用于探針卡測試的組裝裝置的制作方法
本說明書整體涉及一種用于探針卡測試的組裝裝置。
背景技術(shù)：
自動測試設備(ate)是指用于測試裝置(諸如半導體、電子電路和印刷電路板組件)的自動化(通常計算機驅(qū)動的)系統(tǒng)。由ate測試的裝置一般被稱為受測裝置(dut)。ate通常包括計算機系統(tǒng)和測試儀器或具有對應功能性的單個裝置。某些類型的ate被設計成對裝置進行晶片級測試。
晶片級測試除其他之外包括測試晶片上的裝置(例如，晶粒)。通常，晶粒在切割晶片之前測試；將晶片分成單獨的裝置；并且使這些裝置經(jīng)受一個或多個制造過程。制造過程可能使裝置更薄并因此更加脆弱，從而使得難以在不破壞裝置的情況下單獨地測試這些裝置。因此，單獨的裝置在從晶片切下之后通常不再測試。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
示例性過程將已經(jīng)從第一半導體晶片切下的晶粒放置在第二晶片上。示例性過程包括將晶粒以圖案形式布置在第二晶片上，其中第二晶片具有與晶粒的熱膨脹系數(shù)基本上相同的熱膨脹系數(shù)。在一些例子中，該方法包括使用與晶粒的圖案相匹配的探針卡，該晶粒與第二晶片相連。示例性過程可包括下列特征中的一個或多個(單獨地或組合地)。
布置過程可以包括將粘合劑施加到該結(jié)構(gòu)上；并將晶粒以圖案形式放置在粘合劑上。粘合劑的粘性可以響應于熱和/或響應于紫外線而降低。
形成第二晶片的材料的熱膨脹系數(shù)可以與晶粒的熱膨脹系數(shù)相匹配，或者在晶粒的熱膨脹系數(shù)附近的預定范圍內(nèi)。
形成第二晶片的材料可以包括具有與晶粒的熱膨脹系數(shù)基本相匹配的熱膨脹系數(shù)的透紫外線玻璃。第二晶片可以由其上設置有粘合劑的透紫外線玻璃形成，并且粘合劑的粘性可以響應于紫外線而降低。第二晶片可以包括其上設置有粘合劑的硅，并且粘合劑的粘性可以響應于升高的溫度而降低。
晶?？梢栽诘谝痪偷诙暇哂邢嗤膱D案。該圖案可以是第一圖案，并且晶?？梢栽诘诙暇哂械诙D案。第一圖案可以不同于第二圖案。在第二圖案中，相鄰的裝置的距離可以比在第一圖案中更遠。
在將晶粒放置在第二晶片上之前，可以已經(jīng)根據(jù)一種或多種性能特征對晶粒進行選擇或分類。
在一些具體實施中，第一晶片和/或第二晶片具有不同于圓形的形狀(例如，正方形、矩形、橢圓形或任何其他適當?shù)男螤?。
示例性自動測試設備(ate)可以包括：探針卡，其被配置為接觸已經(jīng)從第一半導體晶片切下的晶粒以進行測試，其中該晶粒位于第二晶片上；以及用于執(zhí)行指令以控制由探針卡執(zhí)行的測試的處理裝置。第二晶片可以具有與晶粒的熱膨脹系數(shù)基本相同的熱膨脹系數(shù)。示例性ate可包括下列特征中的一個或多個(單獨地或組合地)。
示例性ate可包括在第二晶片和晶粒之間的粘合劑，該粘合劑將晶粒保持在第二晶片上。粘合劑可以具有使粘合劑的粘性響應于熱和/或響應于紫外線而降低的組成。
形成第二晶片的材料可以包括硅，該硅的熱膨脹系數(shù)與晶粒的熱膨脹系數(shù)相匹配，或者在晶粒的熱膨脹系數(shù)附近的預定范圍內(nèi)。第二晶片可以包括其上設置有粘合劑的玻璃，并且粘合劑可以具有使粘合劑的粘性響應于紫外線而降低的組成。
晶粒在第一半導體晶片上的圖案可以與晶粒被布置在第二晶片上的圖案相同。該圖案可以是第一圖案，并且晶?？梢栽诘诙暇哂械诙D案，其中第一圖案不同于第二圖案。在第二圖案中，相鄰的晶粒的距離可以比在第一圖案中更遠。
