本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片測試領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體芯片老化測試裝置及方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體芯片的可靠性測試(htol，endurance)等耐久性老化測試采用的是基礎(chǔ)型功能測試(grossfunctiontest)，即芯片的工作頻率會降低到10mhz以下，原因在于測試用的老化板在傳輸高頻信號源的高頻信號時，由于高頻信號源的阻抗不匹配，會產(chǎn)生傳輸線失真，導(dǎo)致實際到達(dá)芯片的高頻信號會異常。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣褰Y(jié)構(gòu)示意圖，其中測試?yán)匣?0包括印刷電路板板體11、芯片插座12、信號傳輸線13、金手指14。其中金手指14用于連接信號源和測試?yán)匣?0，信號傳輸線13用于傳輸驅(qū)動信號，芯片插座12用于固定和連接半導(dǎo)體芯片，印刷電路板板體11為各部件的載體。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣?0的測試信號示意圖；結(jié)合圖1和圖2可知，高頻信號源的高頻信號通過測試?yán)匣?0的金手指14加載到芯片插座的半導(dǎo)體芯片時，由于高頻信號源通過信號傳輸線13輸入到安裝到芯片插座的半導(dǎo)體芯片，而高頻信號源在輸入頻率信號時，由于測試?yán)匣宓淖杩故枪潭ǖ?，因此，?dāng)高頻信號源加載不同的頻率信號時，會出現(xiàn)頻率失真的情況，如圖2所示，加載的高頻信號(靠近金手指方向的頻率信號)為方波信號，而輸入到芯片插座的高頻信號的高低電平出現(xiàn)了尖峰失真(信號傳輸線13上的頻率信號)，從而影響了半導(dǎo)體芯片的老化測試的準(zhǔn)確性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種克服了現(xiàn)有技術(shù)中高頻信號傳輸失真以及實現(xiàn)多組不同頻率的信號選擇性輸入，并且提高測試準(zhǔn)確性和提高測試效率的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置及方法。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，包括安裝有待老化測試的半導(dǎo)體芯片的測試?yán)匣?，所述的測試?yán)匣灏ㄓ∷㈦娐钒灏弩w，所述的印刷電路板板體包括通過信號傳輸線電路連接的金手指和芯片插座，所述的芯片插座用于安裝待老化測試的半導(dǎo)體芯片，還包括與所述的芯片插座電連接的控制電路，所述的控制電路包括多路復(fù)用器和多個高頻晶體振蕩器，每個高頻晶體振蕩器輸出的頻率信號不相同，所述的多路復(fù)用器具有多個信號輸入端、一個信號控制端和一個信號輸出端，所述的信號控制端用于選通連接其中一個信號輸入端，使多路復(fù)用器的信號輸出端輸出該選通的信號輸入端的信號，每個所述的信號輸入端至多連接有一個高頻晶體振蕩器，當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號輸入端連接有高頻晶體振蕩器時，并且所述的信號控制端選通連接具有該高頻晶體振蕩器的信號輸入端時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出一定高頻頻率的測試信號并將該測試信號加載到所述的芯片插座，以對安裝于所述的測試?yán)匣宓拇匣瘻y試的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，所述半導(dǎo)體芯片老化測試裝置在退出半導(dǎo)體芯片的老化測試時，斷開所述的測試?yán)匣迮c測試信號的連接。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，所述半導(dǎo)體芯片為閃存，該閃存的老化測試包括寫入模式、讀取模式和擦除模式的老化測試；當(dāng)所述的半導(dǎo)體老化測試裝置包括任意二種模式的老化測試時；所述的多路復(fù)用器為至少具有兩個信號輸入端的多路復(fù)用器，所述的多路復(fù)用器的兩個信號輸入端連接有不同頻率的高頻晶體振蕩器；當(dāng)所述的半導(dǎo)體老化測試裝置包括三種模式的老化測試時；所述的多路復(fù)用器為至少具有三個信號輸入端的多路復(fù)用器，所述的多路復(fù)用器的三個信號輸入端連接有不同頻率的高頻晶體振蕩器。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，所述的芯片插座為一個或多個。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體芯片老化測試方法，采用上述的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，通過由多路復(fù)用器和多個高頻晶體振蕩器構(gòu)成的控制電路對芯片插座內(nèi)安裝的待老化測試的半導(dǎo)體芯片施加頻率信號，當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號輸入端連接有高頻晶體振蕩器時，并且所述的信號控制端選通連接具有該高頻晶體振蕩器的信號輸入端時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出一定高頻頻率的測試信號并將該測試信號加載到所述的芯片插座，以對安裝于所述的測試?yán)匣宓拇匣瘻y試的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片老化測試方法，所述的半導(dǎo)體芯片為閃存，所述閃存的老化測試為耐久性老化測試，包括寫入模式、讀取模式和擦除模式，當(dāng)所述閃存進(jìn)行耐久性老化測試時，包括以下步驟：

