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三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器及其制備方法與流程

文檔序號(hào):11588255閱讀:335來源:國知局

本發(fā)明屬于氣敏材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦低濃度二氧化氮?dú)饷魝鞲衅骷捌渲苽浞椒ā?/p>



背景技術(shù):

現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展一方面為人類創(chuàng)造出巨大的財(cái)富,另一方面卻給生態(tài)環(huán)境帶來嚴(yán)重的污染。工業(yè)生產(chǎn)中氣體原料和廢氣的種類和數(shù)量隨著工業(yè)的發(fā)展而越來越多。這些氣體中,no2是一種強(qiáng)毒性氣體,主要來自汽車和煉油廠燃燒產(chǎn)生的廢氣,是引起酸雨、光化學(xué)煙霧以及腐蝕等環(huán)境問題的工業(yè)污染物之一;另外,no2氣體對(duì)呼吸道有強(qiáng)烈的刺激作用,嚴(yán)重時(shí)造成肺損害甚至肺水腫,所以快速準(zhǔn)確地對(duì)no2監(jiān)測(cè)越來越受到關(guān)注。

用于no2環(huán)境監(jiān)測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)方法(gb/t-15435-1995、hj-479-2009)主要是基于傳統(tǒng)的鹽酸萘乙二胺分光光度法,但該方法操作繁瑣,耗時(shí)長,容易造成二次污染,而且運(yùn)行成本高并需要日常維護(hù),給戶外實(shí)時(shí)檢測(cè)帶來了不便。研究體積小、成本低、能夠準(zhǔn)確、快捷地監(jiān)測(cè)大氣中no2的氣體傳感器具有重要的意義。近年來,結(jié)合納米技術(shù)研制成功的金屬氧化物傳感器,以其較高的靈敏度和選擇性,良好的穩(wěn)定性和恢復(fù)性,以及使用壽命長等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于有毒氣體、可燃可爆氣體、工業(yè)廢氣等氣體的檢測(cè)中。

氧化銦(in2o3)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,為bixbyite的晶體結(jié)構(gòu),屬于c-type稀土族類具有缺陷的氧化物,晶格常數(shù)為在晶格中,陽離子(in3+)占據(jù)四面體的空隙位置,陰離子(o2-)則位于面心立方晶格點(diǎn)。in2o3作為一種n型半導(dǎo)體金屬氧化物具有較小的電阻率和較高的催化活性,可用于氣敏材料的制備及元器件的構(gòu)成。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提出一種三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,該傳感器能對(duì)低濃度二氧化氮有良好的響應(yīng)特性。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為:

三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,是將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗,烘干備用;將氧化銦納米粉體與松油醇混合,在研缽中研磨均勻,采用旋涂法將氧化銦漿料涂抹于陶瓷平面電極上制成氣敏元件,將所述氣敏元件置于烘箱中烘干;然后將所述烘干后的氣敏元件置于馬弗爐,在一定溫度下進(jìn)行煅燒,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;將具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件的四條鉑導(dǎo)電絲焊接在基座上部的四根引線柱上,基座上部加蓋有管帽,經(jīng)老化處理后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。其具體步驟如下:

(1)將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗5min,烘干備用;

(2)稱取一定量的氧化銦納米粉體,與松油醇混合,在研缽中研磨30min,使其成為分散均勻的漿料;

(3)采用旋涂法將氧化銦漿料涂抹于陶瓷平面電極上制成氣敏元件,將所述氣敏元件置于烘箱中烘干;

(4)然后將步驟(3)所得氣敏元件置于馬弗爐,在500-800℃下煅燒2h,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;

(5)將所述的氣敏元件的鉑導(dǎo)電絲焊接在氣敏器件的基座上并加蓋管帽;

(6)將步驟(5)所得的氣敏器件老化處理3-10天后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。

步驟(1)所述的陶瓷平面電極背面有加熱層,用于氣敏元件的加熱處理;

步驟(2)所述的氧化銦粉體為三維顆粒結(jié)構(gòu),直徑為100-200nm。

步驟(3)中所述的旋涂法轉(zhuǎn)速為5000-8000r/min;

步驟(4)中的控制煅燒升溫速率為5-10℃/min;

步驟(6)中所述老化為電老化,兩端所加電壓為5v;

