本發(fā)明涉及芯片測試技術領域,尤其涉及一種cpu(centralprocessingunit,中央處理器)壓力測試裝置及方法。
背景技術:
隨著cpu芯片技術的發(fā)展,cpu芯片作為通信產品的核心部件,在通信產品上被廣泛使用,因此,cpu芯片的可靠性已然成為通信產品上重點關注的問題。目前,為了提高通信產品的可靠性,通信產品在生產過程中包含了針對cpu芯片的可靠性測試,其測試方法主要包括:cpu芯片焊裝之后,進行板卡級的cpu壓力測試。
但是,在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中,本發(fā)明技術人員發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有板卡級的cpu壓力測試存在如下問題:(1)板卡級的cpu壓力測試,無多應力因素,cpu壓力的嚴酷性不高,板級壓力測試篩選可能需要幾十小時暴露故障芯片或者無法暴露故障芯片,測試的有效性及效率都較低;(2)板卡級的cpu壓力測試,投入的測試設備成本、人力成本及時間成本都較大;(3)板卡級的cpu壓力測試項,cpu芯片放在產品整機上測試,對測試操作的復雜度要求較大。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的實施例提供一種cpu壓力測試裝置及方法,以解決現(xiàn)有板卡級的cpu壓力測試,導致有效性低、效率低、測試成本高、操作復雜度高的問題。
為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
第一方面,本發(fā)明實施例提供一種cpu壓力測試裝置,所述裝置可以包括:主板、設置在所述主板之上單片機管理模塊和cpu模塊;
所述cpu模塊,包含被測cpu芯片;
所述單片機管理模塊,可以用于控制所述被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設定的壓力測試程序,若所述被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則再控制所述被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力 測試程序;
若所述被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則確定所述被測cpu芯片通過壓力測試,可以將被測cpu芯片轉交后續(xù)生產,并應用到通信產品中。
第二方面,本發(fā)明實施例還提供一種cpu壓力測試方法,該方法應用于第一方面所述的裝置,所述方法可以包括:
所述單片機管理模塊控制所述cpu在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行所述壓力測試程序;若所述cpu在所述高溫、高壓、高頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則控制所述cpu在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測試程序;
若所述cpu在所述高溫、低壓、低頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則確定所述cpu壓力測試成功,可以將cpu轉交后續(xù)生產,并應用到通信產品中。
由上可知,本發(fā)明實施例提供一種cpu壓力測試裝置及方法,將被測cpu芯片放置在cpu模塊之后,由單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內成功執(zhí)行壓力測試程序,則控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內成功執(zhí)行壓力測試程序,則確定被測cpu芯片通過壓力測試,可以將cpu轉交后續(xù)生產,并應用到通信產品中。如此,在cpu芯片焊裝之前,通過本發(fā)明提供的cpu壓力測試裝置對cpu芯片進行內核電壓、內核主頻、溫度三重應力的壓力測試,加大了對cpu芯片壓力測試的應力因素,提高了cpu芯片壓力測試的嚴酷性,大大縮短了故障芯片的暴露時間,提高了測試有效性和效率,同時,該測試是在本發(fā)明提供的裝置上進行的,避免放在產品整機上測試,降低了設備投入成本和操作復雜度。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他 的附圖。
圖1為本發(fā)明實施例提供的cpu壓力測試裝置10的結構圖;
圖2為本發(fā)明實施例提供的cpu模塊102的結構圖;
圖3為本發(fā)明實施例提供的一種cpu壓力測試方法的流程圖;
