專利名稱：測(cè)量用鉑電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于ー種傳感元件，特別涉及一種測(cè)量用鉬電阻。
背景技術(shù)：
測(cè)量用鉬電阻是風(fēng)速、風(fēng)量測(cè)量?jī)x器中的感溫元件?，F(xiàn)有技術(shù)中的測(cè)量用鉬電阻由引線、繞組、內(nèi)芯及保護(hù)層構(gòu)成。其中，引線和繞組用鉬制作，繞組為螺旋形薄膜，或用鉬絲按照一定的間距纏繞而成，內(nèi)芯為陶瓷空心管，繞組纏繞在內(nèi)芯上，其兩端與引線相連接，保護(hù)層為釉層，經(jīng)二次高溫?zé)Y(jié)而成。這種鉬電阻存在的主要問(wèn)題是，加工難度大，使用壽命短，體積大，靈敏度低，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)，防震能力差，絕緣強(qiáng)度低，耗電量大，從而限制了 應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服現(xiàn)有測(cè)量用鉬電阻存在的加工難度大、體積大、靈敏度低、絕緣強(qiáng)度低、耗電量大等問(wèn)題，提供ー種加工簡(jiǎn)單、體積小、靈敏度高、絕緣強(qiáng)度高、耗電量小、抗拉防震性能好的測(cè)量用鉬電阻。本實(shí)用新型包括引線、內(nèi)芯、繞組和保護(hù)層，所述的內(nèi)芯為空心高鋁瓷管，繞組的兩端與引線相連接，保護(hù)層包裹在內(nèi)芯和繞組的外面，其特殊之處是，在內(nèi)芯的外表面上有螺旋形凹槽，繞組纏繞在螺旋形凹槽中。在繞組的表面上還有ー層絕緣層，以提高鉬電阻的絕緣強(qiáng)度。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，制作エ藝簡(jiǎn)單，采用一次整體燒結(jié)エ藝，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)エ序，并在內(nèi)芯的外表面上設(shè)置螺旋形凹槽，既便于纏繞，又易于控制間距，還減小了鉬電阻的直徑，提高了鉬電阻的靈敏度，其響應(yīng)時(shí)間在4ms以內(nèi)，并有助于提高鉬電阻的抗震能力；在繞組的表面上設(shè)置高密度絕緣層，不僅提高了鉬電阻的絕緣性能和防腐蝕能力，也提高了鉬電阻的抗拉和防震能力，從而延長(zhǎng)了使用壽命，并使其同樣環(huán)境下的耗電量降到了最低。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如附圖所示，本實(shí)用新型包括引線I、內(nèi)芯2、繞組4和保護(hù)層3，所述的內(nèi)芯2為空心高鋁瓷管，在內(nèi)芯2的外表面上有螺旋形凹槽，繞組4纏繞在螺旋形凹槽中；所述的繞組4用鉬絲繞制而成，在繞組4的表面上還有ー層絕緣層5，以提高鉬電阻的絕緣強(qiáng)度；繞組4的兩端與引線I相連接，其連接點(diǎn)嵌入到內(nèi)芯2兩端的內(nèi)孔中，使連接點(diǎn)更加牢固可靠，増大抗拉強(qiáng)度和防震能力；所述的保護(hù)層3為釉層，保護(hù)層3包裹在內(nèi)芯2和繞組4的外面，經(jīng)一次燒結(jié)而成。
權(quán)利要求1.一種測(cè)量用鉬電阻，它包括引線、內(nèi)芯、繞組和保護(hù)層，所述的內(nèi)芯為空心高鋁瓷管，繞組的兩端與引線相連接，保護(hù)層包裹在內(nèi)芯和繞組的外面，其特征在于，在內(nèi)芯的外表面上有螺旋形凹槽，繞組纏繞在螺旋形凹槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的測(cè)量用鉬電阻，其特征在于，在繞組的表面上還有ー層絕緣層。
專利摘要一種測(cè)量用鉑電阻，解決了現(xiàn)有測(cè)量用鉑電阻存在的加工難度大、體積大、靈敏度低、絕緣強(qiáng)度低、耗電量大等問(wèn)題；本實(shí)用新型包括引線、內(nèi)芯、繞組和保護(hù)層，所述的內(nèi)芯為空心高鋁瓷管，繞組的兩端與引線相連接，保護(hù)層包裹在內(nèi)芯和繞組的外面，其特殊之處是，在內(nèi)芯的外表面上有螺旋形凹槽，繞組纏繞在螺旋形凹槽中；在繞組的表面上還有一層絕緣層；優(yōu)點(diǎn)在于，采用一次整體燒結(jié)工藝，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工序，并在內(nèi)芯的外表面上設(shè)置螺旋形凹槽，既便于纏繞，還減小了鉑電阻的直徑，提高了鉑電阻的靈敏度，其響應(yīng)時(shí)間在4ms以內(nèi)；在繞組的表面上設(shè)置高密度絕緣層，提高了鉑電阻的絕緣性能和防腐蝕能力，從而延長(zhǎng)了使用壽命，并使耗電量降到了最低。
文檔編號(hào)G01K7/18GK202453107SQ201220046668
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者張紅星 申請(qǐng)人:張紅星