專利名稱：天線比決定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)，特別是有關(guān)于通過模型擷取來預(yù)防先進(jìn)制程的電路設(shè)計(jì)所產(chǎn)生天線效應(yīng)的方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路技術(shù)持續(xù)進(jìn)步及電路密度變得更高，天線效應(yīng)成為在現(xiàn)今超大型集成電路系統(tǒng)中可靠度的重要議題之一，特別是在超大型集成電路設(shè)計(jì)中繞線階段。天線問題為各種植基于等離子制程(如蝕刻)的副作用。上述植基于等離子制程被廣泛使用，以在現(xiàn)代集成電路中獲致精細(xì)的尺寸。
等離子蝕刻機(jī)或離子注入機(jī)會于隔離的導(dǎo)線感應(yīng)電壓，因而超過薄柵極氧化層的耐壓度。多晶硅或金屬導(dǎo)線會如天線般聚集電荷，且所累積的電荷可能造成氧化層擊穿。在制造過程中，金屬或穿孔上所感應(yīng)的電荷可能會損壞元件。上述電荷在熱載流子元件老化過程，亦可能有負(fù)面效應(yīng)。再者，因?yàn)殡S著超大型集成電路設(shè)計(jì)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，故期望新元件的氧化層能變得更薄，所以天線效應(yīng)的問題更受到正視。
為了降低或消弭天線效應(yīng)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)形成“天線”的導(dǎo)體(諸如金屬或多晶硅內(nèi)連線等)實(shí)際占有面積與天線電性耦接的所有柵極氧化層面積的比例應(yīng)受限制，以避免產(chǎn)生太多電荷而形成天線效應(yīng)。天線效應(yīng)的發(fā)生是可預(yù)測的，且其比例可由設(shè)計(jì)驗(yàn)證及布局軟件計(jì)算出來，例如眾所周知的“設(shè)計(jì)規(guī)則檢查”(“designrule check”(“DRC”))程序。
最常用以降低天線效應(yīng)的傳統(tǒng)方法是根據(jù)每層與柵極面積的比例來預(yù)先判斷天線效應(yīng)。通過得知某一面積的天線效應(yīng)比例，即可調(diào)整電路設(shè)計(jì)(如系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì))的內(nèi)連線的實(shí)體布局以預(yù)防天線效應(yīng)。此傳統(tǒng)方法可由每一金屬層來決定該天線效應(yīng)，且用于0.18um或以上的鋁制程可獲致良效。然而，對其他諸如0.13um、90nm及以下的銅制程而言并不那么有效率(其銅制程與鋁制程相比需要較多金屬層)。再者，當(dāng)金屬制程的尺寸變得更小，金屬層的數(shù)目亦隨之增加。
因此，在該技術(shù)領(lǐng)域中，需要改善對于各種制程中，決定天線比及消弭其天線效應(yīng)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供適用于系統(tǒng)單晶片的階層式或標(biāo)準(zhǔn)元件庫設(shè)計(jì)(cell-based design)的若干天線模型，其利用累積的金屬比例而非檢查每一金屬層來決定上述天線比。
本發(fā)明提出一種決定電路中內(nèi)連線的天線比的方法。上述內(nèi)連線可能繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)電性連接。每一連接層上所有構(gòu)成元件的累積天線比，是考量與上述相關(guān)柵極氧化區(qū)耦接的既定連接層上每一構(gòu)成元件，以及耦接于目前連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間的至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所導(dǎo)致的天線效應(yīng)來決定。以同樣的方式，上述內(nèi)連線的最頂層累積天線比是根據(jù)最頂層以下連接層的累積天線比來決定。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供一種天線比決定方法，適用于一電路中的一內(nèi)連線，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且耦接于至少一柵極氧化區(qū)，上述天線比決定方法包括通過考量一天線效應(yīng)以決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在一既定連接層上與上述既定連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述既定連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成；以及根據(jù)上述累積天線比計(jì)算上述內(nèi)連線的一最頂層累積天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，決定上述累積天線比更包括決定至少一與上述既定連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，更包括決定若干與上述內(nèi)連線相關(guān)的連接層。