步驟s1，將待老化測試的閃存安裝到測試?yán)匣宓男酒遄鶅?nèi)；

步驟s2，當(dāng)進(jìn)行閃存的寫入模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器的信號控制端選通連接所述多路復(fù)用器中的某一個信號輸入端，使所述的信號輸入端連接有一個提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器，所述多路復(fù)用器的信號輸出端輸出該第一種頻率測試信號；

步驟s3，當(dāng)進(jìn)行閃存的讀取模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器的信號控制端選通連接所述多路復(fù)用器中的某一個信號輸入端，使所述的信號輸入端連接有一個提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器，所述多路復(fù)用器的信號輸出端輸出該第二種頻率測試信號；

步驟s4，當(dāng)進(jìn)行閃存的擦除模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器的信號控制端選通連接所述多路復(fù)用器中的某一個信號輸入端，使所述的信號輸入端連接有一個提供有第三種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器，所述多路復(fù)用器的信號輸出端輸出該第三種頻率測試信號；

步驟s5，執(zhí)行循環(huán)測試的步驟：

當(dāng)閃存進(jìn)行寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的任意二種模式的老化測試時，循環(huán)上述步驟s2至s4中對應(yīng)的二種模式；

當(dāng)閃存進(jìn)行寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的全部模式的老化測試時，循環(huán)上述步驟s2至s4；

步驟s6，當(dāng)步驟s5中的累計循環(huán)次數(shù)達(dá)到設(shè)計要求標(biāo)準(zhǔn)時，使閃存退出老化測試。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，還包括根據(jù)設(shè)計要求標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整寫入模式、讀取模式和擦除模式的老化測試的執(zhí)行順序的步驟。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，當(dāng)閃存為任意二種模式的老化測試時；當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為0時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器對應(yīng)的信號輸入端的第一種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為1時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器對應(yīng)的信號輸入端的第二種頻率測試信號。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，當(dāng)閃存為全部模式的老化測試時；當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為00時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器對應(yīng)的信號輸入端的第一種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為10時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器對應(yīng)的信號輸入端的第二種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為01時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有第三種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器對應(yīng)的信號輸入端的第三種頻率測試信號。

進(jìn)一步的，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，當(dāng)所述的多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號為11時，所述的多路復(fù)用器的信號輸出端輸出與提供有電平信號的信號輸入端的電平信號，以使閃存退出老化測試。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置及方法，增加了由多路復(fù)用器和多個高頻晶體振蕩器組成的控制電路，通過多路復(fù)用器的信號控制端的控制信號選通連接有具有某一固定頻率的高頻晶體振蕩器的信號輸入端，從而使多路復(fù)用器的信號輸出端將高頻晶體振蕩器的固定頻率加載到芯片插座內(nèi)安裝的待老化測試半導(dǎo)體芯片，以克服了現(xiàn)有技術(shù)中高頻信號源對測試?yán)匣宓陌雽?dǎo)體芯片阻抗不匹配以及信號傳輸線影響頻率失真的問題，從而保證了半導(dǎo)體芯片老化測試的輸入頻率信號的穩(wěn)定性，進(jìn)而保證了半導(dǎo)體芯片的老化測試的準(zhǔn)確性。另外，本發(fā)明在進(jìn)行半導(dǎo)體芯片在進(jìn)行寫入、讀取和擦除模式等多種類型的老化測試時，通過多路復(fù)用器選通其中一個對應(yīng)的高頻晶體振蕩器輸出的固定高頻頻率，從而對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試時，而無需調(diào)整輸入信號源的頻率信號，從而實現(xiàn)了多種高頻頻率信號輸入的快速選擇，從而提高了半導(dǎo)體芯片老化測試的測試效率。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣褰Y(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣宓臏y試信號示意圖；

圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣褰Y(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

