專(zhuān)利名稱(chēng)：同平面?zhèn)鞲衅髋c制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種同平面?zhèn)鞲衅髋c制作方法，特別是一種能降低殘留應(yīng)力對(duì)工藝影響的同平面?zhèn)鞲衅髋c制作方法。
背景技術(shù)：
同平面?zhèn)鞲衅鞯淖饔檬歉袦y(cè)兩電極間因平面距離變化所產(chǎn)生的電容值變化，以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的訊號(hào),其例如可應(yīng)用于制作加速度計(jì)(accelerometer)或陀螺儀(gyro sensor) 等等。有關(guān)同平面?zhèn)鞲衅骰蚱渲谱鞣椒ǖ默F(xiàn)有技術(shù)，例如可參閱美國(guó)專(zhuān)利第5，326，726號(hào)、 第 5，847，280 號(hào)、第 5，880，369 號(hào)、第 6，877，374 號(hào)、第 6，892，576 號(hào)。上述各現(xiàn)有技術(shù)都具有相同的問(wèn)題，說(shuō)明如下。請(qǐng)參閱圖1，此類(lèi)微機(jī)電元件通常包含有一個(gè)或多個(gè)固定結(jié)構(gòu)50和一個(gè)移動(dòng)結(jié)構(gòu)60，固定結(jié)構(gòu)50包含多個(gè)固定臂(fixed finger) 52，每個(gè)固定臂52本身為懸浮，但藉由固定端58而固定，固定臂52之間彼此通過(guò)固定端58和連接部56而連接導(dǎo)通。固定端58固定于下方的基體(未示出)上。移動(dòng)結(jié)構(gòu) 60 則包含本體(proof mass) 62、延伸臂(extended finger 或 movable finger) 64、連接部66和固定端(anch0r)68。除固定端68(亦固定于下方基體上)之外，移動(dòng)結(jié)構(gòu)60的其它部份(包含本體62、延伸臂64、連接部66)是懸浮的，當(dāng)整體元件運(yùn)動(dòng)時(shí)，移動(dòng)結(jié)構(gòu)60的懸浮部分相對(duì)于固定結(jié)構(gòu)50會(huì)產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)，使固定臂52和延伸臂64之間的距離發(fā)生改變，當(dāng)固定臂52和延伸臂64分別為電容的兩電極時(shí)，其電容值即產(chǎn)生變化，因此，通過(guò)偵測(cè)該電容值變化，即可計(jì)算出運(yùn)動(dòng)的方向、速度、加速度等，其應(yīng)用可視該微機(jī)電元件的設(shè)計(jì)目的而定。請(qǐng)參閱圖2 (此為從圖1的X-X剖面往右方視的所得的剖視圖)，由于固定臂52 和延伸臂64均為懸浮結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體工藝中很容易造成彎翹，此時(shí)固定臂52和延伸臂64 的重疊面積顯著降低，使有效電容值下降。因此，有必要針對(duì)此類(lèi)微機(jī)電元件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改良，以降低工藝的影響度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種能降低殘留應(yīng)力對(duì)工藝影響的同平面?zhèn)鞲衅?。本發(fā)明的第二目的在于，提出一種同平面?zhèn)鞲衅鞯闹谱鞣椒ā檫_(dá)上述目的，就本發(fā)明的其中一個(gè)觀點(diǎn)而言，提供了一種同平面?zhèn)鞲衅?，包?一固定結(jié)構(gòu)，此固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，該固定臂具有支撐端和懸浮端， 支撐端與固定端連接，懸浮端為懸??；以及一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，此移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括彼此連接的本體與延伸臂，其中，該固定臂的支撐端比懸浮端更靠近本體。
