1.一種基于鍍銀傾斜光纖光柵包覆磁流體的磁場傳感器，其特征在于：由寬帶光源(1)，偏振控制器(2)，光纖環(huán)行器(3)，單模光纖(4)，蝶形錐(5)，傾斜光纖光柵(6)，銀膜(7)，毛細(xì)管(8)，磁流體(9)，環(huán)氧樹脂(10)，磁場發(fā)生器(11)和光纖光譜儀(12)組成；寬帶光源(1)通過偏振控制器(2)與光纖環(huán)行器(3)的a端口相連，光纖環(huán)行器(3)的b端口與單模光纖(4)的左端相連；單模光纖(4)，蝶形錐(5)，傾斜光纖光柵(6)依次連接，傾斜光纖光柵(6)包層外均勻鍍有銀膜(7)，一起置于毛細(xì)管(8)的軸心處；毛細(xì)管(8)內(nèi)部填充磁流體(9)，兩端用環(huán)氧樹脂(10)密封，置于磁場發(fā)生器(11)的中部；光纖環(huán)行器(3)的c端口與光纖光譜儀(12)相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于鍍銀傾斜光纖光柵包覆磁流體的磁場傳感器，其特征在于：所述的蝶形錐(5)的錐區(qū)直徑為70μm～80μm，錐區(qū)長度為90μm～95μm，球形纖芯半徑為20μm～25μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于鍍銀傾斜光纖光柵包覆磁流體的磁場傳感器，其特征在于：所述的傾斜光纖光柵(6)的有效傾斜角度為10°～12°，柵區(qū)長度為10mm～12mm，柵區(qū)前端與蝶形錐(5)中心的距離為5mm～10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于鍍銀傾斜光纖光柵包覆磁流體的磁場傳感器，其特征在于：所述的銀膜(7)的膜厚為50nm～60nm，鍍膜長度為30mm～80mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于鍍銀傾斜光纖光柵包覆磁流體的磁場傳感器，其特征在于：所述的磁流體(9)的密度為1.8g/cc，飽和磁化強(qiáng)度為220Gauss，納米磁性顆粒的平均直徑為10nm。