本發(fā)明涉及一種用于表征在襯底中蝕刻的結構，特別是高深寬比har結構的方法。本發(fā)明還涉及用于實施這種方法的系統(tǒng)。本發(fā)明的領域是檢查和表征在襯底中蝕刻的結構的領域，例如在襯底（例如晶圓）中蝕刻的高深寬比結構，例如硅通孔、tsv或溝槽。

背景技術：

1、在半導體行業(yè)中，或者例如在微機電系統(tǒng)（mem,?microelectromechanicalsystems）行業(yè)中，許多工藝步驟涉及在襯底（例如，硅）中蝕刻有時具有高深寬比的結構。這種具有高深寬比的結構（在下文中稱為“har結構”）可以包括例如硅通孔（tsv）（通常是盲孔，用于例如在高級封裝技術中的互連）、這些通孔具有窄寬度和細長長度的溝槽，以及更復雜的特征。這種溝槽可以通過例如深輻射離子蝕刻（deep?rie）或光刻技術來實現(xiàn)。

2、har結構的深寬比由深度與橫向尺寸之比定義，也稱為har結構的“關鍵尺寸”（cd）。一些har結構的深寬比可以大于5、10或20，橫向（關鍵）尺寸窄至5μm或更小。一些非限制性示例包括在硅襯底上蝕刻的直徑為2-3μm、并且深度為40-50μm的圓柱形孔形式的tsv。

3、需要通過測量例如這些結構的深度來測量和表征這些結構，特別是har結構。文獻wo?2007/042676描述了一種用于在深rie工藝期間對har結構進行深度測量的技術。然而，這種技術在測量關鍵尺寸（critical?dimensions）非常?。ɡ?μm或更?。┑膆ar結構時存在一些局限性。還存在用于表征har結構的密集陣列的已知技術。這些技術不能用于單獨表征har結構。

4、本發(fā)明的目的是克服已知技術的缺點中的至少一個。

5、本發(fā)明的另一個目的是提供一種單獨表征蝕刻的結構、特別是har結構的解決方案。

6、本發(fā)明的另一個目的是提供一種表征具有小關鍵尺寸的蝕刻的結構、特別是har結構的解決方案。

7、本發(fā)明的另一個目的是提供一種測量蝕刻的結構、特別是har結構的深度和關鍵尺寸的解決方案。

8、本發(fā)明的另一個目的是提供一種更高效地和/或更快速地表征結構、特別是har結構的解決方案。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明通過一種用于表征在襯底（如晶圓）中蝕刻的結構，特別是高深寬比har結構的方法，實現(xiàn)了這些目標中的至少一個，所述方法包括，對于至少一個結構，由位于所述襯底頂側上的低相干干涉儀執(zhí)行的至少一個干涉測量步驟，用于用位于所述結構上的測量光束測量與所述結構的深度相關的至少一個深度數(shù)據。

2、根據本發(fā)明的第一方面，該方法還可以包括第一調整步驟，用于根據與所述結構的寬度相關的至少一個頂部-cd數(shù)據來調整測量光束在所述頂面處的的直徑。

3、因此，根據該第一方面，本發(fā)明提出根據與所述結構相關的頂部-cd數(shù)據，使測量光束的直徑適于至少一個結構或har結構的寬度，特別是每個結構或har結構的寬度。頂部-cd數(shù)據表示關于襯底表面處的結構的寬度或橫向尺寸的有價值的信息。該頂部-cd或橫向尺寸能夠是例如孔的直徑，或溝槽最小橫向尺寸的寬度。因此，作為有利特征，本發(fā)明提出使用結構的頂部-cd數(shù)據來調整用于測量結構的深度數(shù)據的干涉測量光束的直徑。因此，干涉測量步驟可以更快地實現(xiàn)，并且允許更準確地測量結構的深度，即使對于較小關鍵尺寸的結構也是如此。此外，可以高效地測量具有較小cd和/或較大深寬比的結構和har結構。

4、在本文中，“高深寬比結構”或“har結構”或“hars”指具有大于或等于5、或10或甚至20的深寬比的結構。

5、例如，har結構可以是硅通孔（tsv）、溝槽和在諸如晶圓之類的支撐件中蝕刻的更復雜的特征。一些非限制性示例包括在硅襯底上蝕刻的直徑為2-3μm、并且深度為40-50μm的柱形孔形式的tsv。