再者，就本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)而言，提供了一種同平面?zhèn)鞲衅?，包含一固定結(jié)構(gòu)， 此固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，該固定臂具有支撐端和懸浮端，支撐端與固定端連接，懸浮端為懸??；以及一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，此移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括本體、延伸本體與延伸臂， 本體和延伸本體通過(guò)延伸臂而彼此連接。上述兩種同平面?zhèn)鞲衅髦校摫倔w縱橫任一方向上的連續(xù)長(zhǎng)度宜不大于一上限值，例如6(^111(微米) 100 μ m。上述兩種同平面?zhèn)鞲衅髦械囊苿?dòng)結(jié)構(gòu)可更包含有一彈簧，該彈簧宜在其較長(zhǎng)的方向上具有至少一個(gè)曲折處。此外，為達(dá)上述目的，就本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)而言，提供了一種同平面?zhèn)鞲衅鞯闹谱鞣椒ǎ撏矫鎮(zhèn)鞲衅靼还潭ńY(jié)構(gòu)與一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，且移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括彼此連接的本體與延伸臂，制作方法包含提供一個(gè)基板， 在該基板上已沉積至少一層接觸層與至少一層金屬層，且已通過(guò)該至少一層接觸層與至少一層金屬層而形成該固定結(jié)構(gòu)的固定端，此固定端為第一待蝕刻區(qū)域所圍繞；沉積并定義金屬層與通道層，以形成該固定結(jié)構(gòu)的固定臂，及該移動(dòng)結(jié)構(gòu)的本體與延伸臂，所述固定結(jié)構(gòu)的固定臂，及移動(dòng)結(jié)構(gòu)的本體與延伸臂，為第二待蝕刻區(qū)域所圍繞；以及去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域。上述方法中，該第一和第二待蝕刻區(qū)域可一次去除，或分為兩或更多步驟去除。上述方法中，該去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域的步驟可包含以下步驟沉積一層防護(hù)層；沉積一層硬屏蔽；定義該硬屏蔽與防護(hù)層的圖案；及蝕刻該第一和第二待蝕刻區(qū)域。以上步驟中，在定義該硬屏蔽與防護(hù)層的圖案后，可再沉積一層屏蔽。下面通過(guò)具體實(shí)施例詳加說(shuō)明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖1標(biāo)出現(xiàn)有技術(shù)的同平面?zhèn)鞲衅鹘Y(jié)構(gòu)的一例；圖2說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題；圖3標(biāo)出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例；圖4說(shuō)明本發(fā)明可解決先前技術(shù)的問(wèn)題；圖5A、5B標(biāo)出本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例；圖6A、6B、6C標(biāo)出本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例；圖7A-7H標(biāo)出本發(fā)明的工藝實(shí)施例，其中圖第7A、7C、7E-7G為沿圖3中A—A剖面所得的剖面圖；圖7B、7D、7H為沿圖3中B--B剖面所得的剖面圖；圖8A-8C、圖9A-9C標(biāo)出本發(fā)明的另兩個(gè)工藝實(shí)施例。圖中符號(hào)說(shuō)明11第零層硅基板12a 接觸層12b-12f 通道層13a-13f 金屬層14氧化物區(qū)域(空心區(qū)域)
17氧化物區(qū)域(空心區(qū)域)18屏蔽18a防護(hù)層18b硬屏蔽18c光阻19屏蔽30固定結(jié)構(gòu)32固定臂32a懸浮端32b支撐端38固定端40移動(dòng)結(jié)構(gòu)42本體43延伸本體44延伸臂45開(kāi)孔46，46，彈簧(連接部)46a曲折處48固定部50固定結(jié)構(gòu)52固定臂56連接部58固定端60移動(dòng)結(jié)構(gòu)62本體64延伸臂66連接部68固定端100,200,300 微機(jī)電區(qū)域