圖4為本發(fā)明實施例提供的又一種cpu壓力測試方法的流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明的基本原理是:在中央處理器(centralprocessingunit,簡稱為cpu)焊裝之前,將cpu芯片放置在測試裝置上進行溫度、電壓、頻率三重應力的壓力測試,加大cpu芯片壓力測試的應力因素,提高cpu芯片壓力測試的嚴酷性。
下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
需要理解的是,在本發(fā)明的描述中,術語“第一”、“第二”、“另一”等指示的系統(tǒng)或元件為基于實施例描述的具有一定功能的系統(tǒng)或元件,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的系統(tǒng)或元件必須有此命名,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
實施例一
圖1為本發(fā)明實施例提供的cpu壓力測試裝置10的結構圖,該測試裝置單獨設立,不隸屬于任何通信設備,以避免cpu壓力測試過程中對其他器件的影響;如圖1所示,所述cpu壓力測試裝置10可以包括:主板101,至少一個cpu模塊102,單片機管理模塊103,以及至少一個管理通道104,管理通道104用于實現(xiàn)主板101上cpu模塊102和單片機管理模塊103之間的連接和相互通信。
其中,cpu模塊102包括被測cpu芯片201。
單片機管理模塊103,可能是一個控制被測cpu芯片201工作的cpu,也可以是特定集成電路(applicationspecificintegratedcircuit,asic),或者是被配置成實施本發(fā)明實施例的一個或多個集 成電路,例如:一個或多個微處理器(digitalsignalprocessor,dsp),或,一個或者多個現(xiàn)場可編程門陣列(fieldprogrammablegatearray,fpga);
所述單片機管理模塊103主要用于控制所述被測cpu芯片201在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行所述壓力測試程序,若所述被測cpu芯片201在高溫、高壓、高頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則控制所述被測cpu芯片201在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測試程序;若所述被測芯片cpu201在所述高溫、低壓、低頻模式下的預設時間內再次成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則確定所述被測cpu芯片通過壓力測試。
管理通道104,可以是工業(yè)標準體系結構(industrystandardarchitecture,isa)總線、外部設備互連(peripheralcomponentinterconnect,pci)總線或擴展工業(yè)標準體系結構(extendedindustrystandardarchitecture,eisa)總線等。為便于表示,圖1中僅用一條粗線表示,但并不表示僅有一根總線或一種類型的總線。
需要說明的是,本發(fā)明實施例所述的壓力測試程序可以根據需要預先設定,該壓力測試程序主要用于測試:被測cpu芯片內部不同的內核與各自的cache(緩存)之間、各自的cache與外部內存之間進行大量數據訪問的能力。
本發(fā)明實施例所述的高溫、高壓、高頻模式下的預設時間、高溫、低壓、低頻模式下的預設時間可以依據研發(fā)階段壓力測試數據而定,優(yōu)選的,二者可以設置為同一預設時間,本發(fā)明實施例對此不進行限定。
具體的,如圖2所示,所述cpu模塊102除了包括被測cpu芯片201,還可以包括:風扇單元202、供電單元203、存儲單元204、指示燈205和串口206;
其中,被測cpu芯片201可以通過設置在cpu模塊102上的cpu插座靈活地固定在cpu模塊102上,以便更換cpu芯片。
風扇單元202,可以為四線風扇,支持調速功能。
供電單元203,為給cpu供電的模塊,其輸出電壓值可以通過單片 機管理模塊103來配置。
存儲單元204,可以為是易失性存儲器(volatilememory),例如隨機存取存儲器(random-accessmemory,ram);或者非易失性存儲器(non-volatilememory),例如只讀存儲器(read-onlymemory,rom),快閃存儲器(flashmemory),硬盤(harddiskdrive,hdd)或固態(tài)硬盤(solid-statedrive,ssd);或者上述種類的存儲器的組合;其主要用于:存儲cpu芯片的啟動程序、壓力測試程序、壓力測試過程中的打印信息、cpu芯片的內核工作頻率參數,頻率參數可以為:cpu芯片能支持的最高工作頻率與最低工作頻率。
