本發(fā)明涉及芯片的電壓基準(zhǔn)源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低功耗低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路。

背景技術(shù)：
基準(zhǔn)電壓源是集成電路中極為重要的模塊，廣泛應(yīng)用于模擬、數(shù)字、模數(shù)混合電路中，特別是在數(shù)模轉(zhuǎn)化器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器等系統(tǒng)中。對(duì)模擬系統(tǒng)而言，基準(zhǔn)電壓源的性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的精度，而基準(zhǔn)電壓源的性能主要受溫度的影響，因此需要設(shè)計(jì)出一種輸出與溫度無(wú)關(guān)的基準(zhǔn)電壓源。傳統(tǒng)的基準(zhǔn)電壓源采用帶隙基準(zhǔn)技術(shù)設(shè)計(jì)，這些設(shè)計(jì)中，都是利用雙極型晶體管的基極—發(fā)射極電壓具有負(fù)溫度特性，而工作在不同電流密度下的基極—發(fā)射極電壓之差則具有正溫度特性，兩者相互補(bǔ)償可得到與溫度無(wú)關(guān)的輸出電壓。采用帶隙基準(zhǔn)技術(shù)設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源的輸出電壓大于1V，其典型值是1.25V，而當(dāng)今由于移動(dòng)電子設(shè)備的增多，要求模擬集成電路的電源電壓能夠降至1V左右，功耗在uW量級(jí)上，降低功耗的一個(gè)重要方法就是降低電源電壓，因此帶隙基準(zhǔn)難以達(dá)到低功耗要求。與此同時(shí)，隨著CMOS工藝發(fā)展到深亞微米，一些標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝未提供三極管器件，帶隙基準(zhǔn)不再適用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種輸出的基準(zhǔn)電壓源低于1V，室溫下功耗低于1uW的低功耗低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種低功耗低溫度系數(shù)基準(zhǔn)電壓源電路，包括PTAT電流產(chǎn)生電路和負(fù)載電路；PTAT電流產(chǎn)生電路與負(fù)載電路一端相連，基準(zhǔn)電壓源由所述負(fù)載電路輸出，所述PTAT電流產(chǎn)生電路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6組成，PM0、PM1、PM2、PM3為PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6為NMOS管，PM0漏極d與NM3漏極d連接，PM0柵極g與PM2柵極d連接，PM0源極s與電源VDD連接，PM0襯底與電源VDD相連；PM1漏極d與其柵極g連接，PM1源極s與電源VDD連接，PM1襯底接電源VDD；PM2漏極d與其柵極g連接，PM2源極s與電源VDD連接，PM2襯底與電源VDD連接；PM3漏極d與NM1漏極d連接，PM3柵極g與PM1柵極g連接，PM3源極s與電源VDD連接，PM3襯底與電源VDD連接；NM0漏極d與PM1漏極d連接，NM0柵極g與NM3柵極g連接，NM0源極s與NM6漏極d連接，NM0襯底接地GND；NM1漏極d與其柵極g連接，NM1源極s接地GND，NM1襯底接地GND；NM2漏極d與PM2漏極d連接，NM2柵極g與NM1柵極g連接，NM2源極s與NM5漏極d連接，NM2襯底接地GND；NM3漏極d與其柵極g連接，NM3源極s接地GND，襯底接地GND；NM5漏極d與NM2源極s連接，NM5柵極g與NM1柵極g連接，NM5源極s接地GND，接地GND襯底接地GND；NM6漏極d與NM2源極s連接，NM6柵極g與NM3柵極g連接，NM6源極s接地GND，NM6襯底與地GND連接,所述負(fù)載電路由PM4和NM4組成,PM4漏極d與NM4漏極d連接，PM4柵極g與PM3柵極g連接，PM4源極s與電源VDD連接，PM4襯底與電源VDD連接，NM4漏極d與其柵極g連接，NM4源極s接地GND，NM4襯底與地GND連接,所述基準(zhǔn)電壓由NM4漏極d輸出，NM0、NM1、NM2、NM3的NMOS管的物理性能是這樣的，NM3、NM1與NM2、NM0的Vth(閥值電壓)均不相同，而且，Vth3-Vth0=Vth1-Vth2，NM0的漏極電流I0等于NM2的漏極電流I2，NM1的漏極電流I1等于NM3的漏極電流I3。在本發(fā)明實(shí)施例中，PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6構(gòu)成PTAT電流產(chǎn)生電路，PTAT電流產(chǎn)生電路用來(lái)給負(fù)載電路中提供電流，這種電流與絕對(duì)溫度成正比，且與電源VDD無(wú)關(guān)；負(fù)載電路由PM4、NM4構(gòu)成，PM4與PTAT電流產(chǎn)生電路中的PM1組成電流鏡，將PTAT電路中產(chǎn)生的電流復(fù)制到負(fù)載電路中，這樣從NM4漏極得到的基準(zhǔn)電壓可以達(dá)到零溫度系數(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：避免了使用三極管...