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，更包括決定與至少一相關(guān)柵極氧化區(qū)耦合的每一連接層上內(nèi)連線的構(gòu)成元件的天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，所計(jì)算出上述內(nèi)連線的天線比屬于至少一上述電路的功能區(qū)塊。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
本發(fā)明還提供一種天線比決定方法，適用于一電路區(qū)塊中的一內(nèi)連線，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)耦接，上述方法包括識別一第一連接層，上述區(qū)塊的一接腳與上述內(nèi)連線在上述第一連接層耦合；通過考量一天線效應(yīng)以決定上述第一連接層相關(guān)的內(nèi)連線的所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在上述第一連接層上與上述第一連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述第一連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成；以及計(jì)算至少一與在上述第一連接層上至少一連接層相關(guān)的累積天線比，其計(jì)算方式就如同決定上述第一連接層的累積天線比直到獲得一最頂連接層的累積天線比，其中上述最頂連接層的累積天線比是上述內(nèi)連線的天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，上述決定累積天線比更包括決定至少一與上述第一連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
本發(fā)明又提供一天線比決定方法，適用于決定一電路區(qū)塊中一內(nèi)連線的一天線比，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)耦接，上述方法包括決定若干與上述內(nèi)連線相關(guān)的連接層；通過考量一天線效應(yīng)以決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在一既定連接層上與上述既定連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述既定連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成，其中上述決定一既定連接層上的上述構(gòu)成元件的一累積天線比更包括決定至少一與上述既定連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比；以及計(jì)算一上述內(nèi)連線的最頂層累積天線比，此計(jì)算是根據(jù)上述累積天線比而得。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，所計(jì)算出上述內(nèi)連線的天線比屬于至少一上述電路的功能區(qū)塊。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
本發(fā)明所述的天線比決定方法，上述決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比更包括決定至少一與至少一相關(guān)柵極氧化區(qū)耦合的每一連接層上內(nèi)連線的構(gòu)成元件的天線比。
本發(fā)明所述的決定天線比的改良技巧讓0.13um、90nm及以下的銅制程的系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)能夠預(yù)防天線效應(yīng)。


圖1A是顯示用于0.13um、90nm或以下銅制程的多層金屬層的圖解；圖1B是本發(fā)明的第一實(shí)施例，顯示圖1A中計(jì)算銅制程的天線效應(yīng)的累積天線比；圖2是本發(fā)明的第二實(shí)施例，顯示系統(tǒng)單晶片的布局，該圖展示用于最頂層分析階段的介面天線模型；圖3A是顯示另以0.13um、90nm、或以下的銅制程的多層金屬層的圖解，以圖2的介面天線模型來完成；圖3B是本發(fā)明的第三實(shí)施例，顯示由使用抽象模型擷取法而得到圖3A中銅制程天線比的計(jì)算。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