6、在本文件中，襯底的“頂側”或“頂面”分別對應于在襯底上蝕刻的結構的側面或表面。

7、根據本發(fā)明第一方面的方法提出，對于至少一個結構或har結構，根據所述har結構的頂部-cd來調整干涉儀發(fā)射的測量光束在襯底頂面上的直徑。這允許大部分入射測量光束進入結構，特別是har結構，而只有一小部分在頂面處被反射。由于直徑或頂部-cd與照射波長的比值相當?。ㄍǔ５陀?5），這會導致強烈的衍射效應，并且通常還由于所涉及材料（如硅）的吸收特征，或者更一般地說，由于光傳播到這些結構中的條件，這些結構內的損耗很高，只有一小部分入射光從結構底部反射并且耦合到干涉儀中。因此，根據第一方面的發(fā)明允許通過使用大部分入射功率來補償高損耗，特別是在har結構中，從而優(yōu)化干涉測量的靈敏度，并且獲得更平衡的干涉信號。

8、測量光束在頂面上的直徑可以被調整為例如結構最小橫向尺寸的0.8至2倍，所述結構最小橫向尺寸例如是tsv的直徑或截面，或溝槽的寬度。測量光束在頂面上的直徑也可以被調整為結構最小橫向尺寸的0.3或0.5至5倍，并且仍然會產生可利用的信號。

9、例如，測量光束的直徑可以定義為具有90%或99%入射功率的光束部分。對于高斯光束，測量光束在頂面上的直徑也可以例如定義為局部強度高于峰值強度1/e2的光束部分，對應于86.5%的功率。

10、該直徑也能夠調整，以使至少75%、或80%、或90%的輸入功率耦合到結構中。

11、作為示例，直徑為5μm或3μm的測量光束的直徑尺寸可以用于測量直徑為3μm的har結構，特別是tsv。

12、聚焦到結構中的光的最佳部分主要取決于結構內部的光損失，因此也取決于結構形狀（例如其深寬比）。較深和較窄的har結構，例如tsv或溝槽，以及具有強烈彎曲底部的har結構需要將大部分輸入功率耦合到它們中，因此需要較小的波束直徑，而較淺或較寬的結構只需要將較小部分的輸入功率耦合進它們中。這就是在襯底的頂面上選擇可適配的光束尺寸的原因。

13、調整測量光束大小的另一個優(yōu)點是，即使對于彼此靠近的結構陣列，測量光束也被足夠地限制為僅覆蓋一個結構，這允許確保結構可以單獨被表征。

14、在一些實施例中，對于至少一個結構，頂部-cd數(shù)據可以是先驗已知數(shù)據。在這種情況下，根據本發(fā)明的方法可以在第一調整步驟之前包括用于讀取存儲器中的頂部-cd數(shù)據的步驟。

15、事實上，在一些情況下，可以提供頂部-cd數(shù)據，因為所述頂部-cd數(shù)據是在襯底的設計或制造過程中確定的。在這些情況下，頂部-cd數(shù)據可以存儲在存儲器中，并且在根據本發(fā)明的方法期間被讀取。在這些實施例中，har結構的表征可以更快地完成，這是因為不需要對頂部-cd數(shù)據進行預先測量。

16、在一些情況下，襯底的至少兩個，特別是所有結構可以是相同的。在這種情況下，對于所述結構中的至少兩個可以讀取一次頂部-cd數(shù)據，并且將其用于所述至少兩個結構中的每一個。

17、替代地或附加地，襯底的至少兩個，特別是襯底的所有結構可以不同。在這種情況下，可以為每個結構單獨讀取頂部-cd數(shù)據，并且將其用于所述結構。

18、在一些實施例中，根據本發(fā)明的方法可以包括第二調整步驟，用于根據干涉儀測量的干涉信號的至少一個特征來調整測量光束的直徑。

19、第二調整步驟可以在第一調整步驟期間或之后執(zhí)行。

20、第二調整步驟允許在測量步驟期間調整測量光束的直徑，并且當測量到的干涉信號指示測量光束的尺寸不適合被檢查的結構時，允許特別是在實際條件下實時調整測量光束。

21、測量到的干涉信號的至少一個特征可以包括以下特征中的至少一種：

22、-?干涉條紋的可見度或調制深度（可能地相對于平均值）或測量到的干涉信號的光譜調制，和/或

23、-?相對于測量到的干涉信號的噪聲的幅度，和/或

24、-?由干涉信號提供的深度數(shù)據的值。

25、因此，如果這些特征之一沒有預期值，或者其值不在預期范圍內，則表明測量光束的直徑不適合被檢查的結構。測量光束的直徑可以相應地調整。

26、替代地或附加地，可以執(zhí)行優(yōu)化過程，例如使用基于梯度的算法，以找到測量光束的直徑，對于該直徑，測量到的干涉信號的至少一個特征被優(yōu)化，或者達到局部極值。

