專利名稱：用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟醇捌浼呻娐返闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子電路領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟醇捌浼呻娐?。
背景技術(shù)：
電流源是一種常見的電路，在許多場(chǎng)合使用。正因?yàn)槠鋺?yīng)用廣泛，在許多情況下， 可以看見單獨(dú)的電流源集成電路或與其他功能模塊集合在一起的電流源集成電路。一般而 言，電流源集成電路均存在啟動(dòng)問(wèn)題，即在一些情況下可以正常工作，而在另一些情況下可 能不啟動(dòng)。其原因是由于構(gòu)成電流源的MOS管(金屬_氧化物_半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 對(duì)的柵極和源極的電壓差是一樣的，而且這些MOS管對(duì)的寬長(zhǎng)比一致，所以根據(jù)MOS管的電 壓和電流關(guān)系，正常工作中流經(jīng)這些MOS管對(duì)的每個(gè)MOS管的電流是一樣。但是如果在電 流源上電過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)上述電流同時(shí)為0時(shí)的初始狀態(tài)，也滿足上述條件，但是，此時(shí) 該電流源就不會(huì)工作，即不啟動(dòng)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述在一些情況下電流源不 啟動(dòng)缺陷，提供一種可靠啟動(dòng)的電流源。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種用于數(shù)?；旌想娐返?電流源，包括電流源本體，還包括與所述電流源本體連接的、在外接控制信號(hào)的作用下控制 所述電流源本體的啟動(dòng)或關(guān)斷的、在所述電流源本體啟動(dòng)后關(guān)閉的啟動(dòng)電路。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述外部控制信號(hào)包括第一外部控制信號(hào)和第二 外部控制信號(hào)，所述第一外部控制信號(hào)在所述電流源開啟時(shí)為高電平，在所述電流源關(guān)閉 時(shí)為低電平；所述第二外部控制信號(hào)在所述電流源開啟時(shí)為低電平，在所述電流源關(guān)閉時(shí) 為高電平。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述啟動(dòng)電路包括預(yù)啟動(dòng)模塊和啟動(dòng)模塊，所述 預(yù)啟動(dòng)模塊與所述外接控制信號(hào)連接，并輸出第一內(nèi)部控制信號(hào)和第二內(nèi)部控制信號(hào)到所 述啟動(dòng)模塊和電流源本體；所述啟動(dòng)模塊與所述第二外部控制信號(hào)、第一內(nèi)部控制信號(hào)和 第二內(nèi)部控制信號(hào)連接，并輸出第三內(nèi)部控制信號(hào)、第四內(nèi)部控制信號(hào)到所述電流源本體 和預(yù)啟動(dòng)模塊。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述預(yù)啟動(dòng)模塊還包括其電平?jīng)Q定所述第一內(nèi)部 控制信號(hào)和第二內(nèi)部控制信號(hào)狀態(tài)的第一狀態(tài)控制點(diǎn)和與所述第四內(nèi)部控制信號(hào)連接、依 據(jù)所述第四內(nèi)部控制信號(hào)電平改變所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)電平的狀態(tài)控制單元。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述狀態(tài)控制單元包括N型MOS管，所述N型MOS 管的源極接地，其漏極與所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)連接。