本發(fā)明是通過模型擷取來預(yù)防先進(jìn)制程的電路設(shè)計(jì)所產(chǎn)生天線效應(yīng)的方法。對電路設(shè)計(jì)布局而言，關(guān)于電路區(qū)塊的內(nèi)連線的邊界信息(包括天線比的信息)是必要的。通過適當(dāng)?shù)刈R別天線比，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(design rule check；DRC)工具程序可調(diào)整及減少有缺陷的設(shè)計(jì)。天線效應(yīng)主要與電路中的內(nèi)連線相關(guān)，而且就此而言，該內(nèi)連線主要包括金屬內(nèi)連線、金屬結(jié)構(gòu)或多晶硅內(nèi)連線。以下討論是以金屬內(nèi)連線或金屬結(jié)構(gòu)作為說明圖例，而且本發(fā)明可應(yīng)用至其他型態(tài)的內(nèi)連線，只要該型態(tài)的內(nèi)連線會導(dǎo)致如金屬結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的天線效應(yīng)即適用于本發(fā)明。因此，以下圖示說明的金屬層本身只是作為電路連接層的例子。
圖1A是顯示用于銅制程(可為0.13um、90nm或以下)的多層金屬層(圖解100)。
圖解100包括5個(gè)個(gè)別的柵102、104、106、108及110，每一個(gè)柵是耦接至第一層金屬112、114、116及118其中之一。第一層金屬120耦接至擴(kuò)散區(qū)122。接下來，每一第一層金屬112、114、116、118及120分別耦接至第二層金屬124、126及128其中之一，其中每一第二層金屬更耦接至第三層金屬130、132及134其中之一。第三層金屬130與132經(jīng)由第二層金屬136間接聯(lián)結(jié)，而第三層金屬132及134皆耦接至第四層金屬138。
因?yàn)閷τ?.13um、90nm及其以下的銅制程而言，金屬層數(shù)目很多，故根據(jù)每一層與柵極面積比來計(jì)算天線效應(yīng)不符效率。依照本發(fā)明實(shí)施例，天線效應(yīng)可通過計(jì)算所有相關(guān)金屬層的累積天線比來決定。
圖1B是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例，圖解140顯示圖1A的圖解100中，銅結(jié)構(gòu)的天線效應(yīng)是通過計(jì)算所有金屬層中內(nèi)連線的累積天線比而得。如圖所示，累積天線比是根據(jù)相關(guān)四層金屬層所共同決定。首先導(dǎo)出四條方程式142是每一金屬層的方程式，之后被結(jié)合成三個(gè)方程式集144、146及148，用來決定第二、第三及第四金屬層的累積天線比。舉例來說，在方程式區(qū)塊142中，決定了第一層金屬的內(nèi)連線組成元件的天線比，如M112/G102或M114/(G104+G106)，其中每一比例分別由相關(guān)柵極面積所占有相關(guān)金屬面積來決定。因?yàn)闁艠O氧化面積與柵極面積大小相同，且為了本發(fā)明的目的，柵極面積與柵極氧化面積的使用是可交換的。接下來，結(jié)合各別計(jì)算出的天線比以得到圖解100中額外銅結(jié)構(gòu)金屬層的累積天線比。要注意的是，當(dāng)計(jì)算任何上層金屬層的天線比時(shí)，若有多個(gè)與金屬結(jié)構(gòu)相關(guān)的路徑，則使用較大的比值。例如，有關(guān)反映在方程組144的金屬結(jié)構(gòu)126，有兩條路徑，一條通過金屬結(jié)構(gòu)114到達(dá)柵極104與106，而另一條則通過金屬結(jié)構(gòu)116到達(dá)柵極108。在此狀況下，若累積比例為分別為M114/(G104+G106)+M126/(G104+G106+G108)以及M116/G108+M126/(G104+G106+G108)時(shí)，則選擇此兩者中較大者作為金屬結(jié)構(gòu)126的天線比。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)以預(yù)防天線效應(yīng)的方法來執(zhí)行電路布局時(shí)，有兩種模型可供使用。一種為介面天線模型，另一種則為抽象天線模型。圖2是顯示一系統(tǒng)單晶片的布局200，該圖反映了介面天線模型，其可用來加速決定累積天線比的過程。因?yàn)殡娐凡季?00有一些功能區(qū)塊，為了決定其天線效應(yīng)，內(nèi)部繞線包括金屬線202或穿孔形狀，隱藏于區(qū)塊中以便于分析。例如區(qū)塊204從上方來看是可見的，但其所有內(nèi)部繞線信息被隱藏于該區(qū)塊的上層，故自動繞線軟件在系統(tǒng)單晶片組合期間，可能無法識別。這些區(qū)塊可從既定設(shè)計(jì)軟件(如Cadence)中配置及繞線(place androute；P&R)數(shù)據(jù)庫擷取出來。
