1.一種原位固-液相界面化學(xué)反應(yīng)的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，包括：間隔層(300)、第一絕緣膜(510)、第二絕緣膜(520)以及兩側(cè)對應(yīng)密封結(jié)合的上芯片(100)和下芯片(200)；
所述上芯片(100)具有朝向所述下芯片(200)凸起的凸臺(110)，所述凸臺(110)中具有第一通孔(120)，所述第一絕緣膜(510)覆蓋所述凸臺(110)的表面及所述第一通孔(120)在所述凸臺(110)的表面上的開口；
所述下芯片(200)具有朝向所述上芯片(100)下凹的凹槽(210)，所述下芯片(200)中具有第二通孔(220)，所述第二絕緣膜(520)覆蓋所述凹槽(210)的內(nèi)壁及所述第二通孔(220)在所述凹槽(210)的內(nèi)壁上的開口；
所述凸臺(110)設(shè)置于所述凹槽(210)中，并且所述第一通孔(120)相對于所述第二通孔(220)，所述間隔層(300)夾設(shè)在所述第一絕緣膜(510)與所述第二絕緣膜(520)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述第一通孔(120)的尺寸沿著遠(yuǎn)離所述第二通孔(220)的方向逐漸增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述第二通孔(220)的尺寸沿著遠(yuǎn)離所述第一通孔(120)的方向逐漸增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述自對準(zhǔn)裝置還包括：第三絕緣膜(530)和第四絕緣膜(540)；
所述第三絕緣膜(530)覆蓋所述上芯片(100)的外表面，所述第四絕緣膜(540)覆蓋所述下芯片(200)的外表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述第一絕緣膜(510)和/或所述第二絕緣膜(520)和/或所述第三絕緣膜(530)和/或所述第四絕緣膜(540)由氮化硅形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述上芯片(100)和所述下芯片(200)的兩側(cè)分別由粘合件(400)密封粘合在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述粘合件(400)為由環(huán)氧樹脂形成的粘合劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述間隔層(300)的厚度不小于100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述間隔層(300)的材料選自金、鉑、鉻、二氧化硅中的任意一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述第二絕緣膜(520)覆蓋所述下芯片(200)的位于所述凹槽(210)兩側(cè)的表面上，其中，覆蓋在所述下芯片(200)的位于所述凹槽(210)兩側(cè)的表面上的第二絕緣膜(520)的厚度大于覆蓋在所述凹槽(210)內(nèi)壁上的第二絕緣膜(520)的厚度。