本發(fā)明涉及晶圓檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種多目標晶圓測試方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)如今集成電路發(fā)展越來越快，晶圓尺寸越做越大隨之帶來的風險也越來越大，一個12寸流片版圖需要花費幾百上千萬，大部分集成電路設(shè)計公司為了降低研發(fā)成本，都會使用MPW晶圓(多目標晶圓)作為第一道流片版圖來控制成本，降低風險。晶圓測試又是集成電路加工生產(chǎn)工序中十分重要并且普遍的環(huán)節(jié)，集成電路設(shè)計公司為了驗證其設(shè)計的集成電路必須通過測試環(huán)節(jié)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用以下方法對MPW晶圓進行測試。

現(xiàn)有技術(shù)一：一片MPW晶圓對應多個Prober設(shè)置。

在MPW晶圓中以每個組(GROUP)的長和寬作為探針臺(Prober)的步距，以每個GROUP中的每顆管芯作為待測點制作探針臺設(shè)置。這樣做會根據(jù)一個GROUP中存在多少管芯而產(chǎn)生相應的探針臺設(shè)置和測試圖(Test Map)，這樣會加大制作探針臺設(shè)置的時間，并且測試完成后生成的測試圖也會很多，對于信息分析很不便并且大大提高出錯概率同時生產(chǎn)效率也會下降。

現(xiàn)有技術(shù)二：通過探針臺制作組索引(Group Index)測試。

現(xiàn)在有些探針臺可以制作“Group Index”，即在一個GROUP中可以允許一次的管芯步距不同，但是這個設(shè)置也只適用于MPW中最簡單的方式：一個GROUP內(nèi)待測試管芯大小一樣。如果管芯不一樣也必須制作多個探針臺設(shè)置，產(chǎn)生的測試圖也會根據(jù)探針臺設(shè)置的數(shù)量產(chǎn)生，適用范圍非常小。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種多目標晶圓測試方法，能夠通過一次測試將所有管芯記錄在同一張測試圖中。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種多目標晶圓測試方法，包括步驟：

定義多目標晶圓上組的坐標為(x,y)，其中，x和y均為整數(shù)；

定義每個組內(nèi)管芯的坐標為(x.i,y.j)，其中，i和j均為整數(shù)；

在探針臺中設(shè)置每個管芯的坐標以及每個管芯在每個組中的實際距離；

使用探針臺通過一次測試將所有組內(nèi)的管芯均記錄在同一張測試圖上。

進一步的，在所述的多目標晶圓測試方法中，所述探針臺在每個組的管芯之間的實際運行距離根據(jù)每個管芯在每個組中的實際距離進行設(shè)置。

進一步的，在所述的多目標晶圓測試方法中，所述組內(nèi)的管芯至少包括一種類型。

進一步的，在所述的多目標晶圓測試方法中，所述組內(nèi)的管芯之間的間距相同或不同。

進一步的，在所述的多目標晶圓測試方法中，所述組內(nèi)的管芯坐標系與所述多目標晶圓上組的坐標系相同。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：將每個管芯的位置均根據(jù)組進行二級坐標顯示，在探針臺上設(shè)置在每個組中每個管芯的相對坐標以及每個管芯在每個組中實際的距離，只需要根據(jù)產(chǎn)品加載一次就可以完成測試，并且生成在同一個測試圖文件上，這樣既可以提高生產(chǎn)效率降低錯誤的發(fā)生概率，也可以更加直觀得做后期數(shù)據(jù)處理統(tǒng)計工作。

附圖說明

圖1為晶圓表面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為晶圓中一個組的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的多目標晶圓測試方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

請參考圖1和圖2，在本實施例中，晶圓10表面上設(shè)有多個組20，每個組20中均會包含多個管芯30，管芯30在每個組20中的排列間距可以相同也可以不同。在本實施例中，例如管芯30中包括第一類管芯A和第二類管芯B，其中，第一類管芯為7個，例如分別為A1、A2、A3、A4、A5、A6和A7；第二類管芯為3個，例如分別為B1、B2和B3，其排列方式如圖2所示。其中，其中A1、A2、A3、A4之間的間隔距離標記為XA1，B1與B2之間間隔距離標記為BY1，B2與B3之間的間隔距離標記為BY2，A5、A6、A7之間的間隔距離標記為XA2。XA1不等于XA2，BY1不等于BY2。

