專利名稱:一種硅片刻蝕工藝處方的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工工藝,特別涉及硅片刻蝕工藝處方的控制方法。
背景技術(shù):
硅片刻蝕結(jié)果與反應(yīng)腔室中的各種刻蝕條件密切相關(guān),通過改變反應(yīng)腔室中的各種氣體流量、溫度、壓力、反應(yīng)時間等條件,就可以改變硅片的刻蝕結(jié)果(如刻蝕均勻性,顆粒度,垂直度等)。因為刻蝕設(shè)備的反應(yīng)參數(shù)非常多,各種反應(yīng)氣體非常多(多達十幾種),而且在刻蝕過程中需要經(jīng)常改變反應(yīng)的條件,所以刻蝕設(shè)備的工藝參數(shù)控制就是一個非常復(fù)雜工作。
以前采取的工藝參數(shù)控制方式,各個參數(shù)是串行讀入的,并且判斷各個參數(shù)條件達到與否也是串行的,需要一個一個的讀入?yún)?shù),設(shè)置判斷參數(shù)條件達到與否,這種參數(shù)設(shè)置方式費時,不便于調(diào)整。
發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問題對于眾多的工藝控制參數(shù),在工藝步驟中進行即時調(diào)整反應(yīng)條件時,需要提供一種方便的設(shè)置或改變設(shè)置工藝參數(shù)的方式,本發(fā)明的目的是提供一種利用工藝處方進行刻蝕工藝參數(shù)控制的方法。
技術(shù)方案為了方便準確地控制工藝參數(shù),本發(fā)明提出以下技術(shù)方案預(yù)先設(shè)置若干工藝處方Recipe,工藝處方(Recipe)是硅片刻蝕過程中,預(yù)先設(shè)定好的一組工藝參數(shù),這些工藝參數(shù)包括設(shè)定各種特殊氣體的流量,反應(yīng)腔室的壓力,He氣的壓力,反應(yīng)腔室的溫度,反應(yīng)的最長和最短時間,反應(yīng)的結(jié)束條件等等參數(shù)。
每個Recipe可以包括多個分步反應(yīng)條件(Steps Cycle),在每一個Recipe中可以設(shè)置多步反應(yīng)條件(多個Step Cycle),每個Step Cycle中設(shè)置的各種反應(yīng)條件參數(shù)都不相同,然后刻蝕過程是按照StepCycle次序依次執(zhí)行,Step Cycle控制刻蝕機每步的各種反應(yīng)參數(shù),達到控制刻蝕效果的目的。
使用Recipe進行刻蝕工藝反應(yīng)控制的步驟如下進行條件檢測,確認硅片已置于靜電吸附卡盤上、槽閥已關(guān)閉、頂針處于低位、腔室溫度在允許范圍內(nèi)且沒有2級或3級報警;控制靜電卡盤將硅片固定在靜電卡盤上,準備進行刻蝕;控制真空系統(tǒng)將反應(yīng)腔室本體抽真空;用一個或多個分步反應(yīng)條件控制系統(tǒng)刻蝕;刻蝕結(jié)束后,關(guān)閉射頻(RF)系統(tǒng)和各種氣體;控制真空系統(tǒng)將反應(yīng)腔室本體抽真空;控制靜電卡盤釋放硅片,一次刻蝕工藝完成。
有益效果通過本方法,可以把以前復(fù)雜的參數(shù)設(shè)置、更改工作簡化,通過預(yù)先設(shè)置的方式,靈活方便的控制和更改各種參數(shù)。用軟件控制運行Recipe的方法,通過運行這個參數(shù)組,我們就可以控制反應(yīng)腔室的各種反應(yīng)條件,控制硅片的刻蝕反應(yīng)結(jié)果。
圖1為本發(fā)明功能實現(xiàn)的硬件系統(tǒng)示意圖;圖2為硅片刻蝕工藝的工藝處方控制方法流程圖;圖3為條件檢測流程圖;圖4為分步反應(yīng)條件控制流程圖。
圖中1、腔室;2、靜電卡盤;3、頂針;4、槽閥;5、干泵;6、分子泵;7、擺閥;8、隔離閥;9、手動限流閥;10、氮氣調(diào)節(jié)閥;11、吹掃閥;12、慢旁路閥;13、快旁路閥;14、氦氣閥;15、溫控系統(tǒng);16、上匹配器;17、上電極;18、離子規(guī);19、壓力開關(guān);20、終點檢測;21、下電極;22、下匹配器;23、氣體控制板;24、壓力傳感器;25、氣動閥一;26、氣體吹掃閥;27、質(zhì)量流量控制器;28、氣動閥二;29、氣動閥三;30、氣體;31、氮氣;32、氮氣;33、氦氣。