27、在一些實施例中，根據本發(fā)明的方法可以包括第三調整步驟，用于根據由干涉儀測量的干涉信號的至少一個特征調整測量光束相對于結構的位置。

28、第三調整步驟可以在第一調整步驟期間或之后執(zhí)行。

29、第三調整步驟允許在測量步驟期間準確地調整測量光束的位置，特別是在真實條件下實時調整，以優(yōu)化目標結構的深度數(shù)據的測量條件。

30、測量到的干涉信號的至少一個特征可以包括以下特征中的至少一種：

31、-?干涉條紋的可見度或調制深度（可能地相對于平均值）或測量到的干涉信號的光譜調制，

32、-?相對于測量到的干涉信號的噪聲的幅度，

33、-?由干涉信號提供的深度數(shù)據的值。

34、因此，如果這些特征之一沒有預期值，或者其值不在預期范圍內，則表明測量光束相對于結構的位置不是最佳的。測量光束的位置可以相應地被調整。

35、替代地或附加地，可以執(zhí)行優(yōu)化過程，例如使用基于梯度的算法，以找到測量光束的位置，對于該位置，測量到的干涉信號的至少一個特征被優(yōu)化，或者達到局部極值。

36、根據本發(fā)明的第二方面，其可以單獨使用或與本發(fā)明的其他方面結合使用，根據本發(fā)明，該方法還可以包括至少一個成像步驟，該成像步驟包括以下步驟：

37、-?用位于所述襯底頂側的成像設備捕獲所述頂面的至少一個圖像，以及

38、-?從至少一個捕獲的圖像測量與結構相關的第一數(shù)據。

39、如將進一步解釋的，與結構相關的第一數(shù)據表示關于所述結構的有價值的信息。作為有利特征，所述第一數(shù)據，即關于結構的信息，可以用于調整用于測量結構的深度數(shù)據的測量光束。因此，干涉測量步驟可以更快地實現(xiàn)，并且允許更高效和準確地測量結構的深度。

40、在一些實施例中，對于至少一個結構，可以從成像設備捕獲的單個圖像中推斷出與所述結構相關的第一數(shù)據。替代地或附加地，對于至少一個結構，可以從成像設備捕獲的幾個圖像中推斷出與所述結構相關的第一數(shù)據。

41、在一些實施例中，對于至少一個結構，成像設備捕獲的至少一個圖像可以僅與所述結構相關：在這種情況下，捕獲到的圖像僅包括關于所述結構的信息，不包括關于任何其他結構的信息。

42、替代地或附加地，成像設備捕獲的至少一個圖像可以與襯底的幾個，特別是所有結構有關：在這種情況下，捕獲到的圖像包括關于所述結構中的每一個的信息，從而可以通過處理所述捕獲到的圖像來確定所述結構中的每一個的第一數(shù)據。例如，在第一干涉測量步驟之前，可以執(zhí)行捕獲襯底圖像的成像步驟。捕獲到的圖像可以包括襯底的整個頂面。然后可以處理所述捕獲到的圖像，以確定襯底的每個har結構的第一數(shù)據。

43、在一些實施例中，對于至少一個結構，與所述結構相關的第一數(shù)據可以包括在用于調整測量光束的直徑的第一調整步驟期間使用的頂部-cd數(shù)據。

44、因此，成像步驟提供頂部-cd數(shù)據，頂部-cd數(shù)據然后在第一調整步驟中被用于調整測量光束的直徑。

45、因此，當結構的頂部-cd數(shù)據未知時，和/或當襯底包括具有不同頂部-cd的不同結構時，根據本發(fā)明的方法允許更快、更準確地測量所述襯底的結構深度。

46、替代地或附加地，對于至少一個結構，第一數(shù)據可以包括與該結構在頂面上的位置相關的位置數(shù)據。在這種情況下，根據本發(fā)明的方法可以包括第四調整步驟，用于根據所述位置數(shù)據調整測量光束在所述頂面上的位置。