在一些具體實施中，第一半導體晶片和/或第二晶片具有不同于圓形的形狀(例如，正方形、矩形、橢圓形或任何其他適當?shù)男螤?。
本說明書(包括此發(fā)明內(nèi)容部分)中所描述的特征中的任何兩個或更多個可組合在一起以形成本文未具體描述的具體實施。
本文所述的測試系統(tǒng)和技術(shù)、或其部分可被實現(xiàn)為計算機程序產(chǎn)品或由計算機程序產(chǎn)品控制，該計算機程序產(chǎn)品包括存儲于一個或多個非暫態(tài)機器可讀存儲介質(zhì)上的指令，并且所述指令可在一個或多個處理裝置上執(zhí)行以控制(例如，協(xié)調(diào))本文所描述的操作。本文所述的測試系統(tǒng)和技術(shù)、或其部分可被實現(xiàn)為設備、方法或電子系統(tǒng)，所述設備、方法或電子系統(tǒng)可包括一個或多個處理裝置以及存儲用于實現(xiàn)各種操作的可執(zhí)行指令的存儲器。
附圖和以下具體實施方式陳述了一個或多個具體實施的詳細信息。通過具體實施和附圖以及通過權(quán)利要求書，其他特征和優(yōu)點將顯而易見。
附圖說明
圖1是在示例性支撐結(jié)構(gòu)上的示例性重構(gòu)晶片的透視圖。
圖2是對支撐結(jié)構(gòu)上的重構(gòu)晶片執(zhí)行的示例測試的概念框圖。
圖3是示出示例性測試過程的流程圖。
圖4和圖5是示出可用于執(zhí)行本文所述的示例測試過程的示例性自動測試設備(ate)的框圖。
不同圖中的類似附圖標記指示類似元件。
具體實施方式
制造商可以在各個制造階段測試裝置。在示例性制造過程中，在單個硅片上制作大量集成電路。將晶片切割成被稱為晶粒的單獨裝置(例如，集成電路)。在一些情況下，將各晶粒加載到框架中，并將粘合線附接至芯片級封裝以連接晶粒和框架。然后，將被加載的框架封裝在塑料或另一封裝材料中，以生成成品。在一些情況下，晶粒被構(gòu)建到wlcsp或晶片級芯片尺寸封裝(waferlevelchipscalepackage)中，通過將晶粒粘合到襯底上并使用粘合線或者通過c4/倒裝芯片工藝安裝到有機襯底上，或者被構(gòu)建到2-1/2或3d封裝中，在其中它們被使用銅柱安裝到已使用c4技術(shù)安裝到有機插入件或硅插入件的另一個晶粒上。一旦構(gòu)建了襯底和芯片或堆疊后，便將它們封裝。wlcsp在制造過程中被封裝。
制造商出于經(jīng)濟上的刺激而要在制造工藝中盡可能早地檢測并丟棄有缺陷元件。因此，許多制造商在將晶片切割成晶粒之前在晶片級處測試集成電路。在封裝之前標記缺陷電路并通常將其丟棄，從而節(jié)省封裝缺陷晶粒的成本。作為最后的檢查，制造商可在發(fā)運之前測試每件成品。
為了測試大量部件，制造商通常使用ate(或“測試器”)。響應于測試程序集(tps)中的指令，示例性ate自動生成待施加到受測裝置(dut)的輸入信號，并且監(jiān)測輸出信號。ate將輸出信號與預期響應進行比較，以確定dut是否有缺陷。ate通常包括計算機系統(tǒng)和測試儀器或具有對應功能性的單個裝置。在一些情況下，測試儀器向dut提供電力。