為達(dá)本發(fā)明的目的，對抽象天線模型及介面天線模型而言，定制功能模組(custom functional module)即周知的軟區(qū)塊(softblock)將被視為硬模組(hard module)(亦即硅智財(cái)(IP))，如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)、快閃只讀存儲器(flash ROM)及硬處理器核心(hard processor core)等。區(qū)塊信息(如某金屬層的內(nèi)部金屬比)將從GDS II檔(是標(biāo)準(zhǔn)布局格式)中擷取出來。利用介面天線模型，可在早期階段檢驗(yàn)出最頂層布局的天線效應(yīng)，而無須深入整個(gè)晶片的每一層，因此避免晚期發(fā)現(xiàn)及重新布局。若于驗(yàn)證時(shí)，發(fā)現(xiàn)任何違反設(shè)計(jì)規(guī)則的情形，則可快速地及早修正布局。
圖3A所示的圖解300顯示另以0.13um、90nm或以下的銅制程制造的銅結(jié)構(gòu)，其中圖2的介面天線模型200亦于最頂層的分析階段完成。
圖解300與圖解100相似，因其包括5個(gè)個(gè)別的柵302、304、306、308及310，其中每一個(gè)耦接至第一層金屬312、314、316及318其中之一。第一層金屬320耦接至擴(kuò)散區(qū)322。接著，每一第一層金屬312、314、316、318及320分別耦接至第二層金屬324、326及328其中之一，其中每一第二層金屬更耦接至第三層金屬330、332、334及336其中之一。第三層金屬332及334經(jīng)由第二層金屬338間接聯(lián)結(jié)，而第三層金屬334及336亦耦接至第四層金屬340。因?yàn)榻槊嫣炀€模型200完成于銅制程最頂層的分析階段，部分銅制程會被隱藏于區(qū)塊342。換言之，所有金屬層、柵及金屬線在系統(tǒng)單晶片組合期間會被區(qū)塊342隱藏起來，而且不被自動繞線程序覺察到。如圖解300所實(shí)現(xiàn)的銅制程最頂層呈現(xiàn)于區(qū)塊344，意味著柵302、第一金屬層312、第二金屬層324及第三金屬層330從外部是不可見的。第三層金屬330及332是同一塊金屬，且被分成輸入部分(表示為第三層金屬332)，及輸出部分(表示為第三層金屬330)。
因?yàn)殂~制程的尺寸持續(xù)縮小，模型擷取演算法會更復(fù)雜，因而造成天線效應(yīng)的計(jì)算更加困難。通過在最頂層的分析階段使用介面天線模型200，可改善及簡化傳統(tǒng)計(jì)算累積天線比的方法。
圖3B是以圖解346顯示使用本發(fā)明另一實(shí)施例所述的方法決定圖3A中銅結(jié)構(gòu)的累積天線比，其是使用于完成階段的抽象天線模型。圖解346中的抽象天線模型可簡化上述圖1B中圖解140所示范計(jì)算累積天線比的復(fù)雜的模型擷取演算法，因?yàn)槟承┬畔?如內(nèi)部金屬層比)被隱藏在圖3A中區(qū)塊344。通過賦予隱藏于區(qū)塊的內(nèi)部信息以便于計(jì)算最頂層比例，可達(dá)成如同顯露內(nèi)部信息的相同計(jì)算。在圖2中圖形介面模型數(shù)目愈多，在圖3B中抽象模型數(shù)目亦愈多。
首先，每一金屬層的天線比被存成內(nèi)部比例，然后被傳遞至下一層，故每一層的方程式仍保有大約相同的長度且不會變得太復(fù)雜。如方程組348及350所示，第三層金屬及第四層金屬的最頂層比例的計(jì)算，與圖1B的方程組146及148相比仍較短。要注意的是，第一層金屬及第二層金屬從外部是不可見的。例如，因?yàn)樵诘谌饘賹?，區(qū)塊342及344是“可見的”，故從此層開始考慮天線比。如方程組348所示，從金屬332來看，柵極區(qū)含括304、306及308，而與金屬結(jié)構(gòu)336下的路徑并不相關(guān)，因其僅經(jīng)由第四金屬層耦接金屬結(jié)構(gòu)334。從金屬結(jié)構(gòu)330/332來看，牽涉的金屬區(qū)為M330及M332。然而，為計(jì)算目前該層，緊鄰下層金屬層的比例需被考慮在內(nèi)。所以，第二層金屬內(nèi)部比例(Second Layer MetalsInternal Ratio；SLMIR)是通過檢驗(yàn)累積的比例來決定。又要注意的是，僅金屬結(jié)構(gòu)326下兩條路徑中較大者才成為第二層金屬內(nèi)部比例(Second Layer Metals Internal Ratio；SLMIR)。用SLMIR，使得金屬結(jié)構(gòu)330/332下兩條路徑易于表示，例如一條以M312/G302+M324/G302來表示，而另一條則以SLMIR來表示。