技術(shù)特征：

1.一種便攜式電磁超聲脈沖激發(fā)裝置，其特征在于該裝置包括直流電源、1#隔離電源、2#隔離電源、升壓電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、儲(chǔ)能電容、功率放大電路、調(diào)諧電路和電磁超聲換能器，其中，所述直流電源為1#隔離電源和2#隔離電源供電，2#隔離電源與驅(qū)動(dòng)電路的控制側(cè)電源VDDI相連，1#隔離電源與驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)側(cè)的電源VDDB和VDDA相連，1#隔離電源和2#隔離電源同時(shí)為所述驅(qū)動(dòng)電路供電，1#隔離電源與升壓電路的輸入電壓Vi相連，為升壓電路供電；所述控制電路同時(shí)與驅(qū)動(dòng)電路和升壓電路連接，升壓電路的輸出端與儲(chǔ)能電容以及功率放大電路的直流母線端連接，驅(qū)動(dòng)電路與功率放大電路的輸入端連接，功率放大電路的輸出端經(jīng)調(diào)諧電路與電磁超聲換能器連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便攜式電磁超聲脈沖激發(fā)裝置，其特征在于所述升壓電路包括輸入電解電容Ci、輸出電容Co、耦合電感的初級(jí)電感L_P、耦合電感的次級(jí)電感L_S、電容C_b1、電容C_b2、電容C_c、電阻R_g、電阻R_G、電阻R_s、電阻R_FB1、滑動(dòng)變阻器R_FB2、場(chǎng)效應(yīng)管S、NPN型雙極性三極管Qs、NPN型雙極性三極管Q_T、NPN型雙極性三極管Qu、PNP型雙極性三極管Qd、電阻R_b0、電阻R_E、電阻R_F、電阻R_b、電阻R_T、電容C_T、電容C_F、電容C_p1、電容C_p2和集成芯片UC3843，具體電路組成是輸入電解電容Ci的負(fù)端接地，正端同時(shí)與耦合電感的初級(jí)電感L_P的第1端和輸入電壓Vi的正極相連，輸入電壓Vi的負(fù)極接地；所述耦合電感的初級(jí)電感L_P的第2端同時(shí)連接電容C_b1的一端、場(chǎng)效應(yīng)管S的漏極、二極管D_C的陽極；二極管D_C的陰極同時(shí)與二極管D_b1的陽極、電容C_c的一端連接；場(chǎng)效應(yīng)管S的柵極與電阻R_g的一端、電阻R_G的一端連接；場(chǎng)效應(yīng)管S的源極同時(shí)與電阻R_G的另一端、電阻R_s的一端、電容C_c的另一端、電阻R_E的一端、R_F的一端連接；電阻R_s的另一端接地；電容C_b1的另一端同時(shí)連接耦合電感的次級(jí)電感L_S的第1端、二極管D_b2的陽極；耦合電感的次級(jí)電感L_S的第2端同時(shí)連接二極管D_b1的陰極、電容C_b2的一端；電容C_b2的另一端同時(shí)連接二極管D_b2的陰極、二極管D_o的陽極；二極管D_o的陰極同時(shí)連接輸出電容Co的一端和電阻R_FB1的一端，且輸出高壓HV，高壓HV為儲(chǔ)能電容充電；所述輸出電容Co的另一端接地；電阻R_FB1的另一端與滑動(dòng)變阻器R_FB2的一端連接，滑動(dòng)變阻器R_FB2的另一端接地，滑動(dòng)變阻器R_FB2的滑動(dòng)端與集成芯片UC3843的V_FB腳連接；

所述電阻R_b0的一端接控制電路的TTL控制信號(hào)charge，另一端接所述NPN型雙極性三極管Qs的基極；所述NPN型雙極性三極管Qs的集電極接集成芯片UC3843的COMP腳，發(fā)射極接地；所述集成芯片UC3843的V_REF腳同時(shí)連接電容C_p1的一端、電阻R_T的一端、NPN型雙極性三極管Q_T的集電極；所述電容C_p1的另一端接地；電阻R_T的另一端同時(shí)連接NPN型雙極性三極管Q_T的基極、集成芯片UC3843的R_T/C_T腳、電容C_T的一端；電容C_T的另一端接地；電阻R_E的另一端與NPN型雙極性三極管Q_T的發(fā)射極連接；所述電阻R_F的另一端同時(shí)連接電容C_F的一端和集成芯片UC3843的I_sense腳；電容C_F的另一端接地；集成芯片UC3843的GND腳接地，OUTPUT腳與電阻R_b的一端相連，V_CC腳同時(shí)連接電容C_p2的一端、輸入電壓Vi、NPN型雙極性三極管Qu的集電極；電阻R_b的另一端同時(shí)連接NPN型雙極性三極管Qu的基極和PNP型雙極性三極管Qd的基極；PNP型雙極性三極管Qd的集電極接地，發(fā)射極同時(shí)連接NPN型雙極性三極管Qu的發(fā)射極和電阻R_g的另一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便攜式電磁超聲脈沖激發(fā)裝置，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電路包括左半橋驅(qū)動(dòng)電路和右半橋驅(qū)動(dòng)電路，兩個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及所有器件的參數(shù)均一致，以左半橋驅(qū)動(dòng)電路為例，包括：電阻R_I1、電容C_I1、旁路電容C_VDDI1、芯片Si8234、旁路電容C_A1、電阻R_BOOT1、二極管D_BOOT1、自舉電容C_BOOT1、電阻R_DT1、旁路電容C_B1、電阻R_g1、電阻R_b1、電阻R_g2、電阻R_b2、肖特基二極管D_g1、肖特基二極管D_g2、雙向穩(wěn)壓二極管D_z1和雙向穩(wěn)壓二極管D_z2，其中，電阻R_I1的一端連接所述控制電路的TTL控制信號(hào)drvier1；芯片Si8234的DISABLE腳連接所述控制電路的TTL控制信號(hào)EN；電阻R_I1的另一端同時(shí)連接電容C_I1的一端和芯片Si8234的PWM腳，電容C_I1的另一端接地；所述電阻R_DT1的一端接芯片Si8234的DT腳，另一端接地；電容C_VDDI1的一端同時(shí)接芯片Si8234的VDDI腳和控制側(cè)電源VDDI，另一端和芯片Si8234的GNDI腳均接地；旁路電容C_A1的一端同時(shí)接驅(qū)動(dòng)側(cè)的電源VDDA和電阻R_BOOT1的一端，另一端接地；電阻R_BOOT1的另一端接二極管D_BOOT1的陽極；二極管D_BOOT1的陰極同時(shí)接芯片Si8234的VDDA腳和自舉電容C_BOOT1的一端；自舉電容C_BOOT1的另一端同時(shí)接芯片Si8234的GNDA腳、雙向穩(wěn)壓管D_z1的一端、電阻R_b1的一端、場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的源極、場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的漏極；旁路電容C_B1的一端同時(shí)接驅(qū)動(dòng)側(cè)的電源VDDB和芯片Si8234的VDDB腳，另一端接地，芯片Si8234的GNDB腳接地；肖特基二極管D_g1的陰極與電阻R_g1的一端連接之后接芯片Si8234的VOA腳，陽極與電阻R_g1的另一端連接之后同時(shí)接雙向穩(wěn)壓管D_z1的另一端、電阻R_b1的另一端、場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的柵極；場(chǎng)效應(yīng)管Q₁的漏極接儲(chǔ)能電容，輸出高壓HV；肖特基二極管D_g2的陰極與電阻R_g2的一端連接之后接芯片Si8234的VOB腳，陽極與電阻R_g2的另一端連接之后同時(shí)接雙向穩(wěn)壓管D_z2的一端、電阻R_b2的一端、場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的柵極；雙向穩(wěn)壓管D_z2的另一端與電阻R_b2的另一端、場(chǎng)效應(yīng)管Q₂的源極連接之后接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的便攜式電磁超聲脈沖激發(fā)裝置，其特征在于所述儲(chǔ)能電容為焊針型電解電容。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的便攜式電磁超聲脈沖激發(fā)裝置，其特征在于所述調(diào)諧電路由不同容值的銀云母電容組構(gòu)成。