技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出的一種低功耗基準(zhǔn)電壓源，旨在提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單，輸出基準(zhǔn)電壓可調(diào)，具有較高溫度穩(wěn)定性的基準(zhǔn)電壓源。本發(fā)明通過下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：在含有基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和偏置電流產(chǎn)生電路構(gòu)成的主支路中，NMOS場效應(yīng)晶體管MN2接地源極與PMOS晶體管MP4源極之間電連接有反饋支路，該反饋支路由順次串聯(lián)的增強(qiáng)型NMOS場效應(yīng)晶體管M5、分壓電阻R1和電阻R2構(gòu)成，其中，MN5柵極電連接MP4的漏極，MN2的柵端連接于分壓電阻R1與電阻R2之間，通過MP4將增強(qiáng)型NMOS晶體管MN2的閾值電壓和耗盡型NMOS晶體管MN1閾值電壓進(jìn)行線性疊加，疊加在MN2的柵極，獲得從MN5源極輸出的基準(zhǔn)電壓VREF。

技術(shù)研發(fā)人員：楊赟秀;余麗波;姚志健;李堅(jiān);袁菲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西南技術(shù)物理研究所
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.08.18