第三層累積的比例可通過將上述兩個(gè)較大者加上介于金屬結(jié)構(gòu)330/332間有關(guān)其下所有柵極的比例(表示為(M330+M332)/(G302+G304+G306+G308))來導(dǎo)出，且可被表示為“總括的比例”。所獲得的累積天線比可用來計(jì)算較上層金屬層的天線比，如方程組350所示。為了便于說明，對第三金屬層而言，該比例被表示為第三層金屬比例(Third Layer Metals Ratio；TLMR)。對相關(guān)第四層金屬而言，因?yàn)榻饘俳Y(jié)構(gòu)336下的路徑是可見的，其為第三層金屬比例(Third Layer Metals Ratio；TLMR)或第三層金屬內(nèi)部比例(Third Layer Metals InternalRatio；TLMIR)中較大者與M340/(G302+G304+G306+G308+G310)的“總括的比例”結(jié)合。
簡而言之，對小尺寸的先進(jìn)金屬制程而言，該累積天線比較每一層天線比為佳。圖解346中抽象天線模型讓天線比的計(jì)算如同執(zhí)行于平坦晶片中。至于階層式布局，介于配置與繞線(place androute；P&R)間的天線估算的差異，及設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(design rulecheck；DRC)工具程序的檢驗(yàn)次數(shù)，可被降低因而減少重新布局。以圖解346中抽象模型及圖2的介面模型，可使0.13um、90nm及以下的銅制程能夠預(yù)防天線效應(yīng)。
雖然本發(fā)明已通過較佳實(shí)施例說明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下100、140、300、346圖解102、104、106、108、110、302、304、306、308、310柵112、114、116、118、120、312、314、316、318、320第一層金屬122、322擴(kuò)散區(qū)124、126、128、136、324、326、328、338第二層金屬130、132、134、330、332、334、336第三層金屬138、340第四層金屬142、144、146、148、348、350方程組200系統(tǒng)單晶片的布局202金屬線204、342、344區(qū)塊
權(quán)利要求
1.一種天線比決定方法，適用于一電路中的一內(nèi)連線，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且耦接于至少一柵極氧化區(qū)，上述天線比決定方法包括通過考量一天線效應(yīng)以決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在一既定連接層上與上述既定連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述既定連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成；以及根據(jù)上述累積天線比計(jì)算上述內(nèi)連線的一最頂層累積天線比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線比決定方法，其特征在于，決定上述累積天線比更包括決定至少一與上述既定連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線比決定方法，其特征在于，更包括決定若干與上述內(nèi)連線相關(guān)的連接層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線比決定方法，其特征在于，更包括決定與至少一相關(guān)柵極氧化區(qū)耦合的每一連接層上內(nèi)連線的構(gòu)成元件的天線比。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線比決定方法，其特征在于，所計(jì)算出上述內(nèi)連線的天線比屬于至少一上述電路的功能區(qū)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線比決定方法，其特征在于，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線比決定方法，其特征在于，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