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述預(yù)啟動(dòng)模塊包括MOS管M17、MOS管M16、MOS 管 M15、M0S 管 M1、M0S 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 M5 禾口 MOS 管 M6，所述 MOS 管 M17、MOS管M16、M0S管M15、M0S管M4和MOS管M6是P型MOS管，其余的MOS管是N型MOS管； 所述MOS管M17的源極連接在其電源上，其柵極與漏極短接后與所述MOS管16的源極連接， 所述MOS管16的柵極與漏極短接后與所述MOS管15的源極連接，所述MOS管15的漏極與 所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)連接，其柵極與所述MOS管M2的柵極連接并與所述第二外部控制信號(hào) 連接，所述MOS管M2的源極接地；所述MOS管M4的源極與其電源連接，其柵極與第一外部 控制信號(hào)連接，其漏極輸出第一內(nèi)部控制信號(hào)并與MOS管M3的漏極連接，所述MOS管M3的 源極接地，其柵極連接在所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)上；所述MOS管M6的源極與其電源連接，其柵 極與第一外部控制信號(hào)連接，其漏極輸出第二內(nèi)部控制信號(hào)并與MOS管M5的漏極連接，所 述MOS管M5的源極接地，其柵極連接在所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)上；所述MOS管Ml的源極接 地，其柵極與所述第四內(nèi)部控制信號(hào)連接，其漏極連接在所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)上。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述啟動(dòng)模塊包括第四內(nèi)部控制信號(hào)產(chǎn)生支路，由電源依次通過(guò)MOS管M9的源、漏極、MOS管MlO的源、漏極、MOS管M18的漏、源極、MOS管 M19的漏、源極接地，所述第四內(nèi)部控制信號(hào)由所述MOS管M18的漏極與MOS管MlO的漏極 連接點(diǎn)引出，該第四內(nèi)部控制信號(hào)還通過(guò)所述MOS管M12的漏、源極接地，所述MOS管M12 的柵極與第二外部控制信號(hào)連接，所述第四內(nèi)部控制信號(hào)還連接所述MOS管M18、M0S管M19 的柵極上，所述MOS管M9的柵極連接在所述第一內(nèi)部控制信號(hào)上，所述MOS管MlO的柵極 連接在所述第二內(nèi)部控制信號(hào)上；所述啟動(dòng)模塊還包括第三內(nèi)部控制信號(hào)產(chǎn)生支路，該支 路由電源依次通過(guò)MOS管M9A的源、漏極、MOS管MlOA的源、漏極、MOS管M18A的漏、源極、 MOS管M19A的漏、源極接地，所述第三內(nèi)部控制信號(hào)由所述MOS管M19A的柵極引出，該第三 內(nèi)部控制信號(hào)還通過(guò)所述MOS管Mll的漏、源極接地，所述MOS管Mll的柵極與第二外部控 制信號(hào)連接，所述MOS管M9A、M0S管MlOA的柵極和MOS管IOA的漏極與所述第二內(nèi)部控制 信號(hào)連接，所述MOS管M18A的柵極連接在所述第四內(nèi)部控制信號(hào)上。在本實(shí)用新型所述的電流源中，所述電流源本體包括四個(gè)串接后連接在所述電源 和地之間的MOS管對(duì)，所述MOS管對(duì)由電源到地的次序依次為M0S管M7和MOS管M7A、M0S 管 M8 禾口 MOS 管 M8A、M0S 管 M13 禾口 MOS 管 M13A 以及 MOS 管 M14 禾口 MOS 管 M14A ；其中，MOS 管 M7和MOS管M7A的源極分別連接在電源上，其漏極分別與所述MOS管M8和MOS管M8A的 源極連接，所述MOS管M8和MOS管M18A的漏極分別與所述MOS管M13和MOS管M13A的漏 極連接，所述MOS管M13和MOS管M13A的源極分別與所述MOS管M14和MOS管M14A的漏 極連接，所述MOS管M14和MOS管M14A的源極分別直接接地和通過(guò)負(fù)載Rl接地；所述MOS 管M7和MOS管M7A的柵極相互連接并與第一內(nèi)部控制信號(hào)連接；所述MOS管M8和MOS管 M8A的柵極相互連接并與第二內(nèi)部控制信號(hào)連接，所述MOS管M8A的漏極還與所述第一內(nèi) 部控制信號(hào)連接；所述MOS管M13和MOS管M13A的柵極相互連接并與第四內(nèi)部控制信號(hào)連 接；所述MOS管M14和MOS管M14A的柵極相互連接并與第三內(nèi)部控制信號(hào)連接，所述NOS 管M13A的漏極還與所述第三內(nèi)部控制信號(hào)連接。