一種低溫環(huán)境中浸漬樹脂材料擊穿強度的檢測裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種低溫環(huán)境中浸漬樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述裝置為浸泡在液氮中的裝置；所述裝置包括設置的環(huán)氧槽和環(huán)氧板；所述環(huán)氧槽內設有公共接地端；所述公共接地端與環(huán)氧板間設有浸漬樹脂層；所述環(huán)氧板設有與所述接地端垂直的電極。該裝置測量的擊穿強度結果準確，大大提高了試驗數(shù)據(jù)的真實性。
【專利說明】一種低溫環(huán)境中浸漬樹脂材料擊穿強度的檢測裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種擊穿強度檢測裝置，更具體涉及一種測量低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度檢測裝置。

【背景技術】
[0002]隨著超導材料的發(fā)展，超導電力技術的應用不斷擴大，超導電工設備正逐步接近產(chǎn)業(yè)化水平。在超導磁體中，浸潰樹脂用來實現(xiàn)超導磁體及繞組的層間絕緣、匝間絕緣及整個磁體的對地絕緣，起著連接、緊固、密封、填充、導熱和絕緣等作用。在超導電纜中，浸潰樹脂用來實現(xiàn)超導電纜終端應力錐的低溫高壓絕緣。由于超導電力裝置工作在液氮或液氦溫區(qū)，絕大多數(shù)常規(guī)絕緣材料在該溫度下特性退化，無法使用。研究低溫環(huán)境中的浸潰樹脂絕緣材料，對超導電力裝置的應用起著重要的作用。
[0003]目前低溫下常用的浸潰樹脂主要有環(huán)氧樹脂、有機硅和聚氨酯等。有機硅在低溫下的機械強度差，粘結強度小，不宜作為超導磁體的絕緣。聚氨酯在低溫下的機械性能也不好，而且這方面的研究很少。環(huán)氧樹脂在低溫下的綜合性能好，力學性能最為出色，這和環(huán)氧樹脂本身性能有關。環(huán)氧樹脂冷熱收縮小、固化收縮小、機械強度高、粘結性好。它的主要缺點就是脆性大，低溫下使用需要加入增韌劑或其它填料。另外環(huán)氧樹脂配方的選擇余地大，可以加入各種添加劑以滿足不同的低溫應用要求，是低溫用澆注膠和浸潰膠的主流。
[0004]由于浸潰樹脂的擊穿電壓很高，因此在制作模具的同時要考慮到檢測裝置的擊穿強度。常規(guī)的尺寸1-2_需要做到30cm直徑才能防止有效爬電。在低溫環(huán)境中，樹脂材料會發(fā)生脆裂、收縮，單個制作薄片試品很難保證試品的完好及統(tǒng)一性。這樣就造成了檢測的數(shù)據(jù)與真實數(shù)據(jù)的偏離。
[0005]鑒于上述原因，所以需要提供一種撿測低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的裝置以克服上述不足。
實用新型內容
[0006]本實用新型的目的是提供一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，該裝置測量的擊穿強度結果準確，大大提高了試驗數(shù)據(jù)的真實性。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案:一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述裝置為浸泡在液氮中的裝置；所述裝置包括設置的環(huán)氧槽和環(huán)氧板；所述環(huán)氧槽內設有公共接地端；所述公共接地端與環(huán)氧板間設有浸潰樹脂層；所述環(huán)氧板設有與所述接地端垂直的電極。
[0008]本實用新型提供的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述公共接地端水平設置在所述環(huán)氧槽內。
[0009]本實用新型提供的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述環(huán)氧板設置在所述環(huán)氧槽的開口處。
[0010]本實用新型提供的另一優(yōu)選的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述電極根據(jù)需要決定其個數(shù)并等間距垂直鑲嵌在所述環(huán)氧板上。
[0011]本實用新型提供的再一優(yōu)選的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述環(huán)氧槽底部設有固定端。
[0012]本實用新型提供的又一優(yōu)選的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述電極為紫銅、青銅或鋁材料的圓形電極。
[0013]本實用新型提供的又一優(yōu)選的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，在所述電極和公共接地端間設置試品。
[0014]本實用新型提供的又一優(yōu)選的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述電極間與公共接地端之間的距離統(tǒng)一為一固定的高度。
[0015]和最接近的現(xiàn)有技術比，本實用新型提供技術方案具有以下優(yōu)異效果:
[0016]1、本實用新型裝置可以依次固化多組試品，并且可以最大程度上保證試品厚度的均勻性；
