本實(shí)用新型涉及電子儀表技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種接觸電阻測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

接觸電阻是表征電器設(shè)備接觸可靠性的重要參數(shù)，它常常作為衡量電器設(shè)備是否正常運(yùn)行的重要技術(shù)指標(biāo)，通過(guò)對(duì)觸頭接觸電阻值的測(cè)量可判斷觸頭的接觸情況，從而預(yù)測(cè)電器設(shè)備的壽命。傳統(tǒng)的接觸電阻測(cè)試方法采用伏安法來(lái)測(cè)量觸頭間的接觸電阻，由于觸頭間的接觸電阻值一般都在毫歐甚至微歐的數(shù)量級(jí)，并與接觸壓力的大小密切相關(guān)，當(dāng)用伏安法測(cè)量接觸電阻時(shí)，若觸頭間通過(guò)的電流較小，則觸頭兩端的電壓降很小，對(duì)測(cè)量接觸壓降的儀器靈敏度要求較高；而靈敏度提高信噪比變小，會(huì)使測(cè)量精度降低，影響測(cè)量結(jié)果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型提供一種能準(zhǔn)確測(cè)量不同壓力下的接觸電阻值的測(cè)試裝置。

本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種接觸電阻測(cè)試裝置，包括電源，所述電源的輸出端連接金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)，所述MOSFET的輸入端還連接MOSFET觸發(fā)電路，所述MOSFET的輸出端連接被測(cè)電阻，所述被測(cè)電阻的輸出端分別連接壓力傳感器和觸頭電壓信號(hào)處理電路，所述壓力傳感器的輸出端連接壓力信號(hào)處理電路，所述觸頭電壓信號(hào)處理電路和壓力信號(hào)處理電路的輸出端均連接單片機(jī)，所述單片機(jī)的輸出端連接所述MOSFET觸發(fā)電路。

進(jìn)一步地，所述單片機(jī)采用PIC16F877A單片機(jī)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本裝置采用脈沖電流法對(duì)接觸電阻進(jìn)行測(cè)量,對(duì)觸頭表面原始狀態(tài)破壞小,觸頭因焦耳熱產(chǎn)生的溫升小,所采用的原理和接線方式可以避免電流源紋波和引線電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響,可實(shí)現(xiàn)接觸電阻的精確測(cè)量；通過(guò)壓力傳感器對(duì)觸頭壓力進(jìn)行測(cè)量,能準(zhǔn)確反映觸頭壓力與接觸電阻之間的關(guān)系,對(duì)了解壓力對(duì)接觸電阻的影響有較強(qiáng)的實(shí)際意義。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意框圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示的一種接觸電阻測(cè)試裝置，包括電源，電源的輸出端連接金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)，MOSFET的輸入端還連接MOSFET觸發(fā)電路，MOSFET的輸出端連接被測(cè)電阻，被測(cè)電阻的輸出端分別連接壓力傳感器和觸頭電壓信號(hào)處理電路，壓力傳感器的輸出端連接壓力信號(hào)處理電路，觸頭電壓信號(hào)處理電路和壓力信號(hào)處理電路的輸出端均連接單片機(jī)，單片機(jī)的輸出端連接MOSFET觸發(fā)電路。

進(jìn)一步地，單片機(jī)采用PIC16F877A單片機(jī)。

綜上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。