本實(shí)用新型還揭示了一種集成電路，包括模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部 分，還包括為所述模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部分供電的電流源，所述電流源包括 電流源本體，還包括與所述電流源本體連接的、在外接控制信號(hào)的作用下控制所述電流源 本體的啟動(dòng)或關(guān)斷的、在所述電流源本體啟動(dòng)后關(guān)閉的啟動(dòng)電路。實(shí)施本實(shí)用新型的用于數(shù)模混合電路的電流源及其集成電路，具有以下有益效果由于啟動(dòng)電路在外部控制信號(hào)下生成的內(nèi)部控制信號(hào)，并用該內(nèi)部控制信號(hào)啟動(dòng)電流 源，因此上述電流源的啟動(dòng)電流不會(huì)為零，能夠可靠啟動(dòng)。

圖1是本實(shí)用新型用于數(shù)模混合電路的電流源及其集成電路實(shí)施例中電流源的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是所述實(shí)施例中電流源的電原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明。如圖1所示，在本實(shí)用新型用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟醇捌浼呻娐穼?shí)施例中， 所述電流源包括電流源本體30、啟動(dòng)模塊20和預(yù)啟動(dòng)模塊10，其中，所述預(yù)啟動(dòng)模塊10中 還包括狀態(tài)控制單元11。上述啟動(dòng)模塊20和預(yù)啟動(dòng)模塊10組成啟動(dòng)電路，在外部控制信 號(hào)的作用下，產(chǎn)生內(nèi)部控制信號(hào)，所述內(nèi)部控制信號(hào)用于控制上述電流源本體30的開啟、 關(guān)閉。在本實(shí)施例中，上述外部控制信號(hào)包括第一外部控制信號(hào)Pbc和第二外部控制信號(hào) nbc，第一外部控制信號(hào)pbc在電流源開啟時(shí)為高電平，在電流源關(guān)閉時(shí)為低電平；第二外 部控制信號(hào)nbc在電流源開啟時(shí)為低電平，在電流源關(guān)閉時(shí)為高電平。如圖1所示，預(yù)啟動(dòng) 模塊10與第一外部控制信號(hào)pbc和第二外部控制信號(hào)nbc連接，并輸出第一內(nèi)部控制信號(hào) Pbl和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2到啟動(dòng)模塊20和電流源本體30 ；啟動(dòng)模塊20與第二外部控 制信號(hào)nbc、第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2連接，并輸出第三內(nèi)部控制信 號(hào)nbl、第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2到電流源本體30。此外，第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2還被輸送到 預(yù)啟動(dòng)模塊10中的狀態(tài)控制單元11。在本實(shí)施例中，上述預(yù)啟動(dòng)模塊10還包括第一狀態(tài) 控制點(diǎn)A(參見圖2)，第一狀態(tài)控制點(diǎn)A的電平?jīng)Q定第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl和第二內(nèi)部控 制信號(hào)pb2的狀態(tài)。上述狀態(tài)控制單元11的輸入與第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2連接，并依據(jù)第 四內(nèi)部控制信號(hào)nb2的電平改變上述第一狀態(tài)控制點(diǎn)A的電平。其中，狀態(tài)控制單元11包 括N型MOS管，所述N型MOS管的源極接地，其漏極與所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)A連接，其柵極 連接在上述第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2上。在本實(shí)施例中，上述各部分共用一個(gè)電源，及其電源 端連接在一起，其接地端也連接在一起。圖2是本實(shí)施例中電流源的電原理圖。在圖2中，以虛線框表示出電流源本體30、 啟動(dòng)模塊20和預(yù)啟動(dòng)模塊10。