專利名稱：一種半導體設(shè)備中的工藝過程的異常監(jiān)測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體工藝領(lǐng)域，具體涉及一種半導體設(shè)備中的工藝過程的異常監(jiān)測方法。
背景技術(shù)：
半導體設(shè)備中的工藝過程控制非常復(fù)雜，這種復(fù)雜不僅體現(xiàn)在控制時序和控制邏輯上的復(fù)雜，而且體現(xiàn)在對于設(shè)備狀態(tài)高可靠性監(jiān)測方面的要求。半導體工藝過程中，工控機需要控制的受控部件很多，需要處理的信號和數(shù)據(jù)以千百計，因此對這些信號和數(shù)據(jù)進行有效的監(jiān)控、保證系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性顯得非常重要。
本發(fā)明在于解決其中的一個技術(shù)難題監(jiān)測設(shè)備狀態(tài)信號并且高可靠性地判別設(shè)備狀態(tài)異常，避免誤判和誤發(fā)告警信號。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種高可靠性的半導體設(shè)備中的工藝過程的異常監(jiān)測方法。
(二)技術(shù)方案為達到上述目的，本發(fā)明的方法包括如下步驟(1)工藝開始前，設(shè)定本工藝需要監(jiān)測的數(shù)據(jù)項，以及各個數(shù)據(jù)項的穩(wěn)定化時間，并根據(jù)需要設(shè)置與該數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常頻率；(2)啟動每個需要監(jiān)測的數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常監(jiān)測程序；(3)工藝開始后，對于每個數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常程序，經(jīng)過該數(shù)據(jù)項的穩(wěn)定化時間后，異常監(jiān)測程序開始對數(shù)據(jù)項的狀態(tài)值進行實時監(jiān)控；(4)若該數(shù)據(jù)項的狀態(tài)值在一段時間內(nèi)發(fā)生的異常的次數(shù)大于步驟(1)中設(shè)定的該數(shù)據(jù)項的異常頻率，則拋出告警，并啟動相應(yīng)的處理過程。
其中，還包括根據(jù)工藝需要設(shè)定一個監(jiān)測周期，即每隔一個固定時間，異常監(jiān)測程序初始化一次。
(三)有益效果由于采用以上技術(shù)方案，極大的降低了半導體工藝的異常誤判和誤發(fā)漏判，采用了本技術(shù)方案的方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，設(shè)備狀態(tài)異常的誤判率由2％降至0，從而有效地提高半導體制造設(shè)備的設(shè)備可用時間，產(chǎn)出率和良品率。


圖1是本發(fā)明所述方法的異常監(jiān)控表數(shù)據(jù)項示意圖；圖2是本發(fā)明所述方法的異常判斷線程程序流程圖；圖3是本發(fā)明所述方法的一個所應(yīng)用的一個工藝過程數(shù)據(jù)示意圖。
具體實施例方式
以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
設(shè)計一個如圖1所示的異常監(jiān)控表1，存儲了工藝過程中的各種數(shù)據(jù)項2，以及與數(shù)據(jù)項2對應(yīng)的異常判斷條件3、是否存在穩(wěn)定化過程標志4、穩(wěn)定化的時間5、異常計數(shù)器6、計時器7、異常頻率10、標志位8和異常監(jiān)測周期9。
工藝開始前，首先由用戶根據(jù)工藝需要設(shè)定異常監(jiān)控表1的標志位8，將需要監(jiān)測的數(shù)據(jù)項2對應(yīng)的標志位8置為1，標志位8設(shè)定完成后，設(shè)備狀態(tài)異常判斷程序逐個掃描標志位8，若該標志位8被置為1，則啟動一個異常判斷線程程序。