具體實(shí)施例方式本說(shuō)明書(shū)的圖標(biāo)均屬示意，其維度并未完全按照比例繪示。請(qǐng)參閱圖3，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，同平面?zhèn)鞲衅鞯奈C(jī)電結(jié)構(gòu)100中包含有至少一個(gè)固定結(jié)構(gòu)30和一個(gè)移動(dòng)結(jié)構(gòu)40。移動(dòng)結(jié)構(gòu)40包含本體42、延伸臂44、連接部46 和固定部48，彼此互相連接；其中本體42、延伸臂44、連接部46為懸浮結(jié)構(gòu)，固定部48為固定結(jié)構(gòu)，其意即，除固定部48固定于下方的基體(未示出)上之外，彼此連接的本體42、延伸臂44、連接部46為懸浮。在其中一個(gè)實(shí)施例中，連接部46為彈簧，可以彈性伸縮。固定結(jié)構(gòu)30包含多個(gè)固定臂32，每個(gè)固定臂32本身為懸浮，其具有懸浮端3 與支撐端32b， 支撐端32b通過(guò)與固定端38連接而固定。至于各固定端38之間，則可借助底層基體或更上層的內(nèi)聯(lián)機(jī)來(lái)互相導(dǎo)通(導(dǎo)通關(guān)系以虛線表示)。本發(fā)明特點(diǎn)之一在于，支撐端32b較懸浮端3 更接近本體42，且與本體42位于同一側(cè)，而懸浮端3 則位于另一側(cè)。因此如圖 4所示，即使因工藝問(wèn)題造成彎翹，由于固定臂32的懸浮端3 和延伸臂44的外緣位于同一側(cè)，工藝造成的彎翹問(wèn)題對(duì)兩者的影響度相近，因此固定臂32和延伸臂44仍具有相當(dāng)大的重疊面積，不影響原先所設(shè)計(jì)的電容值。圖5A標(biāo)出本發(fā)明的另一實(shí)施例，在本實(shí)施例中，同平面?zhèn)鞲衅鞯奈C(jī)電結(jié)構(gòu)200 中同樣包含有至少一個(gè)固定結(jié)構(gòu)30和一個(gè)移動(dòng)結(jié)構(gòu)40。本實(shí)施例的特點(diǎn)在于，移動(dòng)結(jié)構(gòu) 40除了包含本體42、延伸臂44、連接部46和固定部48之外，還包含了延伸本體43。由于延伸本體43的存在，使延伸臂44的兩端都與較大質(zhì)量連接，因此可以增加質(zhì)量。在本實(shí)施例中，固定臂32的支撐端32b可以與本體42位于同一側(cè)(如圖所示)，也可以與延伸本體 43位于同一側(cè)(未示)。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)中的其它部分與上一實(shí)施例相似，不另說(shuō)明。圖5B標(biāo)出本發(fā)明的又另一實(shí)施例，圖中省略繪示固定結(jié)構(gòu)30，在本實(shí)施例的微機(jī)電結(jié)構(gòu)300中，不但提供延伸本體43，且本體42和延伸本體43在縱向上都個(gè)別被分割成若干塊，不過(guò)所有的本體42和延伸本體43都連接在一起?？v向分割的作用是減低本體42 和延伸本體43在縱向上的連續(xù)長(zhǎng)度，以減少?gòu)澇?，所述連續(xù)長(zhǎng)度的上限例如可為60 μ m(微米) 100 μ m。圖6A標(biāo)出本發(fā)明的再一實(shí)施例，圖中僅畫(huà)出本體42，其它部分省略。在本實(shí)施例中，本體42并非完整的一整塊質(zhì)量塊，而是包含許多鏤空的大開(kāi)孔45。開(kāi)孔的第一個(gè)作用是在工藝上，便于蝕刻位于本體42下方的材料層；第二個(gè)作用是使質(zhì)量塊在縱向、橫向、 或兩者上(本實(shí)施例中僅設(shè)計(jì)于縱向上)，不至于有連續(xù)過(guò)長(zhǎng)的長(zhǎng)度。詳言之，如圖6A所示，本體42的縱向長(zhǎng)度Y被分成若干個(gè)段落Yl，Y2,...，每一個(gè)段落的縱向長(zhǎng)度都限制在某個(gè)長(zhǎng)度之下，其上限例如為60 μ m 100 μ m。此種安排方式的目的是減少?gòu)澛N，由于將連續(xù)長(zhǎng)度限制在一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度之下，因此在該方向上彎翹的程度就可以降低。當(dāng)然，開(kāi)孔的位置并不局限于如圖6A所示，例如圖6B也同樣可行。圖6A、6B兩實(shí)施例中，長(zhǎng)度限制僅設(shè)計(jì)于縱向上，但本領(lǐng)域技術(shù)人員自可在本發(fā)明的揭示后，自行應(yīng)用于橫向、或縱橫向兩者上。且此種鏤空結(jié)構(gòu)不僅可設(shè)計(jì)在本體42上，當(dāng)然亦可設(shè)計(jì)在延伸本體43上。