本發(fā)明涉及檢查基板的基板檢查裝置及基板檢查方法。

背景技術：

近年來，伴隨著以智能手機、平板電腦為首的電子設備的快速普及，對檢測人的手指和/或觸控筆所觸摸的位置的觸摸面板的需求特別高。作為這樣的觸摸面板而為人所知的有使兩張電阻膜相對配置并將其配置在觸摸面，并根據(jù)用戶觸摸觸摸面時的電阻值來檢測觸摸位置的電阻膜式的觸摸面板。作為這樣的電阻膜式的觸摸面板的檢查方法而為人所知的有例如專利文獻1。

另一方面，近年來，將配置成網(wǎng)格狀的透明電極配置在觸摸面，并基于在用戶用手指觸摸面板時產(chǎn)生的電容來檢測觸摸位置的電容式的觸摸面板得到廣泛應用。就電容式的觸摸面板而言，在面板表面設定x-y的二維坐標，并以與x-y坐標對應的方式在例如玻璃等透明基板上相互絕緣地相對配置有沿x方向延伸的多個透明電極和沿y方向延伸的多個透明電極。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-274225號公報

技術實現(xiàn)要素：

技術問題

然而，在檢查上述那樣的電容式的觸摸面板時，需要測定在沿x方向延伸的透明電極與沿y方向延伸的透明電極之間產(chǎn)生的電容和透明電極的電阻。對于電容的測定使用電容用測定裝置，對于電阻值的測定使用測定器等電阻用測定裝置。因此，就需要電容測定工序和電阻值測定工序，存在檢查工時增加這樣的缺點。

本發(fā)明的目的在于，提供一種在檢查例如觸摸面板那樣地、以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板時，容易地降低電容和電阻值的測定工時的基板檢查裝置及基板檢查方法。

技術方案

本發(fā)明的基板檢查裝置為檢查以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板的基板檢查裝置，其具備：交流電壓輸出部，其輸出預定的交流電壓；電流檢測部，其檢測電流；多個第一連接端子，能夠分別與所述多個第一電極電連接；多個第二連接端子，能夠分別與所述多個第二電極電連接；測定處理部，其與將所述多個第一連接端子和所述多個第二連接端子分別組合而得到的多個組合對應，針對與各所述組合對應的第一連接端子和第二連接端子，通過所述交流電壓輸出部向該第二連接端子提供所述交流電壓，通過所述電流檢測部檢測流動到該第一連接端子的電流，由此執(zhí)行獲取與各所述組合對應的電流的測定處理；以及計算部，其執(zhí)行基于在所述測定處理中通過所述電流檢測部檢測出的電流的大小和表示相位的信息來計算與各所述組合對應的電容和電阻值的計算處理。

此外，本發(fā)明的基板檢查方法為檢查以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板的基板檢查方法，其包括：將多個第一連接端子分別與所述多個第一電極電連接的工序；將多個第二連接端子分別與所述多個第二電極電連接的工序；測定處理工序，與將所述多個第一連接端子和所述多個第二連接端子分別組合而得到的多個組合對應，針對與各所述組合對應的第一連接端子和第二連接端子，向該第二連接端子供給交流電壓，并檢測流動到該第一連接端子的電流，由此執(zhí)行獲取與各所述組合對應的電流的測定處理；以及計算工序，執(zhí)行基于在所述測定處理中檢測到的所述電流的大小和表示相位的信息來計算與各所述組合對應的電容和電阻值的計算處理。

根據(jù)這些構成，在檢查以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板時，與將多個第一連接端子和多個第二連接端子分別組合而得到的多個組合，即多個第一電極和多個第二電極的各組合對應，向第二連接端子供給交流電壓，并檢測流動到第一連接端子的電流，由此基于檢測到的電流的大小和表示相位的信息來計算與各組合對應的電容和電阻值。其結果是，不需要將電容的測定工序和電阻值的測定工序分開執(zhí)行。因此，在檢查以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板時，容易地降低電容和電阻值的測定工序。

此外，優(yōu)選地，所述基板包括：多個第一基板端子，分別與所述多個第一電極導通；以及多個第二基板端子，分別與所述多個第二電極導通，所述多個第一連接端子分別與所述多個第一基板端子連接，并經(jīng)由該多個第一基板端子分別與所述多個第一電極電連接，所述多個第二連接端子分別與所述多個第二基板端子連接，并經(jīng)由該多個第二基板端子分別與所述多個第二電極電連接。

根據(jù)該結構，能夠不將第一連接端子和第二連接端子直接連接到第一電極和第二電極，而將第一連接端子和第二連接端子連接到第一基板端子和第二基板端子，經(jīng)由第一基板端子和第二基板端子檢查第一電極和第二電極，因此，容易一邊降低因劃傷第一電極和第二電極等而產(chǎn)生損壞的可能性，一邊進行基板檢查。

此外，優(yōu)選地，所述基板為觸摸面板，所述觸摸面板被預定為：將為了讀取各所述第一電極和各所述第二電極交叉的位置的電容而預先設定的讀取頻率的交流信號供給到各所述第一電極和各所述第二電極，所述交流電壓的頻率與所述讀取頻率大致相等。

根據(jù)該結構，使用頻率與在使用觸摸面板時所使用的讀取頻率大致相等的交流電壓來進行觸摸面板的檢查，因此能夠在接近實際使用條件的條件下檢查觸摸面板。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備內(nèi)部參數(shù)存儲部，所述內(nèi)部參數(shù)存儲部將對應于各所述組合而在所述基板檢查裝置內(nèi)部產(chǎn)生的電容和電阻值作為內(nèi)部電容和內(nèi)部電阻值存儲，所述計算部還執(zhí)行內(nèi)部參數(shù)修正處理，所述內(nèi)部參數(shù)修正處理基于對應于各所述組合而存儲在所述內(nèi)部參數(shù)存儲部的內(nèi)部電容和內(nèi)部電阻值來修正與各該組合對應的電容和電阻值。