47、因此，成像步驟通過處理成像設備在成像步驟期間捕獲的至少一個圖像來提供與結構的位置相關的數(shù)據信息。然后，所述結構在襯底上的位置用于更快速、更準確地定位測量光束，從而與已知技術相比，襯底的結構的深度的測量執(zhí)行的更快和更準確。

48、然后，如前所述，通過執(zhí)行用于根據由干涉儀測量的干涉信號的至少一個特征相對于結構定位測量光束的第三調整步驟，可以進一步優(yōu)化測量光束的位置。然后，這些第四和第三調整步驟提供了測量光束的粗略和精細定位，從而允許快速準確的測量。

49、根據一些實施例，成像步驟和干涉測量步驟可以通過具有共同部分的相應光路來執(zhí)行。在這種情況下，根據本發(fā)明的方法還可以包括通過同步單元使所述成像步驟和所述干涉測量步驟同步，從而按順序執(zhí)行并且依次執(zhí)行所述步驟。

50、與現(xiàn)有技術的系統(tǒng)相比，這種方法允許更快地并且使用體積更小、更便宜的系統(tǒng)來表征在襯底中蝕刻的結構。事實上，成像步驟和干涉測量步驟可以共享共同的光學組件，并且可以在不需要在測量之間相對于襯底移動測量系統(tǒng)的情況下執(zhí)行這兩個測量。

51、但最重要的是，同步使得能夠依次執(zhí)行成像步驟混合干涉測量步驟，從而使得這些步驟都不會干擾其他步驟。換句話說，干涉測量步驟可以在沒有被成像步驟干擾的情況下執(zhí)行。同樣的，可以在干涉測量步驟、并且特別地干涉測量光束可能不對所述成像步驟造成干擾的情況下，執(zhí)行成像步驟。因此，成像步驟可以更準確的執(zhí)行，使得可以以更準確的方式確定第一數(shù)據。同樣的，干涉測量步驟可以更準確的執(zhí)行干涉測量，使得可以以更準確的方式確定深度數(shù)據。

52、成像步驟和干涉測量步驟的同步可以以不同方式執(zhí)行，單獨或者組合實現(xiàn)。

53、根據一些實施例，通過控制位于干涉儀和共同部分之間的遮光器的位置可以執(zhí)行同步。該遮光器可以在以下位置之間移動：

54、-?阻擋測量光束的通過的關閉位置，以及

55、-?允許所述測量光束通過的打開位置。

56、當執(zhí)行成像步驟時，可以將遮光器移動到的防止測量光束通過關閉位置：光束不會干擾成像步驟。在執(zhí)行成像步驟之后，可以將遮光器移動到允許測量光束通過的打開位置，從而可以執(zhí)行干涉測量。

57、替代地或附加地，通過控制位于干涉儀和共同部分之間的鏡子的位置可以執(zhí)行同步。該鏡子可以在以下位置之間移動：

58、-?使測量光束偏離被檢查的結構的關閉位置，以及

59、-?將所述測量光束引向所述結構的打開位置。

60、當成像步驟被執(zhí)行時，鏡子可以移動到關閉位置：測量光束偏離har結構，甚至偏離襯底。在執(zhí)行成像步驟之后，鏡子可以移動到打開位置，使測量光束朝向結構偏轉：可以執(zhí)行干涉測量。

61、替代地或附加于先前的同步選項中的至少一個，可以通過控制位于干涉儀和共同部分之間的濾光器的位置，例如中性光密度濾光器或光譜濾光器的位置，來執(zhí)行同步。該濾光器可以在以下位置之間移動：

62、-?對測量光束進行濾光的關閉或強衰減位置，以及

63、-?使測量光束通過的打開位置。

64、當成像步驟被執(zhí)行后，濾光器可以移動到關閉位置：測量光束被濾除或強烈衰減，并且不會（至少顯著地）朝向har結構通過。在執(zhí)行成像步驟之后，可以將濾光器移動到打開位置，測量光束穿過所述濾光器，從而可以執(zhí)行干涉測量步驟。

65、替代地或附加于先前的同步選項中的至少一個，可以通過控制位于干涉儀和公共光路部分之間的衰減設備的衰減值來執(zhí)行同步，在成像步驟期間衰減測量光束，或者不衰減測量光束。

