1.一種高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，包括：
封裝液態(tài)汞的汞源容器，該汞源容器內(nèi)設(shè)置至少一層隔離裝置，所述隔離裝置上留有氣體通孔；
容置汞源容器的溫控裝置；
連通汞源容器的小流量載氣管路；
小流量載氣攜帶汞蒸氣與大流量稀釋氣管路連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述隔離裝置為帶凹孔的玻璃板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述溫控裝置包括溫控加熱爐以及支撐溫控加熱爐的支架。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述溫控加熱爐內(nèi)設(shè)有風扇、溫度傳感器和溫度控制器，所述溫度傳感器和溫度控制器連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述小流量載氣管路通過流量控制箱與汞源容器連通，所述大流量稀釋氣管路通過流量控制箱與汞源容器的輸出端連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述流量控制箱內(nèi)包括：分別與小流量載氣管路和大流量稀釋氣管路連通的載氣質(zhì)量流量計和稀釋氣質(zhì)量流量計，以及連通載氣質(zhì)量流量計和汞源容器的第一單向閥，和連通稀釋氣質(zhì)量流量計和汞源容器輸出端的第二單向閥。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，還包括：與汞源容器輸出端連通的模擬氣體管路，所述模擬氣體管路通過流量控制箱與汞源容器的輸出端連通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述流量控制箱內(nèi)還包括：與模擬氣體管路連通的稀釋氣浮子流量計，以及連通稀釋氣浮子流量計和汞源容器輸出端的第三單向閥。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，還包括：置于小流量載氣管路與汞源容器之間的預(yù)熱盤管，所述預(yù)熱盤管置于溫控裝置內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，還包括：與汞源容器輸出端連通的后端反應(yīng)系統(tǒng)、泄壓閥和尾氣凈化器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述汞源容器采用石英玻璃容器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或11所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述小流量載氣和大流量稀釋氣的氣源采用氮氣N2或者壓縮空氣，所述小流量載氣的流量范圍為10ml/min-100ml/min，大流量稀釋氣的流量范圍為2L/min-30L/min。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高濃度氣態(tài)汞發(fā)生器，其特征在于，所述溫控裝置內(nèi)溫度范圍為30-200℃。