根據(jù)該結構，能夠根據(jù)對應于第一電極和第二電極的組合而測定、計算的電容和電阻值來降低在基板檢查裝置內(nèi)部產(chǎn)生的電容和電阻值的影響，因此，能夠提高檢查對象位置的電容和電阻值的獲取精度。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備內(nèi)部參數(shù)獲取處理部，所述內(nèi)部參數(shù)獲取處理部將在所述多個第一電極和所述多個第二電極與所述多個第一連接端子和所述多個第二連接端子未連接的狀態(tài)下，通過由所述測定處理部和所述計算部執(zhí)行所述測定處理和所述計算處理而對應于各所述組合得到的電容和電阻值與各該組合對應地作為所述內(nèi)部電容和所述內(nèi)部電阻值而存儲于所述內(nèi)部參數(shù)存儲部。

根據(jù)該結構，能夠測定、計算在基板檢查裝置內(nèi)部產(chǎn)生的電容和電阻值，并作為內(nèi)部電容和內(nèi)部電阻值而存儲于內(nèi)部參數(shù)存儲部。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備雜散電容存儲部，所述雜散電容存儲部對應于各所述組合而存儲在所述基板產(chǎn)生的雜散電容，所述計算部執(zhí)行雜散電容修正處理，所述雜散電容修正處理基于對應于各所述組合而存儲在所述雜散電容存儲部的雜散電容來修正與各該組合對應的電容。

根據(jù)該結構，能夠根據(jù)對應于第一電極和第二電極的組合而測定、計算的電容來降低在基板產(chǎn)生的雜散電容的影響，因此，能夠提高檢查對象位置的電容的獲取精度。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備：基準電容存儲部，其存儲預先得知了基準電容的基準基板的與各所述組合對應的所述基準電容，所述基準電容為對應于各所述組合而在基板內(nèi)部產(chǎn)生的電容；以及雜散電容獲取處理部，其基于在所述多個第一連接端子和所述多個第二連接端子連接于所述基準基板的狀態(tài)下，通過由所述測定處理部和所述計算部執(zhí)行所述測定處理和所述計算處理而對應于各所述組合得到的電容、和由所述基準電容存儲部對應于各所述組合而存儲的所述基準電容，來計算與各所述組合對應的雜散電容，并將該雜散電容存儲于所述雜散電容存儲部。

根據(jù)該結構，能夠測定、計算對應于各組合而在基板產(chǎn)生的雜散電容，并存儲于雜散電容存儲部。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備顯示圖像的顯示部，所述圖像為將通過所述計算處理而計算出的與各所述組合對應的電阻值以三維圖表來表示而得到的圖像。

根據(jù)該結構，由于各組合與多個第一電極和多個第二電極的組合對應，即與基板上的坐標位置對應，因此通過將與各組合對應的電阻值以三維圖表來表示，能夠使用戶在視覺上確認與基板上的位置對應的電阻值。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備顯示圖像的顯示部，所述圖像為將通過所述計算處理而計算出的與各所述組合對應的電容以三維圖表來表示而得到的圖像。

根據(jù)該結構，由于各組合與多個第一電極和多個第二電極的組合對應，即與基板上的坐標位置對應，因此通過將與各組合對應的電容以三維圖表來表示，能夠使用戶在視覺上確認與基板上的位置對應的電容。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置還具備顯示圖像的顯示部，所述圖像為將通過所述判定部計算出的與各所述組合對應的差以三維圖表來表示而得到的圖像。

根據(jù)該構成，由于各組合與多個第一電極和多個第二電極的組合對應，即與基板上的坐標位置對應，因此通過將與各組合對應的電阻值的計算值與判定值的差以三維圖表來表示，能夠使用戶在視覺上確認與基板上的位置對應的電阻值的偏差。

此外，優(yōu)選地，所述基板檢查裝置具備：判定值存儲部，其預先存儲成為判定與各所述組合對應的所述電阻值的合格與否的基準的判定值；以及判定部，其對應于各所述組合分別計算出由所述計算部得到的與各所述組合對應的電阻值與對應于各該組合而存儲于所述判定值存儲部的判定值的差，在與各該組合對應的差超過預先設定的差值判定值時，將與超過該差值判定值的組合對應的由所述第一電極和所述第二電極表示的坐標位置判定為所述基板的不良位置。

根據(jù)該結構，能夠針對對應于第一電極和第二電極的組合而測定、計算的各電阻值來判定合格與否，并且判定其不良位置。

技術效果

這樣的結構的基板檢查裝置及基板檢查方法在檢查以沿預定的第一方向延伸的多個第一電極和沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個第二電極彼此對置的方式形成的基板時，容易地降低電容和電阻值的測定工時。

附圖說明

圖1是概念性示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查裝置的結構的一例的框圖。

圖2是將圖1所示的基板檢查裝置簡化并概念性示出的概念圖。

圖3是等效地示出在圖1所示的測定處理部的測定處理中，在連接端子txm、tyn被選擇的情況下執(zhí)行測定處理時的測定電路的等效電路。

圖4是示出交流信號的電壓波形與通過電流計檢測出的電流波形之間的關系的波形圖。

圖5是用于說明根據(jù)測定阻抗和相位差來計算電阻值與電容的方法的說明圖。

圖6是示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查方法的流程圖。

圖7是示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查方法的流程圖。

圖8是示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查方法的流程圖。

圖9是示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查方法的流程圖。

圖10是示出與觸摸面板基板的各坐標位置對應的測定電容與用于測定的交流信號的頻率之間的關系的一例的說明圖。

圖11是示出與觸摸面板基板的各坐標位置對應的測定電容與用于測定的交流信號的頻率之間的關系的一例的說明圖。

圖12是示出與觸摸面板基板的各坐標位置對應的測定電容與用于測定的交流信號的頻率之間的關系的一例的說明圖。

圖13是示出對圖12所示的測定電容進行了修正的結果的說明圖。

圖14是表示與觸摸面板基板的各坐標位置對應的電阻值的理論值的圖表。

圖15是示出與觸摸面板基板的各坐標位置對應的測定電阻值與測定頻率之間的關系的圖表。

圖16是示出與觸摸面板基板的各坐標位置對應的測定電阻值與測定頻率之間的關系的圖表。

圖17是用于說明在觸摸面板基板的電極產(chǎn)生不良的情況的說明圖。

圖18是示出針對圖17所示的觸摸面板基板的與各坐標位置對應的測定電阻值的圖表。

圖19是示出圖1所示的基板檢查裝置的變形例的說明圖。

圖20是圖19所示的基板檢查裝置中的針對觸摸面板基板的與各坐標位置對應的測定電阻值的圖表。

符號說明

1：基板檢查裝置

2：交流電源(交流電壓輸出部)

3：電流計(電流檢測部)