在一些具體實施中，ate包括探針或探針卡(簡稱為“探針”)。在晶片測試期間，探針接觸作為晶片一部分的一個或多個晶粒，以向晶粒發(fā)送信號并從晶粒接收信號，以便測試該晶粒。當晶粒通過測試時，它被稱為“已知良好晶?！?kgd)。此后，在一些情況下，可以對已經(jīng)測試的晶片執(zhí)行各種制造過程。在一些情況下，在形成堆疊或其他部件結(jié)構(gòu)之前，可以對測試后的晶片執(zhí)行多達二十、三十或更多個過程。這些過程可以包括但不限于化學機械拋光(cmp)、研磨、激光鉆孔、蝕刻等。這些過程可能降低晶片的結(jié)構(gòu)完整性和/或晶片的厚度，在一些情況下降低至例如100μm、80μm或更少。因此，晶片可能變得脆弱(或更脆弱)，在許多情況下對于隨后的基于探針的常規(guī)測試來說太脆弱。也就是說，盡管晶粒仍然是晶片的形式，但是使用探針執(zhí)行測試可能導致晶片破裂。因此，在該階段不執(zhí)行進一步的測試。變薄的晶片的另一個問題是：在一些情況下，它們易于卷曲，從而使得它們難以測試。相反，應該假設kgd由于額外的測試后加工而變成“可能良好的晶?！?pgd)。
在一些例子中，將由pgd形成的部件堆疊起來，實現(xiàn)相鄰晶粒之間的豎直電連接。例如，電通孔可以豎直通過各個晶粒，以在晶粒和下面的電路板或其他結(jié)構(gòu)之間建立電連接。在一些情況下，堆疊可以具有三維(3d)或二維半(2.5d)構(gòu)造。在一些情況下，這樣的構(gòu)造可以導致部件之間更大的數(shù)據(jù)傳輸速率，并且可以導致更有效的操作，從而降低功耗并使得可以相對于其他結(jié)構(gòu)延長電池壽命。堆疊構(gòu)造的問題是：如果堆疊中的一個部件有缺陷，則整個堆疊都有缺陷。如果在測試后加工之后不對基于pgd的部件進行測試，則有缺陷的部件的可能性并因此有缺陷的堆疊的可能性將會增加。然而，可能有缺陷的pgd的問題不限于堆疊部件構(gòu)造。也就是說，在測試后加工之后，晶粒有缺陷的可能性一般將大于測試后加工之前。
因此，本文描述的是用于在測試后加工之后測試晶粒的示例性過程。在本文描述的例子中，即使在晶粒已由于測試后加工而變得更脆弱的情況下也可以執(zhí)行測試。例如，在一些具體實施中，在測試和測試后加工之后，將晶片切割成單獨的晶粒。這些被切下的晶?？梢杂糜谠谶m當?shù)闹谓Y(jié)構(gòu)(例如，玻璃晶片、硅晶片或由其他材料形成的晶片)上重構(gòu)晶片。就這一點而言，所謂晶片“重構(gòu)”，是將晶粒以晶片樣圖案布置在該結(jié)構(gòu)上。這并不意味著從其切下晶粒的具有原始硅的原始晶片被重新形成。作為重構(gòu)晶片的一部分的晶粒(此時，是pgd)可以在支撐結(jié)構(gòu)上整體測試，在一些情況下使用與測試原始晶片的探針卡相同的探針卡(盡管這不是本文描述的過程的必要條件，如下文所解釋)。憑借該額外一輪測試，pgd可以再次被測試者分類為kgd，至少對于通過適當測試的pgd是這樣。因此，所得的結(jié)構(gòu)(例如上述堆疊結(jié)構(gòu))中可歸因于晶粒的測試后加工而造成的缺陷的可能性較低。
本文描述的是測試已經(jīng)從半導體晶片切下并且已經(jīng)經(jīng)歷了影響那些裝置的脆性的一個或多個制造過程的裝置(例如pgd)的示例性方法。一種示例性方法包括：將該裝置以圖案形式布置在具有與該裝置的和與形成原始半導體晶片的材料的熱膨脹系數(shù)(cte)基本相同的cte的結(jié)構(gòu)上；以及使用可與該圖案一起使用的探針測試儀對結(jié)構(gòu)上的裝置進行測試。