本實(shí)用新型實(shí)施例涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種溫度檢測(cè)電路。

背景技術(shù)：

非易失閃存介質(zhì)(nor flash/nand flash)是一種很常見(jiàn)的存儲(chǔ)芯片，兼有隨機(jī)存儲(chǔ)器(Random Access Memory，RAM)和只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory，ROM)的優(yōu)點(diǎn)，數(shù)據(jù)掉電不會(huì)丟失，是一種可在系統(tǒng)進(jìn)行電擦寫(xiě)的存儲(chǔ)器，同時(shí)它的高集成度和低成本使它成為市場(chǎng)主流。

flash芯片的制作工藝決定了其是一類(lèi)對(duì)溫度很敏感的芯片，芯片溫度的變化會(huì)影響到芯片的編程或者擦除等與芯片存儲(chǔ)功能密切相關(guān)的性能，因此flash芯片對(duì)溫度檢測(cè)的精度要求相對(duì)較高，有了精確的溫度信息，flash芯片便可以根據(jù)目前的溫度信息反饋給相應(yīng)的電路做出溫度補(bǔ)償，以保證自身的存儲(chǔ)等各項(xiàng)性能。

因此，研發(fā)一種適用于flash芯片的高精度的溫度檢測(cè)電路顯得意義重大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種溫度檢測(cè)電路，提高了溫度檢測(cè)的精度。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種溫度檢測(cè)電路，該電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元；

其中，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進(jìn)行電壓調(diào)制；

所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。

進(jìn)一步地，所述比較單元包括：比較器和逐次逼近寄存器；

其中，所述比較器的第一輸入端與所述基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，輸出端與所述逐次逼近寄存器的輸入端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果輸出給所述逐次逼近寄存器；

所述逐次逼近寄存器的輸出端與所述電壓調(diào)制單元的輸入端相連，用于根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)整溫度數(shù)字碼，并將所述溫度數(shù)字碼輸出給所述電壓調(diào)制單元，以使所述電壓調(diào)制單元根據(jù)所述溫度數(shù)字碼進(jìn)行電壓調(diào)制。

進(jìn)一步地，所述逐次逼近寄存器還用于根據(jù)所述比較結(jié)果直接輸出相應(yīng)的溫度數(shù)字碼。

進(jìn)一步地，所述電壓調(diào)制單元包括：電壓調(diào)制器和電阻串選擇電路；

其中，所述電壓調(diào)制器與所述電阻串選擇電路相連，用于為所述電阻串選擇電路產(chǎn)生一個(gè)不會(huì)溢出的正向端調(diào)制電壓；

所述電阻串選擇電路用于根據(jù)所述控制指令選擇對(duì)應(yīng)的電阻電壓，以使所述電壓調(diào)制單元的輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近。

進(jìn)一步地，所述電路還包括：基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生所述基準(zhǔn)電壓。

示例性地，所述基準(zhǔn)電壓為flash芯片的一個(gè)隨溫度線性變化的電壓。

進(jìn)一步地，所述電壓還包括：放大單元，用于對(duì)所述隨溫度線性變化的電壓進(jìn)行放大。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種溫度檢測(cè)電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進(jìn)行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近，通過(guò)該溫度檢測(cè)電路可以提高溫度檢測(cè)的精度。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二中的一種溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對(duì)本實(shí)用新型的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例可適用于對(duì)flash芯片進(jìn)行高精度的溫度檢測(cè)的情況。參見(jiàn)圖1，本實(shí)施例提供的溫度檢測(cè)電路具體包括：

比較單元110和電壓調(diào)制單元120；

其中，比較單元110的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制電壓調(diào)制單元120進(jìn)行電壓調(diào)制；

電壓調(diào)制單元120的輸入端與比較單元110的輸出端相連，用于接收比較單元110輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近。

本實(shí)施例提供的一種溫度檢測(cè)電路包括：電壓調(diào)制單元和比較單元，所述比較單元的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓相連，第二輸入端與所述電壓調(diào)制單元的輸出端相連，用于將所述電壓調(diào)制單元輸出的電壓與所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制所述電壓調(diào)制單元進(jìn)行電壓調(diào)制；所述電壓調(diào)制單元的輸入端與所述比較單元的輸出端相連，用于接收所述比較單元輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與所述基準(zhǔn)電壓逐次逼近，通過(guò)該溫度檢測(cè)電路可以提高溫度檢測(cè)的精度。

實(shí)施例二

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，具體可以參見(jiàn)圖2，所述電路具體包括：

比較單元110和電壓調(diào)制單元120；

其中，比較單元110的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生控制指令，以控制電壓調(diào)制單元120進(jìn)行電壓調(diào)制；

電壓調(diào)制單元120的輸入端與比較單元110的輸出端相連，用于接收比較單元110輸出的控制指令，并在所述控制指令的控制下改變輸出電壓，以使所述輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近；

進(jìn)一步地，比較單元110包括：比較器111和逐次逼近寄存器112；

其中，比較器111的第一輸入端與基準(zhǔn)電壓VBE相連，第二輸入端與電壓調(diào)制單元120的輸出端相連，輸出端與逐次逼近寄存器112的輸入端相連，用于將電壓調(diào)制單元120輸出的電壓與基準(zhǔn)電壓VBE進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果輸出給逐次逼近寄存器112；