在圖2中，上述預(yù)啟動(dòng)模塊10包括MOS管M17、M0S管M16、 MOS 管 Ml5,MOS 管 MUMOS 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 M5 禾P MOS 管 M6 ；其中，MOS 管 M17、M0S管M16、M0S管M15、M0S管M4和MOS管M6是P型MOS管，其余的MOS管是N型MOS 管。其具體結(jié)構(gòu)如下M0S管M17的源極連接在電源VDD上，其柵極與漏極短接后與MOS管16 的源極連接，MOS管16的柵極與漏極短接后與MOS管15的源極連接，MOS管15的漏極與第 一狀態(tài)控制點(diǎn)A連接，其柵極與MOS管M2的柵極連接并與第二外部控制信號(hào)nbc連接，MOS 管M2的源極接地。MOS管M4的源極與其電源連接，其柵極與第一外部控制信號(hào)pbc連接， 其漏極輸出第一內(nèi)部控制信號(hào)Pbl并與MOS管M3的漏極連接，MOS管M3的源極接地，其柵 極連接在第一狀態(tài)控制點(diǎn)A上；MOS管M6的源極與其電源連接，其柵極與第一外部控制信 號(hào)Pbc連接，其漏極輸出第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2并與MOS管M5的漏極連接，MOS管M5的源極接地，其柵極連接在第一狀態(tài)控制點(diǎn)A上；MOS管Ml的源極接地，其柵極與第四內(nèi)部控制 信號(hào)nb2連接，其漏極連接在第一狀態(tài)控制點(diǎn)A上。此外，啟動(dòng)模塊20包括第四內(nèi)部控制信 號(hào)nb2產(chǎn)生支路，該支路由電源VDD依次通過(guò)MOS管M9的源、漏極、MOS管MlO的源、漏極、 MOS管M18的漏、源極、MOS管M19的漏、源極接地，第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2由MOS管M18的 漏極與MOS管MlO的漏極連接點(diǎn)引出，該第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2還通過(guò)MOS管M12的漏、源 極接地，MOS管M12的柵極與第二外部控制信號(hào)nbc連接，所述第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2還連 接在MOS管M18、M0S管M19的柵極上，所述MOS管M9的柵極連接在第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl 上，MOS管MlO的柵極連接在第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2上；啟動(dòng)模塊20還包括第三內(nèi)部控制 信號(hào)nbl產(chǎn)生支路，該支路由電源依次通過(guò)MOS管M9A的源、漏極、MOS管MlOA的源、漏極、 MOS管M18A的漏、源極、MOS管M19A的漏、源極接地，第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl由MOS管M19A 的柵極引出，該第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl還通過(guò)MOS管Mll的漏、源極接地，MOS管Mll的柵 極與第二外部控制信號(hào)nbc連接，所述MOS管M9A、M0S管MlOA的柵極和MOS管IOA的漏極 與所述第二內(nèi)部控制信號(hào)Pb2連接，MOS管M18A的柵極連接在第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2上。在本實(shí)施例中，電流源本體30包括四個(gè)串接后連接在電源VDD和地之間的MOS管對(duì)，這些MOS管對(duì)由電源VDD到地的次序依次為M0S管M7和MOS管M7A、MOS管M8和MOS 管 M8A、M0S 管 M13 禾口 MOS 管 M13A 以及 MOS 管 M14 和 MOS 管 M14A ；其中，MOS 管 M7 禾口 MOS 管 M7A的源極分別連接在電源上，其漏極分別與所述MOS管M8和MOS管M8A的源極連接，MOS 管M8和MOS管M18A的漏極分別與MOS管M13和MOS管M13A的漏極連接，MOS管M13和MOS 管M13A的源極分別與MOS管M14和MOS管M14A的漏極連接，MOS管M14和MOS管M14A的 源極分別直接接地和通過(guò)負(fù)載Rl接地；MOS管M7和MOS管M7A的柵極相互連接并與第一內(nèi) 部控制信號(hào)Pbl連接；MOS管M8和MOS管M8A的柵極相互連接并與第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2 連接，MOS管M8A的漏極還與第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl連接；MOS管M13和MOS管M13A的柵極 相互連接并與第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2連接；MOS管M14和MOS管M14A的柵極相互連接并與 第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl連接，所述NOS管M13A的漏極還與第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl連接。