4：控制部

5：顯示部

6：操作部

41：測定處理部

42：計算部

43：內(nèi)部參數(shù)獲取處理部

44：雜散參數(shù)獲取處理部(雜散電容獲取處理部)

45：內(nèi)部參數(shù)存儲部

46：雜散參數(shù)存儲部(雜散電容存儲部)

47：基準參數(shù)存儲部

48：判定值存儲部

49：判定部

c：電容

cf：雜散電容

ci：內(nèi)部電容

cj：電容判定值

cmes：測定電容

cref：基準電容

dc：差值

dcj：差值判定值

dr：差值

drj：差值判定值

f：頻率

f0：讀取頻率

i：電流值

p：觸摸面板基板(基板)

pref：基準基板

px、px1～px7：基板端子(第一基板端子)

py、py1～py5：基板端子(第二基板端子)

r：電阻值

rf：雜散電阻值

ri：內(nèi)部電阻值

rj：電阻判定值

rmes：測定電阻值

rref：基準電阻值

sa：交流信號

sw1、sw2：切換開關

tx1～tx7：連接端子(第一連接端子)

ty1～ty5：連接端子(第二連接端子)

v：輸出電壓

x1～x7：電極(第一電極)

y1～y5：電極(第二電極)

z：測定阻抗

θ：相位差

具體實施方式

以下，基于附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。應予說明，在各圖中標記了相同符號的結構表示相同結構，而省略其說明。圖1是概念性示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查裝置的結構的一例的框圖。圖1所示的基板檢查裝置1具備：交流電源2(交流電壓輸出部)、電流計3(電流檢測部)、控制部4、顯示部5(通知部)、操作部6、連接端子tx1～tx4(第一連接端子)、連接端子ty1～ty4(第二連接端子)、及切換開關sw1、sw2。應予說明，也可以將連接端子tx1～tx4作為第二連接端子，將連接端子ty1～ty4作為第一連接端子。

在圖1所示的基板檢查裝置1連接有檢查對象的觸摸面板基板p(基板)。在圖1所示的觸摸面板基板p設定有x-y坐標，在圖1所示的例子中，將橫向設為x軸，將縱向設為y軸。

在觸摸面板基板p，相互分離地沿y軸方向(第一方向)延伸的多個x電極x1～x4(第一電極)與相互分離地沿與y軸方向垂直交叉的x軸方向(第二方向)延伸的多個y電極y1～y4(第二電極)以在觸摸面板基板p的厚度方向(紙面進深方向)上彼此對置的方式形成在板狀的例如玻璃等透明基材pa的表面。由此，x電極x1～x4與x坐標對應，y電極y1～y4與y坐標對應。

即，x電極x1與y電極y1的組合與觸摸面板基板p中的坐標位置(x1，y1)對應，x電極xm與y電極yn的組合與觸摸面板基板p中的坐標位置(xm，yn)對應(m、n為任意整數(shù))。

應予說明，基板可以不一定是觸摸面板用的基板，也可以是例如印制布線基板、柔性基板、陶瓷多層布線基板、液晶顯示器和/或等離子體顯示器用的電極板、以及半導體封裝用的封裝基板和/或薄膜載體(フィルムキャリア)等各種基板。

應予說明，在圖1所示的例子中為了簡化說明，方便起見示出了x電極、y電極分別有四個的例子，但是，電極的數(shù)量可根據(jù)觸摸面板基板p的大小和/或位置檢測精度而適當設定。

x電極x1～x4和y電極y1～y4為所謂的透明電極，例如由氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)和/或氧化銦鋅(indiumzincoxide，izo)等構成。應予說明，作為x電極x1～x4和y電極y1～y4，可以使用各種材料，也可以不一定是透明電極。

在x電極x1～x4與y電極y1～y4交叉的位置，在x電極x1～x4與y電極y1～y4之間形成有絕緣涂層，彼此被電絕緣。此外，根據(jù)絕緣涂層的厚度，在x電極x1～x4與y電極y1～y4之間產(chǎn)生微小的間隔。

x電極x1～x4和y電極y1～y4的形狀分別設為將固定大小的多個小菱形串起來那樣的圖案，且寬幅部與窄幅部在長度方向上反復交替出現(xiàn)。x電極x1～x4和y電極y1～y4在上述窄幅部的部分中，在俯視時相互交叉。由此，通過x電極x1～x4和y電極y1～y4中的任一個覆蓋大致整個能夠檢測觸摸位置的區(qū)域(以下，稱為觸摸區(qū)域)。

在觸摸面板基板p形成有與x電極x1～x4導通連接的基板端子px1～px4(第一基板端子)、和與y電極y1～y4導通連接的基板端子py1～py4(第二基板端子)?；宥俗觩x1～px4和基板端子py1～py4為使用例如銀漿和/或銅漿等具有導電性的漿料通過絲網(wǎng)印刷而形成的。

應予說明，基板端子px1～px4、py1～py4可以是例如連接器，也可以是其他連接手段?；宥俗觩x1～px4、py1～py4只要使x電極x1～x4、y電極y1～y4與連接端子tx1～tx4、ty1～ty4導通連接即可，不限于上述例子。此外，也可構成為不設置基板端子px1～px4、py1～py4，而將x電極x1～x4、y電極y1～y4與連接端子tx1～tx4、ty1～ty4直接導通連接。

圖2是將圖1所示的基板檢查裝置1簡化并概念性示出的概念圖。對于圖2所示的基板檢查裝置1，示出了具備七個x電極x1～x7、和五個y電極y1～y5的例子。雖然在圖2中省略圖示，但在以下說明中，以基板檢查裝置1具備與x電極x1～x7對應的基板端子px1～px7(第一基板端子)、連接端子tx1～tx7(第一連接端子)和切換開關sw1，并具備與y電極y1～y5(第二電極)對應的基板端子py1～py5(第二基板端子)、連接端子ty1～ty7(第二連接端子)和切換開關sw2的情況進行說明。

以下，適當參照圖1和圖2對基板檢查裝置1的結構進行說明。以下，將x電極x1～x7、y電極y1～y5分別總稱為x電極x、y電極y，將基板端子px1～px7、py1～py5分別總稱為基板端子px、py，將連接端子tx1～tx7、ty1～ty5分別總稱為連接端子tx、ty。