指示燈205,可以為兩個發(fā)光二極管(lightemittingdiode,led),其主要用來指示被測cpu芯片壓力測試的結果。例如,指示燈205可以為led1和led2,且其指示模式可以設置為如表1所示:
表1
串口206,可以為被測cpu芯片201與外部設備通信的接口。如:可以將測試中的日志信息通過串口206發(fā)送至外部設備。
具體的,將被測cpu芯片固定在cpu模塊102上、cpu模塊102固定在主板101上之后,可以將cpu壓力測試裝置10放入高溫烤箱內,以便被測cpu芯片的內核溫度可以快速達到最大結溫;
然后,在高溫環(huán)境下,單片機管理模塊103,可以用于在主板101開電后,將cpu模塊102中的供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到芯片的最大值,以便被測cpu芯片201在高壓下開始工作;
被測cpu芯片201在高壓下開始工作后,可以從存儲單元204中讀取最大工作內核頻率,以該頻率執(zhí)行設定的壓力測試程序,所述壓力測試程序可以預先存儲在存儲單元204中;
被測cpu芯片201在高壓、高頻執(zhí)行壓力測試程序的過程中,單片機管理模塊103,還可以用于讀取被測cpu芯片201的內核溫度,根據被測cpu芯片201的內核溫度,調控cpu模塊102中的風扇單元202的轉速,使被測cpu芯片201的內核溫度達到最大結溫,以保證被測cpu芯片201在高溫下進行壓力測試。
此時,被測cpu芯片201在高壓、高頻、高溫環(huán)境下進行壓力測試,按照表1預設的指示燈的工作模式,這時候,cpu模塊102中指示燈205的led1閃爍,led2常滅。
進一步的,若被測cpu芯片201在高壓、高頻、高溫環(huán)境下預設時間內未成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則指示燈205的led1常滅,led2常滅,確定被測cpu芯片201未通過壓力測試,即壓力測試失敗,該被測cpu芯片201可能為故障cpu芯片,不應將此cpu芯片投產,此時,可以通過所述cpu模塊102的串口206將本次測試的日志信息反饋給用戶,并將下一次壓力測試的最大工作內核頻率寫入存儲單元204中,更換cpu芯片,對更換后的cpu芯片進行下一次壓力測試。
若被測cpu芯片201在預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則表示被測cpu芯片201的高溫、高壓、高頻模式測試成功,接下來,所述cpu模塊102,還可以用于:
在所述被測cpu芯片201成功執(zhí)行壓力測試程序后,將最小工作內核頻率寫入所述cpu模塊102的存儲單元204中,并重新啟動所述被測cpu芯片201,向所述單片機管理模塊103發(fā)送重啟信號,所述重啟信號用于控制所述被測cpu芯片重新啟動;
所述單片機管理模塊103,還可以用于在接收到所述cpu模塊102發(fā)送的重啟信號后,將所述cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到最小值,使所述被測cpu芯片201在低壓環(huán)境下工作;被測cpu芯片201讀取存儲單元204中的最小工作內核頻率,采用所述最小工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序;
并獲取所述被測cpu芯片201執(zhí)行所述壓力測試程序中的內核溫度,根據所述被測cpu芯片201的內核溫度控制所述cpu模塊102的風扇單元202的轉速,保證所述被測cpu芯片201的內核溫度為最大結溫。
此時,被測cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下進行壓力測試,按照表1預設的指示燈的工作模式,這時候,cpu模塊102中指示燈205的led1常亮,led2閃爍。
若被測cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下,經過預設時間成功執(zhí)行壓力測試程序,則指示燈205的led1常亮,led2常亮,確定被測cpu芯片201通過壓力測試,即cpu壓力測試成功,該cpu芯片性能良好,可以投產,此時,可以刪除存儲在所述cpu模塊102的存儲單元204中的本次測試的日志信息,并將下一次壓力測試的最大工作內核頻率寫入存儲單元204中,更換cpu芯片,對更換后的cpu芯片進行下一次壓力測試。
