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納米材料介電屏蔽型電子式光學電壓互感器的制作方法

文檔序號:11228906閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種納米材料介電屏蔽型電子式光學電壓互感器,包括:微型光學電場傳感單元,介電屏蔽單元和高壓電氣絕緣單元,以及與微型光學電場傳感單元通過光纖連接的光電及信號處理單元;用于在具有外界雜散電場干擾的實際運行場合中以光學技術精確地測量電壓;介電屏蔽單元包括構(gòu)成介電屏蔽區(qū)域的納米復合材料介電屏蔽結(jié)構(gòu),用于消除或減弱此區(qū)域內(nèi)來自外界雜散電場的干擾;通過采用納米材料介電屏蔽材料,使得光學電壓互感器無論是在額定電壓下正常運行或是在高于額定電壓的情況下進行各類試驗或檢測時,都既能以充分的介電屏蔽效果減弱各種因素造成的外界雜散電場干擾,又能有效地將介電屏蔽結(jié)構(gòu)的發(fā)熱降低到允許程度,使得安置在納米材料介電屏蔽區(qū)域中的微型光學電場傳感單元可以準確而穩(wěn)定地測出所在處的電場值,再通過光電及信號處理單元精確地求出待測電壓值。

技術研發(fā)人員:灣世偉;灣曉文
受保護的技術使用者:灣世偉;灣曉文
技術研發(fā)日:2016.11.14
技術公布日:2017.09.08
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