在觸摸面板基板p被組裝于產(chǎn)品而使用時，觸摸面板基板p被預定為將為了讀取x電極x與y電極y交叉的位置的電容而預先設定的讀取頻率f0的交流信號經(jīng)由連接端子ty和基板端子py向y電極y提供，并經(jīng)由該交叉的位置的電容提供給x電極x。讀取頻率f0變得越高則越能夠使觸摸面板的位置檢測速度高速化，提高觸摸面板的響應性。

另一方面，讀取頻率f0變得越高則越容易產(chǎn)生噪聲，且難以進行噪聲對策。因此，從用戶操作觸摸面板時的操作性的觀點及設計上的制約來看，作為能夠得到觸摸面板的適當?shù)捻憫缘淖x取頻率f0，使用例如100khz～1mhz的頻率，更優(yōu)選地使用300khz～500khz左右的頻率。

連接端子tx1～tx7、ty1～ty5為構成為能夠與基板端子px1～px7、py1～py5連接的連接端子。連接端子tx1～tx7、ty1～ty5通過例如用戶將檢查對象的觸摸面板基板p安裝到基板檢查裝置1的預定的安裝位置來與基板端子px1～px7、py1～py5連接，使連接端子tx1～tx7和連接端子ty1～ty5與x電極x1～x7和y電極y1～y5導通。

切換開關sw1根據(jù)來自控制部4的控制信號，將連接端子tx1～tx7的連接對象分別在電流計3和電路接地之間切換。切換開關sw2根據(jù)來自控制部4的控制信號，將連接端子ty1～ty5的連接對象分別在交流電源2和電路接地之間切換。

交流電源2以例如有效值將輸出電壓v的交流信號sa向由切換開關sw2選擇的連接端子ty供給。交流信號sa被設為例如正弦波或方波。此外，交流信號sa的頻率f為與讀取頻率f0大致相等的頻率，設定在例如f0×0.9～f0×1.1的頻率范圍內(nèi)。通過將頻率f設為與讀取頻率f0大致相等的頻率，能夠在與觸摸面板基板p的使用條件相同的條件下檢查觸摸面板基板p，因此，能夠提高檢查的可靠性。

電流計3檢測流動到由切換開關sw1選擇的連接端子tx的電流，并將表示其電流值i和其相位差θ的信息向控制部4輸出。相位差θ表示檢測電流相對于交流信號sa的相位的差。應予說明，對于電流計3，示出了輸出相位差θ來作為表示相位的信息的例子，但是，表示相位的信息不限于相位差θ。例如，可以實時輸出檢測到的電流的相位。在此情況下，可以通過例如控制部4來計算交流信號sa與檢測電流的相位差θ。

顯示部5為例如液晶顯示裝置或有機el(electroluminescence：電致發(fā)光)顯示器等顯示裝置。操作部6為接收用戶的操作輸入的操作裝置。作為操作部6，可以使用例如操作開關、鍵盤和/或觸摸面板等。

控制部4由例如執(zhí)行預定的運算處理的cpu(centralprocessingunit：中央處理單元)、臨時存儲數(shù)據(jù)的ram(randomaccessmemory：隨機存取存儲器)、存儲預定的控制程序的非易失性的rom(readonlymemory：只讀存儲器)和/或hdd(harddiskdrive：硬盤驅(qū)動器)等存儲裝置、由hdd等存儲裝置構成的內(nèi)部參數(shù)存儲部45、雜散參數(shù)存儲部46(雜散電容存儲部)、基準參數(shù)存儲部47(基準電容存儲部)、判定值存儲部48等存儲部以及他們的外圍電路等構成。并且，控制部4通過執(zhí)行存儲在例如上述存儲裝置的控制程序來作為測定處理部41、計算部42、內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43、雜散參數(shù)獲取處理部44(雜散電容獲取處理部)以及判定部49發(fā)揮功能。

就測定處理部41而言，與將連接端子tx1～tx7、和連接端子ty1～ty5分別組合而得到的多個組合對應，針對與這些各組合對應的連接端子txm和連接端子tyn，通過交流電源2向該連接端子tyn提供交流信號sa，通過電流計3檢測流動到該連接端子txm的電流。由此，測定處理部41執(zhí)行獲取與這些各組合對應的電流的電流值i和相位差θ的測定處理。

測定處理部41在選擇連接端子txm時，通過切換開關sw1使連接端子txm與電流計3連接，并使除了連接端子txm以外的連接端子tx與電路接地連接。此外，測定處理部41在選擇連接端子tyn時，通過切換開關sw2使連接端子tyn與交流電源2連接，并使除了連接端子tyn以外的連接端子ty與電路接地連接。

應予說明，測定處理部41和切換開關sw1、sw2可以構成為將除了被選擇的連接端子以外的連接端子開路(斷開)。

這里，因為連接端子tx1～tx7、連接端子ty1～ty5分別與x電極x1～x7、y電極y1～y5電連接，所以連接端子txn與連接端子tym的組合與x電極xn與y電極ym的組合對應。即，連接端子txn與連接端子tym的組合與坐標位置(xm，yn)對應。

即，測定處理部41在測定處理中與觸摸面板基板p的所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)對應地獲取電流值i和相位差θ。以下，將與坐標位置(xm，yn)對應的電流值i稱為電流值i(m，n)，將與坐標位置(xm，yn)對應的相位差θ稱為相位差θ(m，n)。此外，將測定處理部41在測定處理中通過切換開關sw1、sw2選擇連接端子txm、tyn，并通過電流計3測定電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)的情況簡化而簡稱為測定電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)。

計算部42基于在測定處理部41的測定處理中通過電流計3檢測出的電流的大小即電流值i和表示相位的信息即相位差θ，來計算與連接端子的各組合即觸摸面板基板p的所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，x5)對應的電容c和x電極、y電極的電阻值r。以下，將與坐標位置(xm，yn)對應的電容c稱為電容c(m，n)，將與坐標位置(xm，yn)對應的電阻值r稱為電阻值r(m，n)。

圖3是等效地示出在圖1所示的測定處理部41的測定處理中，在連接端子txm、tyn被選擇的情況下即執(zhí)行坐標位置(xm，yn)的測定處理時的測定電路的等效電路。在此情況下的測定電路中，從連接端子tyn與基板端子pyn之間的連接點到y(tǒng)電極yn與x電極xm交叉為止的區(qū)間的電阻值成為電阻值ry(m，n)，在y電極yn與x電極xm的交叉部分形成的電容成為電容c(m，n)，從y電極yn與x電極xm的交叉部分起到達基板端子pxm與連接端子txm之間的連接點為止的區(qū)間的電阻值成為電阻值rx(m，n)。

