一種預(yù)置膠膜的芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種集成電路芯片及集成電路封裝技術(shù)，特別涉及一種智能卡用集成電路芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，集成電路的集成度日益提高，功能越來(lái)越豐富。對(duì)于不斷出現(xiàn)的新應(yīng)用需求，要求集成電路封裝企業(yè)能設(shè)計(jì)出新型的封裝形式來(lái)配合新的需求。
[0003]目前，在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，固晶的方式大都采用銀漿點(diǎn)膠固晶的方式；特別是在智能卡模塊封裝領(lǐng)域，傳統(tǒng)的智能卡模塊無(wú)一例外的都采用銀漿固晶的方式將芯片安裝到載帶上，通過(guò)加熱將銀漿固化，再進(jìn)行后續(xù)的引線焊接、封裝、測(cè)試等工序。采用銀漿點(diǎn)膠的工藝，存在生產(chǎn)工藝繁瑣、材料成本高、材料損耗大，生產(chǎn)效率低等缺點(diǎn)。
[0004]為此，開(kāi)發(fā)新的生產(chǎn)工藝和新的技術(shù)，是本領(lǐng)域亟需要解決的問(wèn)題，行業(yè)內(nèi)也出現(xiàn)了采用倒封裝的工藝來(lái)替代傳統(tǒng)的引線焊接工藝實(shí)現(xiàn)智能卡模塊的生產(chǎn)，但是這種方式有它的局限性，比如載帶的通用性不強(qiáng)，每種芯片必須配套設(shè)計(jì)專用的智能卡載帶，載帶上的焊盤(pán)和芯片必須一一對(duì)應(yīng)，更換芯片必須同時(shí)更換載帶，這種方式對(duì)于中小批量，多型號(hào)的生產(chǎn)非常不利。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]針對(duì)現(xiàn)有的智能卡模塊生產(chǎn)工藝繁瑣、生產(chǎn)成本高且生產(chǎn)效率低等問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種預(yù)置膠膜的芯片。該智能卡芯片，可以方便地用于智能卡和半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，可以有效簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程，提高生產(chǎn)效率，更降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案:
[0007]一種預(yù)置膠膜的芯片，包括芯片電路層，其特征在于，所述芯片還包括膠膜層，所述膠膜層預(yù)設(shè)在芯片的電路層的反面，該膠膜層與芯片的電路層反面對(duì)應(yīng)配合且緊密貼入口 ο
[0008]進(jìn)一步的，所述的膠膜層具有隨溫度變化而產(chǎn)生狀態(tài)和粘性變化的特性，常溫下膠膜呈固態(tài)，加熱后膠膜融化，并產(chǎn)生較強(qiáng)的粘結(jié)力，膠膜的低溫融化溫度在50-100°C之間。
[0009]進(jìn)一步的，所述的膠膜層經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)不可再次融化。
[0010]進(jìn)一步的，所述的膠膜層經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)可以再次融化。
[0011]進(jìn)一步的，所述的膠膜層經(jīng)100-200°c快速高溫加熱后達(dá)到最終固化，最終固化后再次加熱不能融化，具有不可回溯的特性。
[0012]進(jìn)一步的，所述的膠膜層厚度均勾為5?30um。
[0013]本實(shí)用新型提供的預(yù)置膠膜的芯片，其在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程可以省去固晶過(guò)程中的銀漿點(diǎn)膠的工藝，部分情況下更可以省去了加熱固化的制程，大大節(jié)約了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)也降低了由于點(diǎn)膠調(diào)試而浪費(fèi)的原材料損耗，并徹底解決了點(diǎn)膠過(guò)程中的不良率問(wèn)題，為產(chǎn)品的批量生產(chǎn)提供了技術(shù)保障。