步驟(1)和步驟(3)所述的烘干是指在溫度為80-100℃的烘箱中烘干。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器,所述三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器是通過前述方法制備得到的,且包括陶瓷平面電極、氣敏材料、基座及管帽,所述的陶瓷平面電極正面為金電極,有四條引線,背面為電阻加熱層,用于氣敏元件的加熱處理,所述的氣敏材料為三維結(jié)構(gòu)的氧化銦材料,涂覆在陶瓷平面電極上,所述的陶瓷平面電極的四條引線焊接在基座上部的四根引線柱上,基座上部加蓋有管帽,所述的管帽為管狀不銹鋼材料,可卡套在基座上,高度略高于焊接后的陶瓷平面電極,頂端為不銹鋼網(wǎng),可使氣體通過同時(shí)防止灰塵等其他外界污染對(duì)傳感器產(chǎn)生不良影響。

本發(fā)明具有如下有益效果:

(1)本發(fā)明在制備過程中的各個(gè)步驟都不使用和產(chǎn)生有毒有害物質(zhì),有利于環(huán)境保護(hù);

(2)本發(fā)明制得的氣敏傳感器對(duì)no2表現(xiàn)出較高的靈敏度和快速響應(yīng)、恢復(fù),檢測(cè)限低,選擇性高;

(3)本發(fā)明制得的氣敏傳感器結(jié)構(gòu)及制備工藝簡(jiǎn)單,便于批量生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是實(shí)施例1氧化銦粉體的低倍sem圖;

圖3是實(shí)施例1氧化銦粉體的高倍sem圖;

圖4是實(shí)施例1制備的三維納米氧化銦氣敏元件的sem圖

圖5是實(shí)施例1制備的三維納米氧化銦氣敏元件對(duì)濃度為1ppm的no2氣體的動(dòng)態(tài)響應(yīng)恢復(fù)曲線;

圖6是是實(shí)施例1制備的三維納米氧化銦氣敏元件對(duì)不同濃度no2氣體的動(dòng)態(tài)響應(yīng)恢復(fù)曲線;

圖7是實(shí)施例1制備的氣敏元件對(duì)1ppm的no2氣體及對(duì)50ppm的其它氣體的靈敏度比較。

圖8為三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器基座和配套的管帽結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。

實(shí)施例1

三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,包括:

(1)將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗5min,烘干備用;

(2)稱取1mg氧化銦納米粉體,與1ml松油醇混合,在瑪瑙研缽中研磨30min,使其成為分散均勻的漿料;

(3)用涂料筆將漿料涂覆在陶瓷平面電極上,采用旋涂法用8000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速將氧化銦漿料旋涂均勻制成厚膜,將所述氣敏元件置于烘箱中100℃烘干;

(4)然后將步驟(3)所得氣敏元件置于馬弗爐,在600℃下煅燒2h,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;

(5)將所述的氣敏元件的鉑導(dǎo)電絲焊接在氣敏器件的基座上并加蓋管帽;

(6)將步驟(5)所得的氣敏器件老化處理5天后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。

其中,附圖1(a)為附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極的正面示意圖,附圖1(b)為附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極的背面結(jié)構(gòu)示意圖??梢钥闯?,附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極正面包括陶瓷基底3,在陶瓷基底3上,涂覆有金電極1,金電極1分別位于兩側(cè)且中間分開露出陶瓷基底3,兩側(cè)的金電極上各設(shè)置有一根鉑導(dǎo)電絲2,在附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極背面的陶瓷基底上,也涂覆有金電極1,金電極位于背面的兩側(cè),金電極中間設(shè)置有加熱層4,在背面的兩側(cè)金電極1上,也分別設(shè)置有一根鉑導(dǎo)電絲2。

本發(fā)明中采用的附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極,可以直接購買,也可以自己制作,只需要符合附圖1所示的結(jié)構(gòu)即可。

其中附圖8(a)為三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器基座的結(jié)構(gòu)示意圖,包括基座5和貫穿與基座的四根引線柱6,附圖8(b)為與基座配套的管帽,包括管狀不銹鋼材料構(gòu)成的管帽本體6,以及位于本體6頂部的不銹鋼網(wǎng)7。

實(shí)施例2

三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,包括:

(1)將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗5min,烘干備用;

(2)稱取1mg氧化銦納米粉體,與0.5ml松油醇混合,在瑪瑙研缽中研磨30min,使其成為分散均勻的漿料;

(3)用涂料筆將漿料涂覆在陶瓷平面電極上,采用旋涂法用5000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速將氧化銦漿料旋涂均勻制成厚膜,將所述氣敏元件置于烘箱中100℃烘干;

(4)然后將步驟(3)所得氣敏元件置于馬弗爐,在500℃下煅燒2h,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;

(5)將所述的氣敏元件的鉑導(dǎo)電絲焊接在氣敏器件的基座上并加蓋管帽;