在執(zhí)行坐標位置(xm，yn)的測定處理時，該測定對象的電路由電阻值ry(m，n)、電容c(m，n)和電阻值rx(m，n)的串聯(lián)電路來表示。進一步地，產(chǎn)生未圖示的基板檢查裝置1內(nèi)部的電阻值即內(nèi)部電阻值ri(m，n)和基板檢查裝置1內(nèi)部的內(nèi)部電容ci(m，n)。

此外，在觸摸面板基板p形成有雜散電容cf(m，n)和伴隨著雜散電容cf(m，n)產(chǎn)生的雜散電阻值rf(m，n)。在圖3中，根據(jù)說明的情況將雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)記載為連接在電容c(m，n)與電阻值rx(m，n)之間，但是實際上雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)遍布測定對象的電路整體而產(chǎn)生。

計算部42基于在測定處理部41的測定處理中得到的電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)、以及交流電源2的輸出電壓v，利用例如下述的式(1)來計算測定阻抗z(m，n)。

z(m，n)＝v/i(m，n)…(1)

其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5。

圖4是示出交流信號sa的電壓波形與通過電流計3檢測出的電流波形之間的關系的波形圖。圖5是用于說明根據(jù)測定阻抗z(m，n)和相位差θ(m，n)來計算電阻值r(m，n)與電容c(m，n)的方法的說明圖。交流信號sa的頻率f為與讀取頻率f0大致相等的頻率。讀取頻率f0為讀取人使手指在觸摸面板上移動的速度的程度的頻率，因此為較低頻率。因此，根據(jù)交流信號sa的頻率f產(chǎn)生的包含在測定阻抗z(m，n)的電感分量極小，如圖3所示，能夠用rc電路來近似測定電路。

因此，如圖5所示，通過基于相位差θ(m，n)的向量運算能夠?qū)y定阻抗z(m，n)分解為電阻分量和電容分量。具體地說，計算部42執(zhí)行基于下述的式(2)、式(3)計算測定電阻值rmes(m，n)和測定電容cmes(m，n)的計算處理。

rmes(m，n)＝z(m，n)×cosθ…(2)

cmes(m，n)＝1/{2×π×f×z(m，n)×sinθ}…(3)

(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)

這里，測定電阻值rmes(m，n)中包括上述內(nèi)部電阻值ri(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)。測定電容cmes(m，n)中包括上述內(nèi)部電容ci(m，n)和雜散電容cf(m，n)。因此，為了精度良好地獲取電阻值r(m，n)和電容c(m，n)，需要將內(nèi)部電阻值ri(m，n)、雜散電阻值rf(m，n)、內(nèi)部電容ci(m，n)和雜散電容cf(m，n)從測定電阻值rmes(m，n)和測定電容cmes(m，n)去除。因此，設置有內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43和雜散參數(shù)獲取處理部44。

內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43在將例如觸摸面板基板p從基板檢查裝置1拆下而使x電極x和y電極y與連接端子tx、ty未進行電連接的狀態(tài)下，即斷開了連接端子tx、ty的狀態(tài)下，通過測定處理部41和計算部42來執(zhí)行上述測定處理和計算處理。由此，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43將對應于所有的坐標位置而得到的測定電容cmes和測定電阻值rmes作為對應于與連接端子tx、ty的組合相當?shù)淖鴺宋恢?xm、yn)的內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)而存儲于內(nèi)部參數(shù)存儲部45。

應予說明，可以不一定具備內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43。例如可以預先實驗性地測定內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，并預先存儲于內(nèi)部參數(shù)存儲部45。

在基準參數(shù)存儲部47中，針對預先得知了在觸摸面板基板p內(nèi)部產(chǎn)生的電容和電阻值即基準電容cref和基準電阻值rref的基準基板pref，對應于所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，x5)，而例如預先實驗性地測定并存儲有基準電容cref(m，n)和基準電阻值rref(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

雜散參數(shù)獲取處理部44在例如用戶將基準基板pref安裝于基板檢查裝置1而使基板端子px1～px7、py1～py5與連接端子tx1～tx7、ty1～ty5連接的狀態(tài)下，在接收到操作部6的用戶指示執(zhí)行雜散參數(shù)獲取處理(雜散電容獲取處理)的操作指示時，通過測定處理部41和計算部42來執(zhí)行上述測定處理和計算處理，由此，計算出對應于所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)而得到的測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

并且，雜散參數(shù)獲取處理部44基于這樣得到的測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)及由基準參數(shù)存儲部47所存儲的基準電容cref(m，n)和基準電阻值rref(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，來計算與所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)對應的雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)，并存儲于雜散參數(shù)存儲部46。

具體地說，雜散參數(shù)獲取處理部44基于例如下述的式(4)、式(5)來計算雜散電容cf和雜散電阻值rf(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

雜散電容cf(m，n)＝cmes(m，n)-cref(m，n)…(4)

雜散電阻值rf(m，n)＝rmes(m，n)-rref(m，n)…(5)

(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

計算部42基于存儲在內(nèi)部參數(shù)存儲部45的內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻ri(m，n)及存儲在雜散參數(shù)存儲部46的雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)來修正檢查對象的觸摸面板基板p的測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)，并獲取檢查對象的觸摸面板基板p的電阻值r(m，n)和電容c(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

具體地說，計算部42基于例如下述的式(6)、式(7)來獲取檢查對象的觸摸面板基板p的電容c(m，n)和電阻值r(m，n)。

電容c(m，n)＝cmes(m，n)-ci(m，n)-cf(m，n)…(6)

電阻值r(m，n)＝rmes(m，n)-ri(m，n)-rf(m，n)…(7)

(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

應予說明，計算部42也可以不將雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)用于修正，而基于下述的式(8)、式(9)來進行修正。

電容c(m，n)＝cmes(m，n)-ci(m，n)…(8)

電阻值r(m，n)＝rmes(m，n)-ri(m，n)…(9)

(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

此外，計算部42也可以不將內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)用于修正，而基于下述的式(10)、式(11)進行修正。

電容c(m，n)＝cmes(m，n)-cf(m，n)…(10)