逐次逼近寄存器112的輸出端與電壓調(diào)制單元120的輸入端相連，用于根據(jù)所述比較結(jié)果調(diào)整溫度數(shù)字碼，并將所述溫度數(shù)字碼輸出給電壓調(diào)制單元120，以使電壓調(diào)制單元120根據(jù)所述溫度數(shù)字碼進(jìn)行電壓調(diào)制。

進(jìn)一步地，電壓調(diào)制單元120包括：電壓調(diào)制器121和電阻串選擇電路122；

其中，電壓調(diào)制器121與電阻串選擇電路122相連，用于為電阻串選擇電路122產(chǎn)生一個(gè)不會(huì)溢出的正向端調(diào)制電壓；所述不會(huì)溢出的正向端調(diào)制電壓具體指電阻串選擇電路122能夠選擇的最大電阻電壓。

電阻串選擇電路122用于根據(jù)所述控制指令選擇對(duì)應(yīng)的電阻電壓，以使電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近；參見(jiàn)圖2所示，電阻串選擇電路122包括粗調(diào)制電阻串R11、R12、R13……R1(n-3)、R1(n-2)、R1(n-1)、R1n和細(xì)調(diào)制電阻串R21、R22、R23……R2(n-3)、R2(n-2)、R2(n-1)、R2n。

電阻串選擇電路122根據(jù)所述溫度數(shù)字碼選擇對(duì)應(yīng)的電阻電壓，以使電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逐次逼近的工作過(guò)程原理為：

假設(shè)比較器111的第一輸入端輸入的基準(zhǔn)電壓VBE為0.1V，所述不會(huì)溢出的正向端調(diào)制電壓為1V，即電阻串選擇電路122能夠選擇的最大電阻電壓為1V，此時(shí)電阻串選擇電路122的A端和B端并接在電阻R11的兩端，逐次逼近寄存器112一共設(shè)定有8個(gè)溫度數(shù)字碼D<7>、D<6>、D<5>、D<4>、D<3>、D<2>、D<1>和D<0>，當(dāng)逐次逼近寄存器112輸出的溫度數(shù)字碼為D<7>、D<6>、D<5>、D<4>、D<3>、D<2>、D<1>和D<0>均等于1時(shí)，電阻串選擇電路122輸出最高的電阻電壓；當(dāng)電阻串選擇電路122輸出的初始電阻電壓為1V時(shí)，即比較器111的第二輸入端的電壓為1V，通過(guò)比較器111的比較，得知第二輸入端的電壓1V比第一輸入端輸入的0.1V的基準(zhǔn)電壓VBE大，可以設(shè)定此時(shí)輸出一個(gè)高電平給逐次逼近寄存器112，逐次逼近寄存器112接收到該高電平后知道電阻串選擇電路122輸出的電壓比基準(zhǔn)電壓VBE大，因此逐次逼近寄存器112的溫度數(shù)字碼D<7>由1變?yōu)?，并將溫度數(shù)字碼“0111111”輸出給電阻串選擇電路122，電阻串選擇電路122根據(jù)接收到的溫度數(shù)字碼通過(guò)改變自身選擇接入的電阻來(lái)改變輸出的電壓，為了提高逼近速度，第二次輸出的電壓可以由1V變?yōu)?.5V；通過(guò)比較器111的比較，得知第二輸入端的電壓0.5V依然比第一輸入端輸入的0.1V的基準(zhǔn)電壓VBE大，此時(shí)比較器111還輸出一個(gè)高電平給逐次逼近寄存器112，逐次逼近寄存器112接收到該高電平后知道電阻串選擇電路122輸出的電壓比基準(zhǔn)電壓VBE大，因此逐次逼近寄存器112的溫度數(shù)字碼D<6>也由1變?yōu)?，并將溫度數(shù)字碼“0011111”輸出給電阻串選擇電路122，電阻串選擇電路122根據(jù)接收到的溫度數(shù)字碼通過(guò)改變自身選擇接入的電阻再次改變輸出的電壓，第三次輸出的電壓由0.5V變?yōu)?.25V；繼續(xù)上述的比較、調(diào)整過(guò)程，直到電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逼近。

進(jìn)一步地，逐次逼近寄存器112還用于根據(jù)所述比較結(jié)果直接輸出相應(yīng)的溫度數(shù)字碼，當(dāng)電壓調(diào)制單元120的輸出電壓與基準(zhǔn)電壓VBE逼近時(shí)，根據(jù)逐次逼近寄存器112輸出的溫度數(shù)字碼即可知道基準(zhǔn)電壓VBE的大小，實(shí)現(xiàn)溫度的檢測(cè)。

進(jìn)一步地，所述電路還可以包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓VBE。

示例性地，基準(zhǔn)電壓VBE為flash芯片的一個(gè)隨溫度線性變化的電壓，此電壓可以根據(jù)flash芯片的制作工藝通過(guò)仿真得出一個(gè)大概范圍，然后通過(guò)上述溫度檢測(cè)電路進(jìn)行精確檢測(cè)。

進(jìn)一步地，為了提高溫度檢測(cè)的精度，所述溫度檢測(cè)電路還可以包括：放大單元，用于對(duì)所述隨溫度線性變化的電壓進(jìn)行放大，然后將放大后的電壓作為基準(zhǔn)電壓輸入比較器111的第一輸入端。

本實(shí)施例提供的一種溫度檢測(cè)電路，在上述實(shí)施例技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了提高溫度檢測(cè)精度的目的。

注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。