41，451，461，471)的給定操作狀態(tài)的所述分子的最小閾值濃度的層錯(cuò)濃度，并且響 應(yīng)所檢測層錯(cuò)濃度與所述分子的最小閾值濃度的偏差而自動發(fā)起緩解措施。
20. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其中，控制系統(tǒng)（24) 或所述控制系統(tǒng)（24)連接到溫度測量系統(tǒng)（3)，以用于在一個(gè)以上位置監(jiān)測所述房間（4; 40-47)的溫度。
21. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其中，控制系統(tǒng)（24) 或所述控制系統(tǒng)（24)連接到供應(yīng)系統(tǒng)（25,26,27)，以用于將所述介電絕緣介質(zhì)、具體是所 述分子（PFK)可控地注入到所述房間（4 ;40-47)中。
22. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24, 211)，其基本上連續(xù)地或者 至少以小于10分鐘的間隔進(jìn)行操作；和/或所述監(jiān)測裝置（11-24, 211)設(shè)計(jì)成在如除了所 述監(jiān)測裝置（11_24,211)中之外的傳感器所監(jiān)測的其他房間條件的顯著變化時(shí)自動發(fā)起； 和/或所述監(jiān)測裝置（11-24, 211)用于就地監(jiān)測和/或控制所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的所 述介電絕緣介質(zhì)的介電強(qiáng)度、具體是平均介電強(qiáng)度。
23.如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)， 所述監(jiān)測裝置（11_24,211)包括固定安裝在所述房間（4;40-47)中的組件；和/或 所述監(jiān)測裝置（11-24, 211)包括暫時(shí)安裝在所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的組件；和/或 所述監(jiān)測裝置（11_24,211)安裝在所述房間（4;40-47)內(nèi)部。
24.如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)， 其中，所述監(jiān)測裝置（11_24,211)適合所述房間（4 ;40-47)以監(jiān)測所述分子（PFK)的 所述濃度的平均數(shù)、具體是空間連續(xù)平均數(shù)和/或取樣點(diǎn)平均數(shù)，其沿所述房間（4 ;40-47) 的平均路徑長度存在于所述房間（4 ;40-47)的所述介電絕緣介質(zhì)中， 具體來說，其中所述平均路徑長度大約為所述房間（4 ;40-47)的維度或者供人進(jìn)入所 述房間（4;40-47)的房門（402,412,422,432;442,452,462,472)的維度或者所述至少一 個(gè)中壓或高壓電氣設(shè)備（401A，401B ;401，411，421，431 ;441，451，461，471)的維度。
25.如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其適合確定從由下列 所述組成的組中選取的至少一個(gè)成分的所述濃度： 部分或完全氟化醚，具體是：氫氟醚、氫氟、單醚、包含至少3個(gè)碳原子的氫氟單醚、全 氟單醚、包含至少4個(gè)碳原子的全氟單醚、氟環(huán)氧乙烷、全氟環(huán)氧乙烷、氫氟環(huán)氧乙烷、包含 3至15個(gè)碳原子的全氟環(huán)氧乙烷、包含3至15個(gè)碳原子的氫氟環(huán)氧乙烷或者其混合物； -部分或完全氟化酮，具體是：氫氟單酮、全氟單酮、包含至少5個(gè)碳原子的全氟單酮 及其混合物； 氟烯烴；具體是：全氟烯烴、氫氟烯烴（HFO)、包含至少3個(gè)碳原子的氫氟烯烴（HFO)、 包含正好3個(gè)碳原子的氫氟烯烴（HF0)、反-1，3,3,3-四氟-1-丙烯（HF0-1234ze)、 2, 3, 3, 3-四氟-1-丙烯（HF0-1234yf)及其混合物；以及 -它們的混合物。
26. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其中，所述傳感器 (11，21，12, 22,13, 23, 211)包括絕緣流體可滲透而微粒不可滲透的保護(hù)蓋，具體采取保護(hù) 蓋板或者保護(hù)蓋管的形式，其將所述監(jiān)測裝置（11_24,211)、具體是所述傳感器（11，21， 12,22，13,23,211)的光束（11)和/或光學(xué)組件（11-21)與所述房間（4 ;40-47)的周圍部 分分隔。
27. 如權(quán)利要求26所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，所述保護(hù)蓋從由下列所述組成的組 的至少一個(gè)中選取： -燒結(jié)材料， -多孔材料，具體是多孔金屬， -紗網(wǎng)， _網(wǎng)格， -隔膜，具體包括聚合物材料，以及 -它們的組合。
28. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其中，所述傳感器 (11，21，12, 22,13, 23, 211)包括：在第一波長的光學(xué)測量束以及在沒有被所述第一流體成 分（A)、具體是氟酮吸收的第二波長的光學(xué)參考束。
29. 如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置（11-24,211)，其中，所述監(jiān)測裝置 (11-24, 211)的控制系統(tǒng)（24)或所述控制系統(tǒng)（24)連接到所述房間（4 ;40-47)中的至少 一個(gè)濕度傳感器（310);具體來說所述濕度傳感器（310)從由下列所述組成的組中選取： -電容濕度傳感器（310)， -電阻濕度傳感器（310)， -涂敷有吸濕層的振蕩諧振器（310)， -熱導(dǎo)傳感器（310)， -光學(xué)傳感器（310)或所述光學(xué)傳感器（310)， -以及它們的組合。
30. -種建筑（1)、具體是轉(zhuǎn)換器建筑（1)，包括具有包封內(nèi)部空間以及所述內(nèi)部空間 中包含的至少一個(gè)帶電部分（401A，401B ;401，411，421，431，441，451，461，471)的實(shí)體房 間墻壁（400,410,420,430,440,450,460,470)的至少一個(gè)房間（4;40,41，42,43,44,45， 46,47)，所述房間墻壁（400,410，...，470)具有至少一個(gè)開口（402,412,422,432,442,452， 462,472)，其設(shè)計(jì)成使得它允許人進(jìn)入所述內(nèi)部空間，其中所述開口（402,412,…，472)是 可密封的，所述房間墻壁（400,410，…，470)在所述開口（402,412，…，472)密封時(shí)按照 氣體密封方式來包封所述內(nèi)部空間，并且所述內(nèi)部空間包含介電絕緣介質(zhì)，其中包括除了 空氣之外的介電絕緣成分Cl， 其中所述房間（4 ;40-47)還配備有具體如以上權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置 (11-24,211)，用于監(jiān)測所述介電絕緣介質(zhì)中存在的分子（PFK)的濃度，以及所述監(jiān)測裝置 (11-24,211)包括至少一個(gè)傳感器（11，21，12, 22,13, 23, 211)，用于在所述電磁波譜的至 少一個(gè)波長或波帶來確定所述介電絕緣介質(zhì)中存在的所述分子（PFK)的濃度相關(guān)電磁性 質(zhì)。
31. 如權(quán)利要求30所述的建筑，其中，所述監(jiān)測裝置（11-24,211)的所述傳感器具有 感測部件（11，21，12,22，13,23,211)，用于測量待監(jiān)測的所述分子的濃度相關(guān)光發(fā)射和/ 或光吸收和/或光透射。
32. 如權(quán)利要求30至31中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中，所述分子是除了空氣之外的所 述介電絕緣成分Cl的部分；和/或所述分子不是所述介電絕緣介質(zhì)中存在的背景氣體的部 分，并且具體來說，其中所述分子不是由下列所組成的組的任一個(gè)：氮、氧、二氧化碳。
33. 如權(quán)利要求30至32中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中，待監(jiān)測的所述分子向所述介電 絕緣介質(zhì)提供比空氣的介電強(qiáng)度大的介電強(qiáng)度；和/或所述監(jiān)測裝置（11-24, 211)用于就 地監(jiān)測和/或控制所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的所述介電絕緣介質(zhì)的介電強(qiáng)度、具體是平均 介電強(qiáng)度。
34. 如權(quán)利要求30至33中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中，所述監(jiān)測裝置（11-24,211)設(shè) 置在所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的高或高于平均介電場強(qiáng)度的區(qū)域中，和/或接近、具體是沿 所述電氣設(shè)備（401，411，421，431 ;441，451，461，471)的非包封組件（401B)來設(shè)置。