在圖2中所示出的電路圖中，包括電流源關(guān)閉過(guò)程、電流源開啟過(guò)程，以及電流源 開啟后關(guān)閉上述啟動(dòng)電路的過(guò)程?，F(xiàn)分別描述如下當(dāng)上述電流源關(guān)閉時(shí)，其外部控制信 號(hào)包括第一外部控制信號(hào)Pbc和第二外部控制信號(hào)nbc，一方面，當(dāng)?shù)谝煌獠靠刂菩盘?hào)pbc 為低電平時(shí)，圖2中的MOS管M4和MOS管M6這兩個(gè)開關(guān)管導(dǎo)通(P型MOS管)，使得第一 內(nèi)部控制信號(hào)Pbl和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2的輸出電壓近似等于電源電壓VDD ；另一方面， 當(dāng)?shù)诙獠靠刂菩盘?hào)nbc為高電平時(shí)，MOS管Mll和MOS管M12這兩個(gè)開關(guān)管導(dǎo)通(N型 MOS管)，使得第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl和第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2的輸出電壓近似等于地電 平GND。綜合以上兩方面的結(jié)果，在第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2為VDD 電平，第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl和第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2為GND電平時(shí)，圖2中的MOS管M7/ M7a/M8/M8a/M13/M13a/M14/M14a均關(guān)斷，從而電流源關(guān)閉，沒有電流產(chǎn)生。當(dāng)上述電流源 開啟時(shí)，其外部控制信號(hào)包括第一外部控制信號(hào)Pbc和第二外部控制信號(hào)nbc，當(dāng)?shù)诙獠?控制信號(hào)nbc為低電平而第一外部控制信號(hào)pbc為高電平時(shí)，圖2中的MOS管Ml和MOS管 M2關(guān)斷，而MOS管M15導(dǎo)通；當(dāng)?shù)谝煌獠靠刂菩盘?hào)pbc為高電平時(shí)，使得MOS管M4和MOS管 M6關(guān)斷，從而第一狀態(tài)控制點(diǎn)A點(diǎn)電平變?yōu)楦唠娖?電源VDD經(jīng)過(guò)MOS管M17/M16/M15而 得)，于是，MOS管M3和MOS管M5導(dǎo)通，其結(jié)果導(dǎo)致第一內(nèi)部控制信號(hào)pbl和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2為低電平，于是，MOS管M7/M8/M9/M10導(dǎo)通；另一方面MOS管M9和MOS管MlO的 導(dǎo)通使得第三內(nèi)部控制信號(hào)nbl和第四內(nèi)部控制信號(hào)nb2存在固定偏置電壓，導(dǎo)致MOS管 M13和MOS管M14也導(dǎo)通，從而電流源得以順利開啟。同時(shí)，由于MOS管Mil、MOS管M12、 MOS管M14和MOS管M14a導(dǎo)通后，使得MOS管Ml也導(dǎo)通，很快將第一狀態(tài)控制點(diǎn)A的電平 拉低，從而關(guān)掉MOS管M3和MOS管M5，使得第一內(nèi)部控制信號(hào)pb 1和第二內(nèi)部控制信號(hào)pb2 變?yōu)楦咦钁B(tài)，不會(huì)影響電流源電路部件30的正常工作。本實(shí)施例中還包括一種集成電路，包括模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部分， 還包括為所述模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部分供電的電流源，所述電流源為上面所 描述的帶啟動(dòng)電路的電流源。