(6)將步驟(5)所得的氣敏器件老化處理3天后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。

實(shí)施例3

三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,包括:

(1)將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗5min,烘干備用;

(2)稱取1mg氧化銦納米粉體與0.5ml松油醇混合,在瑪瑙研缽中研磨30min,使其成為分散均勻的漿料;

(3)用涂料筆將漿料涂覆在陶瓷平面電極上,采用旋涂法用5000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速將氧化銦漿料旋涂均勻制成厚膜,將所述氣敏元件置于烘箱中100℃烘干;

(4)然后將步驟(3)所得氣敏元件置于馬弗爐,在600℃下煅燒2h,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;

(5)將所述的氣敏元件的鉑導(dǎo)電絲焊接在氣敏器件的基座上并加蓋管帽;

(6)將步驟(5)所得的氣敏器件老化處理7天后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。

實(shí)施例4

(1)三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,包括:將附有金電極和鉑導(dǎo)電絲的陶瓷平面電極依次在丙酮,乙醇和去離子水中超聲清洗5min,烘干備用;

(2)稱取1mg氧化銦納米粉體,與0.5ml松油醇混合,在瑪瑙研缽中研磨30min,使其成為分散均勻的漿料;

(3)用涂料筆將漿料涂覆在陶瓷平面電極上,采用旋涂法用8000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速將氧化銦漿料旋涂均勻制成厚膜,將所述氣敏元件置于烘箱中100℃烘干;

(4)然后將步驟(3)所得氣敏元件置于馬弗爐,在700℃下煅燒2h,制備成具有三維結(jié)構(gòu)的納米氧化銦氣敏元件;

(5)將所述的氣敏元件的鉑導(dǎo)電絲焊接在氣敏器件的基座上并加蓋管帽;

(6)將步驟(5)所得的氣敏器件老化處理5天后得到旁熱式氧化銦納米氣敏傳感器。

實(shí)施例5

三維結(jié)構(gòu)納米氧化銦氣敏傳感器的制備方法,包括:

(1)二氧化氮的測(cè)定:通過調(diào)節(jié)加熱電壓,控制傳感器的工作溫度在200℃,采用恒電位法,在回路電壓不變的情況下,通過記錄氣敏器件的電信號(hào)變化得到傳感器在空氣和待測(cè)氣體中的電阻變化;

(2)傳感器的響應(yīng)值為:s=ra/rg,其中ra為傳感器在空氣中的電阻,rg為傳感器在待測(cè)氣體中的電阻;

(3)采用動(dòng)態(tài)配氣法將no2標(biāo)準(zhǔn)氣體(濃度為10ppm)通入氣體測(cè)試平臺(tái),將氣體傳感器器件暴露在待測(cè)氣體中,利用質(zhì)量流量計(jì)(mfc)或高精度配氣系統(tǒng)配制100,200,400,600,800,1000和1200ppb濃度梯度的no2標(biāo)準(zhǔn)氣體,測(cè)定其響應(yīng)值,得到no2濃度標(biāo)準(zhǔn)梯度曲線,如圖6所示。同時(shí)采用相同方法,配制1ppmno2和50ppmco、h2、ch4、nh3、ch3ch2oh的標(biāo)準(zhǔn)氣體,獲得該氣敏器件對(duì)no2氣體的選擇性,結(jié)果如圖5、7所示,該氣敏元件對(duì)低濃度no2有良好的響應(yīng)靈敏度,并具有較強(qiáng)干擾能力。

需要說明,上述描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部實(shí)施例,也不是對(duì)本發(fā)明的限制。基于本發(fā)明的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在本說明書中所談到的“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”等,指的是結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)包括在本申請(qǐng)概括性描述的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中多個(gè)地方出現(xiàn)同種表述不是一定指的是同一個(gè)實(shí)施例。進(jìn)一步來說,結(jié)合任一個(gè)實(shí)施例描述一個(gè)具體特征、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)時(shí),所要主張的是結(jié)合其他實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)也落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。

盡管這里參照發(fā)明的多個(gè)解釋性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述,但是,應(yīng)該理解,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出很多其他的修改和實(shí)施方式,這些修改和實(shí)施方式將落在本申請(qǐng)公開的原則范圍和精神之內(nèi)。更具體地說,在本申請(qǐng)公開權(quán)利要求的范圍內(nèi),可以對(duì)主題組合布局的組成部件和/或布局進(jìn)行多種變型和改進(jìn)。除了對(duì)組成部件和/或布局進(jìn)行的變型和改進(jìn)外,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說,其他的用途也將是明顯的。

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