就這一點而言，如上所述，在本示例性具體實施中，將pgd布置在(并附接至)具有與該裝置的和與形成原始半導體晶片的材料的cte基本相同的cte的結(jié)構(gòu)上。因此，當該結(jié)構(gòu)和pgd在測試期間像通常一樣產(chǎn)生熱量時，組裝后的結(jié)構(gòu)的運動將匹配(或在適當?shù)姆秶?公差內(nèi)匹配)pgd本身的膨脹和測試從其切下pgd的原始半導體晶片期間本應發(fā)生的膨脹。就這一點而言，盡管發(fā)熱確實是測試過程的可能后果(如上所述)，但更確實的是，通常將熱(或冷)的施加用作晶粒上的壓力源，以檢查可能的故障。其他壓力源包括但不限于過電壓或欠電壓。當今，芯片在高達200℃和低至-55℃的溫度下進行測試。這些溫度通過在測試期間加熱或冷卻晶片所在的卡盤來實現(xiàn)。
圖1示出了重構(gòu)晶片100的示例性具體實施。在該例子中，晶片被重構(gòu)在玻璃結(jié)構(gòu)101上，例如
在一些具體實施中，結(jié)構(gòu)101可以是由硅而不是玻璃形成的第二晶片。在其他具體實施中，可使用不同的材料。
在該例子中，使用粘合劑103將晶粒102保持在結(jié)構(gòu)101上?？梢允褂玫恼澈蟿┑睦釉谙挛臄⑹?。在該例子中，單獨的晶粒被布置在結(jié)構(gòu)上，以接近從其切下晶粒的原始晶片上的晶粒圖案和原始晶片的形狀。將晶粒布置成接近于原始晶片上的晶粒圖案和原始晶片的形狀可以是有利的，因為它使得測試原始晶片的探針也可用于測試重構(gòu)的晶片。然而，并非必須將單獨的晶粒布置在結(jié)構(gòu)上以接近從其切下晶粒的原始晶片上的晶粒圖案和原始晶片的形狀。相反，單獨的晶?？梢砸匀魏芜m當?shù)膱D案被布置在結(jié)構(gòu)上，并形成任何適當?shù)男螤睿云ヅ涮结樋ㄉ系膶臏y試連接。在一些具體實施中，以超過晶粒被布置在原始晶片上的間距的間距來布置晶?？梢允怯欣?。也就是說，在重構(gòu)的晶片中，晶粒彼此的距離可以比在原始晶片上更遠。加寬的間距可以有助于測試，因為它可以允許使用較大間距的探針，這可能比較小間距的探針更容易操作。另一方面，較小的間距可以提供更大的測試吞吐量。如果認為是有利的，則可以將晶粒以矩形或其他形狀的圖案放置，而不是以與原始圓形晶片相匹配的圖案放置。
在一些具體實施中，在將晶粒放置在結(jié)構(gòu)上進行測試之前，可以已經(jīng)根據(jù)一種或多種性能特征對晶粒進行選擇或分類。例如，可以基于將要對其執(zhí)行的測試或基于它們與重構(gòu)晶片上的其他晶粒的兼容性來選擇晶粒。
在示例性具體實施中，用于將晶粒保持在結(jié)構(gòu)101上的粘合劑可以是一種類型的膠帶或任何其他適當?shù)恼澈蟿┎牧?。在一些具體實施中，使用粘性(粘度)響應于熱而降低的粘合劑。例如，在重構(gòu)晶片上測試pgd之后，可以向其施加熱量，導致粘合劑的粘性降低，從而能夠在不造成損壞(或至少比從仍然很粘的粘合劑剝離kgd具有更低的損壞風險)的情況下除去測試的pgd(現(xiàn)在又是kgd)。在一些具體實施中，使用粘性(粘度)響應于紫外線(或其他波長的光)而降低的粘合劑。例如，在重構(gòu)晶片上測試pgd之后，可以向其施加紫外線，導致粘合劑的粘性降低，從而能夠在不損壞(或至少比從仍然很粘的粘合劑剝離kgd具有更低的損壞風險)的情況下除去測試的pgd(現(xiàn)在又是kgd)。在一些具體實施中，使用粘性響應于除熱或光之外的介質(zhì)或試劑而降低的粘合劑。