[0017]2、本實用新型裝置能夠有效防止爬電，所得絕緣材料擊穿強度結果準確，大大提高了試驗數(shù)據(jù)的真實性；
[0018]3、本實用新型裝置操作簡單，電極的大小與試樣的數(shù)量可以根據(jù)實際情況加工制作，易于加工；
[0019]4、本實用新型裝置有多對電極，試驗過程中，可以依次測試多組數(shù)據(jù)，免去了每次做一組頻繁更換試品的麻煩，易于實現(xiàn)，方便省時；
[0020]5、本實用新型裝置集固化模具與測試裝置于一體，造價不高，可廣泛應用于科研院校，工業(yè)檢測部門。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本實用新型的測量裝置結構示意圖；
[0022]其中，1-環(huán)氧槽，2環(huán)氧板，3-公共接地端，4-浸潰樹脂層，5-試品，6_電極，7_固定端。

【具體實施方式】
[0023]下面結合實施例對實用新型作進一步的詳細說明。
[0024]實施例1:
[0025]如圖1所示，本例的實用新型測量低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度測試裝置，所述裝置浸至在液氮中；所述裝置包括設置的環(huán)氧槽I和環(huán)氧板2 ;所述環(huán)氧槽I內設有公共接地端3 ;所述公共接地端3與環(huán)氧板2間設有浸潰樹脂層4 ;所述環(huán)氧板2設有與其垂直的電極6。
[0026]所述公共接地端3水平設置在所述環(huán)氧槽I內，所述的環(huán)氧槽I固定公共接地端3和作為浸潰樹脂層4的模具。所述環(huán)氧板2設置在所述環(huán)氧槽I的開口處，所述環(huán)氧板2與環(huán)氧槽I尺寸相同。所述的公共接地端3和電極6組成多對電極，本裝置中共24對，所述電極6也可以根據(jù)需要決定其個數(shù)并等間距垂直鑲嵌在所述環(huán)氧板2上。所述環(huán)氧槽I底部設有固定端7。環(huán)氧槽I和環(huán)氧板2均采用環(huán)氧制品，耐低溫，絕緣性能好，隔離高壓，防止沿面閃絡。
[0027]所述電極6為紫銅、青銅或鋁材料的圓形電極，模擬均勻電場。在所述電極6和公共接地端3間設置試品5，試品5周圍充滿固化的浸潰樹脂層4，絕緣性能好，用于隔離高壓，防止沿面閃絡和有效防止擊穿試驗過程中各個電極之間發(fā)生爬電。所述電極6間與公共接地端3之間的距離統(tǒng)一為一固定的高度。
[0028]使用時，用酒精把環(huán)氧槽1、環(huán)氧板2、公共接地端3以及多個電極6擦洗干凈，將公共接地端通過固定端7固定在環(huán)氧槽I上，電極6逐個固定在環(huán)氧板2上，將配置的浸潰樹脂澆注到安裝好的環(huán)氧槽I和公共接地端3內，經(jīng)過真空干燥箱固化，自然冷卻后，浸在液氮中，進行擊穿試驗測試，記錄不同的擊穿電壓值。根據(jù)試品厚度，計算其在低溫條件下的擊穿強度。
[0029]最后應當說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非對其限制，所屬領域的普通技術人員盡管參照上述實施例應當理解:依然可以對本實用新型的【具體實施方式】進行修改或者等同替換，這些未脫離本實用新型精神和范圍的任何修改或者等同替換，均在申請待批的本實用新型的權利要求保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，所述裝置為浸泡在液氮中的裝置；其特征在于:所述裝置包括設置的環(huán)氧槽和環(huán)氧板；所述環(huán)氧槽內設有公共接地端；所述公共接地端與環(huán)氧板間設有浸潰樹脂層；所述環(huán)氧板設有與所述接地端垂直的電極。
2.如權利要求1所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述公共接地端水平設置在所述環(huán)氧槽內。
3.如權利要求2所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述環(huán)氧板設置在所述環(huán)氧槽的開口處。
4.如權利要求3所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述電極根據(jù)需要決定其個數(shù)并等間距垂直鑲嵌在所述環(huán)氧板上。
5.如權利要求4所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述環(huán)氧槽底部設有固定端。
6.如權利要求4所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述電極為紫銅、青銅或鋁材料的圓形電極。
7.如權利要求1所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:在所述電極和公共接地端間設置試品。
8.如權利要求4所述的一種低溫環(huán)境中浸潰樹脂材料擊穿強度的檢測裝置，其特征在于:所述電極間與公共接地端之間的距離統(tǒng)一為一固定的高度。
【文檔編號】G01R31/12GK204065335SQ201420479035
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權日:2014年8月22日
【發(fā)明者】楊艷芳, 張宏杰, 李松, 黃曉華, 丘明 申請人:國家電網(wǎng)公司, 中國電力科學研究院