技術(shù)編號：6270933
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工工藝，特別涉及硅片刻蝕工藝處方的控制方法。背景技術(shù) 硅片刻蝕結(jié)果與反應(yīng)腔室中的各種刻蝕條件密切相關(guān)，通過改變反應(yīng)腔室中的各種氣體流量、溫度、壓力、反應(yīng)時間等條件，就可以改變硅片的刻蝕結(jié)果(如刻蝕均勻性，顆粒度，垂直度等)。因為刻蝕設(shè)備的反應(yīng)參數(shù)非常多，各種反應(yīng)氣體非常多(多達十幾種)，而且在刻蝕過程中需要經(jīng)常改變反應(yīng)的條件，所以刻蝕設(shè)備的工藝參數(shù)控制就是一個非常復(fù)雜工作。以前采取的工藝參數(shù)控制方式，各個參數(shù)是串行讀入的，并且判斷各個參數(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。