在一些具體實施中，一些粘合劑可能比其他粘合劑更適用。例如，在結(jié)構(gòu)材料不透明的情況下，使用熱釋放型粘合劑相對于使用紫外線釋放型粘合劑可能是有利的。這是因為：在不透明結(jié)構(gòu)的情況下，紫外線(其可能從結(jié)構(gòu)下方施加)可能不能到達粘合劑，從而妨礙在測試之后晶粒從結(jié)構(gòu)上的釋放。相反，在基于硅的結(jié)構(gòu)的情況下，熱釋放型粘合劑可能更合適。
在下面描述的示例性具體實施中，重構(gòu)晶片被用作測試過程的一部分。然而，諸如本文所描述的那些重構(gòu)晶片并不限于在測試環(huán)境中使用，并且可以與任何適當?shù)奶结樋ㄒ黄鹩糜谌魏芜m當?shù)哪康摹?/p>
參考圖2，用于在晶片(包括重構(gòu)晶片)上測試晶粒的自動測試設備(ate)200以框圖形式示出。結(jié)合圖4和圖5提供了對可以在本文所述的測試過程中使用的ate的更詳細的描述。如圖2所示，ate200包括：探針卡(或簡稱為探針)201，其被配置成接觸晶粒以進行測試，如由箭頭202以圖例所示；一個或多個處理裝置204(例如一個或多個計算機)，其用于執(zhí)行指令以控制經(jīng)由探針201執(zhí)行的測試，如由箭頭207以圖例所示；以及結(jié)構(gòu)205，pgd206(在該例子中)被布置于其上以與探針接觸。如本文所解釋的，該結(jié)構(gòu)包括pgd附著于其上的粘合劑。
如上所述，在該示例性具體實施中，結(jié)構(gòu)205具有與從其切下pgd的原始晶片的cte基本相同的cte。然而，在一些示例性具體實施中，結(jié)構(gòu)205可以具有已知的cte，但是該cte與從其切下pgd的原始晶片的材料的cte不基本上相同。
參考圖3，部分地由ate200執(zhí)行的測試和制造過程300可以包括以下操作。根據(jù)過程300，探針201接觸(301)原始晶片(圖中未示出)以測試其上包含的晶粒。通過測試的晶粒被ate表征為kgd。此后，在晶片上執(zhí)行諸如cmp、研磨等測試后加工(302)，導致晶片變得更加脆弱。因此，kgd被ate重新表征為pgd。從晶片切下(303)單獨的pgd，用于例如形成電氣裝置，該電氣裝置可以包括上述堆疊部件構(gòu)造或任何其他合適的構(gòu)造。然而，在形成電氣裝置之前，可以以本文描述的方式測試pgd。示例性測試過程包括在結(jié)構(gòu)205上重構(gòu)晶片，以及在重構(gòu)的晶片上使用探針201執(zhí)行測試。如上所解釋的，所謂晶片“重構(gòu)”，是將晶粒以晶片樣圖案布置在該結(jié)構(gòu)上；這并不意味著具有原始硅的原始晶片實際上被物理重新形成。
根據(jù)過程300，將粘合劑(例如，光釋放型粘合劑、熱釋放型粘合劑或任何其他適當?shù)恼澈蟿?施加(304)到結(jié)構(gòu)205。在一些具體實施中，可以在另一時間執(zhí)行該操作，只要粘合劑的粘性仍然足夠?qū)gd附著到結(jié)構(gòu)205。粘合劑可以是如上所述的膠帶，或任何其他適當?shù)牟牧?。此后，將pgd以適當?shù)膱D案(例如，對應于探針201的測試連接圖案的圖案)布置(305)在結(jié)構(gòu)205上的粘合劑上。pgd可以自動地(例如，使用一個或多個機器人機構(gòu))、手動地或以其組合方式布置。pgd粘合/附著在粘合劑上，并且在該例子中以晶片樣圖案粘合/附著，從而形成重構(gòu)晶片。探針201以最初測試原始晶片上的原始晶粒相同的方式測試(306)pgd。在一些例子中，可以執(zhí)行相同的測試，并且在其他例子中可以執(zhí)行不同的測試。