現(xiàn)有技術(shù)圖示：10、測試?yán)匣澹?1、印刷電路板板體，12、芯片插座，13、信號傳輸線，14、金手指；

本發(fā)明圖示：100、測試?yán)匣澹?01、印刷電路板板體，102、芯片插座，103、信號傳輸線，104、金手指；200、控制電路，mux、多路復(fù)用器，x、晶體振蕩器，in、信號輸入端，out、信號輸出端，t、信號控制端。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細(xì)描述：

本實施方式提供一種半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，包括安裝有待老化測試的半導(dǎo)體芯片的測試?yán)匣?00和控制電路200。

其中，所述的測試?yán)匣?00包括印刷電路板板體101，所述的印刷電路板板體101包括通過信號傳輸線103電路連接的金手指104和芯片插座102，所述的芯片插座102用于安裝待老化測試的半導(dǎo)體芯片。

其中，所述的控制電路200與芯片插座102電連接，其包括多路復(fù)用器mux和多個高頻晶體振蕩器x，為便于區(qū)分，將多個高頻晶體振蕩器在其符號x后面使用數(shù)字表示，例如x1，x2，x3等。其中高頻晶體振蕩器x為產(chǎn)生高頻頻率信號的元器件，可以為有源晶體振蕩器，也可以是無源晶體振蕩器。當(dāng)為有源晶體振蕩器時，晶體振蕩器的電源可以采用鋰電池供電或者通過測試?yán)匣?00的金手指104或者信號傳輸線103提供，當(dāng)為無源晶體振蕩器時，可以通過測試?yán)匣?00的金手指104或者信號傳輸線103提供。多路復(fù)用器mux為控制輸入通路的元器件。每個高頻晶體振蕩器x輸出的頻率信號不相同，所述的多路復(fù)用器mux具有多個信號輸入端in、一個信號控制端t和一個信號輸出端out，為了便于區(qū)分，每個信號輸入端在其符號in后也加入數(shù)字表示，例如in1，in2，in3，in4……等。所述的信號控制端t用于選通連接其中一個信號輸入端in，使多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出該選通的信號輸入端in的信號，每個所述的信號輸入端in至多連接有一個高頻晶體振蕩器x，當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號輸入端in連接有高頻晶體振蕩器x時，并且所述的信號控制端t選通連接具有該高頻晶體振蕩器x的信號輸入端in時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出一定高頻頻率的測試信號并將該測試信號加載到所述的芯片插座102，以對安裝于所述的測試?yán)匣?00的待老化測試的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試。

實施例一

圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣褰Y(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖3-4所示，本實施例一中提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，所述的半導(dǎo)體芯片為閃存。當(dāng)然也可以是其它類型的半導(dǎo)體存儲器芯片或者其它類型的半導(dǎo)體芯片，不限于閃存或存儲器。本實施方式中選擇使用具有兩個信號輸入端in的多路復(fù)用器mux，即二選一的多路復(fù)用器mux。僅用于對半導(dǎo)體閃存芯片老化測試裝置的寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的任意二種模式進(jìn)行老化測試；其中，多路復(fù)用器mux的兩個信號輸入端in連接不同頻率的高頻晶體振蕩器x。

實施例二

圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的測試?yán)匣褰Y(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的老化測試裝置的另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖3、圖5所示，本實施例二提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，所述的半導(dǎo)體芯片為閃存。選擇使用具有四個信號輸入端in的多路復(fù)用器mux，即四選一的多路復(fù)用器mux。其中所述的多路復(fù)用器mux的三個信號輸入端in連接有不同頻率的高頻晶體振蕩器x，以用于對寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式的半導(dǎo)體閃存芯片進(jìn)行全部模式的老化測試。本實施方式中的多路復(fù)用器mux，是指具有多個信號輸入端in多路復(fù)用器mux。其中多個信號輸入端in是指二個及二個以上的多個信號輸入端in。

上述實施例一、二中的二選一和四選一的多路復(fù)用器mux，僅為實現(xiàn)本發(fā)明的示例，其不限于二選一的多路復(fù)用器mux和四選一的多路復(fù)用器mux，還可以是三選一、六選一、八選一、十六選一等多選一的多路復(fù)用器mux或者也可以是八選二等具有兩個信號輸出端out且其中一個信號輸出端out不連接或空位的多選二多路復(fù)用器mux。即具有多個信號輸入端in和多個信號輸出端out的多選多的多路復(fù)用器mux同樣適用。