35. 如權(quán)利要求30至34中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中 所述房間（4;40-47)是人可進(jìn)入的，而沒有使所述房間（4;40-47)中的所述介電絕緣 介質(zhì)的介電強(qiáng)度退化到低于所述帶電部分（401A，401B ;401，411，421，431，441，451，461， 471)的操作閾值；和/或 所述房間（4;40-47)是人可進(jìn)入的，同時(shí)將所述房間（4;40-47)中的所述介電絕緣介 質(zhì)的介電強(qiáng)度保持為高于空氣的介電強(qiáng)度；和/或 所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的所述介電絕緣介質(zhì)具體在接近環(huán)境大氣壓力的壓力下是 無毒和可吸入的。
36. 如權(quán)利要求30至35中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中，所述監(jiān)測裝置（11-24,211)持 久地安裝在所述房間內(nèi)部（4 ;40-47)。
37. 如權(quán)利要求30至36中的任一項(xiàng)所述的建筑，其中，所述監(jiān)測裝置（11-24,211)如 以上權(quán)利要求1至29中的任一項(xiàng)所述。
38. -種監(jiān)測房間（4 ;40-47)的介電絕緣流體中存在的分子（PFK)的濃度的方法，具 體來說是如以上權(quán)利要求1至29中的任一項(xiàng)所述的監(jiān)測裝置所運(yùn)行的方法，所述房間（4 ; 40-47)包含至少一個(gè)中壓或高壓電氣設(shè)備（401A，401B ;401，411，421，431 ;441，451，461， 471)并且是人可進(jìn)入的，所述方法包括下列步驟（32):通過按照非本地方式在所述電磁波 譜的至少一個(gè)波長確定所述介電絕緣介質(zhì)中的所述分子（PFK)的平均濃度相關(guān)電磁性質(zhì)， 來就地監(jiān)測所述介電絕緣介質(zhì)、具體是介電絕緣流體或氣體中的所述分子（PFK)的濃度。
39. 如權(quán)利要求38所述的方法，其中，確定所述濃度相關(guān)電磁性質(zhì)包括確定所述分子 的發(fā)射和/或吸收和/或透射和/或散射。
40. 如權(quán)利要求38至39中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述確定包括測量所述分子 沿所述房間（4;40-47)的大體長度、具體沿比供人進(jìn)入所述房間（4;40-47)的房門（402， 412,422,432 ;442,452,462,472)的尺寸大的長度、更具體沿比所述房間（4 ;40-47)的四分 之一長度或者甚至一半長度大的長度的發(fā)射和/或吸收和/或透射。
41. 如權(quán)利要求38至40中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括下列步驟（35):通過控制所 述介電絕緣介質(zhì)的供應(yīng)（25)，向所述房間（4 ;40-47)輸送所述介電絕緣介質(zhì)；和/或所述 監(jiān)測裝置（11-24, 211)用于就地監(jiān)測和/或控制所述房間（4 ;40-47)內(nèi)部的所述介電絕緣 介質(zhì)的介電強(qiáng)度、具體是平均介電強(qiáng)度。
42. 如權(quán)利要求38至41中的任一項(xiàng)所述的方法，還包括下列步驟（34):在一個(gè)以上 位置監(jiān)測所述房間（4 ;40-47)的溫度，以確定在某個(gè)位置的溫度是否接近或低于包含所述 介電絕緣流體的預(yù)期濃度的標(biāo)準(zhǔn)大氣的所述凝結(jié)溫度。
43. 如權(quán)利要求38至42中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述介電絕緣介質(zhì)中的所述分 子是有機(jī)氟化合物，具體是全氟酮，更具體是包含正好5個(gè)或正好6個(gè)或正好7個(gè)或正好8 個(gè)碳原子的部分氟化或完全氟化的氟酮以及它們的任何混合物。
【專利摘要】用于確定包含至少一個(gè)高壓電氣設(shè)備(401A，401B；401，411，421，431；441，451，461，471)并且在無需修改房間條件的情況下是人可進(jìn)入的房間(4；40-47)中的介電絕緣流體、例如全氟酮(PFK)的濃度的監(jiān)測裝置(11-24，211)，例如房間(4；40-47)是空氣絕緣變電站的一部分，其中監(jiān)測系統(tǒng)(11-24，211)包括一個(gè)或多個(gè)傳感器(11，21，12，22，13，23，211)，用于在電磁波譜的至少一個(gè)波長或波帶來確定介電絕緣流體分子(PFK)的發(fā)射和/或吸收。
【IPC分類】G01N21-33, G01N21-3504, G01N21-31, G01N21-3581
【公開號】CN104755910
【申請?zhí)枴緾N201380057418
【發(fā)明人】T.A.鮑爾, A.克拉梅, M.恩戈德
【申請人】Abb 技術(shù)有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2013年9月4日
【公告號】EP2893546A1, US20150247788, WO2014037399A1