通過測試的pgd可以再次被測試系統(tǒng)表征為kgd。在測試之后，向粘合劑施加(307)熱量、適當?shù)?例如紫外)光或任何其他適當?shù)臏p粘劑，以使粘合劑降低粘性，并因而從結(jié)構(gòu)205釋放kgd。然后，kgd可用于任何適當?shù)哪康摹?/p>
本文描述的示例性測試技術(shù)并不限于在制造期間使用。相反，它們可以在任何適當?shù)臅r間應用于測試晶粒。例如，該測試技術(shù)可以用于測試晶粒的卷軸，其可能從不熟悉或不可靠的來源購買。該測試技術(shù)可以用于識別惡意晶粒(例如，被故意損壞的晶粒)，等等。
如上所述，本文描述的測試技術(shù)可以至少部分地在ate上實現(xiàn)。在示例性操作中，ate(也稱為“測試器”或“測試系統(tǒng)”)根據(jù)測試程序集(tps)中的指令進行操作，以自動生成將施加到dut(例如上述晶?；騪gd)的輸入信號，并監(jiān)視dut的輸出信號。ate將輸出信號與預期響應進行比較，以確定dut是否有缺陷。ate通常包括計算機系統(tǒng)和測試儀器或具有對應功能性的單個裝置。
參見圖4，用于測試受測裝置(dut)401(例如在晶片或重構(gòu)晶片上的晶粒)的ate400包括測試儀器402。為控制測試儀器402，系統(tǒng)400包括通過硬線連接404與測試儀器402連接的測試計算機系統(tǒng)403。通常，計算機系統(tǒng)403向測試儀器402發(fā)送命令以啟動用于測試dut401(例如在晶片上或部分重構(gòu)晶片上的晶粒)的例程和函數(shù)的執(zhí)行過程。這些執(zhí)行測試例程可啟動測試信號的產(chǎn)生和將測試信號發(fā)送至dut401以及收集該dut的響應。系統(tǒng)400可測試多種類型的dut。例如，dut可為半導體裝置，包括但不限于集成電路(ic)芯片(例如存儲器芯片、微處理器、模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器、數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器等)。
為提供測試信號和收集dut的響應，測試儀器402的探針卡410連接到提供與dut401上的觸點的連接的一個或多個連接器觸點。導體405(例如電纜)連接到探針卡410并且用于將測試信號(例如參數(shù)測量裝置(“pmu”)測試信號、接觸電子(“pe”)測試信號等)傳送至dut401的內(nèi)部電路。導體405還響應于由測試儀器402提供的測試信號來感測信號。例如，可以響應于測試信號而在觸點處感測到電壓信號或電流信號，并且該電壓信號或電流信號可通過導體405發(fā)送至測試儀器402以供分析。也可對dut401中包括的其他觸點執(zhí)行這種單端口測試。例如，測試儀器402可向觸點提供測試信號并收集通過導體(其傳送所提供的信號)反射回去的關(guān)聯(lián)信號。在一些測試場景中，可通過導體405將數(shù)字信號發(fā)送至dut401上的觸點以在dut401上存儲數(shù)字值。一旦存儲后，就可訪問dut401以檢索此存儲數(shù)字值并將其通過導體405發(fā)送至測試儀器402。然后可識別檢索的數(shù)字值以確定是否在dut401上存儲了正確的值。