若使用現(xiàn)有方法一，按照圖2中產(chǎn)品的分布數(shù)量一共需要制作10個探針臺設(shè)置文件，也就是說一片MPW晶圓需要加載十次才能完成測試，并且最終每片MPW晶圓都會保存10張測試圖，這樣會大大增加出錯概率以及增加生產(chǎn)成本。

若使用現(xiàn)有方法二，按照圖2中第一類管芯A與第二類管芯B之間的間隔，現(xiàn)有探針臺可以按照組的形式制作設(shè)置文件，但是由于XA1不等于XA2，BY1不等于BY2，所以最終將會制作以A1、A2、A3、A4為一組，A5、A6、A7為一組，B1、B2為一組，B3為一組，總共4個設(shè)置文件，也就是說一片晶圓需要加載至少四次后才能完成測試，并且最終每片晶圓都會保存4張測試圖，這種方法對比現(xiàn)有方法一有了很大的改善，但是同樣會產(chǎn)生多張測試圖。如果每個組中的產(chǎn)品有更多，那么這個方法的優(yōu)勢將會逐漸降低，甚至與現(xiàn)有方法一的成本相同，如A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3之間的距離完全不同，那么該方法的效率與現(xiàn)有方法一就沒有任何區(qū)別了。

基于上述問題，在本實施例中，提出了一種多目標晶圓測試方法，包括步驟：

定義多目標晶圓上組的坐標為(x,y)，其中，x和y均為整數(shù)；

定義每個組內(nèi)管芯的坐標為(x.i,y.j)，其中，i和j均為整數(shù)；

在探針臺中設(shè)置每個管芯的坐標以及每個管芯在每個組中的實際距離；

使用探針臺通過一次測試將所有組內(nèi)的管芯均記錄在同一張測試圖上。

在本實施例中，在所述的多目標晶圓測試方法中，所述探針臺在每個組的管芯之間的實際運行距離根據(jù)每個管芯在每個組中的實際距離進行設(shè)置。

具體的，將一個組也定義一個坐標系，即在原本的坐標系中再嵌套一個或多個坐標系，如圖2中如果當前組在晶圓上的坐標為(10，10)，那么可以按照系統(tǒng)設(shè)定，組內(nèi)坐標系規(guī)則X與Y方向的遞加與遞減約定設(shè)置。所述組內(nèi)的管芯坐標系與所述多目標晶圓上組的坐標系相同，如圖2中坐標所示。

如圖示約定組內(nèi)坐標系X向左遞加、Y向下遞加，起始為(1，1)，使用這一約定后組內(nèi)所有管芯的坐標系如下：

A1(10.1,10.1)

A2(10.2,10.1)

A3(10.3,10.1)

A4(10.4,10.1)

A5(10.2,10.2)

A6(10.3,10.2)

A7(10.4,10.2)

B1(10.1,10.2)

B2(10.1,10.3)

B3(10.1,10.4)

在探針臺需要設(shè)置在組中每個管芯的相對坐標(上述每個管芯的坐標)以及每個管芯在組中實際的探針臺運行距離，這樣就可以將組中所有的產(chǎn)品都顯示在一個測試圖上。使用本方法在該圖示中就算A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、B1、B2、B3之間的距離完全不同，也只需要根據(jù)產(chǎn)品各加載一次就可以完成測試，并且生成的測試圖是在同一個文件上，這樣既可以提高生產(chǎn)效率降低錯誤的發(fā)生概率也可以更加直觀得做后期數(shù)據(jù)處理統(tǒng)計工作。

綜上，在本發(fā)明實施例提供的多目標晶圓測試方法中，將每個管芯的位置均根據(jù)組進行二級坐標顯示，在探針臺上設(shè)置在每個組中每個管芯的相對坐標以及每個管芯在每個組中實際的距離，只需要根據(jù)產(chǎn)品加載一次就可以完成測試，并且生成在同一個測試圖文件上，這樣既可以提高生產(chǎn)效率降低錯誤的發(fā)生概率，也可以更加直觀得做后期數(shù)據(jù)處理統(tǒng)計工作。

上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不對本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。