66、替代地或附加于先前的同步選項中的至少一個，可以通過打開和關閉干涉儀光源來執(zhí)行同步。因此，在成像步驟期間可以關閉光源，并且在干涉測量步驟中打開光源。

67、替代地或附加于先前的同步選項中的至少一個，通過相對于干涉儀的脈沖光源觸發(fā)成像設備對一個或者更多個圖像的采集，使得在所述光源的脈沖之間執(zhí)行圖像采集。在這種情況下，干涉儀的光源是具有給定脈沖頻率或具有由同步單元觸發(fā)的脈沖的脈沖光源。成像設備可以在脈沖之間被觸發(fā)，或者控制脈沖，或者由同步單元與脈沖光源一起觸發(fā)，使得在脈沖光源不發(fā)射光脈沖時捕獲至少一個圖像。

68、在本發(fā)明的第一方面和可選的本發(fā)明的第二方面中，本發(fā)明提出調整測量光束在頂面上的直徑。測量光束在頂面上的直徑的調整可以以不同的方式執(zhí)行，可以單獨或組合實施。

69、在一些實施例中，可以通過改變放置在干涉儀和頂面之間的至少一個光學元件（如透鏡或擴束器）來執(zhí)行測量光束在頂面上的直徑的調整。光學元件的改變可以通過任何方式實現(xiàn)。例如，光學元件的改變可以通過移動或支撐所述至少一個光學元件的轉臺來實現(xiàn)。

70、替代地或附加地，可以通過改變放置在干涉儀和頂面之間的光學元件（例如透鏡或變焦裝置）的至少一個焦距來執(zhí)行測量光束在頂面上的直徑的調整。光學元件的焦距的改變可以通過例如修改可變形透鏡或元透鏡的形狀或傳播性能，或者通過改變所述光學元件的放大率，或者改變組成所述光學元件的變焦裝置的組件的位置來實現(xiàn)。

71、替代地或附加于先前的選項中的至少一個，可以通過改變頂面上的測量光束的數(shù)值孔徑來執(zhí)行頂面上的測量直徑的調整。測量光束的數(shù)值孔徑可以通過在準直光束路徑中使用擴束器或孔徑光闌來改變。

72、本發(fā)明還涉及一種用于表征在襯底（如晶圓）中蝕刻的結構、特別是高深寬比har結構的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括低相干干涉儀，其布置在所述襯底的頂側上，用于利用位于所述結構上的測量光束測量與所述結構、特別是所述?har結構的深度相關的至少一個深度數(shù)據。

73、根據本發(fā)明的第一方面，根據本發(fā)明的系統(tǒng)還可以包括調整單元，用于根據與所述結構的寬度相關的至少一個頂部-cd數(shù)據來調整測量光束在頂面處的直徑。

74、如上所述，在一些實施例中，頂部-cd數(shù)據可以是至少一個結構的先驗已知數(shù)據。在這種情況下，根據本發(fā)明的系統(tǒng)可以包括用于存儲所述頂部-cd數(shù)據的存儲器。

75、存儲器可以是本地或者遠程存儲器。

76、存儲器可以是可移動存儲器，也可以不是可移動存儲器。

77、存儲器可以是易失性或永久性介質。

78、頂部-cd數(shù)據可以作為數(shù)值存儲在易失性或非易失性存儲器中，或者存儲在永久存儲介質中的任何格式的數(shù)據文件中。

79、存儲器可以集成到干涉儀中，也可以集成到調整單元中，或者集成到系統(tǒng)的另一個裝置中，或者可以是屬于系統(tǒng)的獨立組件。

80、根據本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明的系統(tǒng)還可以包括成像單元。成像單元可以包括：

81、-?成像設備，其布置在所述襯底的頂側上，用于捕獲襯底頂面的至少一個圖像，以及

82、-?處理單元，其用于從成像設備捕獲的至少一個圖像測量與結構相關的第一數(shù)據。

83、成像單元可以被配置為執(zhí)行如上所述的成像步驟。

84、對于至少一個結構，成像單元可以提供第一數(shù)據，該第一數(shù)據包括所述結構的頂部-cd數(shù)據或由所述結構的頂部-cd數(shù)據組成。

85、對于至少一個結構，成像單元可以提供第一數(shù)據，該第一數(shù)據包括所述結構在頂面上的位置相關的位置數(shù)據或由與所述結構在頂面上的位置相關的位置數(shù)據組成。