除了執(zhí)行單端口測量外，測試儀器402還可執(zhí)行雙端口測試。例如，可通過導體405將測試信號注入dut觸點中，并且可從dut401的一個或多個其他觸點收集響應信號。向測試儀器402提供此響應信號以確定量，例如增益響應、相位響應和其他吞吐量測量量。
另參見圖5，為向dut(或多個dut)的多個觸點發(fā)送測試信號和從其收集測試信號，半導體裝置測試儀器402包括可與dut觸點通信的接口卡501。例如，接口卡501可向dut觸點(經(jīng)由探針卡)發(fā)送測試信號并收集對應的響應。到觸點的每個通信鏈路稱為通道，而且，通過向大量通道提供測試信號，可同時執(zhí)行多個測試，因而縮短測試時間。除了在接口卡上具有許多通道外，通過在測試儀器402中包括多個接口卡，可增加通道的總數(shù)，從而進一步縮短測試時間。在該例子中，示出兩個附加的接口卡502和503以證明測試儀器402可容納多個接口卡。
每個接口卡包括專用集成電路(ic)芯片(例如專用集成電路(asic))以執(zhí)行特定測試功能。例如，接口卡503包括一個或多個ic芯片以執(zhí)行參數(shù)測量裝置(pmu)測試和接觸電子(pe)測試。為執(zhí)行這些功能，該一個或多個ic芯片包括pmu級506和pe級507，其中pmu級包括用于執(zhí)行pmu測試的電路，pe級包括用于執(zhí)行pe測試的電路。另外，接口卡501和502分別包括一個或多個ic芯片，所述芯片包括pmu和pe電路。
pmu測試涉及向dut提供直流電壓或電流信號以確定諸如輸入和輸出阻抗、電流泄漏和其他類型的直流性能特性的量。pe測試涉及向dut(例如dut401)發(fā)送交流測試信號或波形和收集響應以進一步鑒定dut的性能。例如，pe級可(向dut)發(fā)送代表用以存儲在dut上的二進制值矢量的交流測試信號。一旦存儲了這些二進制值，就可由測試儀器402訪問dut以確定是否存儲了正確的二進制值。由于數(shù)字信號通常包括電壓突變，因此pe級中的電路相對于pmu級中的電路可以以更高的速度工作。
為了將直流和交流測試信號都從接口卡501傳送到dut401，導電跡線510連接到接口板連接器511，該接口板連接器允許信號從接口板輸入和輸出。接口板連接器511還連接到導體512，該導體允許信號從測試儀器402輸入和輸出。在該例子中，導體512連接到接口連接器511以便在測試儀器402和dut之間雙向傳遞信號。
在該例子中，測試儀器402包括：pmu控制電路514，以便除了別的以外協(xié)調(diào)各個pmu級的操作；pe控制電路515，以便除了別的以外協(xié)調(diào)各個pe級的操作；以及網(wǎng)絡接口516，以便通過網(wǎng)絡或硬線連接與測試計算機系統(tǒng)403通信。在該例子中，測試器401還包括諸如現(xiàn)場可編程門陣列(“fpga”)半導體裝置的可編程硬件517，其能夠被編程以使得測試儀器402能夠與dut401交互以執(zhí)行各個測試操作。
盡管本說明書描述了與“測試”和“測試系統(tǒng)”有關(guān)的示例性具體實施，但本文所述的過程和關(guān)聯(lián)電路可用于任何適當?shù)南到y(tǒng)，并且不限于本文所述的測試系統(tǒng)和制造過程。