為了提高的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置的測試穩(wěn)定性，本實施例中所述的芯片插座102為一個，從而使半導(dǎo)體芯片的測試不受干擾。

為了提高半導(dǎo)體芯片老化測試裝置的測試效率，本實施例中所述的芯片插座102可以為多個。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，增加了由多路復(fù)用器mux和多個高頻晶體振蕩器x組成的控制電路200，通過多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通連接有具有某一固定頻率的高頻晶體振蕩器x的信號輸入端in，從而使多路復(fù)用器mux的信號輸出端out將高頻晶體振蕩器x的固定頻率加載到待老化測試半導(dǎo)體芯片，以克服了采用高頻信號源對裝載于芯片插座102內(nèi)的半導(dǎo)體芯片阻抗不匹配以及信號傳輸線103頻率失真的現(xiàn)象，從而保證了半導(dǎo)體芯片老化測試的輸入頻率信號的穩(wěn)定性，從而保證了半導(dǎo)體芯片的老化測試的準(zhǔn)確性。由于每個高頻振蕩器的連接方式固定，因此，消除了高頻信號源對芯片插座102輸入高頻信號的頻率失真現(xiàn)象。值得說明的是，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置中的芯片插座102對應(yīng)安裝的半導(dǎo)體芯片的阻抗匹配等外圍電路只需滿足最小系統(tǒng)即可，且其外圍電路及其阻抗匹配也屬于現(xiàn)有技術(shù)，這里不做說明，具體可根據(jù)待測試芯片的典型電路進(jìn)行設(shè)置，因此，該部分的技術(shù)也不能作為本發(fā)明公開不充分的理由。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置在進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的寫入、讀取和擦除模式的老化測試時，通過多路復(fù)用器mux選通其中一個高頻晶體振蕩器x從而對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試，而無需多次反復(fù)調(diào)整輸入高頻信號源的頻率信號，從而實現(xiàn)了多種輸入頻率信號的快速選擇，從而提高了半導(dǎo)體芯片老化測試的測試效率。

本實施方式的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置，根據(jù)半導(dǎo)體芯片的老化測試的內(nèi)容選擇高頻晶體振蕩器x的個數(shù)，即根據(jù)測試模式選擇高頻晶體振蕩器x的數(shù)量。

實施例三

本實施例三是基于上述實施例一或?qū)嵤├峁┮环N半導(dǎo)體芯片老化測試方法，采用如上述實施例一或?qū)嵤├陌雽?dǎo)體芯片老化測試裝置其方案如下：通過由多路復(fù)用器mux和多個高頻晶體振蕩器x構(gòu)成的控制電路200對測試?yán)匣?00的芯片插座102施加頻率信號，當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號輸入端in連接有高頻晶體振蕩器x時，并且所述的信號控制端in選通連接具有該高頻晶體振蕩器x的信號輸入端in時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出一定高頻頻率的測試信號并將該測試信號加載到所述的測試?yán)匣?00的芯片插座102，以對安裝于所述的測試?yán)匣?00的待老化測試的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行老化測試。

實施例四

本實施例四是基于實施例三為基礎(chǔ)而形成的。測試的半導(dǎo)體芯片為閃存。閃存的老化測試為耐久性老化測試，包括寫入模式、讀取模式和擦除模式，其中寫入模式為往閃存內(nèi)寫入數(shù)據(jù)，需要一種頻率信號；讀取模式為將閃存內(nèi)的數(shù)據(jù)讀出，需要另一種頻率信號；擦除模式為將閃存內(nèi)數(shù)據(jù)擦除，需要又一種頻率信號。即三種模式需要三種不同的頻率信號。

當(dāng)所述閃存進(jìn)行耐久性老化測試時，包括以下步驟：

步驟s1，將待老化測試的閃存安裝到測試?yán)匣?00的芯片插座102內(nèi)；

步驟s2，當(dāng)進(jìn)行閃存的寫入模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通連接所述多路復(fù)用器mux中的某一個信號輸入端in，使所述的信號輸入端in連接有一個提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x，所述多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出該第一種頻率測試信號；

步驟s3，當(dāng)進(jìn)行閃存的讀取模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通連接所述多路復(fù)用器mux中的某一個信號輸入端in，使所述的信號輸入端in連接有一個提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x，所述多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出該第二種頻率測試信號；