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)， 但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬 于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求一種用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，包括電流源本體，其特征在于，還包括與所述電流源本體連接的、在外接控制信號(hào)的作用下控制所述電流源本體的啟動(dòng)或關(guān)斷的、在所述電流源本體啟動(dòng)后關(guān)閉的啟動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，其特征在于，所述外部控制信 號(hào)包括第一外部控制信號(hào)和第二外部控制信號(hào)，所述第一外部控制信號(hào)在所述電流源開啟 時(shí)為高電平，在所述電流源關(guān)閉時(shí)為低電平；所述第二外部控制信號(hào)在所述電流源開啟時(shí) 為低電平，在所述電流源關(guān)閉時(shí)為高電平。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于數(shù)模混合電路的電流源，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包 括預(yù)啟動(dòng)模塊和啟動(dòng)模塊，所述預(yù)啟動(dòng)模塊與所述外部控制信號(hào)連接，并輸出第一內(nèi)部控 制信號(hào)和第二內(nèi)部控制信號(hào)到所述啟動(dòng)模塊和電流源本體；所述啟動(dòng)模塊與所述第二外部 控制信號(hào)、第一內(nèi)部控制信號(hào)和第二內(nèi)部控制信號(hào)連接，并輸出第三內(nèi)部控制信號(hào)、第四內(nèi) 部控制信號(hào)到所述電流源本體和預(yù)啟動(dòng)模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于數(shù)模混合電路的電流源，其特征在于，所述預(yù)啟動(dòng)模塊 還包括其電平?jīng)Q定所述第一內(nèi)部控制信號(hào)和第二內(nèi)部控制信號(hào)狀態(tài)的第一狀態(tài)控制點(diǎn)和 與所述第四內(nèi)部控制信號(hào)連接、依據(jù)所述第四內(nèi)部控制信號(hào)電平改變所述第一狀態(tài)控制點(diǎn) 電平的狀態(tài)控制單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，其特征在于，所述狀態(tài)控制單 元包括N型MOS管，所述N型MOS管的源極接地，其漏極與所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于數(shù)模混合電路的電流源，其特征在于，所述預(yù)啟動(dòng)模塊 包括 MOS 管 Ml7、MOS 管 M16、MOS 管 Ml5、MOS 管 Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 M5 禾Π MOS 管 Μ6，所述 MOS 管 M17、M0S 管 M16、M0S 管 M15、M0S 管 M4 禾Π MOS 管 Μ6 是 P 型 MOS 管，其余的MOS管是N型MOS管；所述MOS管Μ17的源極連接在其電源上，其柵極與漏極短 接后與所述MOS管16的源極連接，所述MOS管16的柵極與漏極短接后與所述MOS管15的 源極連接，所述MOS管15的漏極與所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)連接，其柵極與所述MOS管Μ2的柵 極連接并與所述第二外部控制信號(hào)連接，所述MOS管Μ2的源極接地；所述MOS管Μ4的源 極與其電源連接，其柵極與第一外部控制信號(hào)連接，其漏極輸出第一內(nèi)部控制信號(hào)并與MOS 管Μ3的漏極連接，所述MOS管Μ3的源極接地，其柵極連接在所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)上；所述 MOS管Μ6的源極與其電源連接，其柵極與第一外部控制信號(hào)連接，其漏極輸出第二內(nèi)部控 制信號(hào)并與MOS管Μ5的漏極連接，所述MOS管Μ5的源極接地，其柵極連接在所述第一狀態(tài) 控制點(diǎn)上；所述MOS管Ml的源極接地，其柵極與所述第四內(nèi)部控制信號(hào)連接，其漏極連接在 