在以上各實(shí)施例中，彈簧46的結(jié)構(gòu)并不限于圖3、5A、5B所示，例如請(qǐng)見(jiàn)圖6C，圖中對(duì)照顯示圖3、5A、5B所示的簡(jiǎn)單彈簧結(jié)構(gòu)(上方彈簧46，僅示出右半邊)，與較復(fù)雜型式的彈簧結(jié)構(gòu)(下方彈簧46’，僅示出右半邊)，彈簧46’在彈簧46較長(zhǎng)的方向上(圖中的X方向)，增設(shè)至少一個(gè)曲折處46a，以增加彈簧的實(shí)際有效長(zhǎng)度。由此可降低彈簧的彈性系數(shù)， 增加傳感器的靈敏度。以下將參照?qǐng)D7A-7H，并以圖3為例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的同平面?zhèn)鞲衅鞯墓に嚒Ｐ枵f(shuō)明的是，以下工藝是以六層金屬工藝為例，但本發(fā)明當(dāng)然并不局限于使用六層金屬工藝，其金屬層可為任何層數(shù)，且工藝當(dāng)然可適用于圖5A、5B、6A、6B及所有在本發(fā)明概念下的結(jié)構(gòu)。 請(qǐng)參閱圖7A、7B，其中圖7A為沿圖3中A--A剖面、圖7B為沿圖3中B--B剖面所得的剖面圖。在本實(shí)施例中首先提供一個(gè)第零層晶圓基板11，此基板11例如可為硅基板，以與CMOS 工藝兼容。接著在基板11上以CMOS工藝制作晶體管元件等(未示出)，再依序以沉積、微影、蝕刻等工藝制作內(nèi)聯(lián)機(jī)，如圖7B中的接觸層12a，第一層金屬層13a，第一層通道層12b， 第二層金屬層13b，第二層通道層12c等，此時(shí)也同時(shí)制作出圖3中的固定端38。圖中所示的下方結(jié)構(gòu)使用兩層金屬制作，其接觸層與通道層材料例如可使用鎢，且在沉積鎢之前可先沉積多晶硅或氮化層，金屬層材料則可使用鋁，介電材料可使用氧化物如二氧化硅。但當(dāng)然，使用其它導(dǎo)電與介電材料來(lái)制作內(nèi)聯(lián)機(jī)也是可行的，且金屬層數(shù)目當(dāng)然也可以改變，圖標(biāo)僅是舉例而已。各層與13a-13b的圖案中，包含重疊的氧化物區(qū)域14(第一待蝕刻區(qū)域)；微機(jī)電結(jié)構(gòu)區(qū)域100之外的部份并未繪示，以求簡(jiǎn)化圖面。氧化物區(qū)域14的材料例如可以使用二氧化硅。為求未來(lái)蝕刻氧化物區(qū)域14時(shí)不致?lián)p及其它區(qū)域，宜將氧化物區(qū)域14包圍在一個(gè)防護(hù)環(huán)(未示出)之內(nèi)，該防護(hù)環(huán)可在各層與13a-i;3b形成圖案時(shí)一并形成。接下來(lái)在基板上方沉積若干層的內(nèi)聯(lián)機(jī)結(jié)構(gòu)，包括通道層12d_12f與金屬層 13c-13f。為了機(jī)電電路功能的需求，必須將某些區(qū)域彼此隔離，圖中舉例顯示以氧化物區(qū)域17來(lái)隔離，此氧化物區(qū)域17可在形成通道層12d-12f與金屬層13c-13f時(shí)一并形成。接續(xù)圖7A與7B，再請(qǐng)參閱圖7C與7D，在其中一種較佳實(shí)施型態(tài)中，可在基板上方沉積一層屏蔽18并定義圖案，使氧化物區(qū)域17 (第二待蝕刻區(qū)域)暴露出來(lái)，此層屏蔽18 例如可為光阻，以顯影方式形成圖案，或亦可采用其它材質(zhì)，例如金屬層或非晶硅層等。采用金屬層或非晶硅層作為屏蔽的實(shí)施例，容后說(shuō)明。接續(xù)圖7C，接著見(jiàn)圖7E，在屏蔽18的遮蓋下進(jìn)行氧化物蝕刻，去除區(qū)域17內(nèi)的氧化物。蝕刻的方式例如可為非等向性(anisotropic)反應(yīng)式離子蝕刻(RIE，reactive ion etch)。在蝕刻過(guò)程中，屏蔽18大致上已接近完全耗損。請(qǐng)注意，以上自圖7C至圖7E的步驟，屬選項(xiàng)而非必要；可省略之而在圖7A、7B步驟后，直接銜接圖7F的步驟。接著見(jiàn)圖7F，不論屏蔽18是否已完全耗損，再沉積一層屏蔽19，此屏蔽的材質(zhì)例如為光阻，并對(duì)氧化物區(qū)域14進(jìn)行氧化物蝕刻，其方式例如可使用氫氟酸蒸氣蝕刻(HF vapor etch)、或?qū)⒄w基板浸入酸槽內(nèi)以緩沖氧化物蝕刻(BOE，buffered oxide etch)方式進(jìn)行濕式蝕刻。最后如圖7G所示，將光阻18、19 一齊去除，即可得到所欲的微機(jī)電元件，由于剖面位置的關(guān)系，圖中僅可見(jiàn)到移動(dòng)結(jié)構(gòu)40。