如本文所述執(zhí)行的測試可使用硬件或硬件和軟件的組合來實現(xiàn)。例如，類似本文所述測試系統(tǒng)的測試系統(tǒng)可包括位于各種點處的各種控制器和/或處理裝置。中央計算機可協(xié)調(diào)在各種控制器或處理裝置當中的操作。中央計算機、控制器和處理裝置可執(zhí)行各種軟件例程來實現(xiàn)對測試和校準的控制和協(xié)調(diào)。
測試可至少部分地通過使用一種或多種計算機程序產(chǎn)品來控制，所述計算機程序產(chǎn)品例如為一種或多種信息載體(如一種或多種非暫態(tài)機器可讀介質(zhì))中有形地體現(xiàn)的一種或多種計算機程序，以由一種或多種數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行或控制一種或多種數(shù)據(jù)處理設備的運行，所述數(shù)據(jù)處理設備例如可編程處理器、計算機、多臺計算機和/或可編程邏輯部件。
計算機程序可采用任何形式的編程語言編寫，包括編譯或解釋語言，并且其可被以任何形式配置，包括作為獨立程序或作為模塊、部件、子程序或適用于計算環(huán)境中的其他單元。計算機程序可被配置在一臺計算機上或者在一個站點處或分布在多個站點并且通過網(wǎng)絡互連的多臺計算機上執(zhí)行。
與實施全部或部分測試和校準相關(guān)聯(lián)的動作可由一個或多個可編程處理器執(zhí)行，所述處理器執(zhí)行一個或多個計算機程序來完成本文所述的功能。全部或部分測試和校準可使用專用邏輯電路(例如，fpga(現(xiàn)場可編程門陣列)和/或asic(專用集成電路))來實施。
適用于計算機程序執(zhí)行的處理器包括(舉例來說)通用和專用微處理器兩者，以及任何種類數(shù)字計算機的任何一個或多個處理器。通常，處理器將從只讀存儲區(qū)或隨機存取存儲區(qū)或這二者接收指令和數(shù)據(jù)。計算機(包括服務器)的元件包括用于執(zhí)行指令的一個或多個處理器以及用于存儲指令和數(shù)據(jù)的一個或多個存儲區(qū)裝置。通常，計算機還將包括(或者操作性地耦接以從其接收數(shù)據(jù)或向其傳輸數(shù)據(jù)或進行這兩者)一個或多個機器可讀存儲介質(zhì)，諸如用于存儲數(shù)據(jù)的大容量pcb，例如，磁盤、磁光盤或光盤。適于實施計算機程序指令和數(shù)據(jù)的機器可讀存儲介質(zhì)包括所有形式的非易失性存儲區(qū)，包括(以舉例的方式)半導體存儲區(qū)裝置，如，eprom、eeprom和快閃存儲區(qū)裝置；磁盤，如內(nèi)部硬盤或可移除盤；磁光盤；以及cd-rom和dvd-rom盤。
如本文所用的任何“電連接”可暗指直接的物理連接，或包括中間部件但仍允許電信號(包括無線信號)在所連接的部件之間流動的連接。除非另有說明，否則無論是否用“電”來修飾術(shù)語“連接”，本文中所提到的任何涉及電路的“連接”均為電連接，而不一定是直接的物理連接。
本文所述的不同具體實施的元件可組合在一起以形成未在上面具體闡明的其他實施例。多個元件可被排除在本文所述的結(jié)構(gòu)之外而不對其操作產(chǎn)生不利影響。此外，各單獨元件可組合為一個或多個獨立元件來執(zhí)行本文所述的功能。
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！