86、在一些實施例中，根據本發(fā)明的系統(tǒng)還可以包括定位單元，用于調整測量光束在襯底頂面上的位置。

87、可以根據位置數(shù)據來調整測量光束的位置。該位置數(shù)據可以是或包括：

88、-?例如存儲在存儲器中的預定義值；

89、-?成像單元為至少一個結構提供的位置數(shù)據。

90、替代地或附加地，如前所述，可以根據干涉儀測量的干涉信號的至少一個特征來調整測量光束的位置。

91、定位單元可以包括用于襯底的支架和/或用于干涉儀的支架。

92、定位單元可以通過以下方式調整測量光束在頂面上的位置：

93、-?使干涉儀相對于襯底移動；和/或

94、-?使襯底相對于干涉儀移動。

95、在一些實施例中，為了調整測量光束在頂面上的直徑，調整單元可以包括以下中的至少一個：

96、-?轉臺，其用于改變放置在干涉儀和頂面之間的測量光束的路徑上的至少一個光學元件，例如透鏡或擴束器；

97、-?放置在干涉儀和頂面之間的測量光束的路徑上的具有可調焦距的光學元件，例如透鏡或變焦透鏡；和/或

98、-?放置在干涉儀和頂面之間的測量光束的路徑上的具有可調數(shù)值孔徑的擴束器。

99、在一些實施例中，成像單元和干涉儀的相應光路可以具有共同部分。在這種情況下，根據本發(fā)明的系統(tǒng)可以包括同步單元，使得所述成像單元和所述干涉儀按順序使用或依次使用。

100、為了使成像單元和干涉儀同步，同步單元可以包括以下中的至少一個：

101、-?遮光器，所述遮光器位于干涉儀和共同部分之間并且可以在阻擋測量光束通過的第一位置和允許所述測量光束通過的第二位置之間移動；

102、-?鏡子，所述鏡子位于干涉儀和共同部分之間并且可以在使測量光束的通過偏離結構第一位置和使所述測量光束朝向所述結構偏轉的第二位置之間移動；

103、-?濾光器，例如中性密度濾光器或光譜濾光器，其位于干涉儀和共同部分之間，并且可以在對測量光束進行濾光以阻擋該測量光束或使其強烈衰減的第一位置和使測量光束通過的第二位置之間移動；

104、-?衰減設備，例如光電衰減器，其位于干涉儀和共同光路部分之間，該衰減設備的衰減值是可控的；

105、-?打開和關閉干涉儀光源的控制器；

106、-?控制成像設備和/或光源的控制器，以相對于干涉儀的脈沖光源觸發(fā)成像設備進行一個或更多個圖像的采集，從而在所述光源的脈沖之間執(zhí)行圖像采集。

107、在一些實施例中，成像單元可以包括可選地與顯微鏡光學裝置組合的光源和相機。

108、在一些實施例中，干涉儀耦合到與傳輸測量光束和反射光的光纖。光纖可以是單模光纖。

109、例如，干涉儀可以是時域干涉儀。在這種情況下，干涉儀包括發(fā)射多色光的寬帶光源（未示出）。該干涉儀還包括光延遲線，該光延遲線允許改變兩個光束之間的光程差。當分別在結構的頂部處與底部處反射的光束之間的光程差時，或這些相應光束與參考光束之間的光程差被延遲線再現(xiàn)時，可以在光電探測器上觀察到干涉突發(fā)或條紋，允許測量該光程差。從所述光程差中推斷出結構的深度。

110、干涉儀也可以是光譜域干涉儀。在這種情況下，干涉儀包括發(fā)射多色光的寬帶光源（為示出）和用于對反射光進行光譜分析的光譜儀。通過在光譜儀上組合分別被結構的頂部和底部反射的光獲得的光譜呈現(xiàn)出公知的圖案（例如，調制），對光譜的分析能夠提供疊加光束之間的光程差。從所述光程差推斷出結構的深度。

111、干涉儀還可以包括掃頻源干涉儀，該干涉儀具有可調諧激光器，其發(fā)射光學頻率在光譜范圍內隨時間變化的單色光。反射光的強度由光電探測器測量，從而復原出光譜，對光譜的分析還允許測量反射光束之間的光程差，并且從而測量結構的深度。

112、干涉儀可以例如類似于以wo2007/042676號公布的文獻中描述的干涉儀。