所述第一狀態(tài)控制點(diǎn)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，其特征在于，所述啟動(dòng)模塊包 括第四內(nèi)部控制信號(hào)產(chǎn)生支路，由電源依次通過(guò)MOS管Μ9的源、漏極、MOS管MlO的源、漏 極、MOS管Μ18的漏、源極、MOS管Μ19的漏、源極接地，所述第四內(nèi)部控制信號(hào)由所述MOS管 Μ18的漏極與MOS管MlO的漏極連接點(diǎn)引出，該第四內(nèi)部控制信號(hào)還通過(guò)所述MOS管Μ12的 漏、源極接地，所述MOS管Μ12的柵極與第二外部控制信號(hào)連接，所述第四內(nèi)部控制信號(hào)還 連接所述MOS管M18、M0S管Μ19的柵極上，所述MOS管M9的柵極連接在所述第一內(nèi)部控制 信號(hào)上，所述MOS管MlO的柵極連接在所述第二內(nèi)部控制信號(hào)上；所述啟動(dòng)模塊還包括第三 內(nèi)部控制信號(hào)產(chǎn)生支路，該支路由電源依次通過(guò)MOS管M9A的源、漏極、MOS管MlOA的源、漏極、MOS管M18A的漏、源極、MOS管M19A的漏、源極接地，所述第三內(nèi)部控制信號(hào)由所述MOS 管M19A的柵極引出，該第三內(nèi)部控制信號(hào)還通過(guò)所述MOS管Ml 1的漏、源極接地，所述MOS 管Mll的柵極與第二外部控制信號(hào)連接，所述MOS管M9A、M0S管MlOA的柵極和MOS管IOA 的漏極與所述第二內(nèi)部控制信號(hào)連接，所述MOS管M18A的柵極連接在所述第四內(nèi)部控制信號(hào)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，其特征在于，所述電流源本體 包括四個(gè)串接后連接在所述電源和地之間的MOS管對(duì)，所述MOS管對(duì)由電源到地的次序依 次為:M0S 管 M7 禾Π MOS 管 M7A、M0S 管 M8 禾Π MOS 管 M8A、M0S 管 M13 禾Π MOS 管 Μ13Α 以及 MOS 管Μ14和MOS管Μ14Α ；其中，MOS管Μ7和MOS管Μ7Α的源極分別連接在電源上，其漏極分別 與所述MOS管Μ8和MOS管Μ8Α的源極連接，所述MOS管Μ8和MOS管Μ18Α的漏極分別與所 述MOS管Μ13和MOS管Μ13Α的漏極連接，所述MOS管Μ13和MOS管Μ13Α的源極分別與所 述MOS管Μ14和MOS管Μ14Α的漏極連接，所述MOS管Μ14和MOS管Μ14Α的源極分別直接 接地和通過(guò)負(fù)載Rl接地；所述MOS管Μ7和MOS管Μ7Α的柵極相互連接并與第一內(nèi)部控制 信號(hào)連接；所述MOS管Μ8和MOS管Μ8Α的柵極相互連接并與第二內(nèi)部控制信號(hào)連接，所述 MOS管Μ8Α的漏極還與所述第一內(nèi)部控制信號(hào)連接；所述MOS管Μ13和MOS管Μ13Α的柵極 相互連接并與第四內(nèi)部控制信號(hào)連接；所述MOS管Μ14和MOS管Μ14Α的柵極相互連接并與 第三內(nèi)部控制信號(hào)連接，所述NOS管Μ13Α的漏極還與所述第三內(nèi)部控制信號(hào)連接。
9.一種集成電路，包括模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部分，其特征在于，還包括如 權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的、為所述模擬信號(hào)處理部分及數(shù)字信號(hào)處理部分供電的電流 源。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟?，包括電流源本體，還包括與所述電流源本體連接的、在外接控制信號(hào)的作用下控制所述電流源本體的啟動(dòng)或關(guān)斷的、在所述電流源本體啟動(dòng)后關(guān)閉的啟動(dòng)電路。本實(shí)用新型還揭示了一種使用上述電流源的集成電路。實(shí)施本實(shí)用新型的用于數(shù)?；旌想娐返碾娏髟醇捌浼呻娐?，具有以下有益效果由于啟動(dòng)電路在外部控制信號(hào)下生成的內(nèi)部控制信號(hào)，并用該內(nèi)部控制信號(hào)啟動(dòng)電流源，因此上述電流源的啟動(dòng)電流不會(huì)為零，能夠可靠啟動(dòng)。
文檔編號(hào)G05F1/10GK201569928SQ20092026083
公開日2010年9月1日 申請(qǐng)日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者李家棟, 林豐成, 林昕, 梁思通 申請(qǐng)人:天利半導(dǎo)體(深圳)有限公司