若被測cpu芯片201在低壓、低頻、高溫環(huán)境下,經過預設時間內未成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則led1常亮,led2常滅,確定被測cpu芯片201的高溫高壓高頻模式測試成功,而被測cpu芯片201的高溫低壓低頻模式測試失敗,即該cpu芯片201未通過壓力測試,屬于問題芯片,不能投產,此時,可以通過所述cpu模塊102的串口206將本次測試的日志信息反饋給用戶,并將下一次壓力測試的最大工作內核頻率寫入存儲單元204中,更換cpu芯片,對更換后的cpu芯片進行下一次壓力測試。
需要說明的是,圖2中的供電單元203可以為不支持2條雙向串行線(inter-integratedcircuit,i2c)配置輸出電壓的供電單元,也可以為支持i2c配置輸出電壓的供電單元;
其中,針對不支持i2c配置輸出電壓的供電單元203,單片機管理模塊103可以用于通過繼電器選通高電壓配置電阻網絡,將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到cpu芯片的最大值;通過繼電器選通低電壓配置電阻網絡,將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到cpu芯片的最小值;
針對支持i2c配置輸出電壓的供電單元203,單片機管理模塊103可以通過i2c總線配置,將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到芯片的最大值;通過i2c總線配置,將cpu模塊102中供電單元203的輸出電壓值調節(jié)到芯片的最小值。
此外,在單片機管理模塊103控制風扇單元202的轉速時,單片 機管理模塊103具體可以用于:通過i2c總線獲取被測cpu芯片201的內核溫度,根據被測cpu芯片201的內核溫度、以及風扇調速機制輸出不同占空比的脈沖寬度調制(pulsewidthmodulation,pwm)信號控制風扇單元202的轉速,保證被測cpu芯片201在進行壓力測試時,被測cpu芯片的內核溫度為芯片的最大結溫。
其中,風扇單元的轉速可以是cpu芯片的內核溫度的一次函數,其具體關系如下:
當t_n<tmin_n時,duty_n=0;
當t_n>tmax_n時,duty_n=100;
否則duty_n=100*(t_n–tmin_n)/(tmax_n–tmin_n);
tmin_n:調速機制的溫度最小值,風扇停轉時內核溫度;
tmax_n:調速機制的溫度最大值,風扇全速轉時內核溫度;
t_n:實時獲取的cpu的內核溫度;
duty_n:pwm信號的占空比。
由上可知,本發(fā)明實施例提供一種cpu壓力測試裝置,將被測cpu芯片固定在cpu模塊之后,由單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內成功執(zhí)行壓力測試程序,則控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內再次成功執(zhí)行壓力測試程序,則確定被測cpu芯片通過壓力測試,即測試成功,可以將被測cpu芯片轉交后續(xù)生產,并應用到通信產品中。如此,在cpu芯片焊裝之前,通過本發(fā)明提供的cpu壓力測試裝置對cpu芯片進行內核電壓、內核主頻、溫度三重應力的壓力測試,加大了對cpu芯片測試的應力因素,提高了cpu芯片壓力測試的嚴酷性,大大縮短了故障芯片的暴露時間,提高了測試有效性和效率,同時,該測試是在本發(fā)明提供的裝置上進行的,避免放在產品整機上測試,降低了設備投入成本和操作復雜度。
為了便于描述,以下以步驟的形式示出并詳細描述了本發(fā)明中的cpu壓力測試方法,此外,雖然在圖中示出了邏輯順序,但是在某些可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。
實施例二
圖3為本發(fā)明實施例提供的一種cpu壓力測試方法的流程圖,由圖1所示的cpu壓力測試裝置10執(zhí)行,所述cpu壓力測試裝置10可以包含單片機管理模塊和包含被測cpu芯片的cpu模塊;如圖3所示,所述方法可以包括:
s101:單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設定的壓力測試程序。
其中,所述壓力測試程序可以根據需要預先設定,該壓力測試程序主要用于測試:被測cpu芯片內部不同的內核與各自的cache(緩存)之間、各自的cache與外部內存之間進行大量數據訪問的能力。所述壓力測試程序可以預先存儲在cpu模塊的存儲單元中。