步驟s4，當(dāng)進(jìn)行閃存的擦除模式的老化測試時，所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通連接所述多路復(fù)用器mux中的某一個信號輸入端in，使所述的信號輸入端in連接有一個提供有第三種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x，所述多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出該第三種頻率測試信號；

步驟s5，執(zhí)行循環(huán)測試的步驟：

當(dāng)閃存進(jìn)行寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的任意二種模式的老化測試時，循環(huán)上述步驟s2至s4中對應(yīng)的二種模式；

當(dāng)進(jìn)行寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式的全部模式的老化測試時，循環(huán)上述步驟s2至s4；

步驟s6，當(dāng)步驟s5中的累計循環(huán)次數(shù)達(dá)到設(shè)計要求標(biāo)準(zhǔn)時，使閃存退出老化測試。例如，循環(huán)次數(shù)設(shè)計要求標(biāo)準(zhǔn)為10萬次。

作為較佳的實施方式，本實施方式提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，還包括根據(jù)設(shè)計要求標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整寫入模式、讀取模式和擦除模式的老化測試的執(zhí)行順序的步驟。即寫入模式、讀取模式和擦除模式的測試順序不受限制。

作為較佳的實施方式，本實施方式提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，當(dāng)半導(dǎo)體芯片老化測試方法為寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的任意二種模式的老化測試時；當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t的控制信號為0時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出與提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x對應(yīng)的信號輸入端in的第一種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t的控制信號為1時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出與提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x對應(yīng)的信號輸入端in的第二種頻率測試信號。此種方式退出測試時，可以選擇斷開芯片插座102的供電方式，或者選擇斷開芯片插座102與信號傳輸線103的電連接方式，還可以選擇斷開芯片插座102與多路復(fù)用mux的電連接。

作為較佳的實施方式，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片老化測試方法，當(dāng)半導(dǎo)體芯片老化測試方法為寫入模式、讀取模式和擦除模式三種模式中的全部模式的老化測試時；當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t的控制信號為00時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出與提供有第一種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x對應(yīng)的信號輸入端in的第一種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t的控制信號為10時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出與提供有第二種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x對應(yīng)的信號輸入端in的第二種頻率測試信號；當(dāng)所述的多路復(fù)用器mux的信號控制端t的控制信號為01時，所述的多路復(fù)用器mux的信號輸出端out輸出與提供有第三種頻率測試信號的高頻晶體振蕩器x對應(yīng)的信號輸入端in的第三種頻率測試信號。本實施方式中，信號控制端t的控制信號為11進(jìn)，對應(yīng)的多路復(fù)用器mux的信號輸入端in接電平信號，本實施例采用的電平信號為地，當(dāng)然也可以是其它例如正電源或者負(fù)電源的電平信號，以用于退出測試時的選通連接。

需要說明的是，本實施例中的控制信號00、01、10等與頻率為第一種、第二種、第三種等頻率種類的對應(yīng)關(guān)系僅為一種示例方式，并不固定，可以根據(jù)電路設(shè)計需要任意選擇或調(diào)整。第一種頻率測試信號、第二種頻率測試信號和第三種頻率測試信號的大小關(guān)系也未做限定，具體可根據(jù)實際進(jìn)行老化測試的模式對應(yīng)的頻率大小要求選擇合適的頻率信號。

本實施方式提供的半導(dǎo)體芯片老化測試裝置及方法，在所述半導(dǎo)體芯片老化測試裝置在退出半導(dǎo)體芯片的老化測試時，。

本實施方式提供了三種退出方式。第一種方式為使多路復(fù)用器mux的信號輸入端in為空位，即不連接任何高頻晶體振蕩器x或其它電子元器件。第二種方式為將多路復(fù)用器mux中選通連接的信號輸入端in和信號輸出端out斷開；第三種方式為將多路復(fù)用器mux的其中一個信號輸入端in連接有電平信號，并且通過多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通連接該電平信號；其中電平信號可以為高電平或低電平，本實施例二中選擇接地的低電平信號。通過多路復(fù)用器mux的信號控制端t選通接地的信號輸入端in時，半導(dǎo)體老化測試裝置退出測試。

本發(fā)明不限于上述具體實施方式，凡在本發(fā)明的權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)所作出的各種變化，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。