電阻值r(m，n)＝rmes(m，n)-rf(m，n)…(11)

(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

此外，計算部42也可以不進行修正。

在判定值存儲部48中預先存儲有與電阻值r(m，n)和電容c(m，n)對應的成為判定合格與否的基準的判定值即電阻判定值rj(m，n)和電容判定值cj(m，n)。電阻判定值rj(m，n)和電容判定值cj(m，n)可以使用合格品的觸摸面板基板p的實測值，也可以使用設計上的理論值，例如可以將基準電阻值rref(m，n)和基準電容cref(m，n)用作電阻判定值rj(m，n)和電容判定值cj(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)。

判定部49對應于所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)而分別計算出由計算部42得到的電阻值r(m，n)與存儲在判定值存儲部48的電阻判定值rj(m，n)的差值dr(m，n)，在與該各坐標位置對應的差值dr(m，n)超過預先設定的差值判定值drj時，將超過該差值判定值drj的坐標位置(xm，yn)判定為觸摸面板基板p的電阻不良位置，并將該電阻不良位置顯示在顯示部5。

此外，判定部49對應于所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)而分別計算出由計算部42得到的電容c(m，n)與存儲在判定值存儲部48的電容判定值cj(m，n)的差值dc(m，n)，在與該各坐標位置對應的差值dc(m，n)超過預先設定的差值判定值dcj時，將超過該差值判定值dcj的坐標位置(xm，yn)判定為觸摸面板基板p的電容不良位置，并將該電容不良位置顯示在顯示部5。

接下來，對上述那樣構成的基板檢查裝置1的動作進行說明。圖6～圖9是示出本發(fā)明的一個實施方式的基板檢查方法的流程圖。首先，例如在觸摸面板基板p未安裝于基板檢查裝置1，而斷開了連接端子tx1～tx7、ty1～ty5的狀態(tài)下，在例如用戶操作操作部6而輸入了指示測定基板檢查裝置1的內(nèi)部參數(shù)的內(nèi)部參數(shù)獲取指示時，操作部6接收內(nèi)部參數(shù)獲取指示(在步驟s1為“是”)，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43執(zhí)行圖8所示的內(nèi)部參數(shù)獲取處理(步驟s2)。

另一方面，在操作部6未接收到內(nèi)部參數(shù)獲取指示的情況下(在步驟s1為“否”)，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43不執(zhí)行內(nèi)部參數(shù)獲取處理，而轉移至步驟s3。

首先，對圖8所示的內(nèi)部參數(shù)獲取處理進行說明。在內(nèi)部參數(shù)獲取處理中，首先，通過內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43將變量m和n初始化為1(步驟s101)。接下來，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43通過測定處理部41來測定電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)(步驟s102)。

在步驟s102中，觸摸面板基板p未安裝于基板檢查裝置1。在此狀態(tài)下，在基板檢查裝置1內(nèi)部中，電流經(jīng)由連接于交流電源2的切換開關sw2和/或連接端子tyn與連接于電流計3的切換開關sw1和/或連接端子txm之間的電容耦合而流動。在步驟s102中測定這樣地流動的電流，并獲取該電流的電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)。

接下來，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43通過計算部42根據(jù)電流值i(m，n)和輸出電壓v基于例如式(1)來計算測定阻抗z(m，n)(步驟s103)。

接下來，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43根據(jù)測定阻抗z(m，n)和相位差θ(m，n)，基于例如式(2)、式(3)來計算測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)(步驟s104)。這樣地得到的測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)為反映基板檢查裝置1內(nèi)部的參數(shù)的值。

因此，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43將測定電容cmes(m，n)作為內(nèi)部電容ci(m，n)，將測定電阻值rmes(m，n)作為內(nèi)部電阻值ri(m，n)而存儲于內(nèi)部參數(shù)存儲部45(步驟s105)。

內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43在變量m不為7時(在步驟s106為“否”)，即針對坐標yn還剩有未完成處理的x坐標時，為了獲取對應于新的x坐標的內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)而對變量m加1(步驟s107)，并再次重復步驟s102～s106。

另一方面，在變量m為7時(在步驟s106為“是”)，即針對坐標yn的所有的x坐標結束了處理時，內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43將變量m初始化為1(步驟s108)，將變量n與5進行比較(步驟s109)。

內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43在變量n不為5時(在步驟s109為“否”)，即還剩有未完成處理的y坐標時，為了獲取對應于新的y坐標的內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)而對變量n加1(步驟s110)，并再次重復步驟s102～s109。

另一方面，在變量n為5時(在步驟s109為“是”)，即針對與觸摸面板基板p的所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)對應的連接端子tx與連接端子ty的組合，將內(nèi)部電容ci(m，n)和內(nèi)部電阻值ri(m，n)存儲到內(nèi)部參數(shù)存儲部45，因此內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43結束內(nèi)部參數(shù)獲取處理，轉移至圖6的步驟s3。

在進行雜散參數(shù)獲取處理時，用戶將基準基板pref安裝于基板檢查裝置1，而處于基板端子px1～px7、py1～py5與連接端子tx1～tx7、ty1～ty5連接的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，在例如用戶操作操作部6而輸入了指示測定雜散參數(shù)的雜散參數(shù)獲取指示時，操作部6接收雜散參數(shù)獲取指示(在步驟s3為“是”)，雜散參數(shù)獲取處理部44執(zhí)行圖9所示的雜散參數(shù)獲取處理(步驟s4)。另一方面，在操作部6未接收到雜散參數(shù)獲取指示時(在步驟s3為“否”)，雜散參數(shù)獲取處理部44不執(zhí)行步驟s4而轉移至步驟s5。

在圖9所示的雜散參數(shù)獲取處理中，通過雜散參數(shù)獲取處理部44執(zhí)行步驟s201～s204。步驟s201～s204由于除了雜散參數(shù)獲取處理部44代替內(nèi)部參數(shù)獲取處理部43而進行處理這一點之外，與圖8中的步驟s101～s104相同，所以省略其說明。

在步驟s205中，雜散參數(shù)獲取處理部44基于在步驟s204得到的測定電容cmes(m，n)和基準參數(shù)存儲部47所存儲的基準電容cref(m，n)，利用例如式(4)來計算雜散電容cf(m，n)，并存儲到雜散參數(shù)存儲部46(步驟s205)。

