技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高可靠性和高集成度的eFlash串口測(cè)試電路及其測(cè)試方法，該測(cè)試電路包括依次連接的測(cè)試信號(hào)生成電路、信號(hào)選擇電路以及嵌入式閃存(eFlash)，嵌入式閃存的輸出端再與測(cè)試信號(hào)生成電路連接。測(cè)試方法包括如下步驟：a、接收串行輸入的測(cè)試指令和配置參數(shù)，并根據(jù)對(duì)所述測(cè)試指令的解碼，選擇對(duì)eFlash執(zhí)行的測(cè)試操作；b、根據(jù)輸入的配置參數(shù)，對(duì)所需執(zhí)行的測(cè)試操作進(jìn)行相應(yīng)配置，通過內(nèi)部的狀態(tài)機(jī)生成相應(yīng)的測(cè)試激勵(lì)，完成對(duì)eFlash的測(cè)試操作；c、通過串行輸出端口將eFlash的測(cè)試結(jié)果反饋出來。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可靠性高，集成度高，能滿足半導(dǎo)體集成電路測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域中對(duì)eFlash的測(cè)試要求。

技術(shù)研發(fā)人員：高寧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.28
技術(shù)公布日：2017.10.20