具體實施例方式
以下實施例用于說明本發(fā)明,但不用來限制本發(fā)明的范圍,有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)由各項權(quán)利要求限定。
本發(fā)明的方法實現(xiàn)的硅片刻蝕工藝系統(tǒng)按用途可分為以下七個子系統(tǒng)真空子系統(tǒng)(vacuum subsystem)、氣路子系統(tǒng)(gas deliverysubsystem)、下電極子系統(tǒng)(E_Chuck subsystem)、腔室子系統(tǒng)(chamber subsystem)、RF子系統(tǒng)(radio frequency subsystem)、溫控子系統(tǒng)(temperature control subsystem)、終點子系統(tǒng)(endpointsubsystem)。系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
使用本發(fā)明的控制方法時,按照刻蝕需要,在工藝處方中預(yù)先設(shè)置多個分步反應(yīng)條件。每個分步反應(yīng)條件設(shè)置一組以下參數(shù)#0,反應(yīng)壓力;#1,氦氣壓力;#2,上電極功率;#5,下電極功率;#10,氯氣流量;#11,HBr流量;#12,CF4流量;#13,CHF3流量;#14,SF6流量;#15,氬氣流量;#16,氦氣流量;#17,大流量氧氣流量;#18,小流量氧氣流量;#19,氮氣流量;#20,HeO2流量;#29,上電極電容1預(yù)設(shè)位置;#30,上電極電容2預(yù)設(shè)位置;#31,下電極電容1預(yù)設(shè)位置;#32,下電極電容2預(yù)設(shè)位置;#22,反應(yīng)完成條件;#33,上匹配器電容1位置;#34,上匹配器電容2位置;#37,下匹配器電容1位置;#38,下匹配器電容2位置。
在上述系統(tǒng)中運行Recipe控制的過程如下
A、條件檢測,Recipe運行的前提條件是硅片已置于ESC(electronic static chuck靜電吸附卡盤)上;槽閥已關(guān)閉;頂針處于低位;腔室溫度在允許范圍內(nèi);沒有2級和3級報警;B、下電極系統(tǒng)將硅片固定在靜電卡盤上;C、真空系統(tǒng)將腔室本體抽真空;D、用多個分步反應(yīng)條件控制系統(tǒng)刻蝕;E、關(guān)閉RF系統(tǒng)和各種氣體;F、真空系統(tǒng)將腔室本體抽真空;G、釋放硅片,一次刻蝕工藝完成。
其中,條件檢測過程如下檢測槽閥是否關(guān)閉,若是則進行下一步,若否,則等待槽閥關(guān)閉;檢測頂針是否降下,若是則進行下一步,若否,則等待頂針降下;檢測腔室溫度是否在允許的范圍內(nèi),若是則進行下一步,若否,則等待腔室溫度調(diào)整正常;發(fā)出報警,停止程序運行。需重新進入程序。
是否有2級或3級報警,若沒有,則結(jié)束條件檢測,若有,則等待報警清除。
在多個分步反應(yīng)條件控制系統(tǒng)刻蝕的流程中,多個分步反應(yīng)條件的最大步數(shù)由預(yù)先設(shè)置的分步反應(yīng)條件的個數(shù)即分步反應(yīng)條件參數(shù)的組數(shù)確定,進入第一個分步反應(yīng)條件時,賦予步數(shù)一個初始值,StepsCycle具體流程如下D1.判斷本步終止條件是否滿足,即處理Recipe中的參數(shù)#22,若是,則結(jié)束;若否,則進行一下步;D2.判斷步數(shù)是否達到結(jié)束多個分步反應(yīng)條件的標準,若是,則結(jié)束。