接下來，雜散參數(shù)獲取處理部44基于在步驟s204得到的測定電阻值rmes(m，n)和基準參數(shù)存儲部47所存儲的基準電阻值rref(m，n)，利用例如式(5)來計算雜散電阻值rf(m，n)，并存儲到雜散參數(shù)存儲部46(步驟s206)。

雜散參數(shù)獲取處理部44在變量m不為7時(在步驟s207為“否”)，即針對坐標yn還剩有未完成處理的x坐標時，為了獲取對應于新的x坐標的雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)而對變量m加1(步驟s208)，并再次重復步驟s202～s207。

另一方面，在變量m為7時(在步驟s207為“是”)，即針對坐標yn的所有的x坐標結束了處理時，雜散參數(shù)獲取處理部44將變量m初始化為1(步驟s209)，將變量n與5進行比較(步驟s210)。

雜散參數(shù)獲取處理部44在變量n不為5時(在步驟s210為“否”)，即還剩有未完成處理的y坐標時，為了獲取對應于新的y坐標的雜散電容cf(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)而對變量n加1(步驟s211)，并再次重復步驟s202～s210。

另一方面，在變量n為5時(在步驟s210為“是”)，即針對與觸摸面板基板p的所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)對應的連接端子tx與連接端子ty的組合，將雜散電容cf和雜散電阻值rf存儲到雜散參數(shù)存儲部46，因此雜散參數(shù)獲取處理部44結束雜散參數(shù)獲取處理，轉移至圖6的步驟s5。

用戶在進行觸摸面板基板p的檢查時，將檢查對象的觸摸面板基板p安裝于基板檢查裝置1，而處于基板端子px1～px7、py1～py5與連接端子tx1～tx7、ty1～ty5連接的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，在例如用戶操作操作部6而輸入了指示開始檢查的檢查開始指示時，利用操作部6接收檢查開始指示(在步驟s5為“是”)，測定處理部41為了開始觸摸面板基板p的檢查而將變量m和n初始化為1(步驟s6)。

接下來，通過測定處理部41來測定電流值i(m，n)和相位差θ(m，n)(步驟s7)。接下來，通過計算部42根據(jù)電流值i(m，n)和輸出電壓v基于例如式(1)來計算測定阻抗z(m，n)(步驟s8)。

接下來，計算部42根據(jù)測定阻抗z(m，n)和相位差θ(m，n)，基于例如式(2)、式(3)來計算測定電容cmes(m，n)和測定電阻值rmes(m，n)(步驟s9)。這樣地得到的測定電容cmes(m，n)、測定電阻值rmes(m，n)中除了包括檢查對象的觸摸面板基板p的電容c(m，n)、電阻值r(m，n)之外，還分別包括內(nèi)部電容ci(m，n)、內(nèi)部電阻值ri(m，n)和雜散電容cf(m，n)、雜散電阻值rf(m，n)。

因此，計算部42基于存儲在內(nèi)部參數(shù)存儲部45的內(nèi)部電容ci(m，n)和存儲在雜散參數(shù)存儲部46的雜散電容cf(m，n)利用例如式(6)來修正測定電容cmes(m，n)，獲取電容c(m，n)(步驟s10，內(nèi)部參數(shù)修正處理、雜散電容修正處理)。

由此，能夠降低內(nèi)部電容ci(m，n)和雜散電容cf(m，n)的影響，因此，能夠提高電容c(m，n)的測定精度。

接下來，計算部42基于存儲在內(nèi)部參數(shù)存儲部45的內(nèi)部電阻值ri(m，n)和存儲在雜散參數(shù)存儲部46的雜散電阻值rf(m，n)利用例如式(7)來修正測定電阻值rmes(m，n)，獲取電阻值r(m，n)(步驟s11，雜散電容修正處理)。

由此，能夠降低內(nèi)部電阻值ri(m，n)和雜散電阻值rf(m，n)的影響，因此，能夠提高電阻值r(m，n)的測定精度。

接下來，判定部49計算由計算部42得到的電阻值r(m，n)與存儲在判定值存儲部48的電阻判定值rj(m，n)的差值dr(m，n)(步驟s21)。

并且，判定部49對差值dr(m，n)和預先設定的差值判定值drj進行比較(步驟s22)，在差值dr(m，n)超過差值判定值drj時(在步驟s22為“是”)，通過顯示部5顯示表示在坐標位置(xm，yn)產(chǎn)生電阻不良的意思的消息(步驟s23)。另一方面，在差值dr(m，n)未超過差值判定值drj時(在步驟s22為“否”)，判定部49不執(zhí)行步驟s23而向步驟s24轉移。差值判定值drj可根據(jù)對觸摸面板基板p要求的性能而適當設定。

在步驟s24中，判定部49計算由計算部42得到的電容c(m，n)與存儲在判定值存儲部48的電容判定值cj(m，n)的差值dc(m，n)(步驟s24)。

并且，判定部49對差值dc(m，n)和預先設定的差值判定值dcj進行比較(步驟s25)，在差值dc(m，n)超過差值判定值dcj時(在步驟s25為“是”)，通過顯示部5顯示表示在坐標位置(xm，yn)產(chǎn)生電容不良的意思的消息(步驟s26)。另一方面，在差值dc(m，n)未超過差值判定值dcj時(在步驟s25為“否”)，判定部49不執(zhí)行步驟s26而向步驟s27轉移。差值判定值dcj可根據(jù)對觸摸面板基板p要求的性能而適當設定。

在步驟s27中，測定處理部41在變量m不為7時(在步驟s27為“否”)，即針對坐標yn還剩有未完成處理的x坐標時，為了執(zhí)行對應于新的x坐標的檢查而對變量m加1(步驟s28)，并再次重復步驟s7～s27。

另一方面，在變量m為7時(在步驟s27為“是”)，即針對坐標yn的所有的x坐標結束了處理時，測定處理部41將變量m初始化為1(步驟s29)，將變量n與5進行比較(步驟s30)。

測定處理部41在變量n不為5時(在步驟s30為“否”)，即還剩有未完成處理的y坐標時，為了執(zhí)行對應于新的y坐標的檢查而對變量n加1(步驟s31)，并再次重復步驟s7～s30。

另一方面，在變量n為5時(在步驟s30為“是”)，即針對與觸摸面板基板p的所有的坐標位置(x1，y1)～(x7，y5)對應的連接端子tx與連接端子ty的組合，結束了檢查，因此結束處理。