8.一種天線比決定方法，適用于一電路區(qū)塊中的一內(nèi)連線，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)耦接，上述方法包括識別一第一連接層，上述區(qū)塊的一接腳與上述內(nèi)連線在上述第一連接層耦合；通過考量一天線效應(yīng)以決定上述第一連接層相關(guān)的內(nèi)連線的所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在上述第一連接層上與上述第一連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述第一連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成；以及計(jì)算至少一與在上述第一連接層上至少一連接層相關(guān)的累積天線比，其計(jì)算方式就如同決定上述第一連接層的累積天線比直到獲得一最頂連接層的累積天線比，其中上述最頂連接層的累積天線比是上述內(nèi)連線的天線比。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線比決定方法，其特征在于，上述決定累積天線比更包括決定至少一與上述第一連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線比決定方法，其特征在于，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的天線比決定方法，其特征在于，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
12.一天線比決定方法，適用于決定一電路區(qū)塊中一內(nèi)連線的一天線比，上述內(nèi)連線繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)耦接，上述方法包括決定若干與上述內(nèi)連線相關(guān)的連接層；通過考量一天線效應(yīng)以決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比，其中上述天線效應(yīng)是根據(jù)在一既定連接層上與上述既定連接層耦接的柵極氧化區(qū)相關(guān)的每一構(gòu)成元件，以及根據(jù)耦接于上述既定連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所造成，其中上述決定一既定連接層上的上述構(gòu)成元件的一累積天線比更包括決定至少一與上述既定連接層上的一既定構(gòu)成元件耦合的柵極氧化區(qū)面積；決定至少一介于上述既定構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)間的連接路徑；以及決定各連接路徑的累積天線比，其中在所有上述連接路徑的累積天線比中，選擇最大的累積天線比作為上述既定構(gòu)成元件的累積天線比；以及計(jì)算一上述內(nèi)連線的最頂層累積天線比，此計(jì)算是根據(jù)上述累積天線比而得。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線比決定方法，其特征在于，所計(jì)算出上述內(nèi)連線的天線比屬于至少一上述電路的功能區(qū)塊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線比決定方法，其特征在于，更包括檢驗(yàn)上述內(nèi)連線的天線比及當(dāng)其違反既定規(guī)則時(shí)調(diào)整上述電路的一布局以降低上述天線比。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的天線比決定方法，其特征在于，上述檢驗(yàn)及調(diào)整是由一設(shè)計(jì)規(guī)則檢查程序來執(zhí)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的天線比決定方法，其特征在于，上述決定每一連接層上所有構(gòu)成元件的一累積天線比更包括決定至少一與至少一相關(guān)柵極氧化區(qū)耦合的每一連接層上內(nèi)連線的構(gòu)成元件的天線比。
全文摘要
本發(fā)明提供一種天線比決定方法，具體為一種決定電路中內(nèi)連線的天線比的方法。上述內(nèi)連線可繞穿至少一連接層且與至少一柵極氧化區(qū)耦接。每一連接層上所有構(gòu)成元件的累積天線比，是考量與上述相關(guān)柵極氧化區(qū)耦接的既定連接層上每一構(gòu)成元件，以及耦接于目前連接層的構(gòu)成元件與上述柵極氧化區(qū)之間至少一連接層上的任何構(gòu)成元件所導(dǎo)致的天線效應(yīng)來決定。以同樣的方式，上述內(nèi)連線的最頂層累積天線比是根據(jù)最頂層以下連接層的累積天線比來決定。本發(fā)明所述的天線比決定方法，可使0.13μm、90nm及以下的銅制程的系統(tǒng)單晶片設(shè)計(jì)能夠預(yù)防天線效應(yīng)。
文檔編號G06F17/50GK1848121SQ20061006718
公開日2006年10月18日 申請日期2006年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月5日
發(fā)明者王中興, 李壽益, 魯立忠 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司