[0014]再者本實(shí)用新型提供的方案能夠適應(yīng)半導(dǎo)體、集成電路領(lǐng)域的封裝要求，更適合在智能卡模塊領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，將極大地推動(dòng)全球智能卡模塊封裝行業(yè)發(fā)展，具有較好的應(yīng)用前景。
【附圖說(shuō)明】
[0015]以下結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0016]圖1為本實(shí)用新型中晶圓電路背面貼附固晶薄膜的示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型中晶圓電路面貼附固晶薄膜并涂布膠膜的示意圖；
[0018]圖3為本實(shí)用新型中經(jīng)過(guò)預(yù)置了膠膜的晶圓經(jīng)過(guò)切割工序后的示意圖；
[0019]圖4為本實(shí)用新型中經(jīng)過(guò)預(yù)置膠膜后的單個(gè)芯片及膠膜示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0021]參見(jiàn)圖4，其所示為本實(shí)用新型提供的經(jīng)過(guò)預(yù)置膠膜后的單個(gè)芯片及膠膜示意圖。
[0022]由圖可知，整個(gè)芯片由芯片電路層32以及預(yù)置并覆蓋在芯片電路層32反面的膠膜層4構(gòu)成。該膠膜層4厚度均勻，其大小、形狀都與芯片電路層32方面相對(duì)應(yīng)，并緊密貼合在芯片電路層32方面上。
[0023]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，構(gòu)成膠膜層4的膠膜具有隨溫度變化而產(chǎn)生狀態(tài)和粘性變化的特性，常溫下膠膜呈固態(tài)，加熱后膠膜融化，并產(chǎn)生較強(qiáng)的粘結(jié)力，膠膜的低溫融化溫度在50-100 °C 之間。
[0024]進(jìn)一步的，構(gòu)成膠膜層4的膠膜經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)不可再次融化。
[0025]作為替代方案，構(gòu)成膠膜層4的膠膜，也可采用經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)可以再次融化的膠膜。
[0026]作為替代方案，構(gòu)成膠膜層4的膠膜，還可采用經(jīng)100-200°C快速高溫加熱后達(dá)到最終固化，最終固化后再次加熱不能融化，具有不可回溯的特性的膠膜。
[0027]利用上述膠膜構(gòu)成的膠膜層4的厚度均勻，且厚度為5?30um。
[0028]以下通過(guò)一具體實(shí)例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的方案:
[0029]參見(jiàn)圖1，其所示為本實(shí)例中晶圓電路背面貼附固晶薄膜的示意圖。
[0030]一般情況下，未經(jīng)切割加工的晶圓3，其電路面標(biāo)記31向上放置，晶圓的電路反面和固晶薄膜2通過(guò)固晶薄膜上的薄膜膠體21將晶圓附著起來(lái)，起到固定晶圓的作用。金屬支撐架I用于將固晶薄膜平整可靠地固定起來(lái)。
[0031]在進(jìn)行涂膠工序前，需要將晶圓3翻轉(zhuǎn)180度，即使得電路標(biāo)記面(即正面)向下放置，使晶圓的電路正面和固晶薄膜貼合。翻模過(guò)程應(yīng)采用先貼新膜后除舊膜的方式進(jìn)行，膜應(yīng)貼附平整可靠，
[0032]參見(jiàn)圖2，為本實(shí)例中晶圓電路面貼附固晶薄膜并涂布膠膜的示意圖，在經(jīng)過(guò)晶圓翻模工藝后，金屬支撐架I將固晶薄膜2有效固定起來(lái)，晶圓3的電路正面和固晶薄膜的薄膜膠體21貼附在一起；并且，晶圓3的電路反面暴露。
[0033]針對(duì)暴露出的晶圓3的電路反面，通過(guò)涂膠設(shè)備，將膠體涂布在晶圓3的電路反面表面，固化后形成膠膜層4。
[0034]待膠膜完全干透后，再次將晶圓翻模，將預(yù)置了膠膜的晶圓的膠膜層4和固晶薄膜2的薄膜膠體21貼合在一起，待切割(參見(jiàn)圖3)。
[0035]參見(jiàn)圖3，為本實(shí)例中經(jīng)過(guò)預(yù)置了膠膜的晶圓經(jīng)過(guò)切割工序后的示意圖。將完成膠膜涂布和翻模的晶圓通過(guò)晶圓切割設(shè)備按要求切割好，形成一顆顆獨(dú)立的芯片32待封裝使用。具體過(guò)程如下:
[0036]完成膠膜涂布和固化的晶圓，由金屬支撐架I將固晶薄膜2有效固定起來(lái)，經(jīng)過(guò)翻模，使得晶圓3的電路面標(biāo)記31向上，膠膜層4向下和固晶薄膜2的薄膜膠體21貼附在一起，芯片32之間形成相應(yīng)的切割槽33，使芯片32之間相互獨(dú)立，芯片32底部的膠膜4也通過(guò)切割槽33獨(dú)立，該切割槽的深度控制在大于膠膜底部的深度。
[0037]參見(jiàn)圖4，為本實(shí)例中經(jīng)過(guò)預(yù)置膠膜后的單個(gè)芯片及膠膜示意圖，芯片被取下后膠膜層4和芯片32附著在一起。
[0038]利用上述預(yù)置了膠膜的芯片進(jìn)行智能卡模塊的生產(chǎn)時(shí)，將芯片安裝在載帶上加熱固化，然后經(jīng)過(guò)引線焊接、封裝、測(cè)試等工藝，形成性能穩(wěn)定的封裝模塊。采用該芯片進(jìn)行模塊的封裝，不僅可以省去設(shè)備點(diǎn)膠的工序，大大提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)避免了由于點(diǎn)膠制程產(chǎn)生的不良率，有效降低了產(chǎn)品成本，整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程可以延用現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
[0039]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種預(yù)置膠膜的芯片，包括芯片電路層，其特征在于，所述芯片還包括膠膜層，所述膠膜層預(yù)設(shè)在芯片的電路層的反面，該膠膜層與芯片的電路層反面對(duì)應(yīng)配合且緊密貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)置膠膜的芯片，其特征在于，所述的膠膜層具有隨溫度變化而產(chǎn)生狀態(tài)和粘性變化的特性，常溫下膠膜呈固態(tài)，加熱后膠膜融化，并產(chǎn)生粘結(jié)力，膠膜的低溫融化溫度在50-100°C之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)置膠膜的芯片，其特征在于，所述的膠膜層經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)不可再次融化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)置膠膜的芯片，其特征在于，所述的膠膜層經(jīng)過(guò)一次低溫加熱融化后在常溫下固化，在二次低溫加熱時(shí)可以再次融化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種預(yù)置膠膜的芯片，其特征在于，所述的膠膜層經(jīng)100-200°C快速高溫加熱后達(dá)到最終固化，最終固化后再次加熱不能融化，具有不可回溯的特性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的一種預(yù)置膠膜的芯片，其特征在于，所述的膠膜層厚度均勾為5?30um。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種預(yù)置膠膜的芯片，該芯片的電路層反面上預(yù)置膠膜層，該膠膜層與芯片的電路層反面對(duì)應(yīng)配合且緊密貼合。本實(shí)用新型提供的芯片的背面預(yù)置了膠膜，將芯片安裝在載帶上加熱固化，然后經(jīng)過(guò)引線焊接、封裝、測(cè)試等工藝，形成性能穩(wěn)定的封裝模塊。采用該芯片進(jìn)行模塊的封裝，可以省去設(shè)備點(diǎn)膠的工序，大大提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)避免了由于點(diǎn)膠制程產(chǎn)生的不良率，有效降低了產(chǎn)品成本，整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程可以延用現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行大批量生產(chǎn)。
【IPC分類】H01L23-02, C09J7-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204441272
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420871900
【發(fā)明人】楊輝峰, 沈建
【申請(qǐng)人】上海儀電智能電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2014年12月30日