以上，根據(jù)步驟s7、s102、s202的測定處理(測定工序)和步驟s8、s9、s103、s104、s203、s204的計算處理(計算工序)，僅針對各坐標位置分別測定一次電流值i和相位差θ，就能夠得到對應于各坐標位置的電容和電阻值，因此，與將電容的測定工序和電阻值的測定工序分開執(zhí)行相比，容易地降低電容和電阻值的測定工時。

此外，通過步驟s10、s11的處理，能夠降低內(nèi)部電容ci、內(nèi)部電阻值ri、雜散電容cf和雜散電阻值rf的影響，因此，能夠提高電容c和電阻值r的測定精度，其結果是能夠提高觸摸面板基板p的檢查精度。

圖10～圖12是示出與觸摸面板基板p的各坐標位置對應的測定電容cmes與用于測定的交流信號sa的頻率f之間的關系的一例的說明圖。圖10示出了頻率f為低頻的情況，圖11示出了頻率f為比圖10高的中等程度的頻率的情況，圖12示出了圖1所示的基板檢查裝置1的例子，且示出了頻率f為與讀取頻率f0大致相等的高頻的情況的例子。

與觸摸面板基板p的各坐標位置對應的電容c(m，n)雖然存在由制造偏差引起的一些偏差，但原則上為彼此大致相等的值。并且，在將頻率f設為低頻的情況下，如圖10所示，可知與該各坐標位置對應的測定電容cmes為彼此大致相等的值，基本上能夠?qū)嶋H的電容c(m，n)直接測定出來。

然而，如果提高頻率f，則如圖11所示，內(nèi)部電容ci和/或雜散電容cf的影響增大，根據(jù)坐標位置的不同而在測定電容cmes產(chǎn)生差異。進一步地，由于需要如上所述地提高檢查的可靠性，所以如果將頻率f設為與讀取頻率f0大致相等的高頻，則如圖12所示，內(nèi)部電容ci和/或雜散電容cf的影響進一步顯著增大，由坐標位置引起的測定電容cmes的差異變大，因此，變得難以基于測定電容cmes來判定觸摸面板基板p的合格與否。

圖13是示出通過步驟s10的處理對圖12所示的測定電容cmes進行了修正的結果而得到的電容c的說明圖。如圖13所示，能夠確認通過步驟s10、s11的處理，能夠降低內(nèi)部電容ci和/或雜散電容cf的影響，并降低由坐標位置引起的電容c的差異。

圖14是表示與觸摸面板基板p的各坐標位置對應的電阻值r的理論值的圖表。由于電阻測定路徑的x電極x和y電極y的長度根據(jù)坐標位置而不同，因此電阻值r根據(jù)坐標位置而成為不同的值。然而，如圖14所示，該值相對于坐標位置大致線性變化。

圖15、圖16是示出與觸摸面板基板p的各坐標位置對應的測定電阻值rmes與測定頻率f之間的關系的圖表。圖15、圖16的底面表示坐標位置，高度表示測定電阻值rmes。圖15示出了頻率f為比讀取頻率f0低的低頻的情況，圖16示出了圖1所示的基板檢查裝置1的例子，且示出了頻率f為與讀取頻率f0大致相等的高頻的情況的例子。

能夠確認在頻率f為比讀取頻率f0低的低頻的情況下，如圖15所示，相對于坐標位置的測定電阻值rmes的偏差增大，與此相對，在頻率f為與讀取頻率f0大致相等的高頻的情況下，如圖16所示，測定電阻值rmes的偏差為與圖14所示的理論值大致相同的程度。

圖17是用于說明在觸摸面板基板p的x電極x2產(chǎn)生不良f的情況的說明圖。在圖17中，不良f產(chǎn)生在坐標位置(x2，y1)和坐標位置(x2，y2)。圖18是示出針對圖17所示的觸摸面板基板p的與各坐標位置對應的差值dr(m，n)(其中，m＝1、2、3、4、5、6、7，n＝1、2、3、4、5)的圖表。圖18的底面表示坐標位置，高度表示差值dr。

如圖18所示能夠確認在產(chǎn)生不良f的坐標位置(x2，y1)和坐標位置(x2，y2)出現(xiàn)電阻值大的峰值，由此，能夠確認可確定不良f的產(chǎn)生位置。

圖19是示出圖1所示的基板檢查裝置1的變形例的說明圖。在圖1所示的基板檢查裝置1中示出了電流計3僅連接在x電極x的一端，交流電源2僅連接在y電極y的一端的例子。然而，如圖19所示，可以構成為電流計3連接在x電極x的兩端，交流電源2連接在y電極y的兩端。在此情況下，如圖20所示，針對觸摸面板基板p的與各坐標位置對應的測定電阻值rmes的圖表未形成圖14所示那樣的平面形狀，而成為山形。即使在此情況下，也能夠通過圖6～圖9所示的步驟s1～s211的處理來檢查觸摸面板基板p。

應予說明，計算部42可以將在例如圖16所示的圖表中代替測定電阻值rmes而表示電阻值r的圖表顯示在顯示部5。具體地說，可以像例如圖16所示的圖表那樣，將與x電極x1～x7對應的x坐標、與y電極y1～y5對應的y坐標和與該x-y坐標對應的坐標位置(xm，yn)的電阻值r(m，n)以三維圖表來表示，并將該表示所得的圖像顯示在顯示部5。

此外，計算部42可以將例如圖13所示的圖表顯示在顯示部5。具體地說，可以像例如圖13所示的圖表那樣，將與x電極x1～x7對應的x坐標、與y電極y1～y5對應的y坐標和與該x-y坐標對應的坐標位置(xm，yn)的電容c(m，n)三維地進行表示，并將該表示所得的圖像顯示在顯示部5。

此外，如圖18所示，可以將與x電極x1～x7對應的x坐標、與y電極y1～y5對應的y坐標和與該x-y坐標對應的坐標位置(xm，yn)的差值dr(m，n)三維地進行表示，并將該表示所得的圖像顯示在顯示部5。

此外，可以代替圖18所示的差值dr(m，n)而顯示差值dc(m，n)。即，可以將與x電極x1～x7對應的x坐標、與y電極y1～y5對應的y坐標和與該x-y坐標對應的坐標位置(xm，yn)的差值dc(m，n)三維地進行表示，并將該表示所得的圖像顯示在顯示部5。