如圖2所示，為本發(fā)明的異常判斷線程程序流程圖。工藝開始后，若被監(jiān)控的數(shù)據(jù)項2的標志位8為1，則等待相應(yīng)的穩(wěn)定化時間5；將異常計數(shù)器6和計時器7歸零；計時器7計時開始；若計時器7的值等于異常監(jiān)測周期9，則將異常計數(shù)器6和計時器7歸零；若異常判斷條件3被滿足，則該異常計數(shù)器6加一；根據(jù)計時器7的值T、異常計數(shù)器6的數(shù)值N和異常頻率的值P，計算是否N/T＞P，若是，則拋出異常告警，將計時器7和異常計數(shù)器6歸零，并啟動相應(yīng)的處理過程，若否，則繼續(xù)監(jiān)控該數(shù)據(jù)項2。
以下列舉本發(fā)明在實際工藝過程中一個應(yīng)用，以說明其技術(shù)效果。
如圖3所示，為某此工藝過程的反射功率數(shù)據(jù)記錄數(shù)據(jù)示意圖，異常判別條件設(shè)為反射功率值大于等于5瓦，穩(wěn)定化時間設(shè)為2秒，由圖3可見，反射功率一直處于波動狀態(tài)，在工藝過程初起時，反射功率很大，遠遠超出5瓦，但總體呈下降狀態(tài)，到2秒后已經(jīng)基本穩(wěn)定于3瓦之下。另外在9秒至10秒之間，有不明干擾信號致使反射功率竄到5瓦之上，短期(1秒)后又迅速回落到正常范圍內(nèi)。
在半導體工藝過程中，圖3中0～2秒期間的反射功率過大是由系統(tǒng)穩(wěn)定化導致的，是必然要發(fā)生的；9～10秒期間的反射功率超出是一種偶然性干擾信號導致，這在工業(yè)控制系統(tǒng)中是不可避免的。以上這兩種情況并不會對工藝過程造成不良影響，因此軟件系統(tǒng)應(yīng)該允許其發(fā)生而不產(chǎn)生告警誤判。但是以前的軟件系統(tǒng)或者沒有考慮這兩種情況，或者只考慮了其中的某一種，于是產(chǎn)生了不少誤判，明顯降低了系統(tǒng)可靠性指標。
本發(fā)明的方法能夠正確識別以上兩種狀況而不會誤發(fā)告警，同時對真正的系統(tǒng)異常則能夠做到有效識別和處理。
權(quán)利要求
1.一種半導體設(shè)備中的工藝過程的異常監(jiān)測方法，其特征在于所述方法包括如下步驟(1)工藝開始前，設(shè)定本工藝需要監(jiān)測的數(shù)據(jù)項，以及各個數(shù)據(jù)項的穩(wěn)定化時間，并根據(jù)需要設(shè)置與該數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常頻率；(2)啟動每個需要監(jiān)測的數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常監(jiān)測程序；(3)工藝開始后，對于每個數(shù)據(jù)項對應(yīng)的異常程序，經(jīng)過該數(shù)據(jù)項的穩(wěn)定化時間后，異常監(jiān)測程序開始對數(shù)據(jù)項的狀態(tài)值進行實時監(jiān)控；(4)若該數(shù)據(jù)項的狀態(tài)值在一段時間內(nèi)發(fā)生的異常的次數(shù)大于步驟(1)中設(shè)定的該數(shù)據(jù)項的異常頻率，則拋出告警，并啟動相應(yīng)的處理過程。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于根據(jù)工藝需要設(shè)定一個監(jiān)測周期，即每隔一個固定時間，異常監(jiān)測程序初始化一次。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體刻蝕領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種半導體設(shè)備中的工藝過程的異常監(jiān)測方法，本發(fā)明的方法通過對工藝過程中異常狀態(tài)的區(qū)別和對其發(fā)生頻率的監(jiān)測，避免了對異常信號的誤判和誤發(fā)告警信號，從而有效地提高半導體制造設(shè)備的設(shè)備可用時間，產(chǎn)出率和良品率。
文檔編號G05B19/048GK1848395SQ200510126448
公開日2006年10月18日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日
發(fā)明者張秀川 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司