圖7H顯示沿圖3中B-B剖面所見(jiàn)的結(jié)構(gòu)，可見(jiàn)到固定結(jié)構(gòu)30 (包含固定臂32與固定端38)和移動(dòng)結(jié)構(gòu)40的一部分(本體42)。圖8A接續(xù)圖7A，顯示采用金屬層或非晶硅層作為屏蔽的實(shí)施例，在本實(shí)施例中， 宜在最上層金屬層13f上先沉積防護(hù)層18a(防護(hù)層可為氮化層或氧化層加氮化層的雙層結(jié)構(gòu))，之后在其上沉積硬屏蔽層18b (硬屏蔽層可為金屬層或非晶硅層)。在圖標(biāo)實(shí)施例中，硬屏蔽層18b和防護(hù)層18a先經(jīng)過(guò)一次圖案定義，以打開(kāi)微機(jī)電結(jié)構(gòu)的區(qū)域100。由于已設(shè)置了硬屏蔽18b，因此光阻18c并不必然需要，可視工藝所需而決定是否再沉積光阻18c， 圖標(biāo)以沉積光阻18c為例，換言之在此作法中需要兩次定義圖案。但本發(fā)明并不局限于此種作法，亦可直接一次定義其圖案，如圖9A所示。接著見(jiàn)圖8B與9B，先進(jìn)行一次氧化物蝕刻，以去除區(qū)域17內(nèi)的氧化物。蝕刻的方式例如可為異向性(anisotropic)反應(yīng)式離子蝕刻(RIE，reactive ion etch)。在蝕刻過(guò)程中，光阻18c大致上已接近完全耗損，但硬屏蔽18b尚留存。同樣地，此蝕刻步驟屬選項(xiàng)， 可省略之而直接進(jìn)行圖8C與9C的步驟。接著見(jiàn)圖8C與9C，對(duì)氧化物區(qū)域14進(jìn)行氧化物蝕刻，其方式例如可使用氫氟酸
8蒸氣蝕刻(HF vapor etch)、或?qū)⒄w基板浸入酸槽內(nèi)以緩沖氧化物蝕刻(BOE，buffered oxide etch)方式進(jìn)行濕式蝕刻。如此，即可得到所欲的微機(jī)電元件，其中圖8C與9C的差別在于區(qū)域100內(nèi)，微機(jī)電結(jié)構(gòu)的上方是否留存防護(hù)層18a和硬屏蔽18b。如有必要，可再以光阻蝕刻エ藝去除之，以及去除區(qū)域100外的硬屏蔽18b，其步驟不予贅述。以上エ藝以制作圖3結(jié)構(gòu)為例，但當(dāng)然也可用以制作圖5A、5B、6A、6B等的結(jié)構(gòu)。以上已針對(duì)較佳實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，以上所述，僅為使本領(lǐng)域技術(shù)人員易于了解本發(fā)明的內(nèi)容而，并非用來(lái)限定本發(fā)明的權(quán)利范圍。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，當(dāng)可在本發(fā)明精神內(nèi)，立即思及各種等效變化。舉例而言，除圖6A、6B外，達(dá)成同樣的目的，可以有各種開(kāi)孔的方式。又如，彈簧除圖6C所示的兩種結(jié)構(gòu)外，可為其它任何結(jié)構(gòu)。再如，雖然實(shí)施例所述金屬以鋁為例、介電材料以ニ氧化硅為例，但本發(fā)明也可應(yīng)用銅和低介電常數(shù)材料來(lái)制作。除以上所述外，還其它有各種等效變化的可能。故凡依本發(fā)明的概念與精神所為之均等變化或修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種同平面?zhèn)鞲衅?，其特征在于，包含一固定結(jié)構(gòu)，此固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，該固定臂具有支撐端和懸浮端，支撐端與固定端連接，懸浮端為懸??；以及一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，此移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括本體、延伸本體與延伸臂，本體和延伸本體通過(guò)延伸臂而彼此連接。
2.如權(quán)利要求1所述的同平面?zhèn)鞲衅?，其中，該移?dòng)結(jié)構(gòu)還包含連接部與固定部，本體經(jīng)由連接部而與固定部連接，且該固定部與固定結(jié)構(gòu)同固定于一基板。
3.如權(quán)利要求2所述的同平面?zhèn)鞲衅鳎渲?，該連接部為彈簧。
4.如權(quán)利要求3所述的同平面?zhèn)鞲衅?，其中，該彈簧在其較長(zhǎng)的方向上具有至少一個(gè)曲折處。
5.如權(quán)利要求1所述的同平面?zhèn)鞲衅?，其中，該本體與延伸本體至少其中之一具有開(kāi)孔。
6.如權(quán)利要求1所述的同平面?zhèn)鞲衅鳎渲?，該本體縱橫任一方向上的連續(xù)長(zhǎng)度小于一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。