s102:判斷被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預設時間內是否成功執(zhí)行所述壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則執(zhí)行s103。
其中,所述預設時間可以依據研發(fā)階段壓力測試數據而定,本發(fā)明實施例對此不進行限定。
s103:單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行所述壓力測試程序。
s104:判斷被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預設時間內是否成功執(zhí)行所述壓力測試程序。
s105:若被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預設時間內成功執(zhí)行所述壓力測試程序,則確定所述被測cpu芯片通過壓力測試。
此外,在所述被測cpu芯片通過壓力測試后,如圖3所示,所述方法還可以包括:
s106:將下一次測試的最大工作內核頻率寫入cpu模塊的存儲單元中,以便在更換下一個被測cpu芯片后,采用該最大工作內核頻率對下一cpu芯片進行壓力測試。
可理解的是,在進行步驟s106的同時,還可以刪除存儲在所述cpu中的本次測試的日志信息。
可選的,所述單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行設定的壓力測試程序可以包括:
在cpu壓力測試裝置的主板通電后,單片機管理模塊將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調節(jié)到最大值,啟動所述被測cpu芯片在高壓環(huán)境下工作,被測cpu芯片啟動后,讀取存儲單元中的最大工作內核頻率,采用最大工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序;
單片機管理模塊獲取被測cpu芯片執(zhí)行壓力測試程序中的內核溫度,根據被測cpu芯片的內核溫度控制cpu模塊中風扇單元的轉速,保證所述被測cpu芯片的內核溫度為最大結溫,以便被測cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。
可選的,被測cpu芯片在高溫、高頻、高壓環(huán)境下的預設時間內成功執(zhí)行壓力測試程序之后,單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測試程序之前,所述方法還可以包括:
cpu模塊將被測cpu芯片的最小工作內核頻率寫入cpu模塊的存儲單元中,重新啟動被測cpu芯片,并向單片機管理模塊發(fā)送重啟信號;所述重啟信號用于控制被測cpu芯片重新啟動。
可選的,所述單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下執(zhí)行壓力測試程序可以包括:
單片機管理模塊接收cpu模塊發(fā)送的重啟信號,將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調節(jié)到最小值,啟動被測cpu芯片在低壓環(huán)境下,被測cpu芯片啟動后,讀取存儲單元中的最小工作內核頻率,采用所述最小工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序;
單片機管理模塊獲取被測cpu芯片執(zhí)行壓力測試程序中的內核溫度,根據被測cpu芯片的內核溫度控制cpu模塊中風扇單元的轉速,保證被測cpu芯片的內核溫度為最大結溫,以便被測cpu單元工作在高溫環(huán)境下。
進一步的,若被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下的預設時間未成功執(zhí)行壓力測試程序,或者,被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下的預設時間未成功執(zhí)行壓力測試程序,則確定所述被測cpu 芯片未通過壓力測試,即測試失敗,被測cpu芯片可能為故障芯片;如圖3所示,在確定被測cpu芯片未通過壓力測試之后,所述方法還可以包括:
s107:將下一次測試的最大工作內核頻率寫入cpu模塊的存儲單元中,以便更換下一被測cpu芯片后,使下一被測cpu芯片采用該最大工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序。
可理解的是,在進行步驟s107的同時,還可以通過cpu模塊的串口將本次被測cpu芯片的壓力測試日志信息反饋給用戶。