D3.設(shè)置腔室壓力,如處理Recipe中的參數(shù)#0;D4.設(shè)置各路氣體流量,如處理Recipe中參數(shù)#10~#20;
D5.設(shè)置氦氣壓力,如處理Recipe中參數(shù)#1;D6.更新公差窗口,啟動公差檢測;D7.設(shè)置上匹配電容預(yù)設(shè)值,如處理Recipe中參數(shù)#29及#30,設(shè)置上電極功率,如處理Recipe中參數(shù)#2;D8.延時一段時間后(如4秒,依據(jù)上下匹配器的性能而設(shè)定),設(shè)置下匹配電容預(yù)設(shè)值,如處理Recipe中參數(shù)#31及#32,設(shè)置下電極功率,如處理Recipe中參數(shù)#5;D9.開始計時,判斷工藝反應(yīng)過程條件是否滿足,即做如下判斷D91.設(shè)定時間已經(jīng)到達,否則等待;D92.穩(wěn)定條件已經(jīng)滿足,否則等待至超時;D93.終點信號已經(jīng)到達,否則等待至超時;D94.特定時間已經(jīng)到達,否則等待;上述四種判斷條件只要滿足任意一種,就表示本步工藝的完成,停止判斷而進行下一步。
D10.停止公差監(jiān)測,步數(shù)監(jiān)控參數(shù)調(diào)整一次,返回步驟D1。
其中在結(jié)束步驟D9的判斷后且在步驟D10之前,如果集群設(shè)備控制器支持,且允許寫回工藝處方,則將上下匹配器電容位置寫回到工藝處方中;讀取上下匹配器的C1、C2的調(diào)整電容位置,寫回到工藝recipe的電容預(yù)設(shè)值中去,作為下一次運行此recipe的預(yù)設(shè)調(diào)整值。這些值只是作為下一次預(yù)設(shè)值的參考,可以重新設(shè)定。
在步驟D10中所述調(diào)整步數(shù)監(jiān)控參數(shù)為步數(shù)加1,所述判斷步數(shù)是否達到結(jié)束多個分步反應(yīng)條件的標準是判斷步數(shù)是否大于最大步數(shù)。步數(shù)初始值設(shè)為零,在多個分步反應(yīng)條件執(zhí)行中逐步加到最大步數(shù)后,結(jié)束Steps Cycle。也可以將步數(shù)初始值設(shè)為最大步數(shù),每執(zhí)行一個Step Cycle,步數(shù)減1,直到步數(shù)為零時,結(jié)束Steps Cycle。
通過上面的過程可以控制工藝的運行。通過運行步數(shù)的計算,就可以連續(xù)運行Recipe中的Steps Cycle,直到整個Recipe中所有StepsCycle運行完成。
權(quán)利要求
1.一種硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,先將硅片刻蝕工藝過程的各種控制參數(shù)設(shè)定為工藝處方,然后在工藝運行過程中按預(yù)先設(shè)定的方式選擇各工藝處方來控制系統(tǒng)運行。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,所述工藝處方包括各種特殊氣體的流量、反應(yīng)腔室的壓力、氦氣的壓力、反應(yīng)腔室的溫度、反應(yīng)的最長時間、反應(yīng)的最短時間或反應(yīng)的結(jié)束條件及各參數(shù)的不同組合。
3.如權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,所述的工藝處方中包含有一個或多個分步反應(yīng)條件。
4.如權(quán)利要求1至3之一所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,運行工藝處方控制工藝系統(tǒng)的步驟如下A.進行條件檢測;B.控制靜電卡盤將硅片固定;C.控制真空系統(tǒng)將反應(yīng)腔室本體抽真空;D.用一個或多個分步反應(yīng)條件控制系統(tǒng)刻蝕;E.刻蝕結(jié)束后,關(guān)閉射頻系統(tǒng)和各種氣體;F.控制真空系統(tǒng)將反應(yīng)腔室本體抽真空;G.控制靜電卡盤釋放硅片,一次刻蝕工藝完成。
