1.一種青蒿素分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法，基于細(xì)胞色素C與焦寧B作用，具體的步驟如下：
(1)在玻碳電極上電化學(xué)聚合出分子印跡聚合物膜，將模版分子洗脫得到印跡空穴；
(2)將步驟(1)制備得到的印跡聚合物浸入含青蒿素的溶液中掩蔽印跡膜的空穴，然后放入含細(xì)胞色素C標(biāo)記的模版分子溶液中，取代印跡空穴中的模版分子發(fā)生競爭反應(yīng)，放入含鐵氰化鉀的電解質(zhì)溶液中，觀察到電信號變化；
(3)隨溶液中細(xì)胞色素C標(biāo)記的模版分子減少，底物焦寧B熒光減弱，實(shí)現(xiàn)對青蒿素的光電化學(xué)檢測。
2.一種青蒿素分子印跡光電化學(xué)傳感器的制備方法，其特征是：基于細(xì)胞色素C與焦寧B作用，具體的步驟如下：
(1)玻碳電極的處理：將玻碳電極磨光，清洗后干燥；
(2)青蒿素分子印跡電極的制備：將經(jīng)過步驟(1)處理的玻碳電極浸入到含有青蒿素、丙烯酰胺、二甲基丙烯酸乙二醇酯、偶氮二異丁腈和氯化鉀的脫氧磷酸鹽緩沖液中，采用循環(huán)伏安法掃描特定圈數(shù)，再將該電極用醋酸和甲醇的混合液浸泡后洗脫模版分子，即得青蒿素分子印跡電極；
(3)分子印跡電極的掩蔽、孵化和競爭：將步驟(2)制備的分子印跡電極浸入到含青蒿素的溶液中掩蔽空穴，然后放入含細(xì)胞色素C標(biāo)記的青蒿素溶液中浸泡，再將其放入含青蒿素的溶液中發(fā)生競爭反應(yīng)；
(4)青蒿素分子印跡傳感器電信號和光信號的檢測：將玻碳電極放入含有K3[Fe(CN)6]/K4[Fe(CN)6]和氯化鉀的電解質(zhì)溶液進(jìn)行循環(huán)伏安掃描得到電信號的變化情況，然后將電極放入含有焦寧B和三酸的緩沖液中，檢測熒光信號的變化情況。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(1)中具體步驟：將玻碳電極用0.3μm和0.05μm的氧化鋁膏磨光，然后放入蒸餾水和乙醛的混合溶液中超聲清洗，取出后用氮?dú)獯抵粮稍铩?/p>
4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(2)中青蒿素為10～20μM，丙烯酰胺為0.01～0.10mM，二甲基丙烯酸乙二醇酯為0.1～1.0mM，偶氮二異丁腈為0.01～0.10mM，氯化鉀為0.05～0.5M。
5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(2)中掃描電壓為-0.2～1.2V，掃描速率為50～500mVs-1，掃描圈數(shù)為5～50圈，浸泡30min～3h。
6.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(3)中所使用的溫度為20～50℃。
7.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(3)中細(xì)胞色素C標(biāo)記青蒿素溶液為1～10mM。
8.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(3)中掩蔽10～30min，浸泡10～50min。
9.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征是：所述步驟(4)中所述的三酸緩沖溶液pH為5.7～6.0，三酸濃度為0.1～1.0M。
10.權(quán)利要求1-9任一所述的方法制備得到的電化學(xué)傳感器。