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用來(lái)在半導(dǎo)體晶圓中電壓補(bǔ)償?shù)姆椒?、裝置和系統(tǒng)與流程

文檔序號(hào):11518902閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用來(lái)在半導(dǎo)體晶圓中電壓補(bǔ)償?shù)姆椒?、裝置和系統(tǒng),其所披露的至少一個(gè)方法、裝置和系統(tǒng)涉及在集成電路實(shí)施動(dòng)態(tài)電壓補(bǔ)償。接收集成電路的第一部分上的第一電壓。監(jiān)視該集成電路的第二部分上的第二電壓。作出該第二電壓是否低于該第一電壓達(dá)預(yù)定邊限的決定。實(shí)施該第二電壓的回授調(diào)整,以響應(yīng)決定該第二電壓是低于該第一電壓達(dá)該預(yù)定邊限;該回授調(diào)整包含實(shí)施該第二電壓的升壓。

技術(shù)研發(fā)人員:S·卡納安;L·恩蘭德;M·薩迪
受保護(hù)的技術(shù)使用者:格羅方德半導(dǎo)體公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.03
技術(shù)公布日:2017.08.18
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