如此,在cpu芯片焊裝之前,可以對被測cpu芯片進行內核電壓、內核主頻、溫度三重應力的壓力測試,加大了對cpu芯片壓力測試的應力因素,提高了cpu芯片壓力測試的嚴酷性,大大縮短了故障芯片的暴露時間,提高了測試有效性和效率。
下面結合表1中指示燈的工作模式,以圖4為例,對本發(fā)明實施例提供的方法進行詳細描述:
第一步:將被測cpu芯片固定在cpu模塊中的對應插座中,將cpu模塊固定到cpu壓力測試裝置的主板上,將cpu壓力測試裝置的主板放置在高溫烤箱里。
第二步:cpu壓力測試裝置的主板開電后,單片機管理模塊通過繼電器選通高電壓電阻網絡或i2c總線配置,將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調節(jié)到的最大值。
第三步:被測cpu芯片從cpu模塊的存儲單元中讀取最大工作內核頻率,以該最大工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序。
第四步:被測cpu芯片執(zhí)行壓力測試程序后,led1閃爍,led2常滅,表示被測cpu芯片正在高溫高壓高頻模式壓力測試中。
第五步:單片機管理模塊通過i2c總線獲取被測cpu芯片的內核溫度,根據被測cpu芯片的內核溫度以及風扇調速機制輸出不同占空比的pwm信號控制cpu模塊中風扇單元的轉速,保證被測cpu芯片的內核溫度為最大結溫,以便被測cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。
第六步:判斷被測cpu芯片在預設時間內是否成功執(zhí)行壓力測試程序,若是,則執(zhí)行第七步;若否,則led1常滅,led2常滅,確定被 測cpu芯片未通過壓力測試,執(zhí)行第十四步。
第七步:cpu模塊將下一次測試的最小工作內核頻率寫入到cpu模塊的存儲單元中,重啟被測cpu芯片,并向單片機管理模塊發(fā)送重啟信號。
第八步:單片機管理模塊接收到重啟信號后,通過繼電器選通低電壓電阻網絡或i2c總線配置,將cpu模塊中供電單元的輸出電壓值調節(jié)到的最小值。
第九步:被測cpu芯片從cpu模塊的存儲單元中讀取最小工作內核頻率,以該最小工作內核頻率執(zhí)行壓力測試程序。
第十步:被測cpu芯片執(zhí)行壓力測試程序后,led1常亮,led2閃爍,表示被測cpu芯片高溫高壓高頻模式測試ok,正處于高溫低壓低頻模式測試中。
第十一步:單片機管理模塊通過i2c總線獲取被測cpu芯片的內核溫度,根據被測cpu芯片的內核溫度和風扇調速機制輸出不同占空比的pwm信號控制cpu模塊中風扇單元的轉速,保證被測cpu芯片的內核溫度為最大結溫,以便被測cpu芯片工作在高溫環(huán)境下。
第十二步:判斷被測cpu芯片在預設時間內是否成功執(zhí)行壓力測試程序,若是,則led1常亮、led2常亮,執(zhí)行第十三步;若否,則led1常亮、led2常滅,表示被測cpu未通過壓力測試,執(zhí)行第十四步。
第十三步:將被測cpu芯片斷主板電源后投產,同時,將下一次測試的最大工作內核頻率寫入到cpu模塊的存儲單元中,刪除存儲在cpu模塊的存儲單元中本次測試的日志信息。
第十四步:標記被測cpu芯片為故障芯片,通過cpu模塊的串口將cpu模塊的存儲單元中本次測試的日志信息反饋給用戶,并將下一次測試的最大工作內核頻率寫入到cpu模塊的存儲單元中,更換下一個cpu芯片進行壓力測試。
由上可知,本發(fā)明實施例提供一種cpu壓力測試方法,單片機管理模塊控制被測cpu芯片在高溫、高壓、高頻模式下執(zhí)行壓力測試程序,若被測cpu芯片在預設時間內成功執(zhí)行壓力測試程序,則控制被測cpu芯片在高溫、低壓、低頻模式下再次執(zhí)行壓力測試程序,若被 測cpu芯片在預設時間內再次成功執(zhí)行壓力測試程序,則確定被測cpu芯片壓力通過壓力測試,可以將該cpu芯片轉交后續(xù)生產,并應用到通信產品中。如此,在cpu芯片焊裝之前,通過本發(fā)明提供的cpu壓力測試裝置對cpu芯片進行內核電壓、內核主頻、溫度三重應力的壓力測試,加大了對cpu芯片壓力測試的應力因素,提高了cpu芯片壓力測試的嚴酷性,大大縮短了故障芯片的暴露時間,提高了測試有效性和效率,同時,該測試是在本發(fā)明提供的裝置上進行的,避免放在產品整機上測試,降低了設備投入成本和操作復雜度。
最后應說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案,而非對其限制;盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分技術特征進行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。