡芯片26的PAD。其中，所述的SIM卡的封裝結(jié)構(gòu)長a為25mm,寬b為15mm,高度c 為760 |nm。另外本發(fā)明的智能卡的封裝方法還可以應(yīng)用于除SIM之外的其它形式 的智能卡中。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù) 實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā) 明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種智能卡的封裝方法，步驟包括提供一絕緣層；在絕緣層上形成第一金屬層；確定芯片在絕緣層上不具有第一金屬層的一面的連線位置，并在所述連線位置形成第二金屬層；將芯片黏結(jié)在絕緣層上第二金屬層所在的一面；用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層，使芯片和第一金屬層導(dǎo)電互連。
2、 如權(quán)利要求1所述的智能卡的封裝方法，其特征在于用電 鍍、腐蝕或蝕刻的方法形成第二金屬層。
3、 如權(quán)利要求1所述的智能卡的封裝方法，其特征在于所述 第一金屬層的平面尺寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，為15x25mm。
4、 如權(quán)利要求1所述的智能卡的封裝方法，其特征在于用第 二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層之后，還 包括用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接不同的芯片，使 不同的芯片導(dǎo)電互連。
5、 如權(quán)利要求1所述的智能卡的封裝方法，其特征在于用第 二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層之后，還 包括塑封的步驟，具體為使用灌注方法將芯片、第二金屬層、金屬 線以及絕緣層塑封為長25mm、寬15mm、厚度760 |a m的結(jié)構(gòu)。
6、 如權(quán)利要求5所述的智能卡的封裝方法，其特征在于所述 塑封的步驟包括A、 使用模具的上模和下模將智能卡?？鞀A在中間，在芯片、第 二金屬層、金屬線以及絕緣層上方形成一個矩形空腔；B、 將模具加熱到塑封材料的熔點溫度；C、 將固體的塑封材料送至^^莫具的通孔，塑封材料在通孔處融化 為液態(tài)灌入所述空腔內(nèi)；D、 待塑封材料注滿空腔后冷卻，使塑封材料變?yōu)楣虘B(tài)。
7、 如權(quán)利要求6所述的智能卡的封裝方法，其特征在于所述 的塑封材料為環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂包含金剛砂和固化劑。
8、 如權(quán)利要求5所述的智能卡的封裝方法，其特征在于在所 述塑封的步驟之后還包括將塑封之后的智能卡模塊嵌入7816大卡 內(nèi)的步驟，具體為將塑封之后的智能卡模塊沖切成PLUG-IN小卡的形狀，并且至少 兩側(cè)沖出突出部分，將7816大卡內(nèi)部沖出與PLUG-IN小卡尺寸相當(dāng) 的凹槽，在凹槽的邊緣具有與PLUG-IN小卡的突出部分尺寸和厚度相 當(dāng)?shù)娜笨?，將沖切之后的智能卡放置于7816大卡的凹槽處，將所述 智能卡的突出部分與7816大卡的缺口黏結(jié)。
9、 一種智能卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述封裝結(jié)構(gòu)的最底層為第一金屬層；第 一金屬層的上層為絕緣層；絕緣層的上層i殳有第二金屬層和芯片，第二金屬層或者、第二金 屬層和金屬線導(dǎo)電連接芯片和第 一金屬層；絕緣層、第二金屬層、金屬線以及芯片上方或者絕緣層、第二金 屬層以及芯片上方為塑封層。
10、 如權(quán)利要求9所述的智能卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 芯片至少為兩個，所述第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線導(dǎo)電連 接不同的芯片。
11、 如權(quán)利要求9所述的智能卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的智能卡的封裝結(jié)構(gòu)長為25mm,寬為15mm,厚度為760 pm。
12、 如權(quán)利要求9所述的智能卡的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 第一金屬層的平面尺寸與PLUG-IN小卡的平面尺寸相同，為15x25mm
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SIM卡的封裝方法，包括步驟提供一絕緣層；在絕緣層上形成第一金屬層；確定芯片在絕緣層上不具有第一金屬層的一面的連線位置，并在所述連線位置形成第二金屬層；將芯片黏結(jié)在絕緣層上第二金屬層所在的一面；用第二金屬層或者、第二金屬層和金屬線連接芯片和第一金屬層，使芯片和第一金屬層導(dǎo)電互連。本發(fā)明增加第二金屬層，用第二金屬層代替了部分金屬連線，降低了金屬連線的長度，保證了金屬線連接的強度，使得貼片區(qū)域最大化，最大的兼容了可封裝面積，并且采用灌注的塑封工藝，克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的大容量SIM卡封裝問題。
文檔編號G06K19/077GK101221630SQ20081005732
公開日2008年7月16日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者任戰(zhàn)波, 張俊超 申請人:大唐微電子技術(shù)有限公司