7.如權(quán)利要求1所述的同平面?zhèn)鞲衅?，其中，該移?dòng)結(jié)構(gòu)包含有多個(gè)本體與多個(gè)延伸本體，經(jīng)由延伸臂而連接成一體。
8.—種同平面?zhèn)鞲衅鞯闹谱鞣椒?，該同平面?zhèn)鞲衅靼还潭ńY(jié)構(gòu)與一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，且移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括彼此連接的本體與延伸臂， 其特征在于，該方法包含提供一個(gè)基板，在該基板上已沉積至少一層接觸層與至少一層金屬層，且已通過(guò)該至少一層接觸層與至少一層金屬層而形成該固定結(jié)構(gòu)的固定端，此固定端為第一待蝕刻區(qū)域所圍繞；沉積并定義金屬層與通道層，以形成該固定結(jié)構(gòu)的固定臂，及該移動(dòng)結(jié)構(gòu)的本體與延伸臂，所述固定結(jié)構(gòu)的固定臂，及移動(dòng)結(jié)構(gòu)的本體與延伸臂，為第二待蝕刻區(qū)域所圍繞；以及去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒?，其中，該第一和第二待蝕刻區(qū)域以氧化物制作。
10.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒?，其中，該去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域的步驟包含使用氫氟酸蒸氣蝕刻或緩沖氧化物蝕刻方式一次去除第一和第二待蝕刻區(qū)域。
11.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒ǎ渲?，該去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域的步驟包含使用異向性反應(yīng)式離子蝕刻方式去除第二待蝕刻區(qū)域，再使用氫氟酸蒸氣蝕刻或緩沖氧化物蝕刻方式去除第一待蝕刻區(qū)域。
12.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒?，其中，該去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域的步驟包含沉積一層防護(hù)層； 沉積一層硬屏蔽；定義該硬屏蔽與防護(hù)層的圖案；以及蝕刻該第一和第二待蝕刻區(qū)域。
13.如權(quán)利要求12所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒ǎ渲?，該去除該第一和第二待蝕刻區(qū)域的步驟還包含在定義該硬屏蔽與防護(hù)層的圖案后，沉積一層屏蔽。
14.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒?，其中，該接觸層的材料包括鎢。
15.如權(quán)利要求14所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒ǎ渲?，該接觸層的沉積步驟包括先沉積一層多晶硅或氮化層，再沉積鎢。
16.如權(quán)利要求8所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒ǎ渲?，該通道層的材料包括鎢。
17.如權(quán)利要求16所述的同平面?zhèn)鞲衅髦谱鞣椒?，其中，該通道層的沉積步驟包括先沉積一層多晶硅或氮化層，再沉積鎢。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種同平面?zhèn)鞲衅?，該同平面?zhèn)鞲衅靼还潭ńY(jié)構(gòu)，此固定結(jié)構(gòu)包括彼此連接的固定臂與固定端，該固定臂具有支撐端和懸浮端，支撐端與固定端連接，懸浮端為懸??；以及一移動(dòng)結(jié)構(gòu)，此移動(dòng)結(jié)構(gòu)至少包括彼此連接的本體與延伸臂，其中，該固定臂的支撐端比懸浮端更靠近本體。
文檔編號(hào)G01D5/241GK102538834SQ201210005458
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2008年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月27日
發(fā)明者李昇達(dá), 王傳蔚 申請(qǐng)人:原相科技股份有限公司