5.如權(quán)利要求4所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,步驟A所述的條件檢測包括以下具體步驟A1.檢測到硅片已置于靜電卡盤上,否則等待;A2.檢測到槽閥已關(guān)閉,否則等待;A3.檢測到頂針處于低位,否則等待;A4.檢測腔室溫度在允許范圍內(nèi),否則等待;A5.檢測到?jīng)]有2級或3級報警,否則等待。
6.如權(quán)利要求4所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,步驟D包括以下具體步驟D1.判斷本步終止條件是否滿足,若是,則結(jié)束;若否,則進行一下步;D2.判斷步數(shù)是否達到結(jié)束多步反應(yīng)條件的標準,若是,則結(jié)束;D3.設(shè)置腔室壓力;D4.設(shè)置各路氣體流量;D5.設(shè)置氦氣壓力;D6.更新公差窗口,啟動公差檢測;D7.設(shè)置上匹配電容預(yù)設(shè)值;D8.延時一段時間后(如4秒,依據(jù)上下匹配器的性能而設(shè)定),設(shè)置下匹配電容預(yù)設(shè)值,設(shè)置下電極功率;D9.開始計時,判斷工藝反應(yīng)過程條件是否滿足;D10.停止公差監(jiān)測,步數(shù)監(jiān)控參數(shù)調(diào)整一次,返回步驟D1。
7.如權(quán)利要求6所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,步驟D9判斷工藝反應(yīng)過程條件是否滿足包括以下幾種判斷內(nèi)容D91.設(shè)定時間已經(jīng)到達,否則等待;D92.穩(wěn)定條件已經(jīng)滿足,否則等待至超時;D93.終點信號已經(jīng)到達,否則等待至超時;D94.特定時間已經(jīng)到達,否則等待;上述任意一項判斷為真時,即結(jié)束判斷。
8.如權(quán)利要求6所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,在步驟D9和步驟D10之間將上下匹配器電容位置寫回到工藝處方中。
9.如權(quán)利要求6所述的硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,步驟D10中所述調(diào)整步數(shù)監(jiān)控參數(shù)為步數(shù)加1,所述判斷步數(shù)是否達到結(jié)束多個分步反應(yīng)條件的標準是判斷步數(shù)是否大于最大步數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅片刻蝕的工藝處方控制方法,其特征在于,先將硅片刻蝕工藝過程的各種控制參數(shù)設(shè)定為工藝處方,然后在工藝運行過程中按預(yù)先設(shè)定的方式選擇各工藝處方來控制系統(tǒng)運行,所述工藝處方包括各種特殊氣體的流量、反應(yīng)腔室的壓力、氦氣的壓力、反應(yīng)腔室的溫度、反應(yīng)的最長、反應(yīng)的最短時間或反應(yīng)的結(jié)束條件等及各參數(shù)的不同組合,工藝處方中包含有一個或多個分步反應(yīng)條件,利用工藝處方及其中的各個分步反應(yīng)條件來控制硅片刻蝕,可以把復(fù)雜的參數(shù)設(shè)置、更改工作簡化,通過預(yù)先設(shè)置的方式,靈活方便地控制和更改各種參數(shù),控制反應(yīng)腔室的各種反應(yīng)條件和刻蝕反應(yīng)結(jié)果。
文檔編號G05B19/04GK1848374SQ20051012644
公開日2006年10月18日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日
發(fā)明者張繼宏 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司